納米技術為數(shù)字存儲器制作新一代的憶阻器

（文章來源：百家號）
? ? ? ? 憶阻器是一類新的電路 - 它們可以結束硅時代并永遠改變電子器件。自2008年惠普首次開發(fā)出帶有二氧化鈦薄膜的工作原型以來，工程師們一直在尋求完善該模型，現(xiàn)在，密歇根理工大學的研究人員已經(jīng)制造出一種基于二硫化鉬納米片的理想憶阻器。

查爾斯和Carroll McArthur材料科學與工程教授Yun Hang Hu領導了這項研究，該研究于今年1月在Nano Letters上發(fā)表，基于硅的晶體管是計算機芯片的主要組成部分，它使用電子流動。如果晶體管中的電子流被中斷，則所有信息都會丟失。然而，憶阻器是具有記憶功能的電子設備; 它們的阻力取決于內(nèi)部狀態(tài)變量的動態(tài)演變。換句話說，憶阻器可以記住流過材料的電荷量，即使在電源關閉時也能保留數(shù)據(jù)。

憶阻器可用于制造超高速存儲芯片，以更少的能耗消耗更多數(shù)據(jù)”胡說。

此外，晶體管受二進制代碼限制 - 所有的零和零運行互聯(lián)網(wǎng)，Candy Crush游戲，F(xiàn)itbits和家用電腦。相比之下，憶阻器以類似于人類大腦的方式運行，使用多個級別，實際上每個數(shù)字在0和1之間。憶阻器將導致計算機革命，并提供創(chuàng)造人類人工智能的機會。

與具有固定電阻的電阻器不同，憶阻器具有與電壓相關的電阻?！焙忉屨f，并補充說材料的電性能是關鍵?！皯涀杵鞑牧媳仨毦哂锌呻S電壓可逆地變化的電阻，他的研究表明，二硫化鉬納米片對于憶阻器很有前景。該材料的成功歸結為工程原子結構，理想的憶阻器是對稱的。在兩個象限中，電流和電壓之間的關系是均勻的，舍入的并且相等。實際上，憶阻器通常表現(xiàn)出不平衡的電流 - 電壓特性。然而，胡的二硫化鉬憶阻器確實顯示出理想的對稱性。這將使材料更加可預測和一致，因為它是為電子產(chǎn)品開發(fā)的。

為了實現(xiàn)這種對稱性，胡和他的研究團隊開始使用塊狀二硫化鉬，也稱為礦物輝鉬礦，用作工業(yè)潤滑劑。然后他們操縱原子，結構排列，稱為不同的晶相。具有2H相的塊狀材料很好地作為常規(guī)電阻器，并且為了使其成為憶阻器，該團隊剝離了分子層。該剝離過程產(chǎn)生具有1T相的二硫化鉬納米片。具有1相的納米片表現(xiàn)出相對于憶阻器所需的電壓的電阻的可逆變化。研究人員最終將納米片分散在銀箔的兩面，形成對稱的憶阻器。

這種材料正處于這個應用的最初階段，”胡說，并補充說新材料和更好的憶阻器可以從根本上改變計算機的構建方式。它將從更小更快的計算機芯片開始，但隨后他在辦公室里做手勢?！斑@些憶阻器材料將非常通用，有一天，這塊白板和那個咖啡杯可能是電腦，擁有對稱的憶阻器材料使我們更接近那一天。