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如何選擇英飛凌OptiMOS? 與 StrongIRFET? ？

OptiMOS?功率MOSFET擁有一流的出色表現(xiàn)。其特點包括極低的RDS(on) 以及高效率和高功率密度，是開關(guān)頻率較高的應(yīng)用的理想之選。
StrongIRFET?功率MOSFET專門為工業(yè)級應(yīng)用設(shè)計，特別適合于開關(guān)頻率較低以及需要較高載流能力的應(yīng)用。
這一強大的產(chǎn)品組合涵蓋10V–300V區(qū)間，具有卓越的性能和出色的性價比，可滿足廣泛的需求。

產(chǎn)品展示

打卡任意三個產(chǎn)品，或下載兩個文檔，可獲得最多兩次抽獎機會

OptiMOS? 6 家族

使用 OptiMOS? 6 功率 MOSFET 將您的設(shè)計提升到更高的系統(tǒng)效率水平

英飛凌最新的 OptiMOS? 6 功率 MOSFET 系列可實現(xiàn)最高水平的系統(tǒng)效率。OptiMOS? 6 采用最先進的溝槽工藝，在開關(guān)/導(dǎo)通損耗和電流能力方面有顯著改進。這些改進可降低系統(tǒng)損耗，從而提高功率密度、電路板溫度和整體系統(tǒng)可靠性。目標(biāo)應(yīng)用包括開關(guān)模式電源(SMPS) 、可再生能源、Oring 電路、電機驅(qū)動、LEV 和電池供電應(yīng)用。

該系列包含多款產(chǎn)品，包含全新推出的200V，以及120V， 100V，與40V家族。

  • OptiMOS? 6 200V
  • OptiMOS? 6 120 V
  • OptiMOS? 6 100 V
  • OptiMOS? 6 40 V

  • 重新定義行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)
    英飛凌新的200v MOSFET系列采用最新的OptiMOS?6
    MOSFET溝槽技術(shù)，可實現(xiàn)高功率密度、高效率和系統(tǒng)可靠性。

    產(chǎn)品優(yōu)勢

    ? 低傳導(dǎo)損耗
    ? 開關(guān)損耗低
    ? 改善了EMI
    ? 減少了并聯(lián)的需要
    ? 并聯(lián)時更好的電流共享
    ? 符合RoHS，無鉛

    技術(shù)優(yōu)勢

    ? 與上一代相比，室溫下RDS（開啟）減少42%，175°C時減少53%
    ? 降低了Qrr和提高了電容線性度，提高了開關(guān)性能
    ? 在不影響EMI的情況下，降低傳導(dǎo)和開關(guān)損耗
    ? 改進了SOA以增加保護開關(guān)應(yīng)用中的MOSFET電流處理
    ? 設(shè)計優(yōu)化和生產(chǎn)精度使可靠的高性能技術(shù)

    OptiMOS 6 200V 介紹視頻

    • OptiMOS 6 200V 介紹 PPT
    • MOSFET系列 應(yīng)用文檔
    • 在大電流應(yīng)用中并聯(lián) MOSFET
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  • 英飛凌的 OptiMOS? 6 120 V功率MOSFET系列適用于高頻和低頻的硬開關(guān)和軟開關(guān)應(yīng)用，提供正常和邏輯電平兩種類型。它可廣泛應(yīng)用于工業(yè)電源、太陽能、電源充電器、低壓驅(qū)動器和電動工具等領(lǐng)域。

    產(chǎn)品優(yōu)勢

    ? 最高的效率
    ? 高功率密度
    ? 系統(tǒng)可靠性高
    ? 高效的器件，導(dǎo)致更少的冷卻需求和更少的并聯(lián)器件數(shù)量
    ? 可靈活選擇PCB材料

    技術(shù)優(yōu)勢

    ? 業(yè)界在120 V中最低的RDS(on)
    ? 在各種應(yīng)用的開關(guān)和傳導(dǎo)損耗之間取得最佳平衡
    ? 在不需要150 V電壓的情況下，有更低的RDS(on)和FOMs
    ? 廣泛的封裝選擇：用于FR4和IMS PCB的SMD，頂部冷卻和THD
    ? 具有工業(yè)資質(zhì)和Tj_max = 175°C，可實現(xiàn)卓越的功率處理和堅固性
    ? 與 100 V 器件相比，提供了更高的電壓余量

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  • 英飛凌 OptiMOS? 6 power MOSFETs 100 V系列是電信和太陽能等高頻開關(guān)應(yīng)用的理想選擇。英飛凌領(lǐng)先的薄晶圓技術(shù)實現(xiàn)了顯著的性能優(yōu)勢。

    產(chǎn)品優(yōu)勢

    ? 導(dǎo)通損耗低
    ? 開關(guān)損耗低
    ? 快速開啟和關(guān)閉
    ? 減少并聯(lián)
    ? 性能穩(wěn)健可靠
    ? 環(huán)保

    技術(shù)優(yōu)勢

    ? RDS(on)降低約 20%
    ? FOMg 改善了 30%，F(xiàn)OMgd 改善了40%
    ? 較低和較柔和的反向恢復(fù)電荷 (Qrr)
    ? 175 °C 結(jié)溫等級
    ? 高雪崩能量等級
    ? 無鉛鍍層，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

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  • OptiMOS?6 40V 結(jié)合了同類最佳的RDS(on)以及優(yōu)越的開關(guān)性能。英飛凌市場領(lǐng)先的OptiMOS?6 功率MOSFET 40V備有兩種不同的封裝：
    - SuperSO8 - 5 x 6 mm with RDS(on) 范圍從5.9 mΩ降至0.7 mΩ
    - PQFN 3x3 - 3.3 x 3.3 mm with RDS(on)范圍從6.3 mΩ降至1.8 mΩ

    產(chǎn)品優(yōu)勢

    ? 低開關(guān)損耗
    ? 低寄生效應(yīng)和低工作溫度
    ? 低柵極驅(qū)動損耗
    ? 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)的無鉛產(chǎn)品

    技術(shù)優(yōu)勢

    ? 超低 QG
    ? 低 RDS(on)
    ? 裸露焊盤
    ? 邏輯和普通柵極驅(qū)動兩種形式
    ? 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)

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StrongIRFET?

StrongIRFET?功率MOSFET專門為工業(yè)級應(yīng)用設(shè)計，特別適合于開關(guān)頻率較低以及需要較高載流能力的應(yīng)用。

  • StrongIRFET? 2 Power MOSFET
  • StrongIRFET? Power MOSFET

  • StrongIRFET? 2系列，采用新一代功率MOSFET技術(shù)，可滿足 開關(guān)電源、 電機驅(qū)動器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動車和太陽能等多種應(yīng)用需求。

    該系列產(chǎn)品實用性強、性價比高，對于追求便捷選購的設(shè)計師而言，堪稱理想之選。 該系列產(chǎn)品針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進行了優(yōu)化，可為各種應(yīng)用提供支持，實現(xiàn)靈活設(shè)計。新產(chǎn)品支持各類封裝，包括TO-220， TO-220 FullPAK、D2PAK、D2PAK 7引腳以及DPAK封裝。

    與之前的 StrongIRFET? 器件相比，這項新技術(shù)可提供高達 40% 的 RDS(on) 改進和高達 60% 的 Qg 降低，從而轉(zhuǎn)化為更高的功率效率，從而提高整體系統(tǒng)性能。 更高的額定電流可實現(xiàn)更高的載流能力，無需再并聯(lián)多個器件，從而降低了 BOM 成本并節(jié)省了電路板面積。

    StrongIRFET? 2 系列功率 MOSFET 技術(shù)適用于各種應(yīng)用，例如 SMPS、電機驅(qū)動、電池供電、電池管理、UPS 和輕型電動汽車。

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  • StrongIRFET?功率MOSFET系列針對低R DS（on）和高電流能力進行了優(yōu)化。這些器件非常適合于要求高性能和耐用性的低頻應(yīng)用，如電池供電電路以及用于包括電動工具、輕型電動車輛和需要高能量的電動自行車等終端應(yīng)用在內(nèi)的有刷和無刷直流（BDLC）電動機驅(qū)動器。在該器件的應(yīng)用下，系統(tǒng)的能量效率將得到提高。

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中獎名單

    溫馨提示
    活動結(jié)束后由工作人員統(tǒng)一郵件核對快遞地址，獎品將在15個工作日內(nèi)寄出。
    如因注冊報名信息不全，導(dǎo)致在活動結(jié)束前無法與您取得聯(lián)系，將視為自動放棄領(lǐng)獎機會。

    活動說明：

    1. 抽獎規(guī)則：在此期間內(nèi)完成打卡的工程師用戶，可獲得抽獎機會；打卡任意三個產(chǎn)品，或下載兩個文檔&觀看視頻，可獲得最多兩次抽獎機會。請如實填寫資料，以便中獎后與您聯(lián)系及安排獎品寄送。

    2. 活動期限：即日起——2024年7月31日

    3. 僅限電子行業(yè)人員參與，不支持小號、馬甲號參與抽獎，一經(jīng)發(fā)現(xiàn)立即取消中獎資格。

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