摘要 本文提供了在襯底表面上沉積碳化硅薄膜的方法。這些方法包括使用氣相碳硅烷前體,并且可以釆用等離子體增強原子層沉積工藝。該方法可以在低于600“C的溫度下進行,例如在大約23丁和 大約200V之間
2022-02-07 14:01:26898 散熱基板之厚膜與薄膜制程差異分析,我們將LED散熱基板在兩種不同制程上做出差異分析,以薄膜制程備制陶瓷散熱基板具有較高的設備與技術
2012-02-21 15:29:182107 進行MEMS制造的最基本需求是能夠沉積1到100微米之間的材料薄膜。NEMS的制造過程是基本一致的,膜沉積的測量范圍從幾納米到一微米。
2022-10-11 09:12:591193 美國半導體設備制造商應用材料本周一表示,計劃以35億美元價格(較先前報價增加59%),從私募股權公司KKR手中收購規(guī)模較小的日本同行國際電氣(Kokusai Electric),理由是其前景良好且估值較高。收購國際電氣將使應用材料獲得其薄膜沉積技術。
2021-01-06 10:04:082446 設備,涵蓋光刻、刻蝕、薄膜沉積、熱處理、清洗和檢驗等。DIGITIMES Research分析師Eric Chen表示,對光刻和薄膜沉積設備的限制更有可能實施,從而影響中國先進的半導體制造。 ? 2. 分析師:iPhone 15 系列因供應問題減產1100 萬部 ? 據(jù)報道,預計蘋果將在今
2023-08-28 11:19:30579 PZT2222A
2023-03-29 21:48:15
陶瓷薄膜傳感器電極引出線焊接問題:尋求傳感器電極引出線焊接,該傳感器尺寸為0.4*0.2*0.01mm,電極PAD0.04*0.04mm,兩個電極PAD間隙為0.04mm。尋求能夠焊接此PAD的工藝方法或廠家。有意請聯(lián)系QQ:315864969
2018-03-28 16:28:17
希望了解PZT陶瓷薄膜壓電傳感器應用解決方案
2018-03-29 11:23:08
各種自動關機電路技術分析,不看肯定后悔
2021-05-07 06:00:37
。為了沉積出非常純的薄膜,要求沉積速率高和低氣體(H20、CO2、C0、O2、N2)殘余壓力。對于真空蒸發(fā)來說這些條件都不是很難的,比如在10-6 torr 的壓力下蒸發(fā)速率可以達到1000 ? /s。表
2016-12-08 11:08:43
柔性薄膜鍵盤是薄膜鍵盤的典型形式。這類薄膜鍵盤之所以稱為柔性,是因為該薄膜鍵盤的面膜層、隔離層、電路層全部由各種不同性質的軟件薄膜所組成。
2019-10-23 09:11:42
CAN協(xié)議具有哪些特點?CAN協(xié)議的各種幀及其用途有哪些?
2021-11-10 06:58:36
TEM制樣、FIB切割、Pt沉積和三維重構聚焦離子束(FIB)與掃描電子顯微鏡(SEM)耦合成為FIB-SEM雙束系統(tǒng)后,通過結合相應的氣體沉積裝置,納米操縱儀,各種探測器及可控的樣品臺等附件成為一
2017-06-29 14:20:28
本帖最后由 chxiangdan 于 2017-12-12 14:08 編輯
EPCOS耐濕熱型薄膜電容 - 工業(yè)應用的新趨勢對于安規(guī)電容,IEC60384-14標準對于濕熱測試的標準已經(jīng)不能
2017-12-12 11:57:31
一般都是比其他精密電阻差。2.精密薄膜電阻精密薄膜電阻的技術發(fā)展代表了可以被大量商用的精密電阻技術,也是目前最流行的精密電阻技術。通過長時間多層的膜層沉積,高精密的調阻和后期的篩選,最優(yōu)的精密薄膜電阻
2019-04-26 13:55:26
,也是目前最流行的精密電阻技術。通過長時間多層的膜層沉積,高精密的調阻和后期的篩選,最優(yōu)的精密薄膜電阻可以達到±2ppm/°C的溫漂和±0.01%的精度,以及很好的長期穩(wěn)定性?! ∑淙秉c是功率做不大,低
2019-08-03 09:22:30
光通信技術發(fā)展的趨勢是什么
2021-05-24 06:47:35
技術的提高,開始涌現(xiàn)出多種制備手段,并且也利用多種技術制備了PZT壓電薄膜,如磁控濺射技術、脈沖激光沉積技術(PLD)、化學氣相沉積(CVD)和金屬化合物氣相沉積技術等。某高校實驗室需要驅動的壓電薄膜
2020-06-30 17:31:46
的、獨立的撞擊到基片表面。表1-1給出了沉淀速率和殘余氣體壓力在影響薄膜中含氧量上的相互作用。根據(jù)氧氣的黏滯系數(shù)(大概在0.1量級或者更?。┛梢源蟾殴烙嫵龊趿棵芏?,然而這些結果有重要意義。為了沉積出非常純
2016-06-17 14:40:12
)。平面光波導技術是在集成電路技術的基礎上發(fā)展起來的,有其獨特的地方。集成電路的基本元件是電阻、電容、電感和晶體管(二極管、三極管),集成電路技術是在硅襯底上通過薄膜沉積、擴散、外延、光刻、刻蝕、退火等
2018-02-22 10:06:53
微波器件的薄膜化過程中會遇到很多的技術難點,本文以環(huán)形器薄膜化過程中遇到的技術難點為例來分析微波器件薄膜化過程中所遇到的共性與個性的技術難點。
2019-06-26 08:09:02
是制作薄膜開關電路最理想的基材。其中有紋理PET適合對表面要求較高或具有液晶顯示窗的產品。 材料的厚度 塑料基材厚度在0.25mm及以下稱為薄膜,主要用作薄膜開關的面板層,其背面印有各種指示性的圖案
2012-07-27 09:46:32
電流象、元素的線分布和面分布等提供的信息:斷口形貌、表面顯微結構、薄膜內部的顯微結構、微區(qū)元素分析與定量元素分析等掃描電子顯微鏡SEM應用范圍:1、材料表面形貌分析,微區(qū)形貌觀察2、各種材料形狀、大小
2020-02-05 15:15:16
,微區(qū)形貌觀察2、各種材料形狀、大小、表面、斷面、粒徑分布分析3、各種薄膜樣品表面形貌觀察、薄膜粗糙度及膜厚分析掃描電子顯微鏡樣品制備比透射電鏡樣品制備簡單,不需要包埋和切片。樣品要求:樣品必須是固體
2020-02-06 13:13:24
智能視頻分析技術的應用現(xiàn)狀如何?“”未來智能視頻分析技術的發(fā)展趨勢怎樣?
2021-06-03 06:44:16
音頻信號是什么?音頻編碼技術分為哪幾類?音頻編碼技術有哪些應用?音頻編碼標準發(fā)展現(xiàn)狀如何?數(shù)字音頻編碼技術有怎樣的發(fā)展趨勢?
2021-04-14 07:00:14
汽車電子技術的發(fā)展趨勢是什么?
2021-05-17 06:33:49
液晶顯示技術的最新趨勢是什么?
2021-06-08 06:52:22
驅動技術國際發(fā)展趨勢,電動汽車行業(yè)前景來這幾個方面來分析研究電動汽車電動機驅動技術及其發(fā)展狀況。通過了解以下內容目的是發(fā)現(xiàn)我國電動汽車車用電機存在的問題,提升我國電動汽車的車用電機及其驅動系統(tǒng)的技術,從而更好的與世界接軌。關鍵詞:混合電動汽車,電動機,驅動技術
2016-09-08 19:23:28
:NMKE.0.2010-01-007【正文快照】:1前言隨著納米薄膜技術的發(fā)展,如今采用溶膠-凝膠(Sol-Gel)法可以制備出品質滿足體聲波器件所需擇優(yōu)取向的PZT壓電薄膜,通過對其晶向結構和形貌的表征表明,制備
2010-04-24 09:00:23
自動化測試技術發(fā)展趨勢展望分析,不看肯定后悔
2021-05-14 06:50:31
藍牙射頻技術及其測試項目有哪些?
2021-06-02 06:24:50
LED的基本原理是什么?LED的技術趨勢發(fā)展如何?LED的市場動態(tài)怎樣?
2021-06-03 06:04:07
由于透明導電薄膜具有優(yōu)異的光電性能,因而被廣泛地應用于各種光電器件中。
2019-09-27 09:01:18
以橋梁模型為例, 利用鋯鈦酸鉛(PZT) 材料的動態(tài)響應特性, 當對PZT 驅動器施加一定頻率的激勵使被測構件產生振動的同時, 采集和識別PZT 傳感器信號, 即可實現(xiàn)其故障監(jiān)測。
2009-06-22 13:38:0313 采用濺射技術, 對薄膜沉積的相關工藝參數(shù)進行了優(yōu)化, 獲得了電阻溫度系數(shù)TCR≤±10×10- 6ö℃的錳銅薄膜。該項技術為錳銅傳感器的薄膜化奠定了基礎, 同時也可用于制作錳銅薄膜
2009-06-27 09:32:1619 通過Sawyer2Tower 測試電路研究了鐵電薄膜的電滯回線,發(fā)現(xiàn)薄膜漏電阻以及示波器輸入電阻和電容的影響可能會使所測量的電滯回線發(fā)生形狀扭曲或者使測量結果出現(xiàn)較大偏差,通過
2009-10-07 23:04:5116 PZT薄膜的結晶特性及紅外特性:采用電子束蒸發(fā)方法在n - Si (100)襯底上制備Pb ( Zrx Ti1 - x )O3 (簡記為PZT)多晶薄膜. 用X射線衍射分析了PZT薄膜的結晶擇優(yōu)取向與Zr /Ti成分比、生長溫度、
2009-10-25 12:18:297 PZT薄膜的制備及特性
2009-10-25 12:28:4818 用脈沖激光(Nd:YAG 激光)沉積技術在硅基上沉積富硅SiO2薄膜(SiOx,x<2),沉積時氧氣壓力分別為1.33,2.66,3.99,5.32,6.65,7.98Pa,膜的厚度約為300nm。隨后,在氬(Ar)氣中1000℃的溫度下對
2010-08-03 16:24:350 概述激光測溫技術在光學薄膜制備中的應用及其在自動化方面的新進展。
2010-09-09 15:50:3817 半導體制程之薄膜沉積
在半導體組件工業(yè)中,為了對所使用的材料賦與某種特性,在材料表面上常以各種方法形成被膜而加以使用,假如
2009-03-06 17:14:585558 硅單晶(或多晶)薄膜的沉積
硅(Si)單晶薄膜是利用氣相外延(VPE)技術,在一塊單晶Si 襯底上沿其原來的結晶軸方向,生長一層導電類型
2009-03-09 13:23:416889 醫(yī)療電子技術的現(xiàn)狀及其分析趨勢
分辨率為16位、采樣速率為170MSPS的ADC,像素數(shù)量為2560*2048、灰階顯示為1786級的液晶顯示屏……。這些尖端電子技術正被開發(fā)用
2010-03-03 15:41:56522 微波器件的薄膜化過程中會遇到很多的技術難點,本文以環(huán)形器薄膜化過程中遇到的技術難點為例來分析微波器件薄膜化過程中所遇到的共性與個性的技術難點。
2012-06-01 15:48:41977 薄膜是一種物質形態(tài),清華田民波在《材料學概論》一書的第十三講,說的就是薄膜技術及薄膜制備技術。成膜技術及薄膜產品在工業(yè)上,特別是電子工業(yè)鄰域有及其重要的地位,在半導體集成電路、電阻器、電容器、激光器
2016-12-14 18:21:430 安防技術趨勢分析報告
2016-12-19 15:29:3124 文獻數(shù)字化技術的特點及其發(fā)展趨勢分析_寇清華
2017-03-15 11:23:230 PZT厚膜的電射流沉積研究_王大志
2017-03-19 18:58:180 CIGs薄膜的制備方法 20世紀70年代Wagner等瞳]利用CulnSe2單晶制備出了最早的CIS太陽能電池,其效率可以達到12%。隨著技術的發(fā)展多晶薄膜電池成為了主要的發(fā)展方向,相繼出現(xiàn)了共蒸發(fā)
2017-09-27 17:52:427 概述了透明導電薄膜的分類以及ITO薄膜的基本特性,綜述了ITO薄膜主要的制備技術及其研究的進展,并指出了不同制備方法的優(yōu)缺點。最后對ITO薄膜的發(fā)展趨勢進行了展望。 可見光透過率高而又有導電性的薄膜
2017-11-03 10:13:4224 本文詳細介紹了光收發(fā)模塊的封裝技術及其發(fā)展趨勢。
2017-11-06 10:51:5658 采用甚高頻等離子體增強化學氣相沉積技術 ,在相對較高氣壓和較高功率條件下 ,制備了不同硅烷濃度的微晶硅材料。 材料沉積速率隨硅烷濃度的增加而增大 ,通過對材料的電學特性和結構特性的分析得知 獲得了
2017-11-08 10:12:5812 微波器件的薄膜化過程中會遇到很多的技術難點,本文以環(huán)形器薄膜化過程中遇到的技術難點為例來分析微波器件薄膜化過程中所遇到的共性與個性的技術難點。
工作在微波波段(300~300000兆 赫)的器件。
2019-03-18 14:38:21998 本文在分析薄膜電路的特點的基礎上,介紹了幾種典型的薄膜電路在T/R組件中應用實例,分析指出薄膜技術在T/R組件中應用的兩個新的趨勢,并給出發(fā)展建議。采用薄膜技術來制造薄膜電路是薄膜領域中一個重要分支
2017-12-12 11:37:077353 近年來,光伏工業(yè)呈現(xiàn)加速發(fā)展的趨勢,與十年前相比,太陽能電池價格大幅度降低。 隨著技術的進步,薄膜太陽能電池的發(fā)展將日新月異,在未來光伏市場的市場份額將逐步提高。作為性能最好的薄膜太陽能電池,CIGS 薄膜太陽能電池也將迎來快速發(fā)展時期。接下來我們一起了解下關于CIGS薄膜太陽能電池及其制備方法
2018-01-24 16:24:3722319 薄膜是MEMS技術中最常用的材料和手段,多層膜是將2種以上的不同材料先后沉積在同一個襯底上,以改善薄膜同襯底間的粘附性。
2018-04-18 11:11:599781 泛林集團宣布推出一種用于沉積低氟填充鎢薄膜的新型原子層沉積 (ALD) 工藝,標志著其業(yè)界領先的 ALTUS? 產品系列又添新成員。通過業(yè)內首創(chuàng)的低氟鎢(LFW) ALD 工藝,ALTUS Max
2018-05-24 17:19:002398 PZT壓電薄膜是構成MEMS傳感器和執(zhí)行器的關鍵技術,但其制備工藝在過去很難實現(xiàn),傳統(tǒng)上主要采用低溫的涂覆方法(溶膠-凝膠法)。然而,在2015年,ULVAC成功開發(fā)出世界上最先進的低溫PZT壓電薄膜濺射工藝,并為下一代MEMS技術持續(xù)研發(fā)該技術。
2019-08-28 11:47:004932 隨著生產技術的更新及應用的不斷擴展,PZT壓電陶瓷已經(jīng)廣泛進入人們的視野,知名度也在不斷升高。 PZT壓電陶瓷具有逆壓電效應,即在施加電壓信號下可產生對應電壓信號的微位移,且具有納米級高分辨率及微秒
2020-05-06 11:53:393747 微波器件的薄膜化過程中會遇到很多的技術難點,本文以環(huán)形器薄膜化過程中遇到的技術難點為例來分析微波器件薄膜化過程中所遇到的共性與個性的技術難點。工作在微波波段(300~300000兆 赫)的器件
2020-08-14 18:52:000 沉積是半導體制造工藝中的一個非常重要的技術,其是一連串涉及原子的吸附、吸附原子在表面擴散及在適當?shù)奈恢孟戮劢Y,以漸漸形成薄膜并成長的過程。在一個新晶圓投資建設中,晶圓廠80%的投資用于購買設備。其中,薄膜沉積設備是晶圓制造的核心步驟之一,占據(jù)著約25%的比重。
2020-09-07 15:50:106019 業(yè)界主流的薄膜沉積工藝主要有原子層沉積(ALD)、物理式真空鍍膜(PVD)和化學式真空鍍膜(CVD)等,其中ALD屬于CVD的一種,屬于當下最先進的薄膜沉積技術。
2021-09-03 11:12:421149 歡迎閱讀《獲得連接》系列博客!在上篇《獲得連接》博客《多點應用的 LVDS》一文中,我們介紹了 TIA/EIA-899 或 MLVDS 標準以及一個典型的最終應用。本文我們將探討串行解串器 (SerDes) 以及各種技術及其應用。
2022-01-28 09:16:004819 薄膜集成電路是使用了薄膜工藝在藍寶石、石英玻璃、陶瓷、覆銅板基片上制作電路元、器件及其接線,最后進行封裝而成的。 集成電路薄膜沉積工藝可以分為三類,為物理氣相沉積(PVD)、化學氣相沉積(CVD
2021-12-22 16:41:067760 摘要 丁二烯、氫和氬的三元混合物在平行板等離子體反應器中沉積了類金剛石碳膜。這些薄膜的蝕刻量為02,cf4/02等離子體放電。推導出了沉積氣體混合物的組成與根據(jù)蝕刻和沉積速率定義的無量綱數(shù)(EN
2022-01-07 16:19:111028 本文提供了在襯底表面上沉積碳化硅薄膜的方法。這些方法包括使用氣相碳硅烷前體,并且可以釆用等離子體增強原子層沉積工藝。該方法可以在低于600“C的溫度下進行,例如在大約23丁和 大約200V之間
2022-02-15 11:11:143427
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