金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類， P溝道硅MOS場效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區(qū)，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導(dǎo)，柵極上加有足夠的正電壓(源極接地)時，柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層，成為連接源極和漏極的溝道。
2023-02-23 17:00:04
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根據(jù)提問者的意思，N溝道場效應(yīng)管柵極（G極）電壓是否可以大于漏極（D極）電壓？為什么？
2023-05-09 09:06:062441 
`惠海半導(dǎo)體【中低壓MOS管廠家】，供應(yīng)中低壓壓N溝道場效應(yīng)管NMOS管 廠家直銷，質(zhì)優(yōu)價廉 大量現(xiàn)貨 量大價優(yōu) 歡迎選購，超低內(nèi)阻，結(jié)電容超小，采用溝槽工藝，性能優(yōu)越,惠海半導(dǎo)體專業(yè)20-150V
2020-11-14 13:54:14
中低壓MOS管廣泛應(yīng)用于：LED車燈電源，LED電源，POE交換機，霧化器，香薰機，加濕器，美容儀，驅(qū)動電機、防盜器等領(lǐng)域 型號HC037N06L N溝道場效應(yīng)管 60V30A30N06 內(nèi)阻
2020-11-12 11:24:12
`深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) 16P03 30V P溝道MOS管 -30V -16A DFN3*3-8場效應(yīng)管 ，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷16P03參數(shù)： -30V -16A DFN3*3-8 P溝道
2021-03-18 14:21:33
惠海半導(dǎo)體 供應(yīng)30V 30ATO-252MOS管HC020N03L，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷HC020N03L參數(shù)：30V 30A TO-252 N溝道 MOS管/場效應(yīng)管品牌：惠海
2020-11-11 17:32:09
反卷積deconvolution引起的棋盤效應(yīng)？kernel size無法被stride整除的原因？解決反卷積deconvolution存在的弊端的思路？反卷積deconvolution如何實現(xiàn)更好的采樣 ？
2020-11-04 08:08:00
深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) G16P03 原裝 -30V-16A P溝道 MOS場效應(yīng)管，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷G16P03 參數(shù):-30V-16ADFN3*3-8LP溝道 MOS場效應(yīng)
2020-11-05 16:48:43
的技術(shù)支持、售前服務(wù)及售后服務(wù)，讓您無任何后顧之憂 我們的優(yōu)勢：廠家直銷，價格優(yōu)勢，貨源充足，技術(shù)支持，品質(zhì)保證，可以做月結(jié) 型號:HC020N03L參數(shù)：30V30A ，類型：N溝道場效應(yīng)管，內(nèi)阻
2021-03-13 11:32:45
。它一般有耗盡型和增強型兩種。本文使用的是增強型MOS場效應(yīng)管，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)見圖4。它可分為NPN型和PNP型。NPN型通常稱為N溝道型，PNP型通常稱P溝道型。由圖可看出，對于N溝道型的場效應(yīng)管其源極
2011-06-08 10:43:25
編輯-Z場效應(yīng)晶體管是一種電壓控制器件，根據(jù)場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)分為結(jié)型場效應(yīng)（簡稱JFET）和絕緣柵場效應(yīng)（簡稱MOSFET）兩大類。按溝道材料：結(jié)型和絕緣柵型分為N溝道和P溝道。根據(jù)導(dǎo)電方式：耗盡型
2021-12-28 17:08:46
為正時，它充當增強型MOSFET。N溝道場效應(yīng)管與P溝道場效應(yīng)管介紹N溝道MOSFET的源極接地，漏極連接到負載，當柵極施加正電壓時，F(xiàn)ET導(dǎo)通。N 溝道 MOSFET是最常用且最容易使用的。它們
2023-02-02 16:26:45
N溝道增強型MOS場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)示意圖和電路符號如下圖所示，用一塊摻雜濃度較低的P型硅片作為襯底，在其表面上覆蓋一層二氧化硅（SiO2）的絕緣層，再在二氧化硅層上刻出兩個窗口，通過擴散形成兩個高
2015-06-12 09:24:41
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 編輯
N溝道增強型場效應(yīng)管的工作原理工作原理：1柵源電壓V(GS)的控制作用: 當V(GS)=0V時，因為漏源之間被兩個背靠背的PN
2012-07-06 16:30:55
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 編輯
N溝道增強型場效應(yīng)管的工作原理工作原理：1柵源電壓V(GS)的控制作用: 當V(GS)=0V時，因為漏源之間被兩個背靠背的PN
2012-07-06 16:34:53
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:06 編輯
N溝道增強型場效應(yīng)管的工作原理工作原理：1柵源電壓V(GS)的控制作用: 當V(GS)=0V時，因為漏源之間被兩個背靠背的PN
2012-07-05 11:27:29
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:08 編輯
N溝道增強型場效應(yīng)管的工作原理工作原理：1柵源電壓V(GS)的控制作用: 當V(GS)=0V時，因為漏源之間被兩個背靠背的PN
2012-07-04 17:48:54
“反型層”，從而產(chǎn)生N型的導(dǎo)電溝道。此時，給柵極加上正電壓（UGS＞0），溝道變寬，ID增大；反之，給柵極加上負電壓（UGS＜0）時，溝道變窄，ID減小。當柵極負電壓大到一定數(shù)值VP（夾斷電壓）時。會使反型層消失，ID=0。
2015-06-15 18:03:40
`深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) NCE60P05BY 新潔能-60V -4A SOT23-3L P溝道MOS 場效應(yīng)管，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷NCE60P05BY: -60V -4A SOT23-3LP
2020-10-28 16:11:39
NDS9410A N溝道場效應(yīng)管 using Fairchild Semiconductor’s advancedPowerTrench process that has been
2008-05-14 23:50:14
MOSFET或N溝道MOSFET作為主開關(guān)。同步整流器應(yīng)用幾乎總是使用N溝道技術(shù)，這主要是因為N溝道的RDS(on)小于P溝道的，并且通過在柵極上施加正電壓導(dǎo)通。 MOSFET多數(shù)是載流子器件， N溝道
2018-03-03 13:58:23
深圳聚能芯半導(dǎo)體專業(yè)中低壓mos管，經(jīng)驗豐富，實力雄厚，技術(shù)支持。是您值得信賴合作的實力中低壓MOS場效應(yīng)管供應(yīng)商。我們的優(yōu)勢：廠家直銷，價格優(yōu)勢，貨源充足，品質(zhì)保證。供應(yīng)中低壓MOS管，供應(yīng)替代
2020-06-13 11:47:55
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2020-06-19 10:57:37
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2020-06-20 10:04:16
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2020-06-20 10:05:27
SL3400 30V5.7A 18毫歐SOT23-3LSL3400 N溝道場效應(yīng)管 30V5.7A 功率MOS管深圳聚能芯半導(dǎo)體專業(yè)中低壓mos管，經(jīng)驗豐富，實力雄厚，技術(shù)支持。是您值得信賴合作
2020-06-20 10:11:31
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2020-06-22 10:53:25
SL3403 -30-3.5A 55毫歐SOT23SL3403 P溝道場效應(yīng)管的功率MOS管深圳聚能芯半導(dǎo)體專業(yè)中低壓mos管，經(jīng)驗豐富，實力雄厚，技術(shù)支持。是您值得信賴合作的實力中低壓MOS
2020-06-22 10:57:12
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2020-06-24 10:37:08
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2020-06-29 16:39:10
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2020-06-11 16:41:28
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2020-06-11 16:43:16
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2020-06-11 16:44:37
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2020-06-12 10:43:52
Q1為N溝道增強型場效應(yīng)管 該電路實際動作：當接通220V交流電，開關(guān)S為斷開時，Q1導(dǎo)通，燈亮；當開關(guān)S閉合時，Q1截止，燈滅。問題：即然Q1為N溝道增強型
2010-11-16 12:28:04
1.15（a）所示，是Salicide的MOS管結(jié)構(gòu)圖。1.6 溝道離子注入和暈環(huán)離子注入技術(shù)MOS器件的特征尺寸縮小到深亞微米導(dǎo)致的另外一個問題是短溝道效應(yīng)引起的亞閾值漏電流。隨著MOS器件的柵極長度
2018-09-06 20:50:07
場效應(yīng)管電路有問題嗎？用的是P溝道增強型場效應(yīng)管BSS84,電路如下，經(jīng)常GS間損壞，損壞后兩腳間有5K左右的電阻造成微導(dǎo)通D端有電壓輸出。電路有問題嗎？是什么原因。
2019-10-18 22:00:33
型號如下：型號：HC240N10LSN溝道場效應(yīng)管 絲印HC310，100V3A 3N10 SOT23-3封裝，內(nèi)阻200mR 型號：HC160N10LSN溝道場效應(yīng)管 絲印HC510 100V5A
2020-09-23 11:38:52
型號如下：型號：HC240N10LSN溝道場效應(yīng)管 絲印HC310，100V3A 3N10 SOT23-3封裝，內(nèi)阻200mR 型號：HC160N10LSN溝道場效應(yīng)管 絲印HC510 100V5A
2020-10-14 15:18:58
缺點是通態(tài)電阻大、導(dǎo)通壓降高、耐壓和電流容量較難提高等。一、結(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理場效應(yīng)管有垂直導(dǎo)電與橫向?qū)щ妰煞N結(jié)構(gòu)，根據(jù)載流子的性質(zhì)，又可分為N溝道和P溝道兩種類型v功率場效應(yīng)管幾乎都是由垂直導(dǎo)電
2018-01-29 11:04:58
，D是P型硅，反型層是N溝道；C是N型硅P溝道。例如,3DJ6D是結(jié)型N溝道場效應(yīng)三極管，3DO6C 是絕緣柵型N溝道場效應(yīng)三極管。<br/> 第二種命名方法是CS
2009-04-25 15:42:55
場效應(yīng)晶體管（英語：field-effecttransistor，縮寫：FET）是一種通過電場效應(yīng)控制電流的電子元件。它依靠電場去控制導(dǎo)電溝道形狀，因此能控制半導(dǎo)體材料中某種類型載流子的溝道的導(dǎo)電性
2019-05-08 09:26:37
的是MOS場效應(yīng)管，簡稱MOS管（即金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管MOSFET）；此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場效應(yīng)管，以及最近剛問世的πMOS場效應(yīng)管、VMOS功率模塊等?！ “?b class="flag-6" style="color: red">溝道半導(dǎo)體
2009-04-25 15:38:10
變大。
如果在柵源之間加負向電壓，溝道電阻會越來越小失去控制的作用。漏極和源極可以互換。
2、絕緣柵型場效應(yīng)管分為N溝道和P溝道，每一種又分為增強型和耗盡型。
N溝道增強型MOS管在其柵源之間加正向電壓，形成反型
2024-01-30 11:51:42
、場效應(yīng)管的基本特性 根據(jù)上述功能可知，場效應(yīng)管具有電壓放大的作用，下圖所示為結(jié)型場效應(yīng)管的工作原理說明圖。當G、S間不加反向電壓時（即UGs=0），PN結(jié)（圖中陰影部分）的寬度窄，導(dǎo)電溝道寬，溝道
2020-12-01 17:36:25
巨磁電阻效應(yīng)是什么巨磁阻效應(yīng)與層結(jié)構(gòu)分析巨磁電阻效應(yīng)的應(yīng)用介紹
2021-03-17 08:03:45
，它代表金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）。由于具有較低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和較小尺寸，N溝道
2021-04-09 09:20:10
有源器件和模擬電路基礎(chǔ) 電路噪聲分析基礎(chǔ) fT和fMAX 按比例縮小與短溝道效應(yīng) Scaling Down對RFIC設(shè)計的影響 其它工藝 參考文獻[hide][/hide]
2010-10-02 11:02:26
`海飛樂技術(shù)現(xiàn)貨替換IXFP20N85X場效應(yīng)管制造商: IXYS 產(chǎn)品種類: MOSFET RoHS:詳細信息技術(shù): Si 安裝風格: Through Hole 封裝 / 箱體: TO-220-3
2020-03-20 17:09:10
電流的磁效應(yīng)與電動機如何實驗
2021-10-13 07:59:09
”)，即在柵-源極間加一負電壓(vGS＜0)，使柵-源極間的P+N結(jié)反偏，柵極電流iG≈0，場效應(yīng)管呈現(xiàn)很高的輸入電阻(高達108W左右)。在漏-源極間加一正電壓(vDS＞0)，使N溝道中的多數(shù)載流子電子
2011-12-19 16:41:25
電壓時導(dǎo)電溝道是低阻狀態(tài)，加上控制電壓溝道電阻逐漸變大。
2、絕緣柵型場效應(yīng)管分為N溝道和P溝道，每一種又分為增強型和耗盡型。
N溝道增強型MOS管在其柵源之間加正向電壓，形成反型層和導(dǎo)電溝道，溝道電阻
2024-01-30 11:38:27
柵極與源極之間需加一負電壓（vGS），使柵極、溝道間的PN結(jié)反偏，柵極電流iG≈0，場效應(yīng)管呈現(xiàn)高達107Ω以上的輸入電阻。在漏極與源極之間加一正電壓（vDS0），使N溝道中的多數(shù)載流子（電子）在電場
2012-08-13 12:51:29
絕緣柵場效應(yīng)管的導(dǎo)電機理是，利用UGS 控制"感應(yīng)電荷"的多少來改變導(dǎo)電溝道的寬窄，從而控制漏極電流ID。若UGS＝0時，源、漏之間不存在導(dǎo)電溝道的為增強型MOS管，UGS＝0 時，漏、源之間存在導(dǎo)電溝道的為耗盡型MOS管。
2019-09-30 09:02:16
擊穿現(xiàn)象、安全工作范圍寬等優(yōu)點。本節(jié)我們講解一下N溝道增強型MOS場效應(yīng)管，其基本結(jié)構(gòu)如下圖所示：如上圖所示，在一塊P型硅片（半導(dǎo)體）襯底（Substrate，也有稱為Bulk或Body）上，形成兩個高
2023-02-10 15:58:00
1.是N溝道，耗盡型的場效應(yīng)管，是耗盡型。像圖上這樣的話，帶？的那端應(yīng)該是什么極？是源極還是漏極？
2.電路不接管子之前電流還可以，接上場效應(yīng)管，上電就短路，焊下來后測量柵極和源極之間不導(dǎo)通，源漏
2023-05-16 14:24:38
如圖：這個N溝道場效應(yīng)管，這樣接行不行？
2023-11-26 22:22:46
使用N溝道絕緣柵場效應(yīng)管和獨立二極管檢波的陷流測試振蕩器電路圖
2009-03-29 09:33:20772 
3DJ系列N溝道結(jié)型場效應(yīng)管
3DJ 系列場效應(yīng)管的主要特性參數(shù)見表16-1 。
2009-08-22 16:00:484463 CS系列N溝道結(jié)型場效應(yīng)管
CS系列結(jié)型場效應(yīng)管的主要特性參數(shù)見表16-2 。
2009-08-22 16:01:141026 N 溝道結(jié)型開關(guān)場效應(yīng)管的主要特性參數(shù)。
2009-08-22 16:04:392233 P溝道結(jié)型場效應(yīng)管的主要特性參數(shù)。
2009-08-22 16:05:095134 N溝道結(jié)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)
結(jié)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)示意圖及其符號如圖4-1所示。其中圖4-1a為N溝道JFET的結(jié)構(gòu)示意圖。
2009-09-16 09:31:249506 N溝道結(jié)型場效應(yīng)管的工作原理
(1)Ugs對導(dǎo)電溝道和D i 的控制作用當Ugs= 0時，導(dǎo)電溝道未受任何電場的作用，導(dǎo)電溝道最寬，當外加U
2009-09-16 09:33:4812529 場效應(yīng)管的分類: 場效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型(MOS)兩大類 按溝道材料:結(jié)型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種. 按導(dǎo)電方式:耗盡型與增強型,結(jié)型
2009-11-09 14:27:451385 什么是VMOS(垂直溝道絕緣柵型場效應(yīng)管)
為了適合大功率運行，于70年代末研制出了具有垂直溝道的絕緣柵型場效應(yīng)管，即VMOS管。
VMOS管或功率
2010-03-05 15:42:384395 自偏壓電路 自偏壓用于結(jié)型和耗盡型MOS管放大電路，圖5.2-6示出N溝道結(jié)型場效應(yīng)管自偏電路。
2010-04-16 10:24:113886 
隨著科學技術(shù)的發(fā)展,集成電路的集成密度不斷地在提高,MOS晶體管器件的尺寸也逐年縮小, 當MOS管的溝道長度小到一定值之后,出現(xiàn)的短溝道效應(yīng)將對器件的特性產(chǎn)生影響
2011-07-04 10:29:594198 
采用兩只N溝道和兩只P溝道場效應(yīng)管的全橋驅(qū)動電路工作時，在驅(qū)動控制IC的控制下，使V4、V1同時導(dǎo)通，V2、V3同時導(dǎo)通，且V4、V1導(dǎo)通時，V2、V3截止，也就是說，V4、V1與V2、V3是交替導(dǎo)通
2012-04-05 11:34:2512338 
氮化鎵太赫茲HEMT研究中，短溝道效應(yīng)導(dǎo)致的跨導(dǎo)降低，將直接影響器件頻率特性。盡管高鋁組分與超薄勢壘外延結(jié)構(gòu)可以緩解短溝道效應(yīng)帶來的問題，但同時也引起了歐姆接觸難以制備的問題。選區(qū)再生長n+GaN
2018-11-06 14:59:465836 當MOS器件的特征尺寸不斷縮小至22nm及以下時，提高溝道的摻雜濃度和降低源漏結(jié)深已仍不能很好的改善短溝道效應(yīng)。在SOI絕緣層上的平面硅技術(shù)基礎(chǔ)上提出FD-SOI晶體管。研究發(fā)現(xiàn)要使FD-SOI有效
2019-04-10 08:00:00
12 隨著MOS器件的特征尺寸不斷縮小到90nm及以下時，短溝道效應(yīng)中的器件亞閾值電流成為妨礙工藝進一步發(fā)展的主要因素，盡管提高溝道摻雜濃度可以在一定程度上抑制短溝道效應(yīng)，然而高摻雜的溝道會增大庫倫散射，使載流子遷移率下降，導(dǎo)致器件的速度降低，所以僅僅依靠縮小MOS器件的幾何尺寸已經(jīng)不能滿足器件性能的提高。
2019-09-06 08:47:518741 
近年來，隨著晶體管特征尺寸的縮小，由于短溝道效應(yīng)等物理規(guī)律和制造成本的限制，主流硅基材料與互補金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）技術(shù)正發(fā)展到10納米工藝節(jié)點而難以突破。
2020-03-25 15:42:483297 全部采用N溝道場效應(yīng)管的推挽功效說明。
2021-04-10 09:52:3212 SVF12N60F/S/K 600V N溝道增強型場效應(yīng)管資料下載。
2022-02-16 14:52:580 下圖是一個由 RC 電路和 P 溝道場效應(yīng)管組成的延時關(guān)機電路。
2023-02-15 11:06:402145 
原文標題：PracticalAspectsandBodyDiodeRobustnessofa1200VSiCTrenchMOSFET原文作者：ThomasBasler原文發(fā)表在PCIMEurope2018,5–7June2018,NurembergSiIGBT和SiC溝槽MOSFET之間有許多電氣及物理方面的差異，PracticalAspectsandBod
2023-03-31 10:48:08529 
場效應(yīng)管怎么區(qū)分n溝道p溝道? 場效應(yīng)管是一種常見的半導(dǎo)體器件，可以用于電子器件中的信號放大、開關(guān)等應(yīng)用。場效應(yīng)管有兩種類型：n溝道型（n-channel）和p溝道型（p-channel），它們
2023-09-02 10:05:176886 n溝道增強型絕緣柵場效應(yīng)管 n溝道增強型絕緣柵場效應(yīng)管，又稱nMOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor），是一種非常
2023-09-02 10:05:251535 SVF4N65FTO-220FN溝道場效應(yīng)管
2021-11-16 15:11:271 MFB5N10100V7AN溝道場效應(yīng)管MOS管
2022-09-14 00:09:561 QH5N20K200V5AN溝道場效應(yīng)管MOS管
2022-09-14 00:12:172 QH9N20K200V9AN溝道場效應(yīng)管MOS管
2022-09-14 00:16:071 QH10N10100V7AN溝道場效應(yīng)管MOS管
2022-09-14 00:19:023 QH02N20E200V2AN溝道場效應(yīng)管MOS管
2022-09-14 00:44:250 解一下什么是溝道。溝道是在半導(dǎo)體材料中形成的電子流的通道。通過在材料中創(chuàng)建和控制溝道，我們能夠控制電流的流動，從而實現(xiàn)半導(dǎo)體器件的功能。在常見的場效應(yīng)晶體管（Field-Effect Transistor, FET）中，溝道是連接源極和漏極的部分。 p溝道和
2023-11-23 09:13:422316 場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）是一種利用電場效應(yīng)來控制電流的半導(dǎo)體器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道的類型，場效應(yīng)晶體管可以分為n溝道和p溝道兩種類型。本文將對n溝道MOS
2023-12-28 15:28:282912 
場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的半導(dǎo)體器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道的類型，場效應(yīng)晶體管可以分為N溝道和P溝道兩種類型。本文將對N溝道和P溝道
2023-12-28 15:47:152301 
隧道效應(yīng)，又稱溝道效應(yīng)，對晶圓進行離子注入時，當注入離子的方向與晶圓的某個晶向平行時，其運動軌跡將不再是無規(guī)則的碰撞，而是將沿溝道（原子之間的縫隙）運動并且很少受到原子核的碰撞
2024-01-08 10:25:42420 
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