三星首次開發(fā)出第三代10nm級DRAM高級存儲器

（文章來源：DeepTech深科技）

三星電子有限公司（Samsung Electronics）在其官網(wǎng)上發(fā)布消息，該公司正式宣布，首次開發(fā)了第三代 10nm 制程工藝（1z-nm）8GB 超高性能和高功效的 DRAM（Dynamic Random Access Memory，動態(tài)隨機存取存儲器）。

自開始批量生產(chǎn)第二代 10nm 級 8Gb DDR4 以來僅僅 16 個月，就得到了突破性進展，開發(fā)出 1z-nm 8Gb DDR4，而不使用 Extreme Ultra-Violet（EUV）處理，突破了 DRAM 存儲器擴展的極限。

三星電子 DRAM 產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁 Jung-Bae-Lee 表示：“我們致力于突破技術(shù)領(lǐng)域的最大挑戰(zhàn)，推動實現(xiàn)更大的創(chuàng)新。很高興能再次為穩(wěn)定生產(chǎn)下一代 DRAM奠 定基礎(chǔ)，確保性能和能源效率的最大化。隨著我們推出 10nm 級別的制程工藝（1z-nm）的 DRAM 系列產(chǎn)品。未來，三星將繼續(xù)致力于支持其全球客戶部署尖端系統(tǒng)，并推動高端內(nèi)存市場的增長，為重要目標?！?/p>

上面多次提到的 DRAM，中文名叫動態(tài)隨機存取存儲器，這是一種隨機存取的半導(dǎo)體存儲記憶器，它將每一位數(shù)據(jù)存儲在集成電路內(nèi)的單獨的微小電容器中。DRAM 的主要作用原理，是利用電容內(nèi)儲存電荷的比特值，代表一個二進制位元（bit）是1還是0。

由于在現(xiàn)實中，電晶體會有漏電電流的現(xiàn)象，導(dǎo)致電容上所儲存的電荷數(shù)量并不足以正確的判別資料，而導(dǎo)致資料毀損。因此，通過 DRAM 進行充電是一個無可避免的事情。這種產(chǎn)品的必要性和技術(shù)性，是非常高的，也是存儲芯片中最值得關(guān)注的點。

DRAM 廣泛用于需要低成本和高容量存儲器的數(shù)字電子設(shè)備中。最典型的是在 RAM 中內(nèi)置。與大部分的隨機存取記憶體（RAM）一樣，由于存在 DRAM 中的資料會在電力切斷以后很快消失，因此它屬于一種揮發(fā)性記憶體（volatile memory）設(shè)備，沒有長期的記憶保存。

據(jù)悉，三星開發(fā)的 10nm 級別的（1z-nm）DRAM，將為整個行業(yè)的技術(shù)改進做出了巨大的貢獻，也為下一代 DRAM 接口（如 DDR5、LPDDR5 和 GDDR6）過渡鋪平了道路，這些接口將推動未來的數(shù)字創(chuàng)新。