已經(jīng)完成，現(xiàn)在可以為客戶提供樣品。通過在其基于極紫外（EUV）的工藝產(chǎn)品中添加另一個(gè)尖端節(jié)點(diǎn)，三星再次證明了其在先進(jìn)晶圓代工市場的領(lǐng)導(dǎo)地位。 與7nm相比，三星的5nm FinFET工藝技術(shù)將邏輯區(qū)域效率提高了25％，功耗降低了20％，性能提高了10％，從而使其能夠擁有更多創(chuàng)
2019-04-18 15:48:47
6010 臺(tái)積電（TSMC）的高管對(duì)即將來臨的20nm芯片生產(chǎn)與銷售信心滿滿，臺(tái)積電CEO張忠謀上周就曾做過一個(gè)預(yù)測，他說最新的20nm工藝芯片2014年的成績會(huì)比先前28nm芯片頭兩年賣得還要好。
2013-01-23 08:57:45699 16nm/14nm FinFET技術(shù)將是一個(gè)Niche技術(shù)，或者成為IC設(shè)計(jì)的主流？歷史證明，每當(dāng)創(chuàng)新出現(xiàn)，人們就會(huì)勾勒如何加以利用以實(shí)現(xiàn)新的、而且往往是意想不到的價(jià)值。FinFET技術(shù)將開啟電腦、通信和所有類型消費(fèi)電子產(chǎn)品的大躍進(jìn)時(shí)代。
2013-03-28 09:26:472161 微處理器設(shè)計(jì)公司ARM與臺(tái)積電今天共同宣布，首個(gè)采用臺(tái)積電下下代16nm工藝制程FinFET技術(shù)生產(chǎn)的ARM Cortex-A57處理器已成功流片。Cortex-A57處理器為ARM旗下性能最高的處理器。
2013-04-03 09:05:051157 Mentor CEO認(rèn)為：進(jìn)入20nm、14/16nm及10nm工藝時(shí)代后，摩爾定律可能會(huì)失效，每個(gè)晶體管成本每年的下降速度不到30%，這導(dǎo)致企業(yè)面臨的成本挑戰(zhàn)會(huì)更加嚴(yán)峻。
2013-09-20 10:06:001635 有消息稱，這款蘋果A8芯片將會(huì)采用臺(tái)積電的20nm制程工藝。出于貨源穩(wěn)定性的考慮，不會(huì)采用年底更為超前的16nm。盡管16nm的芯片會(huì)在明年正式量產(chǎn)，但是產(chǎn)能和技術(shù)上仍不慎穩(wěn)定。
2013-12-16 08:56:431870 對(duì)于英特爾來說，要想在移動(dòng)芯片市場多分得一杯羹，就需要借助其更加先進(jìn)的制造能力的優(yōu)勢。而今日宣布的新款A(yù)tom SoCs——舉例來說——即基于22nm的3D或“三柵極晶體管”工藝。與傳統(tǒng)
2014-02-25 09:08:51960 昨日臺(tái)積電官方宣布，16nm FinFET Plus（簡稱16FF+）工藝已經(jīng)開始風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)。16FF+是標(biāo)準(zhǔn)的16nm FinFET的增強(qiáng)版本，同樣有立體晶體管技術(shù)在內(nèi)，號(hào)稱可比20nm SoC平面工藝性能提升最多40％，或者同頻功耗降低最多50％。
2014-11-14 09:31:582127 在率先量產(chǎn)20nm UltraScale系列產(chǎn)品之后，全球領(lǐng)先的All Programmable解決方案提供商賽靈思最近又推出了全新的16nm UltraScale+系列FPGA、3D IC和MPSoC產(chǎn)品。再次實(shí)現(xiàn)了遙遙領(lǐng)先一代的優(yōu)勢。
2015-03-04 09:47:261887 全球首款支持Micron新型16nm TLC NAND的SSD控制器，有助實(shí)現(xiàn)高性能、成本最優(yōu)化的TLC SSD
2015-06-04 11:36:281577 在歷經(jīng)16nm/14nm閘極成本持續(xù)增加后，可望在10nm時(shí)降低。雖然IBS并未預(yù)期工藝技術(shù)停止微縮，但預(yù)計(jì)試錯(cuò)成本（cost penalty）將出現(xiàn)在采用20nm bulk CMOS HKMG和16/14nm FinFET之際。
2015-06-23 10:39:271246 華為日前正式發(fā)布麒麟家族新成員麒麟650芯片。麒麟650采用了領(lǐng)先的16nm FinFET plus工藝，是全球第三款采用此尖端工藝的手機(jī)芯片，也是第二款16nm FinFET plus工藝量產(chǎn)
2016-04-30 00:22:0031747 在目前市面上常見的SoC中，主要以28nm、20nm、16nm和14nm這4種制程為主，每種制程根據(jù)生產(chǎn)工藝不同還衍生出很多版本，比如28nm工藝，先后就有LP、HPM、HPC、HPC+四種版本。
2016-05-18 10:52:364402 導(dǎo)讀：目前，國家權(quán)力扶植半導(dǎo)體生產(chǎn)鏈發(fā)展，在大基金補(bǔ)助下，國內(nèi)IC設(shè)計(jì)廠商建廠迅速，紛紛投入先進(jìn)14/16nm制程生產(chǎn)。據(jù)悉上游半導(dǎo)體生產(chǎn)鏈廠商中芯、武漢新芯、廈門聯(lián)電、南京臺(tái)積電、大連英特爾多家
2016-08-05 15:01:461245 2016年各大晶圓廠的主流工藝都是14/16nm FinFET工藝，Intel、TSMC及三星明年還要推10nm工藝，由于Intel也要進(jìn)軍10nm代工了，這三家免不了一場大戰(zhàn)。但是另一家代工廠
2016-08-17 16:59:402693 著稱，三星為了趕超臺(tái)積電選擇直接跳過20nm工藝而直接開發(fā)14nmFinFET工藝，臺(tái)積電雖然首先開發(fā)出16nm工藝不過由于能效不佳甚至不如20nm工藝只好進(jìn)行改進(jìn)引入FinFET工藝，就此三星成功實(shí)現(xiàn)了領(lǐng)先。
2017-03-02 01:04:491675 基于 16nm UltraScale+ MPSoC 架構(gòu)的 All Programmable RFSoC 在單芯片上集成 RF 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器，可將系統(tǒng)功耗和封裝尺寸減少最高達(dá) 50%-70%
2017-10-10 11:05:479395 隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展，芯片制程工藝已從90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、14nm升級(jí)到到現(xiàn)在比較主流的10nm、7nm，而最近據(jù)媒體報(bào)道，半導(dǎo)體的3nm工藝研發(fā)制作也啟動(dòng)
2019-12-10 14:38:41
STM32WL MCU 的生產(chǎn)工藝（nm）是多少？我們正在考慮設(shè)計(jì)一個(gè)系統(tǒng)，該系統(tǒng)必須在可能的輻射環(huán)境中運(yùn)行，而工藝的納米尺寸將對(duì)此產(chǎn)生影響。
2022-12-26 07:15:25
XX nm制造工藝是什么概念？為什么說7nm是物理極限？
2021-10-20 07:15:43
描述PMP10555 參考設(shè)計(jì)提供為移動(dòng)無線基站應(yīng)用中的 Xilinx? Ultrascale? 16nm 系列 FPGA/SoC 供電所需的所有電源軌。此設(shè)計(jì)對(duì)內(nèi)核及兩個(gè)多輸出降壓型穩(wěn)壓器 IC
2018-11-19 14:58:25
`描述PMP10555 參考設(shè)計(jì)提供為移動(dòng)無線基站應(yīng)用中的 Xilinx? Ultrascale? 16nm 系列 FPGA/SoC 供電所需的所有電源軌。此設(shè)計(jì)對(duì)內(nèi)核及兩個(gè)多輸出降壓型穩(wěn)壓器 IC
2015-05-11 10:46:35
轉(zhuǎn)自http://www.eet-china.com/ART_8800697889_480201_NT_08124b24.HTM臺(tái)積電借16nm FinFET Plus及InFO WLP 通吃英特爾
2014-05-07 15:30:16
我弄了個(gè)22nm的工藝，配置完了之后報(bào)錯(cuò)是為什么？怎么解決？
2021-06-24 08:03:26
各位前輩們，有誰有求UMC 55nm LP工藝(low power)的PDK？請(qǐng)不吝賜予
2021-06-22 07:25:15
本帖最后由 i2c 于 2014-9-1 17:35 編輯
在一類產(chǎn)品發(fā)售之前，還沒有一種半導(dǎo)體工藝像20 nm節(jié)點(diǎn)這樣引起這么大的爭議。爭論在于，節(jié)點(diǎn)是否應(yīng)該等待即將投產(chǎn)的EUV光刻法。它
2014-09-01 17:26:49
FZ3 深度學(xué)習(xí)計(jì)算卡是米爾電子推出的一款以 Xilinx XCZU3EG 作為核心的嵌入式智能 AI 開發(fā)平臺(tái)。采用了 Xilinx 最新的基于 16nm 工藝的 Xilinx Zynq
2020-10-09 10:21:45
請(qǐng)問一下工業(yè)以太網(wǎng)與現(xiàn)場總線誰將成為主流？
2021-05-18 06:03:43
描述PMP10555參考設(shè)計(jì)提供為移動(dòng)無線基站移動(dòng)無線應(yīng)用中的 Xilinx? Ultrascale? 16nm 系列 FPGA/SoC 供電所需的所有電源軌。此設(shè)計(jì)對(duì)內(nèi)核及兩個(gè)多輸出降壓型穩(wěn)壓器
2022-09-28 06:56:35
臺(tái)積電又跳過22nm工藝 改而直上20nm
為了在競爭激烈的半導(dǎo)體代工行業(yè)中提供最先進(jìn)的制造技術(shù)，臺(tái)積電已經(jīng)決定跳過22nm工藝的研
2010-04-15 09:52:16867 聯(lián)發(fā)科、展訊通信在 16nm 工藝芯片上較勁，紛紛推出八核 A53 架構(gòu) 4G 芯片。展訊 SC9860 現(xiàn)在已經(jīng)量產(chǎn)供貨，而聯(lián)發(fā)科 Helio P20 需要等到下半年才能實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，展訊首次在產(chǎn)品導(dǎo)入時(shí)間上走在了聯(lián)發(fā)科前面。
2016-05-20 10:53:091104 2016年半導(dǎo)體的主流工藝是14/16nm FinFET工藝，主要有Intel、TSMC及三星/GlobalFoundries（格羅方德）三大陣營，下一個(gè)節(jié)點(diǎn)是10nm，三方都會(huì)在明年量產(chǎn)，不過
2016-05-30 11:53:53858 All Programmable 技術(shù)和器件的全球領(lǐng)先企業(yè)賽靈思公司（Xilinx， Inc. ）宣布，16nm UltraScale+? 產(chǎn)品組合提前達(dá)成重要的量產(chǎn)里程碑，本季度開始接受量產(chǎn)器件訂單。
2016-10-13 11:10:521302 ARM2015年度技術(shù)論壇深圳站，賽靈思16nm FinFET工藝Zynq UltraScale MPSoC一亮相就吸引了很多人。這款強(qiáng)大的異構(gòu)處理器會(huì)帶來工業(yè)安防汽車等領(lǐng)域的顛覆。 Zynq
2017-02-08 19:26:41252 支持主流市場現(xiàn)在即可采用或者驗(yàn)證新一代器件，系統(tǒng)級(jí)性能功耗比將比28nm器件高2-5倍 賽靈思公司（Xilinx, Inc. (NASDAQ:XLNX)）今天宣布支持16nm UltraScale+
2019-10-06 17:48:00660 作者 張國斌 今天，全球第一款采用16nm FinFET+工藝的異構(gòu)多核處理器投片了！這就是賽靈思公司采用臺(tái)積電16nm 16FF+ (FinFET plus)工藝的Zynq
2017-02-09 03:15:11379 作者：Mike Santarini 賽靈思公司賽靈思雜志發(fā)行人 mike.santarini@xilinx.com 臺(tái)積公司的16nm FinFET工藝與賽靈思最新UltraRAM
2017-02-09 06:28:121249 
2015年，基于FinFET 工藝的IC產(chǎn)品將大量面市，除了英特爾的X86處理器和一些ASIC處理器外，F(xiàn)PGA也正式步入FinFET 3D晶體管時(shí)代，2月23日，羊年大年初五，賽靈思率先發(fā)布基于16nm FinFET 3D晶體管的FPGA新品，再次創(chuàng)下業(yè)界第一，開啟了FinFET FPGA的新時(shí)代。
2019-10-06 11:57:003095 ，拉開了下下代半導(dǎo)體工藝競爭的帷幕。三星、TSMC日前也在ISSCC會(huì)議上公布了自家的7nm工藝進(jìn)展，TSMC展示了7nm HKMG FinFET工藝的256Mb SRAM芯片，核心面只有16nm工藝
2017-02-11 02:21:11277 
以賽靈思 20nm UltraScale 系列的成功為基礎(chǔ)，賽靈思現(xiàn)又推出了全新的 16nm UltraScale+ 系列 FPGA、3D IC 和 MPSoC，憑借新型存儲(chǔ)器、3D-on-3D 和多處理SoC（MPSoC）技術(shù)，再次領(lǐng)先一代提供了遙遙領(lǐng)先的價(jià)值優(yōu)勢。
2017-02-11 16:08:11660 2017年是10nm工藝主推的一年。聯(lián)發(fā)科X30從16nm工藝轉(zhuǎn)為了更低功耗的10nm工藝，高通也相對(duì)應(yīng)的推出了10nm工藝的驍龍835處理器。由于10nm制造成本高和10nm工藝的產(chǎn)能低，導(dǎo)致了聯(lián)發(fā)科和高通處理器供貨將受到影響。
2017-03-09 09:42:311100 小米的澎湃S1芯片剛剛搭載在小米5C上上市銷售，眼下又有消息指其第二款芯片澎湃S2將上市，不過似乎這顆新芯片并非傳說中的高端芯片V970，而是一款設(shè)計(jì)與澎湃S1基本一樣的芯片，只不過其工藝更先進(jìn)，采用了臺(tái)積電的16nmFinFET工藝，而澎湃S1是28nm工藝。
2017-03-15 09:07:10912 據(jù)報(bào)道，全球第二大手機(jī)芯片企業(yè)聯(lián)發(fā)科在近日確定減少對(duì)臺(tái)積電6月至8月約三分之一的訂單，在當(dāng)前的環(huán)境下是一個(gè)合適的選擇，轉(zhuǎn)而采用16nm FinFET工藝和10nm工藝可以更好的應(yīng)對(duì)高通等芯片企業(yè)的競爭。
2017-05-02 09:59:01721 據(jù)悉，Helio P23依然采用16nm制程，已知特性包括基帶支持Cat.7、GPU直接移植自X30（PowerVR 7XT）。
2017-05-11 11:14:138282 臺(tái)積電、三星電子這兩年在半導(dǎo)體工藝上競爭激烈，16/14nm打完之后就沖向了10/7nm，但這兩家的工藝可不像Intel那么單純，版本更多更雜。比如三星在7nm周圍又開發(fā)了8nm、6nm
2017-05-13 01:07:141234 驍龍835的手機(jī)，而在跑分測試中，10nm制程工藝的驍龍835CPU性能跟采用16nm制程工藝的麒麟960性能差別不大，這是為什么呢？
2017-05-16 11:40:481578 我們要先搞清楚什么是制程。那些20nm、16nm什么的到底代表了什么。其實(shí)這些數(shù)值所代表的都是一個(gè)東西，那就是處理器的蝕刻尺寸，簡單的講，就是我們能夠把一個(gè)單位的電晶體刻在多大尺寸的一塊芯片上。
2017-07-05 09:24:482962 隨著智能手機(jī)的發(fā)展，半導(dǎo)體工藝也急速提升，從28nm、16nm、10nm到7nm這些半導(dǎo)體代工廠們每天爭相發(fā)布最新的工藝制程，讓很多吃瓜群眾一臉懵逼不知道有啥用。
2018-06-10 01:38:0046910 小米很有可能會(huì)推出搭載澎湃S2的新機(jī)，澎湃S2采用臺(tái)積電16nm工藝是沒有太大的懸念，相對(duì)澎湃S1較為落后的28nm在功耗上有顯著優(yōu)勢，但和旗艦級(jí)的10nm工藝相比還是有一定差距。
2017-10-14 12:01:002716 臺(tái)積電南京工廠將會(huì)在明年5月提前量產(chǎn)30mm晶圓，據(jù)悉，臺(tái)積電會(huì)引進(jìn)16nm FinFET制造工藝，僅次于10nm FinFET，并在南京設(shè)立一個(gè)設(shè)計(jì)服務(wù)中心來吸引客戶訂單。
2017-12-10 09:30:46910 處理器的洗禮，在麒麟950處理器上已經(jīng)成熟起來，這款處理器號(hào)稱三項(xiàng)世界第一——首個(gè)商用A72 CPU核心、首個(gè)16nm FinFET Plus工藝以及首個(gè)商用Mali-T880 GPU核心。不過麒麟950
2018-02-18 07:55:48569 據(jù)臺(tái)灣電子時(shí)報(bào)報(bào)道稱，小米跟臺(tái)積電達(dá)成了秘密協(xié)議，后者將生產(chǎn)澎湃S2處理器，是基于16nm工藝制程，至于何時(shí)推出還不清楚。 在這個(gè)時(shí)間節(jié)點(diǎn)上，人人都會(huì)喊一句自研芯片的重要性。 而手機(jī)這個(gè)全球出貨量
2018-04-29 23:20:006289 臺(tái)積電似乎以更穩(wěn)妥的方式發(fā)展先進(jìn)制造工藝，其20nm工藝性能表現(xiàn)不良導(dǎo)致高通的驍龍810出現(xiàn)發(fā)熱問題，在推進(jìn)16nm工藝上選擇了更穩(wěn)健的方式即是先在2014年研發(fā)16nm工藝再在2015年三季度引入
2018-05-25 14:36:313305 賽靈思公司 （Xilinx）今天宣布擴(kuò)展其16nm UltraScale+ 產(chǎn)品路線圖，面向數(shù)據(jù)中心新增加速強(qiáng)化技術(shù)。其成品將可以提供賽靈思業(yè)界領(lǐng)先的16nm FinFET+ FPGA與集成
2018-08-19 09:19:00968 與16nm FF工藝相比，臺(tái)積電的7nm工藝（代號(hào)N7）將提升35%的性能，降低65%的能耗，同時(shí)晶體管密度是之前的三倍。2019年初則會(huì)推出EUV工藝的7nm+（代號(hào)N7+）工藝，晶體管密度再提升20%，功耗降低10%，不能性能沒有變化。
2018-08-17 10:28:3018700 本月，全球第一款采用7nm工藝的手機(jī)處理器麒麟980將揭開面紗，這一次，和16nm麒麟960，10nm工藝麒麟970一樣，華為手機(jī)處理器再度在去全球領(lǐng)先。和麒麟970相比，麒麟980會(huì)有哪些提升？雖然華為沒有公布數(shù)據(jù)，但我們可以從目前臺(tái)積電公布的7nm工藝資料中做一些推測。
2018-08-28 15:32:134069 梁孟松是臺(tái)積電前研發(fā)處長，是臺(tái)積電FinFET工藝的技術(shù)負(fù)責(zé)人，而FinFET工藝是芯片制造工藝從28nm往20nm工藝以下演進(jìn)的關(guān)鍵，2014年臺(tái)積電研發(fā)出16nm工藝之后因制程能效甚至不
2018-09-02 09:00:133310 該視頻重點(diǎn)介紹了Xilinx 16nm Kintex UltraScale +器件中雙工作電壓的性能，功耗和靈活性。
2018-11-21 06:11:004627 本視頻重點(diǎn)介紹了針對(duì)16nm UltraScale + FPGA和MPSoC的Xilinx集成100G以太網(wǎng)解決方案，增強(qiáng)了基于IEEE 802.3bj規(guī)范的Reed-Solomon前向糾錯(cuò)模塊（RS-FEC）模塊。
2018-11-28 06:40:004353 在本視頻中，了解Xilinx采用高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）和CCIX技術(shù)的16nm Virtex UltraScale + FPGA的功能和存儲(chǔ)器帶寬。
2018-11-27 06:20:003624 另一個(gè)行業(yè)首先，該演示展示了Xilinx 16nm Virtex UltraScale + FPGA，其集成的100G以太網(wǎng)MAC和RS-FEC協(xié)同工作，通過具有挑戰(zhàn)性的電氣或光學(xué)互連發(fā)送數(shù)據(jù)。
2018-11-27 05:55:003289 賽靈思率先發(fā)布業(yè)界首款16nm產(chǎn)品，Xilinx 16nm UltraScale +系列產(chǎn)品（FPGA，3D IC和MPSoC）結(jié)合了全新的內(nèi)存，3D-on-3D，以及多處理SoC（MPSoC）技術(shù)
2018-11-22 06:49:004316 根據(jù)兆芯的官方消息，兆芯正式發(fā)布新一代16nm 3.0GHz x86 CPU產(chǎn)品——開先KX-6000和開勝KH-30000系列處理器。這是國內(nèi)首個(gè)16nm工藝、8核3.0GHz的高性能處理器，整體性能已經(jīng)超過了Intel酷睿i5-7400處理器，滿足日常的辦公、娛樂應(yīng)用沒有壓力。
2019-06-21 15:52:193803 All Programmable 技術(shù)和器件的全球領(lǐng)先企業(yè)賽靈思公司（Xilinx, Inc. (NASDAQ:XLNX)）宣布：16nm UltraScale+ 產(chǎn)品組合提前達(dá)成重要的量產(chǎn)里程碑，本季度開始接受量產(chǎn)器件訂單。
2019-08-01 16:10:442295 “臺(tái)積公司是我們?cè)?28nm、20nm 和 16nm 實(shí)現(xiàn)‘三連冠（3 Peat）’成功的堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。其出色的工藝技術(shù)、3D 堆疊技術(shù)和代工廠服務(wù)，讓賽靈思在出色的產(chǎn)品、優(yōu)異的品質(zhì)、強(qiáng)大的執(zhí)行力以及領(lǐng)先的市場地位上享有了無與倫比的聲譽(yù)。
2019-08-01 09:24:522209 舉個(gè)例子，臺(tái)積電一貫以來在研發(fā)先進(jìn)工藝上出了名保守。在研發(fā)16nm工藝的時(shí)候它就先在2014年量產(chǎn)了14nm工藝然后再在2015年引入FinFET工藝，而三星則直接在2015年量產(chǎn)
2019-09-04 11:45:583972 今年6月份，上海兆芯正式發(fā)布了KX-6000系列國產(chǎn)X86處理器，基于16nm工藝，是國內(nèi)首款主頻達(dá)到3.0GHz的國產(chǎn)通用處理器，且支持雙通道DDR4-3200內(nèi)存。
2019-12-15 10:37:462910 賽靈思UltraScale架構(gòu)：行業(yè)第一個(gè)ASIC級(jí)可編程架構(gòu)，可從20nm平面晶體管結(jié)構(gòu) （planar）工藝向16nm乃至FinFET晶體管技術(shù)擴(kuò)展，從單芯片（monolithic）到3D IC擴(kuò)展。
2019-12-18 15:30:23801 中關(guān)村在線消息：在先進(jìn)的芯片制造領(lǐng)域，放眼世界，只剩下臺(tái)積電，英特爾和三星。目前，臺(tái)積電與三星在 7nm 以下的競爭引起了廣泛關(guān)注。根據(jù) DigiTimes 的報(bào)告，三星將直接跳過 4nm 先進(jìn)工藝
2020-07-08 16:07:211919 
必須說明的是，3A4000 的工藝是 28nm，潛力很大，換 12/16nm 工藝提升主頻就能把單核性能提升到 25 分——龍芯 3A5000 對(duì)內(nèi)核小改后，換 12/16nm 工藝，性能有望達(dá)到 25 至 27 分，龍芯 PPT 里 30 分的規(guī)劃偏樂觀。
2020-08-12 14:07:27784 臺(tái)積電的28nm制程在2011年投入量產(chǎn)后，營收占比只用了一年時(shí)間就從2%爬升到了22%，迅速擴(kuò)張的先進(jìn)產(chǎn)能幫助臺(tái)積電在每一個(gè)先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)都能搶占客戶資源、擴(kuò)大先發(fā)優(yōu)勢，并使其產(chǎn)能結(jié)構(gòu)明顯優(yōu)于競爭對(duì)手，用更高的產(chǎn)品附加值帶來了更高的毛利率。
2020-10-10 15:24:542530 該外資指出，華為的手機(jī)SoC芯片、計(jì)算芯片以及基站芯片等均采用16nm、7nm或者5nm的先進(jìn)制程，這部分對(duì)臺(tái)積電的營收貢獻(xiàn)約為5億美元，但可能無法獲得美國商務(wù)部的供貨許可。
2020-10-14 09:09:391442 8nm、7nm、5nm.。..在品牌大廠的耳濡目染之中，極易讓我們產(chǎn)生一絲錯(cuò)覺，即所有半導(dǎo)體廠商都在瘋狂研發(fā)先進(jìn)制程，或者說先進(jìn)制程才是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的絕對(duì)主流。
2020-10-15 10:47:3810610 雖然高端市場會(huì)被 7nm、10nm以及14nm/16nm工藝占據(jù)，但40nm、28nm等并不會(huì)退出。如28nm和16nm工藝現(xiàn)在仍然是臺(tái)積電的營收主力，中芯國際則在持續(xù)提高28nm良率。
2020-10-15 11:18:024719 從上圖可以看到，臺(tái)積電7nm工藝貢獻(xiàn)了公司最高的營收，占比為35%，緊隨其后的是16nm和28nm。營收占比分別比為18%和12%。至于大家關(guān)注的5nm，在第三季度則為臺(tái)積電貢獻(xiàn)了8%的營收。
2020-10-16 14:28:041959 目前，Xilinx 大部分的芯片都是基于 28nm 和 20nm 工藝，但公司正計(jì)劃用上 16nm、7nm 這種更先進(jìn)的制程。先進(jìn)制程工藝可以讓芯片性能得到提高，而且功耗更低。此外，它們還具有較低的制造成本，因?yàn)楦呙芏饶茏屢粔K晶圓產(chǎn)生更多芯片。
2020-11-20 16:15:091454 此前5nm工藝熱傳，業(yè)內(nèi)外紛紛看好并認(rèn)同它將成為接下來的主流制程工藝。
2020-11-23 10:49:281149 在先進(jìn)工藝上，臺(tái)積電可以說是天字一號(hào)晶圓代工廠了，7nm工藝領(lǐng)先別家兩年量產(chǎn)，5nm工藝今年也搶到了蘋果、華為兩個(gè)大客戶，盡管華為9月份之后就被迫退出了。
2020-12-22 12:45:551235 是臺(tái)積電的第二大客戶，兩者從2014年的16nm工藝開始合作，2014年的16nm工藝表現(xiàn)不佳，性能參數(shù)甚至不如20nm工藝，但是華為海思堅(jiān)持采用，那時(shí)候16nm工藝僅有華為海思和另一家客戶，由此結(jié)成了緊密合作關(guān)系，此后雙方共同研發(fā)先進(jìn)工藝，而華為則會(huì)率先采用后者的先進(jìn)
2021-01-15 11:01:231673 作為全球最大也是最先進(jìn)的晶圓代工廠，臺(tái)積電在5nm、7nm工藝等先進(jìn)工藝上無人能敵，Q4季度中5nm貢獻(xiàn)了20%的營收。
2021-01-18 17:14:002558 針對(duì)新能源汽車中的自動(dòng)駕駛、智能座艙和電氣化應(yīng)用，易靈思推出40nm Trion系列中T13F169/F256和T20F169/F256共四顆車規(guī)級(jí)FPGA，同時(shí)16nm鈦金系列Ti60F225將于今年7月完成車規(guī)認(rèn)證，屆時(shí)將會(huì)成為本土首顆車規(guī)級(jí)16nm FPGA產(chǎn)品。
2022-03-07 11:05:291320 近日，知名蘋果產(chǎn)品分析師郭明錤轉(zhuǎn)發(fā)了一條關(guān)于蘋果產(chǎn)品爆料的推文，該轉(zhuǎn)發(fā)的推文稱蘋果未來的A16處理器仍將使用臺(tái)積電的5nm工藝，并且郭明錤還發(fā)布了一張臺(tái)積電制程的時(shí)間表。 郭明錤表示，臺(tái)積電先進(jìn)
2022-05-30 16:29:011835 的重要性，我國目前最先進(jìn)的制程7nm還正在研發(fā)當(dāng)中，那么2nm芯片與7nm芯片的差距有多大呢？ 拿臺(tái)積電的7nm舉例子，臺(tái)積電最初用DUV光刻機(jī)來完成7nm工藝，當(dāng)時(shí)臺(tái)積電7nm工藝要比上一代16nm工藝密度高3.3倍，性能提升達(dá)到了35%以上，同樣性能下功耗減少了65%，在當(dāng)時(shí)
2022-06-24 10:31:303662 以已經(jīng)宣布量產(chǎn)的三星3nm為例，三星官方消息顯示，與三星5nm工藝相比，第一代3nm工藝可以使功耗降低45%，性能提升23%，芯片面積減少16%；而未來第二代3nm工藝則使功耗降低50%，性能提升30%，芯片面積減少 35%。
2022-09-26 16:46:12864 延續(xù)了上一代KH-3000系列的16nm制造工藝，但是架構(gòu)從“陸家嘴”升級(jí)為“永豐”，支持全新自主互連技術(shù)ZPI 3.0，核心數(shù)量從8個(gè)一舉增加到32個(gè)，同時(shí)提供16核心12核心版本。 32核心
2022-11-02 10:21:371745 
AMD-Xilinx在20nm & 16nm節(jié)點(diǎn)Ultrascale系列器件使用FinFET工藝，F(xiàn)inFET與Planar相比在相同速度條件下功耗低20%-50%。
2022-12-29 14:44:491165 UltraScale是基于20nm工藝制程的FPGA，而UltraScale+則是基于16nm工藝制程的FPGA。
2023-03-09 14:12:544129 IP_數(shù)據(jù)表(Z-3):GPIO for TSMC 16nm FF+
2023-03-16 19:34:18
1 ? ? ? ? 原文標(biāo)題：本周五｜從6nm到16nm，毫米波IC設(shè)計(jì)如何一“波”搞定？ 文章出處：【微信公眾號(hào)：新思科技】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
2023-03-27 22:50:02470 臺(tái)積電的16nm有多個(gè)版本，包括16nm FinFET、16nm FinFET Plus技術(shù)（16FF +）和16nm FinFET Compact技術(shù)（16FFC）。
2023-04-14 10:58:15636 IP_數(shù)據(jù)表(Z-3):GPIO for TSMC 16nm FF+
2023-07-06 20:20:310 英特爾獨(dú)立運(yùn)作代工部門IFS后，將向三方開放芯片制造加工服務(wù)，可能是為了吸引客戶，英特爾日前發(fā)布了全新的16nm制程工藝。
2023-07-15 11:32:58757 Ansys多物理場平臺(tái)支持英特爾16nm工藝的全新射頻功能和其他先進(jìn)特性，能夠通過與芯片相關(guān)的預(yù)測準(zhǔn)確性來加速完成設(shè)計(jì)并提高性能
2023-08-15 09:27:50310 
英特爾的Intel 20A和Intel 18A工藝已經(jīng)開始流片，意味著量產(chǎn)階段已經(jīng)不遠(yuǎn)。而2nm工藝和1.8nm工藝的先進(jìn)程度無疑已經(jīng)超過了三星和臺(tái)積電的3nm工藝。
2023-12-20 17:28:52800 最新消息，中國臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)部門（MOEA）推出了一項(xiàng)針對(duì)16nm及以下芯片研發(fā)的補(bǔ)貼計(jì)劃，旨在支持當(dāng)?shù)仄髽I(yè)，幫助中國臺(tái)灣成為集成電路設(shè)計(jì)的領(lǐng)先者。
2024-03-21 14:19:0087
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