為什么在早期的晶體研究中，人們就對(duì)晶體中的缺陷予以重視呢？首先是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">發(fā)現(xiàn)晶體內(nèi)部沒(méi)有缺陷簡(jiǎn)直是絕無(wú)僅有的。
2022-12-02 20:48:11
1913 以前，芯片提供商想辦法通過(guò)晶體管和工藝技術(shù)來(lái)降低功耗。雖然晶體管是產(chǎn)生功耗的主要原因，但并非唯一因素，而且通過(guò)晶體管來(lái)降低功耗作用是有限的。
2011-08-18 08:50:55815 ?！ ?050晶體管及其等效的8550晶體管設(shè)計(jì)用于低功耗推挽放大器應(yīng)用中的互補(bǔ)晶體管對(duì)。通常，8050晶體管是2瓦放大器，最大集電極-發(fā)射極電流為1.5安培，最大集電極-發(fā)射極電壓為25伏?！ 』?b class="flag-6" style="color: red">晶體管
2023-02-16 18:22:30
功耗存在。靜態(tài)功耗：也稱待機(jī)功耗，靜態(tài)功耗主要由晶體管的漏電流所導(dǎo)致的功耗。動(dòng)態(tài)功耗：包括開關(guān)功耗或者成為翻轉(zhuǎn)功耗、短路功耗或者稱為內(nèi)部功耗；動(dòng)態(tài)功耗影響因素：門寄生電容、時(shí)鐘翻轉(zhuǎn)翻轉(zhuǎn)、時(shí)鐘頻率、供電電壓；降低功耗：應(yīng)當(dāng)在所有涉及層次上進(jìn)行，即系統(tǒng)級(jí)、邏輯級(jí)和物理即，層次越高對(duì)功耗降低越有效；在系統(tǒng)
2021-11-11 06:24:53
關(guān)于晶體管ON時(shí)的逆向電流在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負(fù)，由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔(dān)心劣化和損壞，在使用上是沒(méi)有問(wèn)題的2. NPN-Tr
2019-04-09 21:27:24
晶體管并聯(lián)時(shí)，當(dāng)需要非常大的電流時(shí)，可以將幾個(gè)晶體管并聯(lián)使用。因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">存在VBE擴(kuò)散現(xiàn)象，有必要在每一個(gè)晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個(gè)小電阻。電阻R用以保證流過(guò)每個(gè)晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據(jù)
2024-01-26 23:07:21
晶體管之間的差異性：就三極管，mos管和可控硅之間的差別和相同點(diǎn)的相關(guān)概念有點(diǎn)模糊，請(qǐng)各位大俠指點(diǎn)?。?！
2016-06-07 23:27:44
晶體管交直流參數(shù)對(duì)電路設(shè)計(jì)的影響是什么？
2021-04-23 06:25:38
？5. 連續(xù)脈沖？單脈沖？6. 平均功耗是否在周圍溫度的額定功率以下？功率計(jì)算的積分公式使晶體管工作會(huì)產(chǎn)生電氣負(fù)載和熱負(fù)載。對(duì)晶體管來(lái)講，負(fù)載太大壽命會(huì)縮短，最壞的情況下會(huì)導(dǎo)致晶體管被破壞。為防止這種
2019-04-15 06:20:06
）晶體管和陶瓷封裝晶體管等。其封裝外形多種多樣。 按功能和用途分類 晶體管按功能和用途可分為低噪聲放大晶體管、中高頻放大晶體管、低頻放大晶體管、開關(guān)晶體管、達(dá)林頓晶體管、高反壓晶體管、帶阻晶體管、帶
2010-08-12 13:59:33
晶體管參數(shù)
2012-04-19 06:47:38
本帖最后由 gongddz 于 2017-3-29 09:06 編輯
晶體管作為電流單方向通過(guò)的電子開關(guān)使用晶體管也可以作為電子開關(guān)使用。但這個(gè)開關(guān)的電流方向只能是單向的，pnp型管和npn型
2017-03-28 15:54:24
晶體管圖示儀器是用來(lái)測(cè)量晶體管輸入、輸出特性曲線的儀器。在實(shí)驗(yàn)、教學(xué)和工程中通過(guò)使用圖示儀，可以獲得晶體管的實(shí)際特性，能更好的發(fā)揮晶體管的作用。
2021-05-07 07:43:17
1．反向擊穿電流的檢測(cè) 普通晶體管的反向擊穿電流（也稱反向漏電流或穿透電流），可通過(guò)測(cè)量晶體管發(fā)射極E與集電極C之間的電阻值來(lái)估測(cè)。測(cè)量時(shí)，將萬(wàn)用表置于R×1k檔， NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
晶體管技術(shù)方案面臨了哪些瓶頸？
2021-05-26 06:57:13
晶體管收音機(jī)的廠家，我將分批上傳本書的全部?jī)?nèi)容(這是三管機(jī))，一是給大家了解一下當(dāng)時(shí)我國(guó)晶體管收音機(jī)的水平，二是展示一下當(dāng)時(shí)我國(guó)生產(chǎn)晶體管收音機(jī)的廠家，因?yàn)樗鼈兿喈?dāng)大一部分已不復(fù)存在了。
2011-06-16 10:22:19
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數(shù)？有的器件有放大倍數(shù)改變的參數(shù)。另外，不同的仿真模型參數(shù)不同如何改變？
2014-02-28 08:42:03
；頻率特性和通頻帶。難點(diǎn)：靜態(tài)工作點(diǎn)調(diào)整。[理論內(nèi)容]一、電路工作原理及基本關(guān)系式1、工作原理晶體管放大器中廣泛應(yīng)用如圖1所示的電路，稱之為阻容耦合共射極放大器。它采用的是分壓式電流負(fù)反饋偏置電路
2009-03-20 10:02:58
供應(yīng)晶圓芯片，型號(hào)有： 可控硅， 中、大功率晶體管，13000系列晶體管，達(dá)林頓晶體管，高頻小信號(hào)晶體管，開關(guān)二極管，肖特基二極管，穩(wěn)壓二極管等。有意都請(qǐng)聯(lián)系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
晶體管測(cè)量模塊的基本特性有哪些？晶體管測(cè)量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
題庫(kù)來(lái)源：特種作業(yè)?？碱}庫(kù)小程序1.晶體管特性圖示儀的功耗限制電阻相當(dāng)于晶體管放大電路的( )電阻。 BA.基極B.集電極C.限流D.降壓2.集成運(yùn)放通常有( )部分
2021-09-02 06:19:31
`非常不錯(cuò)的晶體管電路設(shè)計(jì)書籍！`
2016-11-08 14:12:33
的設(shè)計(jì)，運(yùn)算放大電路的設(shè)計(jì)與制作。下冊(cè)則共分15章，主要介紹FET、功率MOS、開關(guān)電源電路等。本書面向?qū)嶋H需要，理論聯(lián)系實(shí)際，通過(guò)大量具體的實(shí)驗(yàn)，通俗易懂地介紹晶體管電路設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)知識(shí)。1．1 學(xué)習(xí)晶體管電路
2009-11-20 09:41:18
IC一般不能超出ICM。(3) 集電極最大允許功耗PCMPCM是指晶體管參數(shù)變化不超出規(guī)定允許值時(shí)的最大集電極耗散功率。使用晶體管時(shí)，實(shí)際功耗不允許超過(guò)PCM，通常還應(yīng)留有較大余量，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">功耗過(guò)大往往是
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-04-10 06:20:24
是基于代表性的特性進(jìn)行的，因此存在個(gè)別不吻合的內(nèi)容。請(qǐng)理解為整體的傾向、特征。另外，這些晶體管的結(jié)構(gòu)、工作原理與代表性的參數(shù)如下。雙極晶體管（圖中以NPN為例）由PN結(jié)組成，通過(guò)在基極流過(guò)電流，而在集電極
2018-11-28 14:29:28
相對(duì)于晶體管的主要評(píng)估項(xiàng)目的特征。 對(duì)于各項(xiàng)目的評(píng)估是基于代表性的特性進(jìn)行的，因此存在個(gè)別不吻合的內(nèi)容。請(qǐng)理解為整體的傾向、特征。另外，這些晶體管的結(jié)構(gòu)、工作原理與代表性的參數(shù)如下。 雙極晶體管
2020-06-09 07:34:33
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當(dāng)時(shí)的電子工業(yè)界來(lái)帶來(lái)了前所未有的沖擊。而且，正是這個(gè)時(shí)候成為了今日電子時(shí)代的開端。之后以計(jì)算機(jī)為首，電子技術(shù)取得急速
2019-07-23 00:07:18
對(duì)于晶體管放大電路，比如常用的共射放大電路，一般基極會(huì)有兩個(gè)分壓電阻，用來(lái)控制給基極一個(gè)合適的電平，保證晶體管的基極能導(dǎo)通，這兩個(gè)分壓電阻的阻值一般選用的都是K歐姆級(jí)別的阻值，原因是什么？ 理論依據(jù)是？謝謝！
2020-06-08 17:23:20
晶體管開關(guān)能力的方法。在這樣的大功率電路中，存在的主要問(wèn)題是布線。很高的開關(guān)速度能在很短的連接線上產(chǎn)生相當(dāng)高的干擾電壓。簡(jiǎn)單和優(yōu)化的基極驅(qū)動(dòng)造就的高性能今日的基極驅(qū)動(dòng)電路不僅驅(qū)動(dòng)功率晶體管，還保護(hù)功率
2018-10-25 16:01:51
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當(dāng)時(shí)的電子工業(yè)界來(lái)帶來(lái)了前所未有的沖擊。而且，正是這個(gè)時(shí)候成為了今日電子時(shí)代的開端。之后以計(jì)算機(jī)為首，電子技術(shù)取得急速
2019-05-05 00:52:40
1．晶體管的結(jié)構(gòu)晶體管內(nèi)部由兩PN結(jié)構(gòu)成，其三個(gè)電極分別為集電極（用字母C或c表示），基極（用字母B或b表示）和發(fā)射極（用字母E或e表示）。如圖5-4所示，晶體管的兩個(gè)PN結(jié)分別稱為集電結(jié)（C、B極
2013-08-17 14:24:32
/2N5551、S8050/S8550等型號(hào)。選用時(shí)應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路具體要求而定。 后級(jí)功率放大電路中使用的互補(bǔ)推挽對(duì)管，應(yīng)選用大電流、大功率、低噪聲晶體管，其耗散功率為100~200W，集電極最大電流為
2012-01-28 11:27:38
關(guān)于晶體管ON時(shí)的逆向電流在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負(fù)，由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔(dān)心劣化和損壞，在使用上是沒(méi)有問(wèn)題的2. NPN-Tr
2019-05-09 23:12:18
晶體管 &
2010-08-12 13:57:39
晶體管配對(duì)
2017-08-24 18:48:13
`FHX35X是一款高電子遷移率晶體管（HEMT），旨在用于2-18GHz頻率范圍內(nèi)的通用，低噪聲和高增益放大器。該設(shè)備非常適合電信，DBS，TVRO，VSAT或其他低噪聲應(yīng)用。住友電工嚴(yán)格
2021-03-30 11:21:24
的高功率晶體管產(chǎn)品組合。我們目前的產(chǎn)品提供超過(guò)80％的效率，并利用GaN-on-SiC，Si-LDMOS和Si-VDMOS半導(dǎo)體技術(shù)。我們還致力于制造一些首批Si-bipolar器件，從而支持傳統(tǒng)方案
2019-04-15 15:12:37
求大神相助，Multisim里面雪崩晶體管的過(guò)壓擊穿怎么放著那，當(dāng)我設(shè)的電壓已經(jīng)大于了Vcbo滯后還是不見(jiàn)晶體管導(dǎo)通。
2014-08-08 10:42:58
低功耗設(shè)計(jì)中，晶體管控制電路會(huì)對(duì)電路產(chǎn)生一定的影響。無(wú)論是NPN還是PNP，晶體管的PN結(jié)都會(huì)有漏電流。當(dāng)I/O控制基極電壓時(shí)，為了穩(wěn)定基極電壓，一般在NPN開關(guān)電路的基極上加一個(gè)下拉電阻。在PNP開關(guān)電路的設(shè)計(jì)中，基極增加了一個(gè)下拉電阻。上拉和下拉電阻根據(jù)控制芯片、晶體管和電路電壓進(jìn)行選擇。
2023-02-15 18:13:01
產(chǎn)生的噪聲更少。它比其他晶體管小，可以像其他晶體管一樣用于集成電路。X. 如何識(shí)別PNP晶體管PNP晶體管通常通過(guò)其結(jié)構(gòu)來(lái)識(shí)別。在比較NPN和PNP晶體管的結(jié)構(gòu)時(shí)，我們看到了各種差異。識(shí)別PNP晶體管
2023-02-03 09:44:48
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:32:19
，而且在高溫條件下的工作也表現(xiàn)良好，可以說(shuō)是具有極大優(yōu)勢(shì)的開關(guān)元件。這張圖是各晶體管標(biāo)準(zhǔn)化的導(dǎo)通電阻和耐壓圖表。從圖中可以看出，理論上SiC-DMOS的耐壓能力更高，可制作低導(dǎo)通電阻的晶體管。目前
2018-11-30 11:35:30
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個(gè)晶體管來(lái)代替，MFR151管子能用哪個(gè)來(lái)代替？或是誰(shuí)有這兩個(gè)高頻管子的原件庫(kù)？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
先說(shuō)聲對(duì)不起。，這些天導(dǎo)師那邊一堆事。時(shí)間不夠。終于找到點(diǎn)時(shí)間便說(shuō)下我的新發(fā)現(xiàn)。好了不說(shuō)廢話了，接著上次的說(shuō)。我在機(jī)智云開發(fā)者界面中添加了一個(gè)設(shè)備。為了方便我今天又加了一個(gè)用寵物屋做模板的一個(gè)
2015-10-19 22:12:27
放大電路的設(shè)計(jì)與制作，下冊(cè)則共分15章，主要介紹FET、功率MOS、開關(guān)電源電路等?！?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)面向?qū)嶋H需要，理論聯(lián)系實(shí)際，通過(guò)大量具體的實(shí)驗(yàn)，通俗易懂地介紹晶體管電路設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)知識(shí)
2017-07-25 15:29:55
由BTI帶來(lái)的功耗降低是比較顯著的。 在實(shí)際芯片測(cè)試中，使用5年后泄漏電流大約降低11%。實(shí)際的電子系統(tǒng)功耗降低能否達(dá)到期望的程度還不知道，但至少晶體管老化與功耗降低的關(guān)聯(lián)理論上是說(shuō)得通的。這是
2017-06-15 11:41:33
現(xiàn)在蘋果的a12晶體管的數(shù)量都到100億了，晶體管數(shù)量也不比x86低了，為什么還能還能保持低功耗，同樣用arm cpu的路由器功率卻越來(lái)越大？
2018-11-02 09:55:21
互補(bǔ)晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
200，000個(gè)電子，而單個(gè)電子晶體管僅包含一個(gè)或幾個(gè)電子，因此將大大降低功耗并提高集成電路的集成度。1989年，J.H.F.Scott-Thomas等研究人員發(fā)現(xiàn)了庫(kù)侖阻塞現(xiàn)象。當(dāng)施加電壓時(shí)，如果量子點(diǎn)中
2023-02-03 09:36:05
的模擬揭示了為何ITO不能在氮化鎵晶體管中形成良好的歐姆接觸。模擬結(jié)果表明，ITO和在AlGaN和GaN界面的二維電子氣之間存在著一個(gè)高能勢(shì)壘（見(jiàn)圖3（a））。這個(gè)勢(shì)壘阻礙電子在氧化銦錫和氮化鎵三角阱
2020-11-27 16:30:52
年代和 1960 年代，它也被稱為超級(jí)阿爾法對(duì)。Darlington認(rèn)識(shí)到這種設(shè)計(jì)對(duì)發(fā)射極-跟隨電路的諸多優(yōu)勢(shì)，并為這一概念申請(qǐng)了專利?！ ∵_(dá)林頓晶體管通常具有低功耗、高增益的特性，使其對(duì)輸入電流
2023-02-16 18:19:11
鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管優(yōu)勢(shì) 更好地控制通道 抑制短通道效應(yīng) 更低的靜態(tài)漏電流 更快的開關(guān)速度 更高的漏極電流（每個(gè)封裝的驅(qū)動(dòng)電流更大） 更低的開關(guān)電壓 低功耗 鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管缺點(diǎn) 難以
2023-02-24 15:25:29
給大家介紹個(gè)新發(fā)現(xiàn)的單片機(jī)內(nèi)存調(diào)試工具M(jìn)CUMonitor,其界面簡(jiǎn)單，操作方便。對(duì)于調(diào)試內(nèi)存數(shù)據(jù)的連續(xù)變化，有很大的好處。開發(fā)人員移植也很方便，只要在串口通訊端口對(duì)接開發(fā)的庫(kù)。即可實(shí)現(xiàn)對(duì)內(nèi)存變量
2018-01-16 17:27:58
在現(xiàn)實(shí)生活中，冗余服務(wù)器問(wèn)題一直都很讓人糾結(jié)。有時(shí)我們甚至想過(guò)要用4臺(tái)exchange2010實(shí)現(xiàn)CAS和MAILBOX全冗余，真是絞盡腦汁啊！現(xiàn)在你可以輕松了。偶的新發(fā)現(xiàn)就是新型的19英寸
2012-07-10 16:36:11
PNP晶體管在哪里使用？放大電路采用PNP晶體管。達(dá)林頓對(duì)電路采用PNP晶體管。機(jī)器人應(yīng)用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應(yīng)用中的電流。如何控制PNP晶體管？首先，為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關(guān)時(shí)間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點(diǎn)。但存在二次擊穿問(wèn)題和耐壓難以提高的缺點(diǎn)，阻礙它的進(jìn)一步發(fā)展?！?、結(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-15 11:59:52
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關(guān)時(shí)間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點(diǎn)。但存在二次擊穿問(wèn)題和耐壓難以提高的缺點(diǎn)，阻礙它的進(jìn)一步發(fā)展?！?、結(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-25 11:27:53
請(qǐng)教：?jiǎn)谓Y(jié)晶體管在什么位置，有人說(shuō)是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請(qǐng)問(wèn)誰(shuí)有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
用雙晶體管實(shí)現(xiàn)低噪聲化的測(cè)量用高速前置放大器
2019-10-31 09:02:08
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽(yáng)極的兩個(gè)二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態(tài)下，基極-發(fā)射極結(jié)（稱這個(gè)PN結(jié)為“發(fā)射結(jié)”）處于正向偏置狀態(tài)，而基極-集電極（稱這個(gè)PN結(jié)為“集電結(jié)”）則處于反向偏置狀態(tài)。
2019-09-26 09:00:23
本帖最后由 godiszc 于 2012-8-3 21:54 編輯
場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種改變電場(chǎng)來(lái)控制固體材料導(dǎo)電能力的有源器件，屬于電壓控制性半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高，噪聲小，功耗低，沒(méi)有
2012-08-03 21:44:34
`在電子元器件行業(yè)，場(chǎng)效應(yīng)晶體管一直被譽(yù)為開關(guān)電路的“神器”，那是因?yàn)閳?chǎng)效應(yīng)晶體管具有噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成等優(yōu)點(diǎn)，所以在開關(guān)電路中迅速走紅， 可是一提起場(chǎng)效應(yīng)晶體管在電路中的有何特別
2019-04-16 11:22:48
運(yùn)動(dòng)的少子擴(kuò)散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。場(chǎng)效應(yīng)晶體管有哪幾種分類場(chǎng)效應(yīng)管分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）兩大類。按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種；按導(dǎo)電方式：耗盡
2019-05-08 09:26:37
僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,它與雙極型相反,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。
2021-05-24 06:27:18
晶體管開關(guān)對(duì)電子產(chǎn)品至關(guān)重要。了解晶體管開關(guān)，從其工作區(qū)域到更高級(jí)的特性和配置?！ ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管開關(guān)對(duì)于低直流開/關(guān)開關(guān)的電子設(shè)備至關(guān)重要，其中晶體管在其截止或飽和狀態(tài)下工作。一些電子設(shè)備（如 LED
2023-02-20 16:35:09
如何去判別晶體管材料與極性？如何去檢測(cè)晶體管的性能？怎樣去檢測(cè)特殊晶體管？
2021-05-13 07:23:57
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
為了改善晶體管的開關(guān)特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)上會(huì)采取一些加速措施。如下： 加速電路一 在加速電路一中，并聯(lián)在RB兩端的電容CB稱為加速電容，數(shù)值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn)：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
率根據(jù)區(qū)域不同而不同。1-1. 熱限制區(qū)域在該區(qū)域，SOA線具有45o 的傾斜度（功率固定線）。在該區(qū)域，下降率是0.8%/oC。1-2. 2次下降區(qū)域晶體管存在熱失控引起的2次下降區(qū)域。在2次下降
2019-05-05 09:27:01
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們?cè)谛吞?hào)上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設(shè)計(jì)》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）。現(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中最常用的型號(hào)是哪些？
2017-10-11 23:53:40
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大，通過(guò)什么手段能解決？
2021-06-24 07:29:25
Iomax大?！?Iomax≦20((Vin-0.75)/(1.3×R1)-0.75/(1.04×R2))數(shù)字晶體管的型號(hào)說(shuō)明IO和IC的區(qū)別IC: 能夠通過(guò)晶體管的電流的最大理論值IO: 能夠作為數(shù)字
2019-04-09 21:49:36
≦20((Vin-0.75)/(1.3×R1)-0.75/(1.04×R2))數(shù)字晶體管的型號(hào)說(shuō)明IO和IC的區(qū)別IC: 能夠通過(guò)晶體管的電流的最大理論值IO: 能夠作為數(shù)字晶體管使用的電流的最大值解說(shuō)
2019-04-22 05:39:52
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-05-05 01:31:57
，Panasonic的新HD-GIT - 橫截面 電子俘獲和電流崩塌在沒(méi)有特定技術(shù)對(duì)策的情況下，GaN GiT晶體管遭受電子俘獲問(wèn)題。一般而言，這些效應(yīng)與晶體管中的負(fù)電荷區(qū)域的積累有關(guān)。這是由于晶體缺陷
2023-02-27 15:53:50
更短的死區(qū)時(shí)間，較低的磁化電流導(dǎo)致較低的反向傳導(dǎo)損耗。在狀態(tài)3下，當(dāng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)VGSL為高電平時(shí)，晶體管的ZVS實(shí)現(xiàn)，并且沒(méi)有開關(guān)導(dǎo)通損耗。在狀態(tài)4時(shí)，晶體管以從漏極到源極的正向電流導(dǎo)通。在此狀態(tài)下存在
2023-02-27 09:37:29
。在數(shù)字設(shè)備中，肯定會(huì)使用大規(guī)模集成電路，所以不會(huì)采用電子管。 通過(guò)以上的內(nèi)容可以看到，電子管與晶體管在結(jié)構(gòu)與工作方式上都存在著較大的區(qū)別，這就導(dǎo)致了兩者在應(yīng)用范圍上的不同，顯然適應(yīng)性更加廣泛的晶體管將逐漸取代傳統(tǒng)電子管是必然的發(fā)展方向，但在某些特定的設(shè)計(jì)或者場(chǎng)合中仍需使用電子管。
2016-01-26 16:52:08
，在這種情況下采用基于氮化鎵（GaN）晶體管的解決方案意義重大。與傳統(tǒng)硅器件相類似，GaN晶體管單位裸片面積同樣受實(shí)際生產(chǎn)工藝限制，單個(gè)器件的電流處理能力存在上限。為了增大輸出功率，并聯(lián)配置晶體管已成為
2021-01-19 16:48:15
IGBT 是一種功率開關(guān)晶體管，它結(jié)合了 mosfet 和 bjt 的優(yōu)點(diǎn)，用于電源和電機(jī)控制電路絕緣柵極雙極性晶體管也簡(jiǎn)稱為 IGBT，是傳統(tǒng)雙極性晶體管晶體管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管的交叉，使其成為理想
2022-04-29 10:55:25
來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn)：如何選擇分立晶體管？
2018-12-12 09:07:55
）；晶體管集電極的電大耐壓值，取決于VCEO（Collector-Emitter Voltage）；晶體管能承受的最大功耗，取決于PD（Total Device Dissipation）。圖1一個(gè)NPN
2016-06-03 18:29:59
這個(gè)達(dá)林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
;span]除了使用多柵結(jié)構(gòu)提高器件的柵控能力和S小于60mV/decade的TFET，另一種減小集成電路功耗的方法是降低晶體管的工作電壓Vdd。傳統(tǒng)的MOSFET等比例縮小原則假設(shè)閾值電壓也能等比例
2018-10-19 11:08:33
彩電自動(dòng)搜臺(tái)露存的新發(fā)現(xiàn) 作者： 王記鎖 春節(jié)剛過(guò)，親戚一臺(tái)康佳T5429E型彩電
2006-04-17 22:26:01865 新發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體薄膜材料可產(chǎn)生光伏效應(yīng)
勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的研究人員發(fā)現(xiàn)一種新的方法，可克服傳統(tǒng)固態(tài)
2010-04-20 09:14:09983 路虎的全新一代發(fā)現(xiàn)（以下稱全新發(fā)現(xiàn)為發(fā)現(xiàn)5，現(xiàn)款則稱發(fā)現(xiàn)4）終于上市了。由于造型和平臺(tái)相對(duì)于發(fā)現(xiàn)4的“顛覆”，發(fā)現(xiàn)5自發(fā)布以來(lái)也確實(shí)引發(fā)了相當(dāng)大的爭(zhēng)議。不過(guò)在這里車云菌想說(shuō)的是，如果到現(xiàn)在你還在罵發(fā)現(xiàn)5（的設(shè)計(jì)師），那只能說(shuō)明你真的不懂路虎。因?yàn)閺娜魏谓嵌瓤矗?b class="flag-6" style="color: red">發(fā)現(xiàn)5的這種轉(zhuǎn)變都是一種必然。
2017-03-03 16:54:411034 基于小波
理論的
缺陷檢測(cè)中的
噪聲處理_路?？?/div>
2017-03-15 08:00:00
0 在電費(fèi)占運(yùn)營(yíng)成本 (OPEX) 很大一部分，而運(yùn)營(yíng)成本則占總成本約70%的情況下，降低功耗對(duì)運(yùn)營(yíng)商來(lái)說(shuō)已刻不容緩。以前，芯片提供商想辦法通過(guò)晶體管和工藝技術(shù)來(lái)降低功耗。雖然晶體管是產(chǎn)生功耗
2017-11-24 18:37:331368 隨著硅基半導(dǎo)體達(dá)到其性能極限，氮化鎵（GaN）正成為推動(dòng)發(fā)光二極管（LED）技術(shù)、高頻晶體管和光伏器件的下一代材料。然而，阻礙GaN發(fā)展的是其體內(nèi)存在的大量缺陷。
2018-07-09 11:06:5211539 已全部加載完成
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