顯卡的顯存類型詳細介紹

　　FPM DRAM（Fast Page Mode RAM）:　快速頁面模式內(nèi)存。是一種在486時期被普遍應(yīng)用的內(nèi)存（也曾應(yīng)用為顯存）。72線、5V電壓、帶寬32bit、基本速度60ns以上。它的讀取周期是從DRAM陣列中某一行的觸發(fā)開始，然后移至內(nèi)存地址所指位置，即包含所需要的數(shù)據(jù)。第一條信息必須被證實有效后存至系統(tǒng)，才能為下一個周期作好準備。這樣就引入了“等待狀態(tài)”，因為CPU必須傻傻的等待內(nèi)存完成一個周期。FPM之所以被廣泛應(yīng)用，一個重要原因就是它是種標準而且安全的產(chǎn)品，而且很便宜。但其性能上的缺陷導(dǎo)致其不久就被EDO DRAM所取代，此種顯存的顯卡已不存在了。

EDO顯存

EDO (Extended Data Out) DRAM，與FPM相比EDO DRAM的速度要快5%，這是因為EDO內(nèi)設(shè)置了一個邏輯電路，借此EDO可以在上一個內(nèi)存數(shù)據(jù)讀取結(jié)束前將下一個數(shù)據(jù)讀入內(nèi)存。設(shè)計為系統(tǒng)內(nèi)存的EDO DRAM原本是非常昂貴的，只是因為PC市場急需一種替代FPM DRAM的產(chǎn)品，所以被廣泛應(yīng)用在第五代PC上。EDO顯存可以工作在75MHz或更高，但是其標準工作頻率為66 MHz，不過其速度還是無法滿足顯示芯片的需要，也早成為“古董級”產(chǎn)品上才有的顯存。

SGRAM顯存

DDR3顯存可以看作是DDR2的改進版，二者有很多相同之處，例如采用1.8V標準電壓、主要采用144Pin球形針腳的FBGA封裝方式。不過DDR3核心有所改進：DDR3顯存采用0.11微米生產(chǎn)工藝，耗電量較DDR2明顯降低。此外，DDR3顯存采用了“Pseudo Open Drain”接口技術(shù)，只要電壓合適，顯示芯片可直接支持DDR3顯存。當然，顯存顆粒較長的延遲時間(CAS latency)一直是高頻率顯存的一大通病，DDR3也不例外，DDR3的CAS latency為5/6/7/8，相比之下DDR2為3/4/5。客觀地說，DDR3相對于DDR2在技術(shù)上并無突飛猛進的進步，但DDR3的性能優(yōu)勢仍比較明顯：

　　(1)功耗和發(fā)熱量較?。何×薉DR2的教訓(xùn)，在控制成本的基礎(chǔ)上減小了能耗和發(fā)熱量，使得DDR3更易于被用戶和廠家接受。
　　(2)工作頻率更高：由于能耗降低，DDR3可實現(xiàn)更高的工作頻率，在一定程度彌補了延遲時間較長的缺點，同時還可作為顯卡的賣點之一，這在搭配DDR3顯存的顯卡上已有所表現(xiàn)。
　　(3)降低顯卡整體成本：DDR2顯存顆粒規(guī)格多為4M X 32bit，搭配中高端顯卡常用的128MB顯存便需8顆。而DDR3顯存規(guī)格多為8M X 32bit，單顆顆粒容量較大，4顆即可構(gòu)成128MB顯存。如此一來，顯卡PCB面積可減小，成本得以有效控制，此外，顆粒數(shù)減少后，顯存功耗也能進一步降低。
　　(4)通用性好：相對于DDR變更到DDR2，DDR3對DDR2的兼容性更好。由于針腳、封裝等關(guān)鍵特性不變，搭配DDR2的顯示核心和公版設(shè)計的顯卡稍加修改便能采用DDR3顯存，這對廠商降低成本大有好處。
　　目前，DDR3顯存在新出的大多數(shù)中高端顯卡上得到了廣泛的應(yīng)用。

SDRAM顯存

　DDR顯存分為兩種，一種是大家習(xí)慣上的DDR內(nèi)存，嚴格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM。另外一種則是DDR SGRAM，此類顯存應(yīng)用較少、不多見。

DDR SDRAM
　　人們習(xí)慣稱DDR SDRAM為DDR。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器的意思。DDR SDRAM是在SDRAM基礎(chǔ)上發(fā)展而來的，仍然沿用SDRAM生產(chǎn)體系，因此對于內(nèi)存廠商而言，只需對制造普通SDRAM的設(shè)備稍加改進，即可實現(xiàn)DDR內(nèi)存的生產(chǎn)，可有效的降低成本。

　　SDRAM在一個時鐘周期內(nèi)只傳輸一次數(shù)據(jù)，它是在時鐘的上升期進行數(shù)據(jù)傳輸；而DDR內(nèi)存則是一個時鐘周期內(nèi)傳輸兩次次數(shù)據(jù)，它能夠在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù)，因此稱為雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器。DDR內(nèi)存可以在與SDRAM相同的總線頻率下達到更高的數(shù)據(jù)傳輸率。

　　與SDRAM相比：DDR運用了更先進的同步電路，使指定地址、數(shù)據(jù)的輸送和輸出主要步驟既獨立執(zhí)行，又保持與CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延時鎖定回路提供一個數(shù)據(jù)濾波信號)技術(shù)，當數(shù)據(jù)有效時，存儲控制器可使用這個數(shù)據(jù)濾波信號來精確定位數(shù)據(jù)，每16次輸出一次，并重新同步來自不同存儲器模塊的數(shù)據(jù)。DDL本質(zhì)上不需要提高時鐘頻率就能加倍提高SDRAM的速度，它允許在時鐘脈沖的上升沿和下降沿讀出數(shù)據(jù)，因而其速度是標準SDRA的兩倍。DDR SDRAM是目前應(yīng)用最為廣泛的顯存類型，90%以上的顯卡都采用此類顯存。

DDR SGRAM
　　DDR SGRAM是從SGRAM發(fā)展而來，同樣也是在一個時鐘周期內(nèi)傳輸兩次次數(shù)據(jù)，它能夠在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù)?？梢栽诓辉黾宇l率的情況下把數(shù)據(jù)傳輸率提高一倍。DDR SGRAM在性能上要強于DDR SDRAM，但其仍舊在成本上要高于DDR SDRAM，只在較少的產(chǎn)品上得到應(yīng)用。而且其超頻能力較弱，因其結(jié)構(gòu)問題超頻容易損壞。

DDR2顯存

DDR2顯存可以看作是DDR顯存的一種升級和擴展，DDR2顯存把DDR顯存的“2bit Prefetch(2位預(yù)取)”技術(shù)升級為“4 bit Prefetch(4位預(yù)取)”機制，在相同的核心頻率下其有效頻率比DDR顯存整整提高了一倍，在相同顯存位寬的情況下，把顯存帶寬也整整提高了一倍，這對顯卡的性能提升是非常有益的。從技術(shù)上講，DDR2顯存的DRAM核心可并行存取，在每次存取中處理4個數(shù)據(jù)而非DDR顯存的2個數(shù)據(jù)，這樣DDR2顯存便實現(xiàn)了在每個時鐘周期處理4bit數(shù)據(jù)，比傳統(tǒng)DDR顯存處理的2bit數(shù)據(jù)提高了一倍。相比DDR顯存，DDR2顯存的另一個改進之處在于它采用144Pin球形針腳的FBGA封裝方式替代了傳統(tǒng)的TSOP方式，工作電壓也由2.5V降為1.8V。

　　由于DDR2顯存提供了更高頻率，性能相應(yīng)得以提升，但也帶來了高發(fā)熱量的弊端。加之結(jié)構(gòu)限制無法采用廉價的TSOP封裝，不得不采用成本更高的BGA封裝(DDR2的初期產(chǎn)能不足，成本問題更甚)。發(fā)熱量高、價格昂貴成為采用DDR2顯存顯卡的通病，如率先采用DDR2顯存的的GeForce FX 5800/5800Ultra系列顯卡就是比較失敗的產(chǎn)品?；谝陨显颍珼DR2并未在主流顯卡上廣泛應(yīng)用。