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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>半導(dǎo)體技術(shù)>半導(dǎo)體新聞>TSMC認(rèn)證Synopsys IC Compiler II適合10-nm FinFET生產(chǎn)

TSMC認(rèn)證Synopsys IC Compiler II適合10-nm FinFET生產(chǎn)

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2013-02-19 10:42:54823

16nm/14nm FinFET技術(shù):開創(chuàng)電子業(yè)界全新紀(jì)元

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2013-03-28 09:26:472161

Cadence設(shè)計(jì)工具通過臺(tái)積電16nm FinFET制程認(rèn)證

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2013-06-06 09:26:451236

聯(lián)電完成14nm制程FinFET結(jié)構(gòu)晶體管芯片流片

Synopsys 的協(xié)助下,臺(tái)灣聯(lián)電(UMC)首款基于14nm制程及FinFET晶體管技術(shù)的測(cè)試用芯片日前完成了流片。聯(lián)電公司早前曾宣布明年下半年有意啟動(dòng)14nm 制程FinFET產(chǎn)品的制造,而這
2013-06-28 09:57:581023

16納米來了!臺(tái)積電試產(chǎn)16nm FinFET Plus

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2016年各大晶圓廠的主流工藝都是14/16nm FinFET工藝,Intel、TSMC及三星明年還要推10nm工藝,由于Intel也要進(jìn)軍10nm代工了,這三家免不了一場(chǎng)大戰(zhàn)。但是另一家代工廠
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2018-05-23 17:51:226817

Cadence 發(fā)布面向 TSMC 3nm 工藝的 112G-ELR SerDes IP 展示

Cadence 112G-ELR SerDes IP 系列產(chǎn)品的新成員。在后摩爾時(shí)代的趨勢(shì)下,FinFET 晶體管的體積在 TSMC 3nm 工藝下進(jìn)一步縮小,進(jìn)一步采用系統(tǒng)級(jí)封裝設(shè)計(jì)(SiP)。通過
2023-05-19 16:25:12784

FinFET(鰭型MOSFET)簡(jiǎn)介

、90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、14nm、10nm...有人說5nm是半導(dǎo)體工藝的極限尺寸,也有人說1nm是半導(dǎo)體工藝的極限尺寸;iPhone6s的 A9處理器更出現(xiàn)了三星14nm
2017-01-06 14:46:20

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IC設(shè)計(jì):Synopsys2018 版本 EDA 工具免費(fèi)分享1. 下載的文件列表包含一下文件;加群Q:139869702ReadMe:文件就是現(xiàn)在你正在閱讀的文件,主要是詳細(xì)的說明軟件的使用和包含
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Synopsys 2018-2010 EDA軟件大全 License

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2020-02-07 23:57:49

Synopsys 仿真求助

各位大神,小弟現(xiàn)在在做運(yùn)用Synopsys 工具的仿真?,F(xiàn)在希望通過仿真模擬獲得網(wǎng)表中所有node的值(包括wire和output)。目前使用的軟件有design compiler, TetraMax 和VCS。 請(qǐng)問有沒有辦法可以實(shí)現(xiàn)?謝謝。
2017-09-07 02:48:47

TSMC350nm的工藝庫是不是不太適合做LC-VCO???

想問一下,TSMC350nm的工藝庫是不是不太適合做LC-VCO啊,庫里就一個(gè)電容能選的,也沒有電感可以選。(因?yàn)檎n程提供的工藝庫就只有這個(gè)350nm的,想做LC-VCO感覺又不太適合,好像只能做ring-VCO了)請(qǐng)問350nm有RF工藝嘛,或者您有什么其他的工藝推薦?
2021-06-24 08:06:46

TSMC 65nm HSPICE 蒙特卡羅分析,仿真出現(xiàn)錯(cuò)誤,求助求助!

TSMC 65nm HSPICE 蒙特卡羅分析,仿真出現(xiàn)錯(cuò)誤,有人做過嗎 .prot .lib 'D:\crn65lp_v1d5.l' mc.lib 'D:\crn65lp_v1d5.l
2013-06-21 16:10:47

synopsys lic

COMP ck=235PACKAGE EFA_Synopsys_2 snpslmd 2009.5 10E0A051DB52390448F9 COMP ck=221PACKAGE
2009-01-21 13:10:00

Fusion Compiler 最新數(shù)據(jù)手冊(cè)和學(xué)習(xí)資料分享

工藝認(rèn)證FinFET 和可識(shí)別多重圖形的設(shè)計(jì)Signoff 時(shí)序、寄生參數(shù)提取和功耗分析消除設(shè)計(jì)迭代從綜合到后期布線的高級(jí)區(qū)域恢復(fù)算法,以獲得最大利用率
2020-11-14 07:58:53

Fusion Design Platform?已實(shí)現(xiàn)重大7nm工藝?yán)锍瘫?/a>

NVIDIA上海/北京/深圳 招聘 Physical Design Engineer

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2014-06-18 10:43:09

[轉(zhuǎn)]臺(tái)積電借16nm FinFET Plus及InFO WLP 通吃英特爾蘋果

轉(zhuǎn)自http://www.eet-china.com/ART_8800697889_480201_NT_08124b24.HTM臺(tái)積電借16nm FinFET Plus及InFO WLP 通吃英特爾
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【集成電路】10nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)大戰(zhàn)

增加SRAM單元數(shù)量。表1:鰭片的高度、寬度與間距差異:i8 vs. S8另一方面是材料的選擇,從圖4c、4d的EDS圖像顯示,兩種10nmFinFET成分組成是大同小異的,而且也沒有出現(xiàn)跟以往
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低功耗戰(zhàn)略優(yōu)勢(shì)

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小米6拋棄Helio X30 聯(lián)發(fā)科的高端夢(mèng)還有戲嗎?

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2017-02-16 11:58:05

TSMC90nm的工藝庫,請(qǐng)問可以分享一下嗎?

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求一份tsmc 7nm standard cell library

求一份tsmc 7nm standard cell library求一份28nm或者40nm 的數(shù)字庫
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求助大神們,有沒有TSMC90nm RF庫

求助大神們,需要TSMC90nm RF庫用于學(xué)習(xí)
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2021-06-24 06:18:43

請(qǐng)問FinFET在系統(tǒng)級(jí)意味著什么?

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2016年3月22日,中國(guó)上?!请娮樱绹?guó) Cadence 公司,NASDAQ: CDNS)今日宣布,用于10納米 FinFET工藝的數(shù)字、定制/模擬和簽核工具通過臺(tái)積電(TSMC)V1.0設(shè)計(jì)參考手冊(cè)(DRM)及SPICE認(rèn)證。
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2016-04-13 15:23:312571

三星/TSMC/Intel/AMD爭(zhēng)先恐后研發(fā)7nm

2016年半導(dǎo)體的主流工藝是14/16nm FinFET工藝,主要有Intel、TSMC及三星/GlobalFoundries(格羅方德)三大陣營(yíng),下一個(gè)節(jié)點(diǎn)是10nm,三方都會(huì)在明年量產(chǎn),不過
2016-05-30 11:53:53858

曝高通10nm處理器將由三星代工生產(chǎn)

導(dǎo)語:聯(lián)發(fā)科和華為均已確定下一代處理器將采用10nm工藝制程,高通也緊追其后遞交10nm芯片樣品給客戶,據(jù)悉,高通10nm訂單均交給三星代工生產(chǎn)
2016-07-28 19:00:27680

GF確認(rèn)將直奔7nm工藝 AMD將同步?

2015年以來,英特爾(Intel)、三星、臺(tái)積電(TSMC)紛紛發(fā)力16/14nm FinFET工藝,而當(dāng)下芯片廠商正爭(zhēng)相蓄力2017款10nm半導(dǎo)體制造工藝。隨著高通CEO爆料,高通2017
2016-08-19 14:34:10809

臺(tái)積電用10nm生產(chǎn)A11 聯(lián)發(fā)科感到絲絲涼意

有分析師透露消息指蘋果的A11處理器基本確定會(huì)采用臺(tái)積電的10nm工藝生產(chǎn),這意味著臺(tái)積電的7nm工藝不會(huì)早于明年三季度,必然導(dǎo)致10nm工藝產(chǎn)能非常緊張。這對(duì)于寄望多款產(chǎn)品采用臺(tái)積電的10nm工藝來增強(qiáng)芯片競(jìng)爭(zhēng)力的聯(lián)發(fā)科來說顯然是一個(gè)非常不好的消息。
2016-12-19 11:10:02498

臺(tái)積電用10nm生產(chǎn)A11 聯(lián)發(fā)科又該頭疼了!

有分析師透露消息指蘋果的A11處理器基本確定會(huì)采用臺(tái)積電的10nm工藝生產(chǎn),這意味著臺(tái)積電的7nm工藝不會(huì)早于明年三季度,必然導(dǎo)致10nm工藝產(chǎn)能非常緊張。這對(duì)于寄望多款產(chǎn)品采用臺(tái)積電的10nm工藝來增強(qiáng)芯片競(jìng)爭(zhēng)力的聯(lián)發(fā)科來說顯然是一個(gè)非常不好的消息。
2016-12-20 02:31:11600

臺(tái)積電10nm低良率或影響A10x芯片的iPad生產(chǎn)

消息稱,預(yù)計(jì)10納米工藝的低良率將導(dǎo)致明年的A10X芯片的iPad平板電腦可能推遲生產(chǎn)。臺(tái)積電的10nm芯片主要是由蘋果,海思,聯(lián)發(fā)科操刀,雖然有部分是代工。買方要求2017年第一季度就批量生產(chǎn),但臺(tái)積電10納米芯片工藝技術(shù)的良率并不是代工生產(chǎn)公司希望看到的,消息人士說
2016-12-24 09:39:46640

【圖文】ARM、賽靈思首發(fā)TSMC 7nm:2017年初流片,2018年將上市

TSMC、三星不僅要爭(zhēng)搶10nm工藝,再下一代的7nm工藝更為重要,因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">10nm節(jié)點(diǎn)被認(rèn)為是低功耗型過渡工藝,7nm才是真正的高性能工藝,意義更重大?,F(xiàn)在ARM宣布已將Artisan物理IP內(nèi)核授權(quán)給賽靈思(Xilinx)公司,制造工藝則是TSMC公司的7nm。
2017-01-13 12:57:111581

震撼!Xilinx宣布與TSMC開展7nm工藝合作

企業(yè)賽靈思公司(Xilinx, Inc. (NASDAQ:XLNX))今天宣布其與臺(tái)積公司( TSMC)已經(jīng)就7nm工藝和3D IC技術(shù)開展合作,共同打造其下一代All Programmable
2017-02-09 03:48:04198

關(guān)于Xilinx 16nm FinFET FPGA的四大亮點(diǎn)的分析和應(yīng)用

2015年,基于FinFET 工藝的IC產(chǎn)品將大量面市,除了英特爾的X86處理器和一些ASIC處理器外,F(xiàn)PGA也正式步入FinFET 3D晶體管時(shí)代,2月23日,羊年大年初五,賽靈思率先發(fā)布基于16nm FinFET 3D晶體管的FPGA新品,再次創(chuàng)下業(yè)界第一,開啟了FinFET FPGA的新時(shí)代。
2019-10-06 11:57:003095

淺析TSMCFinFET工藝技術(shù)的Mentor解決方案

Technology (12FFC) 和最新版本 7nm FinFET Plus 工藝的認(rèn)證。Nitro-SoCTM 布局和布線系統(tǒng)也通過了認(rèn)證,可以支持 TSMC 的 12FFC 工藝技術(shù)。
2017-10-11 11:13:422372

什么是FinFETFinFET的工作原理是什么?

功耗低,面積小的優(yōu)點(diǎn),臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司(TSMC)等主要半導(dǎo)體代工已經(jīng)開始計(jì)劃推出自己的FinFET晶體管[4],為未來的移動(dòng)處理器等提供更快,更省電的處理器。從2012年起,FinFET已經(jīng)開始向20納米節(jié)點(diǎn)和14納米節(jié)點(diǎn)推進(jìn)。
2018-07-18 13:49:00119524

僅次于10nm工藝,臺(tái)積電引入最先進(jìn)16nm工藝,預(yù)計(jì)明年5月投產(chǎn)

臺(tái)積電南京工廠將會(huì)在明年5月提前量產(chǎn)30mm晶圓,據(jù)悉,臺(tái)積電會(huì)引進(jìn)16nm FinFET制造工藝,僅次于10nm FinFET,并在南京設(shè)立一個(gè)設(shè)計(jì)服務(wù)中心來吸引客戶訂單。
2017-12-10 09:30:46910

Platform 中的多項(xiàng)工具已通過TSMC最新版5nm FinFET 和 7nm FinFET Plus 工藝的認(rèn)證

TSMC最新版5nm FinFET 和 7nm FinFET Plus 工藝的認(rèn)證。Mentor 同時(shí)宣布,已更新了 Calibre nmPlatform 工具,可支持TSMC的晶圓堆疊封裝 (WoW)技術(shù)
2018-05-17 15:19:003391

Synopsys設(shè)計(jì)平臺(tái)獲得TSMC工藝認(rèn)證_7-nm FinFET Plus工藝技術(shù)

7-nm FinFET Plus工藝的極紫外光刻技術(shù),IC Compiler II 進(jìn)行了專門的優(yōu)化,進(jìn)一步節(jié)省芯片面積。 采用TSMC的Wafer-on-Wafer(WoW)技術(shù),平臺(tái)內(nèi)全面支持
2018-05-17 06:59:004461

Synopsys 設(shè)計(jì)平臺(tái)獲得TSMC最新版且最先進(jìn)的5nm工藝

Synopsys Synopsys近日宣布, Synopsys 設(shè)計(jì)平臺(tái)獲得TSMC最新版且最先進(jìn)的5nm工藝技術(shù)認(rèn)證,可用于客戶先期設(shè)計(jì)。通過與TSMC的早期密切協(xié)作,IC CompilerII
2018-06-01 09:35:003784

三星 SAFE計(jì)劃現(xiàn)在已可提供與Synopsys的Lynx設(shè)計(jì)系統(tǒng)兼容的經(jīng)認(rèn)證

Synopsys宣布,Synopsys Design Platform已通過全球領(lǐng)先半導(dǎo)體技術(shù)企業(yè)三星電子的工藝認(rèn)證,支持三星代工部門的8nm LPP(低功耗+)工藝。Synopsys Design
2018-06-06 11:00:001441

新思科技攜手IBM,通過DTCO創(chuàng)新加速后FinFET工藝開發(fā)

采用新思科技Sentaurus、Process Explorer、StarRC、SiliconSmart、PrimeTime和IC Compiler II,DTCO方法學(xué)降低了先進(jìn)半導(dǎo)體工藝開發(fā)的成本,并加快了上市速度。
2018-09-21 11:53:527913

新思科技推出基于TSMC 7nm FinFET工藝技術(shù)的汽車級(jí)IP

基于7nm工藝技術(shù)的控制器和PHY IP具有豐富的產(chǎn)品組合,包括LPDDR4X、MIPI CSI-2、D-PHY、PCI Express 4.0以及安全I(xiàn)P。 IP解決方案支持TSMC 7nm工藝技術(shù)所需的先進(jìn)汽車設(shè)計(jì)規(guī)則,滿足可靠性和15年汽車運(yùn)行要求。
2018-10-18 14:57:216541

新思科技加快下一代設(shè)計(jì) 設(shè)計(jì)平臺(tái)成功獲的TSMC 5nm EUV工藝技術(shù)認(rèn)證

IC Compiler II和Design Compiler Graphical提供了統(tǒng)一流程,實(shí)現(xiàn)最低功耗、最佳性能和最優(yōu)面積。 StarRC、PrimeTime和PrimeTime PX支持全流程設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)并提供時(shí)序和功耗分析的signoff支持。
2018-10-23 14:29:145460

Synopsys推出支持TSMC 7nm工藝技術(shù)

新思科技(Synopsys)推出支持TSMC 7nm FinFET工藝技術(shù)的汽車級(jí)DesignWare Controller和PHY IP。DesignWare LPDDR4x、MIPI CSI-2
2018-11-13 16:20:231517

新思科技數(shù)字與定制設(shè)計(jì)平臺(tái)通過TSMC 5nm EUV工藝技術(shù)認(rèn)證

關(guān)鍵詞:5nm , Compiler , PrimeTime 新思科技(Synopsys)宣布其數(shù)字和定制設(shè)計(jì)平臺(tái)通過了TSMC最先進(jìn)的5nm EUV工藝技術(shù)認(rèn)證。該認(rèn)證是多年廣泛合作的結(jié)果,旨在
2018-10-27 22:16:01255

新思科技推出下一代Design Compiler,進(jìn)一步強(qiáng)化Synthesis領(lǐng)先地位

關(guān)鍵詞: Design Compiler , Synthesis Design Compiler NXT將運(yùn)行時(shí)間縮短2倍,QoR提高5%,并支持5nm及更先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn) 新思科技(Synopsys
2018-11-14 17:50:01220

瞻博網(wǎng)絡(luò)憑借Fusion技術(shù)的IC Compiler II將ECO周轉(zhuǎn)時(shí)間縮短近一半

新思科技近日宣布采用先進(jìn)Fusion技術(shù)的創(chuàng)新型IC Compiler? II布局布線解決方案已在瞻博網(wǎng)絡(luò)(Juniper Networks)部署,為瞻博網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)了更好的功耗和面積結(jié)果。此外,在IC Compiler II布局布線解決方案內(nèi)執(zhí)行時(shí),工程變更指令(ECO)周轉(zhuǎn)時(shí)間可縮短40%以上。
2019-06-14 08:42:213057

Synopsys最新旗艦版IC Compiler? II布局布線系統(tǒng)發(fā)布

最新版IC Compiler II通過新一代分布式并行、智能場(chǎng)景管理、高效基礎(chǔ)設(shè)施擴(kuò)展和固有核心引擎算法,提供快2倍的吞吐量
2019-08-13 16:23:532424

ASIC邏輯綜合及Synopsys Design Compiler 的使用資料說明

本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是ASIC邏輯綜合及Synopsys Design Compiler 的使用資料說明包括了:1、邏輯綜合基本概念 a) Synopsys綜合工具及相關(guān)工具 b) 邏輯綜合
2019-10-23 08:00:005

三星公布14nm FinFET的1.44億像素傳感器

據(jù)介紹,14nm FinFET工藝使得界面態(tài)密度(Nit)提升40%以上,閃爍噪聲提高64%,數(shù)字邏輯功能芯片功耗降低34%。憑借14nm FinFET先進(jìn)工藝優(yōu)勢(shì),144MP功耗有望降低42%。
2020-01-25 15:40:001317

新思聯(lián)合TSMC實(shí)現(xiàn)新一代芯片設(shè)計(jì)

(功耗、性能和面積)優(yōu)勢(shì),同時(shí)加快產(chǎn)品上市時(shí)間 ● 新思科技進(jìn)一步強(qiáng)化關(guān)鍵產(chǎn)品,以支持TSMC N3制造的進(jìn)階要求 新思科技(Synopsys)近日宣布,其數(shù)字和定制設(shè)計(jì)平臺(tái)已獲得TSMC 3nm制造技術(shù)驗(yàn)證。此次驗(yàn)證基于TSMC的最新設(shè)計(jì)參考手冊(cè)(DRM)和工藝設(shè)計(jì)工具包(
2020-10-14 10:47:571764

新思科技與TSMC合作為封裝解決方案提供經(jīng)認(rèn)證的設(shè)計(jì)流程

重點(diǎn) ● TSMC認(rèn)證基于新思科技3DIC Compiler統(tǒng)一平臺(tái)的CoWoS和InFO設(shè)計(jì)流程 ● 3DIC Compiler可提高先進(jìn)封裝設(shè)計(jì)生產(chǎn)率 ● 集成Ansys芯片封裝協(xié)同分析解決方案
2020-10-14 11:11:212099

新思科技攜手GF,以Fusion Compiler釋放GF平臺(tái)最佳PPA潛能

重點(diǎn) ● 雙方在技術(shù)賦能方面的緊密合作使GLOBALFOUNDRIES 12LP、12LP+ (12nm FinFET) 以及22FDX (22nm FD-SOI) 平臺(tái)釋放最佳PPA潛能
2020-10-23 16:17:092050

三星正式宣布3nm成功流片,性能將完勝臺(tái)積電

的,目的在于加速為GAA 構(gòu)的生產(chǎn)流程提供高度優(yōu)化的參考方法。而因?yàn)槿堑? nm制程采用不同于臺(tái)積電或英特爾所采用的 FinFET 的架構(gòu),而是采用 GAA 的結(jié)構(gòu)。在此情況下,三星需要
2021-07-01 15:27:444315

臺(tái)積電3nm FinFET工藝

最小 Lg 是溝道柵極控制的函數(shù),例如從具有不受約束的溝道厚度的單柵極平面器件轉(zhuǎn)移到具有 3 個(gè)柵極圍繞薄溝道的 FinFET,從而實(shí)現(xiàn)更短的 Lg。FinFET 的柵極控制在鰭底部最弱,優(yōu)化至關(guān)重要。
2023-01-04 15:54:511488

IP_數(shù)據(jù)表(I-10):USB2.0 Transceiver for TSMC 28nm HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(I-10):USB2.0 Transceiver for TSMC 28nm HPC+
2023-03-16 19:34:540

GTC23 | NVIDIA、ASML、TSMCSynopsys 為新一代芯片制造奠定基礎(chǔ)

推出一項(xiàng)將加速計(jì)算引入計(jì)算光刻技術(shù)領(lǐng)域的突破性成果。 在當(dāng)前生產(chǎn)工藝接近物理極限的情況下,這項(xiàng)突破使 ASML、TSMCSynopsys 等半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者能夠加快新一代芯片的設(shè)計(jì)和制造。 全球
2023-03-23 06:45:02310

IP_數(shù)據(jù)表(I-10):USB2.0 Transceiver for TSMC 28nm HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(I-10):USB2.0 Transceiver for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:21:030

新思科技3DIC Compiler獲得三星多裸晶芯集成工藝流程的認(rèn)證

Compiler是統(tǒng)一的多裸晶芯片封裝探索、協(xié)同設(shè)計(jì)和分析的平臺(tái),已經(jīng)獲得三星多裸晶芯集成工藝流程的認(rèn)證。 全面和可擴(kuò)展的新思科技多裸晶芯片系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)從早期設(shè)計(jì)探索到芯片生命周期管理全流程的快速異構(gòu)集成。 新思科技(Synopsys)近日宣布,與三星晶圓廠(以下簡(jiǎn)稱為“三星”)深化合作,助
2023-09-14 09:38:28839

臺(tái)積電3nm月產(chǎn)能明年將增至10萬片

臺(tái)積電推出了世界上第一個(gè)3nm智能手機(jī)芯片apple a17 pro,該芯片也用于新款iphone 15 pro。據(jù)悉,tsmc到2023年為止,將只批量生產(chǎn)蘋果的3nm工藝。
2023-09-25 14:25:28616

TSMCSynopsys將在生產(chǎn)中使用NVIDIA計(jì)算光刻平臺(tái)

NVIDIA 于今日宣布,為加快下一代先進(jìn)半導(dǎo)體芯片的制造速度并克服物理限制,TSMCSynopsys 將在生產(chǎn)中使用 NVIDIA 計(jì)算光刻平臺(tái)。
2024-03-20 09:52:00100

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