中國存儲器3+1版圖初現(xiàn) 能否打破韓國廠商壟斷？ - 全文

　　對中國大陸來說，今年可算是真正意義上的存儲器元年。武漢存儲器基地項目啟動，與聯(lián)電合作的晉華集成電路項目落戶福建泉州晉江市，還有明確要做存儲器的合肥市和紫光。三個地方加一個企業(yè)牽頭的“3+1”存儲器版圖已初現(xiàn)端倪。

　　此前，中國還未有任何一家企業(yè)在存儲器主流市場中占據(jù)過一席之地。面對一個動輒上百億元巨額投資、由寡頭壟斷的產(chǎn)業(yè)，讓人不由得思考：這種多方并進(jìn)、多點齊投的發(fā)展模式是不是合理？各方選擇的路徑顯然都不是坦途，最后哪條才能走進(jìn)存儲器的明天？

　　新進(jìn)入者：要創(chuàng)造不可能的可能

　　存儲器是一個嚴(yán)格按照摩爾定律前進(jìn)、追求低成本的規(guī)模經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)，想做起來太難。在這個寡頭割據(jù)的市場中，完全沒有給新進(jìn)入者留下太多發(fā)展的余地。在過去的年月里，能夠聽到的只有不斷退出的失敗悲歌。

　　“現(xiàn)實世界中應(yīng)當(dāng)不會有新加入者了，因為它無法實現(xiàn)規(guī)模經(jīng)濟，不可能加入進(jìn)來持續(xù)虧錢。”Bernstein分析師Mark Newman告訴《中國電子報》記者。

　　Mark Newman指出，新進(jìn)入者通常在起步時就要落后同行業(yè)至少3年，在供需平衡的情況下，新進(jìn)入者一年可能要面臨60%左右的虧損；而在產(chǎn)能過剩的情況下，新進(jìn)入者的虧損很可能達(dá)到百分之幾百。

　　參考過去十幾年的經(jīng)驗，這個市場并不是沒有新進(jìn)入者。

　　中國***地區(qū)曾在2001年至2010年間以400億美元的大手筆投資大幅挺進(jìn)存儲器市場，最多的時候能夠占據(jù)存儲器總市場份額的20%。但最終結(jié)果慘淡，市場并不歡迎這個新玩家，目前中國***存儲器只剩下4%的市場份額。

　　這一次，決心晉身存儲器玩家的是中國大陸。

　　從2014年《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》特別指出要發(fā)展新興存儲等關(guān)鍵芯片產(chǎn)業(yè)，到工信部印發(fā)的貫徹落實《國務(wù)院關(guān)于積極推進(jìn)“互聯(lián)網(wǎng)+”行動的指導(dǎo)意見》行動計劃（2015-2018年）中提出到2018年在海量存儲系統(tǒng)領(lǐng)域取得重大突破，毫無疑問，面對常年“缺芯”的窘境，市場總額超過800億美元、卻幾乎100%依賴進(jìn)口的存儲器已經(jīng)上升到國家意志的高度，發(fā)展刻不容緩。

　　中科院微電子所研究員霍宗亮告訴《中國電子報》記者，對新進(jìn)入的中國玩家，想切入DRAM和NAND閃存領(lǐng)域存有一線可能。DRAM制程工藝已快遇到物理上的極限，更新?lián)Q代越來越慢，技術(shù)難度越來越大，在這樣的情況下，國外廠家有可能跟中國新進(jìn)入者共同研發(fā)或技術(shù)轉(zhuǎn)移，但利潤很薄，前景堪憂。

　　他指出，閃存則開始走進(jìn)3D NAND新興技術(shù)，該技術(shù)可以向下延展到更多的技術(shù)節(jié)點，比如32層、48層、64層、96層……在設(shè)備成本差別不大的情況下，中國新進(jìn)入者只要完成前期的技術(shù)開發(fā)，后續(xù)的進(jìn)展有可能加速。

　　其實中國大陸早已成為國際存儲器大廠爭相投資的熱土。

　　目前在中國做存儲器的版圖中還有原本就已布局西安的三星、扎根無錫的SK海力士和已確定將大連工廠從做邏輯IC轉(zhuǎn)為做3D Xpoint存儲器的英特爾等國際主流玩家。

　　據(jù)賽迪智庫集成電路研究所所長霍雨濤判斷，SK海力士無錫工廠的DRAM產(chǎn)能可以占其DRAM總產(chǎn)能的43%。三星西安工廠的NAND Flash產(chǎn)能接近其NAND Flash總產(chǎn)能的22%。

　　市場就在這里，需求就在這里。不僅僅只是國際廠商意識到了這一點，中國顯然也并不缺乏勇于吃螃蟹的人。

　　在短短不到2年的時間里，存儲器項目在中國大陸各地開花。參與這場追擊戰(zhàn)的除原本曾在Nor閃存領(lǐng)域耕耘10年的武漢新芯外，還有決心在集成電路產(chǎn)業(yè)干一番大事的安徽合肥、福建晉江市政府，以及憑借強有力的資本運作手段完成多個重大項目的紫光集團。

　　至此，中國大陸“3+1”存儲器版圖初定。

　　是激進(jìn)冒險？還是打破了一潭死寂？

　　“紫光集團計劃在未來5年投資300億美元在存儲器產(chǎn)業(yè)上。”紫光集團董事長趙偉國告訴《中國電子報》記者。他表示，除了紫光國芯計劃增發(fā)的800億元中，不少于600億元將投資到存儲器制造上外，紫光計劃再籌集1400億元投入到存儲器產(chǎn)業(yè)。

　　根據(jù)公開資料，福建省晉江市與聯(lián)電技術(shù)合作的晉華存儲器集成電路生產(chǎn)線項目，一期投資額也有53億美元。

　　事實上，作為規(guī)模經(jīng)濟的典型代表，存儲器產(chǎn)業(yè)是眾所周知的投資大、周期長，要建一條20nm以下工藝的生產(chǎn)線，至少要投入70億美元。以目前已啟動的武漢存儲器基地為例，其總投資金額將達(dá)240億美元。

　　回顧從前，在國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金成立前，在紫光屢屢豪邁地對國際企業(yè)發(fā)出并購邀約前，中國半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)的主旋律還是缺錢，也并沒有一家廠商有勇氣以如此巨額投資做IDM模式的存儲器。

　　業(yè)界也因此出現(xiàn)了質(zhì)疑的聲音：這么龐大的資金投入會不會被浪費？對團隊和人才會不會出現(xiàn)不必要的內(nèi)部爭奪？會不會出現(xiàn)嚴(yán)重的同質(zhì)化問題？

　　半導(dǎo)體行業(yè)專家莫大康向記者表示，存儲器行業(yè)風(fēng)險太大，需要盡量謹(jǐn)慎。他不太贊成各地開花的做法，但認(rèn)為只支持一家上馬的風(fēng)險也很大。

　　“從戰(zhàn)略層面來講，舉全國之力做一件事，毫無疑問是正確的。在自身各方面條件有限的情況下，集中力量才能想辦法做成點兒大事。”清華大學(xué)微電子所所長魏少軍對《中國電子報》記者表示。

　　他同時也指出，在實際情況下，存儲器也是完全市場化競爭的產(chǎn)品，企業(yè)在做之前必然也會判斷重點、估算得失，不會盲目投資。

　　必須承認(rèn)的一點是，各地選擇的市場切入點、商業(yè)模式不盡相同，其積極性確實打破了全球存儲器格局的一潭死寂。當(dāng)事人們也都表示出了極大的信心。

　　趙偉國的論調(diào)是“紫光集團絕不會打無把握之仗”。武漢新芯執(zhí)行副總裁陳少民則表示：“有信心在2018年存儲器基地項目量產(chǎn)時，推出具有市場競爭力的產(chǎn)品。”

　　合肥也拿出了實干家的態(tài)度，確保項目能夠成功。合肥市有關(guān)負(fù)責(zé)同志告訴《中國電子報》記者，合肥運用過去運作大項目的經(jīng)驗，正在積極務(wù)實推進(jìn)，尋求最佳方案。

　　采取何種路徑

　　“為什么武漢新芯選擇從3D NAND入手？”當(dāng)莫大康在校友會上偶遇武漢新芯資深副總裁程衛(wèi)華時，他自然不會放棄這個直抒困惑的機會。

　　程衛(wèi)華為莫大康算了一筆極其具備邏輯性的賬。

　　為吃滿產(chǎn)能，建12英寸廠要么做邏輯芯片，要么做存儲器。按照2018年投產(chǎn)的計劃，如果做28nm邏輯芯片，最強大的對手是2011年便邁入28nm制程的臺積電，屆時其設(shè)備折舊已全部完成，即使武漢新芯可以做到同等工藝水平，但折舊導(dǎo)致成本高，產(chǎn)品仍然沒有競爭力。

　　而做3D NAND閃存，最強大的對手是2014年年底最先進(jìn)入大規(guī)模量產(chǎn)的三星，起步時間差不太多，到2018年時三星仍在設(shè)備折舊期，如果產(chǎn)品技術(shù)水平相符，成本上的競爭力差距不會過大，有做的可能。

　　其實，武漢新芯用240億美元賭的就是這樣的可能性。

　　武漢新芯于2015年宣布與Spasion合作開發(fā)、生產(chǎn)3D NAND閃存技術(shù)，與中科院微電子研究所也有緊密合作?！吨袊娮訄蟆酚浾叽饲安稍L陳少民時，他曾透露，2015年武漢新芯已有9層結(jié)構(gòu)的三維存儲器芯片下線，到2018年量產(chǎn)時，會將與領(lǐng)先公司技術(shù)差距縮小至一代半以內(nèi)。

　　事實上，在這個血腥廝殺的行業(yè)，對眼光和魄力的豪賭屢見不鮮。同樣靠韓國政府大力支持走向強盛的三星就曾利用“逆周期投資”的豪賭成為DRAM存儲器產(chǎn)業(yè)最大的受益者。

　　DRAM存儲器市場每隔4~5年會完成一個周期性興衰。在周期低谷時，存儲器產(chǎn)能過剩，價格暴跌，從業(yè)者通常采取縮減投資來止損。

　　三星則反其道而行之，利用韓國政府和民間資本支持，在周期低谷時進(jìn)行“逆周期投資”，使競爭對手虧損加劇，甚至拖垮了當(dāng)時行業(yè)排名前五的奇夢達(dá)和爾必達(dá)。

　　當(dāng)然，三星豪賭的背后是精確的計算和不計后果的魄力。而在中國這新一輪的存儲器興建浪潮中，各企業(yè)成功與否的關(guān)鍵也在于他們的選擇。

　　據(jù)記者從各方所得消息，紫光會同時進(jìn)入DRAM和NAND閃存領(lǐng)域，具體計劃還未可知；合肥將主要針對主流DRAM市場，不排除未來進(jìn)入閃存的可能性；晉華則要做DRAM利基市場。

　　“主流DRAM產(chǎn)品市場競爭太過激烈，利基市場可能是一個方向。”集邦科技DRAM首席分析師郭祚榮向記者指出。他透露，晉華項目的技術(shù)委托方聯(lián)電已購買了20nm與30nm工藝的設(shè)備，聯(lián)電本身并不具備專利和技術(shù)，但中國***做利基型內(nèi)存的公司不少，聯(lián)電可以找到合作伙伴和團隊共同開展研發(fā)工作。

　　雖然目前利基市場占DRAM總市場份額不高于5%，但郭祚榮表示，這已足夠養(yǎng)活晉華的工廠，讓其生存下來。此外，隨著未來汽車電子和IoT（萬物互聯(lián)）需求量的爆發(fā)，也可能給利基市場帶來機遇。

　　關(guān)乎生存 ?跑一場至少5年的馬拉松

　　歸根到底，考量中國存儲器新晉企業(yè)的最終指標(biāo)是生存。

　　“在半導(dǎo)體行業(yè)，靠錢不能解決所有問題，必須解決企業(yè)造血問題，這樣企業(yè)才有競爭力，才能變得更強?！蹦罂嫡f。

　　但生存并不是一件簡單的事情。

　　Mark Newman表示，想要在現(xiàn)有市場上存活要么必須有技術(shù)授權(quán)，有先進(jìn)的技術(shù)；要么必須真正進(jìn)入特別利基的市場，產(chǎn)品有獨特的創(chuàng)新點，沒有同質(zhì)化現(xiàn)象。

　　魏少軍也認(rèn)為，雖然目前中國各家的選擇或多或少都有所不同，但技術(shù)來源、產(chǎn)權(quán)壁壘、人才團隊、資金落實都是想要做存儲器的企業(yè)必須要解決的問題。

　　他主張通過尋求合作伙伴的方式，先合作再學(xué)習(xí)、創(chuàng)新，最終擁有自有技術(shù)?！坝绕涫侨绻氡容^快地進(jìn)入市場，最好是有愿意合作的合作者，進(jìn)行專利技術(shù)交叉許可和單項許可。”魏少軍說。

　　事實上，即使找到了好的合作伙伴和技術(shù)來源、聚集起了足夠的優(yōu)秀團隊、投入了巨大的資金和資源，以最樂觀的想法估計，也最少需要5年時間，這些公司才有可能進(jìn)入到現(xiàn)有的存儲器大格局中去，但想要實現(xiàn)盈利仍然非常難。

　　大可以算一算從1999年到2014年期間，三星、SK海力士和美光的盈利情況。在這15年間，利潤大頭基本被三星分走，共賺了近696億美元，SK海力士共賺了27億美元，美光僅賺了8億美元。

　　巨頭尚且如此，更何況想要去從中分成的新進(jìn)入者呢？更重要的一點是，這個靠成本驅(qū)動的存儲器產(chǎn)業(yè)需要長期堅定不移地持續(xù)投資。

　　“存儲器需要持續(xù)投入，如果真的想要產(chǎn)線見效，至少要連續(xù)投15年以上，至少要做好10年不盈利的準(zhǔn)備?！被粲隄嬖V記者。

　　他向記者指出，韓國企業(yè)能夠抓住存儲器發(fā)展機遇，一躍成為龍頭，最重要的就是其堅持不懈的意識，能夠?qū)Υ鎯ζ餍袠I(yè)進(jìn)行長期持續(xù)、不計代價的投入。

　　即使是企業(yè)嚴(yán)重虧損的時期，這種投入也并沒有停止。據(jù)不完全統(tǒng)計，在20世紀(jì)初，僅三星一家公司便得到了韓國政府共計87億美元的稅收減免。

　　不過，在1999年負(fù)債率仍高達(dá)166%的三星，即便擁有清晰的技術(shù)路線圖，還是用了10年時間才實現(xiàn)了存儲器業(yè)務(wù)的盈虧平衡，坐上了存儲器產(chǎn)業(yè)的第一把交椅。

　　對中國的存儲器行業(yè)來說，才剛剛站在一場馬拉松的起跑點上。不跑，永遠(yuǎn)無法在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中占據(jù)一席之地；而只要開跑就不能停歇，也必將留下艱辛。