圓我“鐵電夢”，關(guān)于FRAM網(wǎng)友有話說！

近幾年，F(xiàn)RAM（鐵電存儲器）比較火，特別是在三表的應(yīng)用中。網(wǎng)上也有不少對FRAM技術(shù)的討論。這不，小編看到了一篇分享，是某網(wǎng)友總結(jié)的FRAM應(yīng)用的心得，發(fā)布在這里供正在使用和將來要使用FRAM的筒子們參考~

網(wǎng)友分享原文如下：

前段時間曾在申請過某公司的樣品，苦苦等了兩個多月，后來由于種種原因樣品沒能申請成功，就暫停了我的鐵電之旅。

在一次活動上了解到了富士通的鐵電，才發(fā)現(xiàn)原來富士通這么牛，鐵電出了這么多型號。于是馬不停蹄的申請了樣品MB85RC256V，讓我有機會圓了“鐵電的夢”。

鐵電存儲的優(yōu)勢很明顯，與 EEPROM 、 FLASH 等傳統(tǒng)的非易失性存儲器相比，具有優(yōu)越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。好了，進入正題，先看下樣品的外貌↓↓↓

好吧就是這么巧！一直以蹭網(wǎng)為生的我，剛好又趕上斷網(wǎng)，只好用流量下了個手冊下了個I2C的代碼，準備正式測試這個神奇的鐵電。but~經(jīng)過研究想在這短短的幾天時間寫死MB85RC256V這家伙是不太現(xiàn)實的！

腦回路一轉(zhuǎn)，咱們玩點有意思的，測試一下MB85RC256V的寫入速度和低功耗把~雖然測試的方法簡單，但解決的這個問題正是我以前遇到過的，就是這么6！

首先是飛線，得益于我那超凡的焊功，這個片子沒費多少功夫就焊成這樣：

還是挺漂亮的，然后連接到LaunchPad的效果是這樣：

富士通鐵電存儲器MB85RC256V寫入速度與功耗測試原理及流程是這樣的：

檢測原理

通過二極管將外部電源與測試板電源隔離 測試板使用1個10uF和1個100nF電容畜電

使用單片機I/O口檢測外部電源電平，掉電檢測I/O使用下拉電阻

工作時掉電檢測I/O由外部電源拉高

單片機工作時處于低功耗狀態(tài)

當外部電源掉電后，掉電檢測I/O通過下拉電阻產(chǎn)生下降沿中斷

產(chǎn)生下降沿中斷時喚醒單片機 同時向MB85RC256V 地址0寫入0x55 并點亮LED耗盡測試板電容剩余電量

單片機每次上電會從MB85RC256V 地址0讀取一個字節(jié)數(shù)據(jù)，判斷是否為0x55，如果是則點亮LED說明曾向此處寫過數(shù)據(jù)

為方便下一次測試，使用按鍵清除MB85RC256V 地址0數(shù)據(jù)，將數(shù)據(jù)置零

測試流程

開發(fā)板上電工作

斷開測試板外部電源

開發(fā)板由電容器內(nèi)部存儲的電能短時供電

I/O產(chǎn)生中斷

寫入 0x55數(shù)據(jù)到MB85RC256V 地址0

LED點亮耗盡剩余電量

測度板重新上電

通過查看LED狀態(tài)，如果LED點亮說明寫入0x55成功，否則失敗

開發(fā)環(huán)境

使用TI LaunchPad MSP430G2553開發(fā)板

使用物理I2C P1.6 SCL P1.7 SDA

使用P1.3作為按鍵 輸入 上拉電阻 下降沿中斷檢測

使用P2.0作為掉電檢測引腳 輸入 下拉電阻 下降沿中斷檢測

下好程序后需去掉J3所有跳帽 防止電流通過I/O流入

MB85RC256V使用杜邦線飛線連接

使用47K外部上拉電阻

MB85RC256V地址線全部拉地

測試心得總結(jié)

MB85RC256V絕對是個很牛的東西，配合msp430使用10uF+100nF來實現(xiàn)掉電數(shù)據(jù)保存真的是絕配！每次掉電后紅色LED是會閃亮一小下的，也就是說MB85RC256V寫完數(shù)據(jù)后還有很多電量供LED發(fā)光。這種情況下普通的EEPROM是不可能實現(xiàn)的，不信的朋友可以試試哦~

看完網(wǎng)友的分享，你是不是也對咱們富士通的鐵電也產(chǎn)生了濃濃的興趣呢？點擊此處“閱讀原文”可了解更多哦~