Numonyx與Intel 開發(fā)堆疊式交叉點相變化內存技術

Numonyx與Intel 開發(fā)堆疊式交叉點相變化內存技術

Numonyx B.V. 與 Intel Corporation 宣布相變化內存 (PCM) 研究的關鍵性突破，此項非揮發(fā)性內存技術結合了現(xiàn)今多種類型內存的優(yōu)點。研究人員也首度展示可于單一芯片堆疊多層PCM 陣列的 64Mb 測試芯片。對于隨機存取非揮發(fā)性內存及儲存應用而言，此一成果也為發(fā)展容量更高、功耗更低且體積更小的內存裝置奠定重要基礎。

此為Numonyx 與 Intel 長期合作研究的成果，該計劃著重于研究多層式或堆疊式 PCM 單元陣列。Numonyx 與 Intel 雙方的研究人員目前已展示PCMS (相變化內存及開關)的垂直式整合內存單元。PCMS 包含一個 PCM 元件，此元件與全新的堆疊雙向閾值開關 (Ovonic Threshold Switch, OTS)堆疊于交叉點陣列 (cross point arrays) 中。其堆疊 PCMS 陣列的能力有助擴充內存容量，同時維持 PCM 的效能特性，這對于傳統(tǒng)的內存技術而言是相當不易克服的挑戰(zhàn)。

Numonyx 資深技術研究員 Greg Atwood 表示相當看好目前成果的前景，此項成果同時也顯示了未來的 PCM 產品發(fā)展更高容量、可擴充式陣列及類 NAND 使用模式的可能。由于從手機到資料中心，每一項應用對內存的需求都持續(xù)增加，而傳統(tǒng)的快閃存儲器技術正面臨某些實體限制和可靠性等問題，這項成果在此刻更顯重要。

Intel 研究員兼內存技術開發(fā)總監(jiān) Al Fazio 表示，Intel 持續(xù)開發(fā)內存技術，以期推動運算平臺發(fā)展。Intel 對于目前研究的里程碑感到相當振奮，并且預期未來 PCMS 等內存技術對于延伸內存在運算解決方案中所扮演的角色，以及對于效能及內存擴充方面的重要性。

內存單元是由儲存元件及選擇器堆疊而成，而多個單元又組成內存陣列。Numonyx 與 Intel 的研究人員現(xiàn)已利用薄膜雙終端 OTS 做為選擇器，以符合 PCM 擴充時的實體及用電需求。透過薄膜 PCMS 的相容性，多層的交叉點內存陣列目前已成為可能。當整合并嵌入交叉點陣列后，多層式陣列便可結合 CMOS 電路的解碼、偵測及邏輯功能。

更多關于內存單元、交叉點陣列、實驗及成果的資訊登載于 “A Stackable Cross Point Phase Change Memory” 這份共同文件中，并且將于 2009 年 12 月 9 日在美國馬里蘭州巴爾的摩舉行的 2009 年國際電子裝置會議 (International Electron Devices Meeting) 中發(fā)表。此文件由 Numonyx 與 Intel 雙方的技術人員共同完成，并將由 Intel 資深首席工程師 DerChang Kau 代表發(fā)表。