雪崩擊穿,雪崩擊穿是什么意思
2010年02月27日 11:49 wenjunhu.com 作者:佚名 用戶評(píng)論(0)
關(guān)鍵字:雪崩擊穿(7193)
雪崩擊穿,雪崩擊穿是什么意思
在材料摻雜濃度較低的PN結(jié)中,當(dāng)PN結(jié)反向電壓增加時(shí),空間電荷區(qū)中的電場(chǎng)隨著增強(qiáng)。這樣,通過空間電荷區(qū)的電子和空穴,就會(huì)在電場(chǎng)作用下獲得的能量增大,在晶體中運(yùn)動(dòng)的電子和空穴將不斷地與晶體原子又發(fā)生碰撞,當(dāng)電子和空穴的能量足夠大時(shí),通過這樣的碰撞的可使共價(jià)鍵中的電子激發(fā)形成自由電子–空穴對(duì)。新產(chǎn)生的電子和空穴也向相反的方向運(yùn)動(dòng),重新獲得能量,又可通過碰撞,再產(chǎn)生電子–空穴對(duì),這就是載流子的倍增效應(yīng)。當(dāng)反向電壓增大到某一數(shù)值后,載流子的倍增情況就像在陡峻的積雪山坡上發(fā)生雪崩一樣,載流子增加得多而快,這樣,反向電流劇增, PN結(jié)就發(fā)生雪崩擊穿。利用該特點(diǎn)可制作高反壓二極管。下圖是雪崩擊穿的示意圖.
非常好我支持^.^
(5) 100%
不好我反對(duì)
(0) 0%
相關(guān)閱讀:
- [電子說] PN結(jié)的雪崩擊穿和齊納擊穿在溫度升高時(shí)擊穿電壓變化方向相反? 2023-09-21
- [電子說] 10.1.1 碰撞電離和雪崩擊穿∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng) 2022-04-02
- [電子說] 紅外LED反向雪崩擊穿測(cè)試 2023-01-31
- [電子說] 一文詳解MOSFET的失效機(jī)理 2022-05-16
- [電子說] MOSFET失效模式分析 2022-04-19
- [電子說] 功率MOSFET及其雪崩擊穿額定值背后的理論和設(shè)計(jì)過程中的局限性 2021-06-23
- [電子說] 什么原因?qū)е铝遂o態(tài)雪崩擊穿? 2021-05-15
- [電子說] 雪崩擊穿與齊納擊穿有什么區(qū)別? 2020-09-13
( 發(fā)表人:admin )