晶圓處理製程介紹

晶圓處理製程介紹

基本晶圓處理步驟通常是晶圓先經(jīng)過(guò)適當(dāng)?shù)那逑矗–leaning）之後，送到熱爐管（Furnace）內(nèi)，在含氧 的環(huán)境中，以加熱氧化（Oxidation）的方式在晶圓的表面形成一層厚約數(shù)百個(gè)的二氧化矽（ ）層，緊 接著厚約1000到2000的氮化矽（ ）層將以 化學(xué)氣相沈積（Chemical Vapor Deposition；CVP）的方 式沈積（Deposition）在剛剛整個(gè)晶圓將進(jìn)行微影（Lithography）的製程，先在晶圓 上上一層光阻（Photoresist），再將光罩上的圖案移轉(zhuǎn)到光阻上面。接著利用蝕刻（Etching）技術(shù)，將部份未 被光阻保護(hù)的氮化矽層加以除去，留下的就是所需要的線路圖部份。接著以磷為離子源（Ion Source），對(duì)整片晶圓進(jìn)行磷原子的植入（Ion Implantation），然後再把光阻劑去除（Photoresist Scrip）。製程進(jìn)行至此，我們已將構(gòu)成積體電路所需的電晶體及部份的字元線（Word Lines），依光罩所提供的設(shè)計(jì)圖案 ，依次的在晶圓上建立完成，接著進(jìn)行金屬化製程（Metallization），製作金屬導(dǎo)線，以便將各個(gè)電晶體與元件加以連接，而在每一道步驟加工完後都必須進(jìn) 行一些電性、或是物理特性量測(cè)，以檢驗(yàn)加工結(jié)果是否在規(guī)格內(nèi)（Inspection and Measurement）；如此重複步驟製作第一層、第二層．．．的電路部份，以 在矽晶圓上製造電晶體等其他電子元件；最後所加工完成的產(chǎn)品會(huì)被送到電性測(cè)試區(qū)作電性量測(cè)。 長(zhǎng)成的二氧化矽上，然後
根據(jù)上述製程之需要，F(xiàn)AB廠內(nèi)通?？煞譃樗拇髤^(qū)：
1）黃光
本區(qū)的作用在於利用照相顯微縮小的技術(shù)，定義出每一層次所需要的電 路圖，因?yàn)閽?cǎi)用感光劑易曝光，得在黃色燈光照明區(qū)域內(nèi)工作，所以叫做「黃光區(qū)」。
2）蝕刻
經(jīng)過(guò)黃光定義出我們所需要的電路圖，把不要的部份去除掉，此去除的 步驟就稱之為蝕刻，因?yàn)樗孟竦窨蹋坏兑坏兜南魅ゲ槐匾槐匾哪拘?，完成作品，期間又利用酸液來(lái)腐蝕的，所以叫做「蝕刻區(qū)」。

3）擴(kuò)散
本區(qū)的製造過(guò)程都在高溫中進(jìn)行，又稱為「高溫區(qū)」，利用高溫給予物 質(zhì)能量而產(chǎn)生運(yùn)動(dòng)，因?yàn)楸緟^(qū)的機(jī)臺(tái)大都為一根根的爐管，所以也有人稱為「爐管區(qū)」，每一根爐管都有不同的作用。
4）真空
本區(qū)機(jī)器操作時(shí)，機(jī)器中都需要抽成真空，所以稱之為真空區(qū)，真空區(qū) 的機(jī)器多用來(lái)作沈積暨離子植入，也就是在Wafer上覆蓋一層薄薄的薄膜，所以又稱之為「薄膜區(qū)」。在真空區(qū)中有一站稱為晶圓允收區(qū)，可接 受晶片的測(cè)試，針對(duì)我們所製造的晶片，其過(guò)程是否有缺陷，電性的流通上是否有問(wèn)題，由工程師根據(jù)其經(jīng)驗(yàn)與電子學(xué)上知識(shí)做一全程的檢測(cè) ，由某一電性量測(cè)值的變異判斷某一道相關(guān)製程是否發(fā)生任何異常。此檢測(cè)不同於測(cè)試區(qū)（Wafer Probe）的檢測(cè)，前者是細(xì)部的電子特性測(cè)試與物理特性測(cè)試，後者所做的測(cè)試是針對(duì)產(chǎn)品的電性功能作檢測(cè)。