DRAM成長率明年恐創(chuàng)新低

　　根據(jù)TrendForce旗下研究部門DRAMeXchange調(diào)查數(shù)據(jù)指出，受到總體經(jīng)濟持續(xù)低迷影響，PC出貨量逐年衰退，再加上近年來智慧型手機與平板電腦排擠消費者原本就有限的預(yù)算，使得PC的換機周期由原先平均2-3年拉長至4-5年間，買氣遲遲無法有效提升。在臺系廠商逐步退出標(biāo)準(zhǔn)型DRAM市場下，TrendForce預(yù)估，2013年DRAM的位元供給增長僅有22.2%，為歷年來最低水位。 　　TrendForce從PC ODM出貨預(yù)估觀察，今年度PC整機的出貨高峰期已過，10月份NB出貨量已呈逐步下滑走勢，代表DRAM需求量亦逐月變小，上旬價格持續(xù)下跌，2Gb顆粒將跌至0.83美元，幾乎與現(xiàn)貨顆粒價格同價。 　　受總體經(jīng)濟影響，各DRAM廠顆粒價格已經(jīng)逼近甚至跌破現(xiàn)金成本，需求遲遲未見起色，打亂DRAM供應(yīng)商原先要轉(zhuǎn)出PC DRAM產(chǎn)能的腳步，目前仍呈供過于求。 　　時序即將進(jìn)入2013年，各家廠商亦著手進(jìn)行明年生產(chǎn)策略規(guī)劃，TrendForce觀察，即便是身為產(chǎn)業(yè)龍頭的三星半導(dǎo)體，對明年的資本支出以及位元成長也保持高度謹(jǐn)慎態(tài)度；除了放緩28奈米的轉(zhuǎn)進(jìn)時程之外，在EUV時代前僅計劃再轉(zhuǎn)進(jìn)至25奈米，并且以獲利率的考量下，將先進(jìn)制程優(yōu)先導(dǎo)入行動式記憶體，顯見整個產(chǎn)業(yè)策略的重心已經(jīng)從過去的PC DRAM轉(zhuǎn)向手持式裝置。 　　展望2013年，TrendForce預(yù)估產(chǎn)業(yè)環(huán)境塵埃落定，競爭者汰弱留強之下位元產(chǎn)出會逐漸放緩，與后PC時代的需求端接軌。 　　往年受到PC換機潮的帶動，DRAM供應(yīng)商莫不加緊腳步做制程轉(zhuǎn)進(jìn)，以求成本結(jié)構(gòu)的最佳化，從2009年的60奈米直到2012 年的30奈米，每年幾乎是以1~1.5世代做交替。 　　對臺系廠而言，由于虧損幅度較大，除了制程演進(jìn)速度逐步趨緩以外，也規(guī)劃將PC DRAM產(chǎn)能陸續(xù)移出。后續(xù)南科（2408） 將會淡出標(biāo)準(zhǔn)型DRAM的供給，轉(zhuǎn)進(jìn)利基型記憶體及代工業(yè)務(wù)，而力晶 （5346）標(biāo)準(zhǔn)型記憶體出貨也已大幅下修，目前每月投片量僅剩2萬片。在各生產(chǎn)者有共識的將腳步放緩的前提之下，TrendForce預(yù)估，2013年的位元供給增長僅有22.2%，為歷年來最低水位。