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各種PZT薄膜沉積技術及其應用趨勢分析

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2022-11-07 10:43:165138

Angew:氮氣等離子體增強低溫原子層沉積生長MgPON薄膜固態(tài)電解質

現(xiàn)有的原子層沉積技術氮摻雜過程需要在氮氣等離子體的高溫條件下進行,但是高溫環(huán)境下的薄膜生長會引起電池正極和負極材料的相變和分解。雖然有研究指出低溫條件下在氨氣環(huán)境中可以實現(xiàn)氮摻雜的原子層沉積,但是同時會顯著增加氨氣尾氣處理的設備成本和維護難度以及安全風險。
2023-01-16 14:09:13644

半導體設備行業(yè)跟蹤報告:ALD技術進行薄膜沉積工藝優(yōu)勢

薄膜沉積是晶圓制造的三大核心步驟之- - ,薄膜技術參數(shù)直接影響芯片性能。 半導體器件的不斷縮小對薄膜沉積工藝提出了更高要求,而ALD技術憑借沉積薄膜厚度的高度可控性、優(yōu)異的均勻性和三E維保形性,在半導體先進制程應用領域彰顯優(yōu)勢。
2023-02-16 14:36:54556

晶圓制造的三大核心之薄膜沉積的原子層沉積(ALD)技術

ALD技術是一種將物質以單原子膜的形式逐層鍍在基底表面的方法,能夠實現(xiàn)納米量級超薄膜沉積。
2023-04-25 16:01:052442

中微公司推出12英寸薄膜沉積設備Preforma Uniflex? CW

近日,中微半導體設備(上海)股份有限公司(以下簡稱“中微公司”,上交所股票代碼:688012)推出自主研發(fā)的12英寸低壓化學氣相沉積(LPCVD)設備Preforma Uniflex CW。這是中微公司深耕高端微觀加工設備多年、在半導體薄膜沉積領域取得的新突破,也是實現(xiàn)公司業(yè)務多元化增長的新動能。
2023-05-17 17:08:41831

基于PVD 薄膜沉積工藝

。 PVD 沉積工藝在半導體制造中用于為各種邏輯器件和存儲器件制作超薄、超純金屬和過渡金屬氮化物薄膜。最常見的 PVD 應用是鋁板和焊盤金屬化、鈦和氮化鈦襯墊層、阻擋層沉積和用于互連金屬化的銅阻擋層種子沉積。 PVD 薄膜沉積工藝需要一個高真空的平臺,在
2023-05-26 16:36:511751

淺析芯片沉積工藝

在了解芯片沉積工藝之前,先要闡述下薄膜(thin film)的概念。薄膜材料是厚度介于單原子到幾毫米間的薄金屬或有機物層。
2023-06-08 11:00:122192

與傳統(tǒng)濺射或熱蒸發(fā)技術相比,離子束輔助沉積有哪些優(yōu)勢?

離子束輔助沉積 (IBAD) 是一種薄膜沉積技術,可與濺射或熱蒸發(fā)工藝一起使用,以獲得具有出色工藝控制和精度的最高質量薄膜。
2023-06-08 11:10:22986

原子層ALD沉積介紹

原子層沉積(Atomic layer deposition,ALD)是一種可以沉積單分子層薄膜的特殊的化學氣相沉積技術
2023-06-15 16:19:212038

韞茂科技獲數(shù)億元融資,加快薄膜沉積設備量產

韞茂科技成立于2018年,致力于成為平臺形態(tài)的納米級薄膜沉積設備制造企業(yè)。目前擁有ald原子層沉積系統(tǒng)、pvd物理氣體沉積系統(tǒng)、cvd化學氣體沉積系統(tǒng)、uhv超高真空涂層設備等12種產品。
2023-06-28 10:41:03540

半導體前端工藝:沉積——“更小、更多”,微細化的關鍵(上)

在半導體制程中,移除殘余材料的“減法工藝”不止“刻蝕”一種,引入其他材料的“加法工藝”也非“沉積”一種。比如,光刻工藝中的光刻膠涂敷,其實也是在基底上形成各種薄膜;又如氧化工藝中晶圓(硅)氧化,也需要在基底表面添加各種新材料。那為什么唯獨要強調“沉積”工藝呢?
2023-06-29 16:58:37404

技術前沿:原子層沉積ALD介紹

薄膜沉積是指在基底上沉積特定材料形成薄膜,使之具有光學、電學等方面的特殊性能。
2023-07-13 09:10:487776

半導體前端工藝:沉積——“更小、更多”,微細化的關鍵

在半導體制程中,移除殘余材料的“減法工藝”不止“刻蝕”一種,引入其他材料的“加法工藝”也非“沉積”一種。比如,光刻工藝中的光刻膠涂敷,其實也是在基底上形成各種薄膜;又如氧化工藝中晶圓(硅)氧化,也需要在基底表面添加各種新材料。那為什么唯獨要強調“沉積”工藝呢?
2023-08-17 15:33:27370

異質結電池的ITO薄膜沉積

由于異質結電池不同于傳統(tǒng)的熱擴散型晶體硅太陽能電池,因此在完成對其發(fā)射極以及BSF的注入后,下一個步驟就是在異質結電池的正反面沉積ITO薄膜,ITO薄膜能夠彌補異質結電池在注入發(fā)射極后的低導電性
2023-09-21 08:36:22407

沉積氮化硅薄膜的重要制備工藝——PECVD鍍膜

PECVD作為太陽能電池生產中的一種工藝,對其性能的提升起著關鍵的作用。PECVD可以將氮化硅薄膜沉積在太陽能電池片的表面,從而有效提高太陽能電池的光電轉換率。但為了清晰客觀的檢測沉積后太陽能電池
2023-09-27 08:35:491775

鈣鈦礦太陽能電池沉積ITO薄膜的核心技術——真空蒸鍍

在鈣鈦礦太陽能電池的生產工藝中,ITO薄膜沉積是能夠提升鈣鈦礦太陽能電池光電轉換率的關鍵步驟,其中,真空蒸鍍沉積技術可較為便捷的制備高純度、高質量的ITO薄膜,是沉積工藝中的一項核心技術
2023-10-10 10:15:53649

功率放大器在PZT陶瓷薄膜壓電傳感器研究中的應用

隨著科技的進步和工業(yè)發(fā)展的需求,對于壓力測量和控制的需求日益增加。壓力傳感器作為一種關鍵的傳感器器件,在機械、自動化、醫(yī)療、航空等多個領域都有廣泛應用。PZT陶瓷薄膜壓電傳感器由于其響應速度
2023-10-23 17:17:52215

半導體設備系列研究-薄膜沉積設備.zip

半導體設備系列研究-薄膜沉積設備
2023-01-13 09:06:526

濺射沉積薄膜的微觀結構和應力演化

眾所周知,材料的宏觀性質,例如硬度、熱和電傳輸以及光學描述符與其微觀結構特征相關聯(lián)。通過改變加工參數(shù),可以改變微結構,從而能夠控制這些性質。在薄膜沉積的情況下,微結構特征,例如顆粒尺寸和它們的顆粒
2023-11-22 10:20:59214

Si(111)襯底上脈沖激光沉積AlN外延薄膜的界面反應控制及其機理

通過有效控制AlN薄膜與Si襯底之間的界面反應,利用脈沖激光沉積(PLD)在Si襯底上生長高質量的AlN外延薄膜。英思特對PLD生長的AlN/Si異質界面的表面形貌、晶體質量和界面性能進行了系統(tǒng)研究。
2023-11-23 15:14:40232

半導體制造之薄膜工藝講解

薄膜沉積技術主要分為CVD和PVD兩個方向。 PVD主要用來沉積金屬及金屬化合物薄膜,分為蒸鍍和濺射兩大類,目前的主流工藝為濺射。CVD主要用于介質/半導體薄膜,廣泛用于層間介質層、柵氧化層、鈍化層等工藝。
2023-12-05 10:25:18999

一文詳解金屬薄膜沉積工藝及金屬化

金屬柵極的沉積方法主要由HKMG的整合工藝決定。為了獲得穩(wěn)定均勻的有效功函數(shù),兩種工藝都對薄膜厚度的均勻性要求較高。另外,先柵極的工藝對金屬薄膜沒有臺階覆蓋性的要求,但是后柵極工藝因為需要重新填充原來多晶硅柵極的地方,因此對薄膜的臺階覆蓋 性及其均勻度要求較高。
2023-12-11 09:25:31659

化學氣相沉積與物理氣相沉積的差異

在太陽能電池的薄膜沉積工藝中,具有化學氣相沉積(CVD)與物理氣相沉積(PVD)兩種薄膜沉積方法,電池廠商在沉積工藝中也需要根據(jù)太陽能電池的具體問題進行針對性選擇,并在完成薄膜沉積工藝后通過
2023-12-26 08:33:01312

薄膜電容的工藝與結構介紹

薄膜電容是一種常見的電子元件,其具有體積小、重量輕、容量大、可靠性高等優(yōu)點,廣泛應用于各種電子設備中。薄膜電容的工藝與結構對其性能和可靠性有著重要的影響。本文將對薄膜電容的工藝與結構進行詳細的介紹
2024-01-10 15:41:54444

沉積溫度和濺射功率對ITO薄膜性能的影響研究

ITO薄膜在提高異質結太陽能電池效率方面發(fā)揮著至關重要的作用,同時優(yōu)化ITO薄膜的電學性能和光學性能使太陽能電池的效率達到最大。沉積溫度和濺射功率也是ITO薄膜制備過程中的重要參數(shù),兩者對ITO薄膜
2024-03-05 08:33:20237

柔性PZT復合薄膜壓力傳感器的研究進展綜述

隨著智能電子皮膚、健康檢測、人機交互等領域的快速發(fā)展,柔性鋯鈦酸鉛(PZT)復合薄膜壓力傳感器因其出色的柔性和壓電性能而受到研究者的廣泛關注。
2024-03-17 17:48:29469

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