特瑞仕半導(dǎo)體 (TOREX SEMICONDUCTOR LTD. 日本東京) 推出升壓同步整流PFM 控制DC/DC 轉(zhuǎn)換器XC9140 系列產(chǎn)品。
2012-08-08 09:15:23
1505 氮化鎵、MMIC、射頻SoC以及光網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的并行發(fā)展共同助力提高設(shè)計(jì)和成本效率。5G的出現(xiàn)促使人們重新思考從半導(dǎo)體到基站系統(tǒng)架構(gòu)再到網(wǎng)絡(luò)拓?fù)涞臒o線基礎(chǔ)設(shè)施。在半導(dǎo)體層面上，硅基氮化鎵的主流商業(yè)化
2019-07-31 07:47:23
(IGBT)，現(xiàn)在出現(xiàn)了氮化鎵(GaN)晶體管，可讓切換電源的體積大幅縮小?！ ±?，Navitas半導(dǎo)體推出尺寸最小的65W USB-PD (Type-C)電源轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)NVE028A，正是
2018-10-23 16:12:16
前言 同步整流（SR）控制器能夠提高電源的轉(zhuǎn)換效率。本文將一起探討它們的優(yōu)勢以及它們?nèi)绾问闺娫撮_發(fā)人員的工作更輕松。憑借出色的性能，寬帶隙（WBG）功率半導(dǎo)體-比如碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN
2022-02-17 08:04:47
間接測量輸出功率，并據(jù)此調(diào)節(jié)驅(qū)動器輸出電壓或進(jìn)入禁用模式；在LLC應(yīng)用中，LLD電路用于測量跳周期模式的占空比，并據(jù)此改變驅(qū)動器輸出電壓或進(jìn)入禁用模式。結(jié)語安森美半導(dǎo)體新一代同步整流驅(qū)動控制器NCP
2019-06-17 05:00:09
中國，2018年11月2日 - 意法半導(dǎo)體的 STM32L412和STM32L422微控制器（MCU）以功能專一和封裝緊湊為特色，為注重成本預(yù)算的消費(fèi)類、工業(yè)和醫(yī)療應(yīng)用帶來超低功耗技術(shù)和優(yōu)異的處理
2018-11-05 14:11:08
中國，2017年11月15日——橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）推出最新的超低功耗微控制器，讓每天與人
2017-11-21 15:21:22
提供內(nèi)設(shè)端口控制器的雙芯片方案，已獲得完全認(rèn)證為幫助工程師在新開發(fā)產(chǎn)品或在原有產(chǎn)品設(shè)計(jì)中引入最新的USBPower Delivery充電功能和多用途的USB Type-C?連接器，意法半導(dǎo)體新推出
2018-07-13 13:20:19
微控制器的關(guān)機(jī)模式功耗低至33nA，EEMBC ULPBench測試成績?nèi)〉?02 ULPMark-CP。新產(chǎn)品傳承意法半導(dǎo)體的低功耗技術(shù)專長，例如，自適應(yīng)電壓調(diào)節(jié)、實(shí)時加速、功率門控和在以前的STM32L
2018-10-17 10:37:12
和物聯(lián)網(wǎng)(IoT)產(chǎn)品及解決方案 意法半導(dǎo)體(ST)收購Atollic——專注于Arm? 微控制器集成開發(fā)環(huán)境的嵌入式系統(tǒng)公司意法半導(dǎo)體(ST)與亞馬遜云計(jì)算服務(wù)平臺合作，提供基于STM32和Amazon FreeRTOS的IoT云節(jié)點(diǎn)整體解決方案
2018-02-09 14:08:48
傳感器的電源電壓和電流，進(jìn)而簡化連網(wǎng)產(chǎn)品、智能傳感器、移動機(jī)器人或無人機(jī)控制器等注重功耗的項(xiàng)目開發(fā)。詳情請瀏覽： www.st.com/profiMEMS-PR相關(guān)新聞意法半導(dǎo)體STM32F4基本型產(chǎn)品線
2018-05-22 11:20:41
有源米勒鉗位選配，提升高速開關(guān)抗干擾能力中國，2018年8月3日——意法半導(dǎo)體的STGAP2S單路電氣隔離柵極驅(qū)動器提供26V的最大柵極驅(qū)動輸出電壓，準(zhǔn)許用戶選擇獨(dú)立的導(dǎo)通/關(guān)斷輸出或內(nèi)部有源米勒鉗
2018-08-06 14:37:25
中國，2018年4月10日 ——意法半導(dǎo)體的STLQ020低壓差（LDO）穩(wěn)壓器可以緩解在靜態(tài)電流、輸出功率、動態(tài)響應(yīng)和封裝尺寸之間權(quán)衡取舍的難題，為設(shè)計(jì)人員帶來更大的自由設(shè)計(jì)空間。集小尺寸、高性能
2018-04-10 15:13:05
橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM） 推出汽車級六軸慣性傳感器ASM330LHH ，為先進(jìn)的車載導(dǎo)航
2018-07-17 16:46:16
個嵌入式安全組件，用以保護(hù)全球設(shè)備和網(wǎng)絡(luò)。意法半導(dǎo)體安全微控制器部市場總監(jiān) Laurent Degauque 表示：“今天的在線服務(wù)和遠(yuǎn)程物聯(lián)網(wǎng)對象需要高級別的保護(hù)功能，以防御不斷變化的網(wǎng)絡(luò)威脅
2018-06-04 11:18:59
中國，2018年10月10日——意法半導(dǎo)體推出了STLINK-V3下一代STM8 和STM32微控制器代碼燒寫及調(diào)試探針，進(jìn)一步改進(jìn)代碼燒寫及調(diào)試靈活性，提高效率。STLINK-V3支持大容量存儲
2018-10-11 13:53:03
意法半導(dǎo)體的AlgoBuilder 固件開發(fā)工具能將寫代碼工作從固件開發(fā)中分離出來，讓用戶使用可立即編譯的STM32 *微控制器（MCU）運(yùn)行的函數(shù)庫模塊，在圖形用戶界面上創(chuàng)建傳感器控制算法。以簡化
2018-07-13 13:10:00
半導(dǎo)體(ST)完整全橋系統(tǒng)封裝內(nèi)置MOSFET、柵驅(qū)動器和保護(hù)技術(shù)以節(jié)省空間，簡化設(shè)計(jì)，精簡組裝意法半導(dǎo)體(ST)推出內(nèi)置32位MCU的電機(jī)驅(qū)動器，簡化電池供電機(jī)器人和電器設(shè)備的電機(jī)控制系統(tǒng)意法半導(dǎo)體高集成度數(shù)字電源控制器簡化設(shè)計(jì)，助力應(yīng)用達(dá)到最新能效安全標(biāo)準(zhǔn)`
2018-06-25 11:01:49
`意法半導(dǎo)體的STCH03 脈寬調(diào)制（PWM）控制器擁有很高的集成度，采用一次側(cè)調(diào)整技術(shù)實(shí)現(xiàn)精確的恒流輸出，幫助經(jīng)濟(jì)型手機(jī)充電器、電源適配器或輔助電源更好地滿足能效法規(guī)對平均效率和待機(jī)功率的嚴(yán)格限制
2018-07-13 11:35:31
功率放大器以及商用和工業(yè)系統(tǒng)的功率放大器。意法半導(dǎo)體與遠(yuǎn)創(chuàng)達(dá)的合作協(xié)議將擴(kuò)大意法半導(dǎo)體LDMOS產(chǎn)品的應(yīng)用范圍。協(xié)議內(nèi)容保密，不對外披露。 相關(guān)新聞MACOM和意法半導(dǎo)體將硅上氮化鎵推入主流射頻市場
2018-02-28 11:44:56
中國，2018年8月27日——意法半導(dǎo)體的STSPIN830 和 STSPIN840單片電機(jī)驅(qū)動器集成靈活多變的控制邏輯電路和低導(dǎo)通電阻RDS（ON）的功率開關(guān)管，有助于簡化7V-45V工作電壓
2018-08-29 13:16:07
? 意法半導(dǎo)體嵌入式軟件包集成Sigfox網(wǎng)絡(luò)軟件，適用于各種產(chǎn)品，按照物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用開發(fā)人員的需求專門設(shè)計(jì) ? 使用STM32微控制器、超低功耗射頻收發(fā)器、安全單元、傳感器和功率管理器件，加快
2018-03-12 17:17:45
新聞意法半導(dǎo)體推出直觀的固件開發(fā)工具，加快物聯(lián)網(wǎng)傳感器設(shè)計(jì)進(jìn)程意法半導(dǎo)體推出新圖形用戶界面配置器，讓STM8微控制器設(shè)計(jì)變得更快捷意法半導(dǎo)體（ST）推出新款STM32微控制器，讓日用品具有像智能手機(jī)一樣的圖形用戶界面`
2018-07-13 15:52:39
STM32* 微控制器上開發(fā)先進(jìn)的高能效電機(jī)驅(qū)動器的難度。此舉為空調(diào)、家電、無人機(jī)、樓宇自動化、機(jī)床、醫(yī)療設(shè)備、電動車等產(chǎn)品設(shè)備工程師研發(fā)先進(jìn)電機(jī)驅(qū)動帶來更多機(jī)會，而且無需專門的研發(fā)經(jīng)驗(yàn)。基于意法半導(dǎo)體上一代
2018-03-22 14:30:41
意法半導(dǎo)體已將其 STM32Cube.AI 機(jī)器學(xué)習(xí)開發(fā)環(huán)境放入云中，并配有可云訪問的意法半導(dǎo)體MCU板進(jìn)行測試。這兩個版本都從TensorFlow，PyTorch或ONNX文件為STM32微控制器
2023-02-14 11:55:49
2018年7月20日，中國——意法半導(dǎo)體推出STUSB4500獨(dú)立式USB Type-C 輸電控制器。集供電和充電為一體的標(biāo)準(zhǔn)USB-C接口兼具便利性和環(huán)境效益。如今STUSB4500將把這些優(yōu)勢
2018-07-23 14:17:51
橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST;)發(fā)布一款創(chuàng)新的顯示屏背光LED控制器芯片。新產(chǎn)品可簡化手機(jī)與其它便攜電子產(chǎn)品的電路設(shè)計(jì)，為
2011-11-24 14:57:16
一個交流波形（圖1）。[tr][tr][tr]圖3：專為太陽能，意法半導(dǎo)體的spv1020直流/直流轉(zhuǎn)換器將其集成的電源轉(zhuǎn)換功能內(nèi)置MPPT控制器和故障。[tr][tr]德克薩斯儀器sm72485集成
2016-02-26 16:30:42
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
容易使用。通過簡單的“數(shù)字輸入、電源輸出”操作，布局和控制都很簡單。dV/dt 回轉(zhuǎn)率控制和欠壓鎖定等功能，確保了氮化鎵功率芯片能最大限度地提高“一次性成功”的設(shè)計(jì)的機(jī)會，從而極為有效地縮短了產(chǎn)品上市
2023-06-15 15:32:41
結(jié)構(gòu)可以使用雙柵結(jié)構(gòu)控制電流。用于電機(jī)驅(qū)動的矩陣轉(zhuǎn)換器可以通過利用雙向設(shè)備潛在地減少開關(guān)的數(shù)量。此外，氮化鎵器件可以在比硅器件更高的溫度下工作，這使其成為許多熱門應(yīng)用(如集成電機(jī)驅(qū)動)的有吸引力的選擇
2018-11-20 10:56:25
在所有電力電子應(yīng)用中，功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一，這主要由更高能效和更高開關(guān)頻率驅(qū)動。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限，設(shè)計(jì)工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵（GaN）來提供方案。
2020-10-28 06:01:23
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
的體量優(yōu)勢會被碳化硅基氮化鎵愈發(fā)陡峭的價格侵蝕曲線所抵消，市場在積極地開發(fā)其廉價替代品。通過早期的CATV應(yīng)用，碳化硅基氮化鎵和硅基氮化鎵之間的性能差距已經(jīng)顯著縮小，所產(chǎn)生的經(jīng)濟(jì)高效的硅基氮化鎵功率
2017-08-15 17:47:34
（如處理器）。具有高輸入至輸出電壓比的開關(guān)模式功率轉(zhuǎn)換器的效率較低。這些電源管理模塊通常涉及多個轉(zhuǎn)換階段。從中間的54/48伏總線直接轉(zhuǎn)換到處理器內(nèi)核電壓可以降低成本并提高效率。氮化鎵憑借其獨(dú)特的開關(guān)
2019-03-14 06:45:11
限制層，為像GaN材料體系這樣性質(zhì)差異大的半導(dǎo)體激光器提供了新的研究思路，有望進(jìn)一步提高氮化鎵激光器性能?！ ∥磥鞧aN基藍(lán)光激光器的效率將進(jìn)一步提升，接近GaAs基紅外激光器的電光轉(zhuǎn)化效率
2020-11-27 16:32:53
和意法半導(dǎo)體今天聯(lián)合宣布將硅基氮化鎵技術(shù)引入主流射頻市場和應(yīng)用領(lǐng)域的計(jì)劃，這標(biāo)志著氮化鎵供應(yīng)鏈生態(tài)系統(tǒng)的重要轉(zhuǎn)折點(diǎn)，未來會將MACOM的射頻半導(dǎo)體技術(shù)實(shí)力與ST在硅晶圓制造方面的規(guī)模化和出色運(yùn)營完美結(jié)合
2018-08-17 09:49:42
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當(dāng)用于電源時，GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
?是提高性能和降低價值。硅襯底倒裝波LED芯片，效率會更高、工藝會更好。6英寸硅襯底上氮化鎵基大功率LED研發(fā)，有望降低成本50%以上。 目前已開發(fā)出6寸硅襯底氮化鎵基LED的外延及先進(jìn)工藝技術(shù)，光效
2014-01-24 16:08:55
集成在一顆芯片中。合封的設(shè)計(jì)消除了寄生參數(shù)導(dǎo)致的干擾，并充分簡化了氮化鎵器件的應(yīng)用門檻，像傳統(tǒng)集成MOS的控制器一樣應(yīng)用，得到了很高的市場占有率。鈺泰半導(dǎo)體瞄準(zhǔn)小功率氮化鎵合封應(yīng)用的市場空白，推出
2021-11-28 11:16:55
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢，并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動機(jī)
2018-11-05 09:51:35
恩智浦半導(dǎo)體日前推出K32微控制器(MCU)系列，以提高實(shí)時嵌入式應(yīng)用的能效，并提供高級保護(hù)功能，以在廣泛的工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)(IoT)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)防物理篡改保護(hù)。高功效K32 ...
2021-11-26 07:59:59
電子、汽車和無線基站項(xiàng)目意法半導(dǎo)體獲準(zhǔn)使用MACOM的技術(shù)制造并提供硅上氮化鎵射頻率產(chǎn)品預(yù)計(jì)硅上氮化鎵具有突破性的成本結(jié)構(gòu)和功率密度將會實(shí)現(xiàn)4G/LTE和大規(guī)模MIMO 5G天線中國，2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
，可幫助系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員簡化和加快產(chǎn)品開發(fā)，使其能夠輕松微調(diào)射頻能量輸出水平，從而最大限度地提高效率和增強(qiáng)性能。MACOM的射頻能量工具包將其硅基氮化鎵功率晶體管的優(yōu)勢與直觀、靈活的軟件和信號控制能力相結(jié)合
2017-08-03 10:11:14
應(yīng)用。MACOM的氮化鎵可用于替代磁控管的產(chǎn)品，這顆功率為300瓦的硅基氮化鎵器件被用來作為微波爐里磁控管的替代。用氮化鎵器件來替代磁控管帶來好處很多：半導(dǎo)體器件可靠性更高，氮化鎵器件比磁控管驅(qū)動電壓
2017-09-04 15:02:41
的射頻器件越來越多，即便集成化仍然很難控制智能手機(jī)的成本。這跟功能機(jī)時代不同，我們可以將成本做到很低，在全球市場都能夠保證低價。但如果到了5G時代，需要的器件越來越多，價格越來越高。半導(dǎo)體材料硅基氮化鎵
2017-07-18 16:38:20
的自由設(shè)計(jì)空間，使他們能夠靈活地定義無刷IPM電機(jī)的電氣參數(shù)，滿足實(shí)際應(yīng)用對電機(jī)的高功率密度和高速性能的需求。 意法半導(dǎo)體還增加了定子電壓閉路弱磁控制算法，降低微控制器對電機(jī)參數(shù)和環(huán)境變化的敏感性
2009-05-04 11:40:00
意法半導(dǎo)體(ST)推出閃存容量高達(dá)512KB的STM32F3微控制器，大幅提升系統(tǒng)集成度新產(chǎn)品擴(kuò)大STM32F3混合信號系列的產(chǎn)品陣容中國，2015年2月9日 —— 意法半導(dǎo)體
2018-07-06 04:42:42
意法半導(dǎo)體的廣泛數(shù)字電源產(chǎn)品組合可滿足數(shù)字電源設(shè)計(jì)的要求。我們的產(chǎn)品包括MCU（專為數(shù)字功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)計(jì)，采用全數(shù)字控制方法）和數(shù)字控制器（具有面向軟件控制算法的專用ROM存儲器）。意法半導(dǎo)體
2023-09-07 06:49:47
` 本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-6-11 16:20 編輯
? 意法半導(dǎo)體的集成化NFC控制器已通過GSMA、EMVCo和NFC Forum三大標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證，能最大限度縮短
2018-06-11 15:22:25
STM32系列 Arm?Cortex?-M內(nèi)核微控制器外，這些開發(fā)工具還利用意法半導(dǎo)體經(jīng)過市場檢驗(yàn)的Teseo多系統(tǒng)定位接收器技術(shù)，以執(zhí)行所有的定位操作，包括跟蹤、采集、導(dǎo)航和數(shù)據(jù)輸出。關(guān)于映射數(shù)據(jù)和服務(wù)
2018-09-07 11:12:27
件、功率轉(zhuǎn)換器、LED和現(xiàn)有MEMS傳感器等一系列產(chǎn)品，公司承諾為上述產(chǎn)品提供至少10年的連續(xù)供貨?！盀榇蛟旄哔|(zhì)量工業(yè)傳感器，意法半導(dǎo)體在MEMS設(shè)計(jì)和高產(chǎn)率的制造工藝方面加大投入，讓客戶能以較低的成本擁有
2018-05-28 10:23:37
ST Voltage Regulator Finder 應(yīng)用軟件，方便工程師、采購人員、學(xué)生或企業(yè)用戶在智能手機(jī)或平板上快速、輕松地尋找并購買意法半導(dǎo)體的穩(wěn)壓器、精密基準(zhǔn)電壓芯片及直流電源轉(zhuǎn)換器等產(chǎn)品
2018-05-28 10:35:07
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：氮化鎵發(fā)展技術(shù)編號：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個芯片上集成多個
2021-07-06 09:38:20
功率模塊（APM）、加熱和冷卻單元等。表1：突破性半導(dǎo)體材料的最佳應(yīng)用氮化鎵的魅力在于其固有的超越硅的幾個屬性。氮化鎵提供更低的開關(guān)損耗；更快的速度，類似RF的開關(guān)速度；增加的功率密度；更好的熱預(yù)算
2018-07-19 16:30:38
，更不會增加閃爍或改變顏色。新Neonode系列觸控傳感器采用意法半導(dǎo)體的可編程混合信號定制系統(tǒng)芯片(SoC)和STM32 Arm? Cortex?微控制器控制掃描激光二極管和IR光束，以確定手指、手或
2018-02-06 15:44:03
的設(shè)計(jì)和集成度，已經(jīng)被證明可以成為充當(dāng)下一代功率半導(dǎo)體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計(jì)，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
到 1MHz 以上。新的控制器正在開發(fā)中。微控制器和數(shù)字信號處理器（DSP），也可以用來實(shí)現(xiàn)目前軟開關(guān)電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，而目前廣泛采用的、為1-2 MHz范圍優(yōu)化的磁性材料，已經(jīng)可被使用了。
氮化鎵功率芯片
2023-06-15 15:53:16
2寸的芯片，現(xiàn)在已經(jīng)能制造4寸了。業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為，要大規(guī)模生產(chǎn)功率半導(dǎo)體，至少需要6英寸以上的芯片，因此目前還不能大規(guī)模生產(chǎn)。此外，上述用于小型 AC轉(zhuǎn)換器的氮化鎵功率半導(dǎo)體使用以下的晶片，其最大尺寸為
2023-02-23 15:46:22
推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)，推出了先進(jìn)的同步整流(SR)控制器優(yōu)化用于LLC諧振轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。FAN6248需用的額外元件最少，提供高能效，簡化熱管
2018-10-15 16:35:19
用于高頻電路。砷化鎵組件在高頻、高功率、高效率、低噪聲指數(shù)的電氣特性均遠(yuǎn)超過硅組件，空乏型砷化鎵場效晶體管(MESFET)或高電子遷移率晶體管(HEMT/PHEMT)，在3 V 電壓操作下可以有80
2019-07-29 07:16:49
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上，能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進(jìn)的電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，從學(xué)術(shù)概念和理論達(dá)到
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢，氮化鎵充電器的充電器件運(yùn)行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100倍。
更重要的是，氮化鎵相比傳統(tǒng)的硅，可以在更小的器件空間內(nèi)處理更大的電場，同時提供更快的開關(guān)速度。此外，氮化鎵比硅基半導(dǎo)體器件，可以在更高的溫度下工作。
2023-06-15 15:41:16
（SiC）和氮化鎵（GaN）是功率半導(dǎo)體生產(chǎn)中采用的主要半導(dǎo)體材料。與硅相比，兩種材料中較低的本征載流子濃度有助于降低漏電流，從而可以提高半導(dǎo)體工作溫度。此外，SiC 的導(dǎo)熱性和 GaN 器件中穩(wěn)定的導(dǎo)通電
2023-02-21 16:01:16
氮化鎵也處于這一階段，成本將會隨著市場需求量加速、大規(guī)模生產(chǎn)、工藝制程革新等，而走向平民化，而最終的市場也將會取代傳統(tǒng)的硅基功率器件。8英寸硅基氮化鎵的商用化量產(chǎn)，可以大幅降低成本。第三代半導(dǎo)體的普及
2019-07-08 04:20:32
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
如今，充電器和適配器應(yīng)用最常用的功率轉(zhuǎn)換器拓?fù)涫菧?zhǔn)諧振（QR）反激式拓?fù)?，因?yàn)樗Y(jié)構(gòu)簡單、控制簡便、物料（BOM）成本較低，并可通過波谷切換工作實(shí)現(xiàn)高能效。然而，與工作頻率密切相關(guān)的開關(guān)損耗和變壓器
2022-06-14 10:14:18
： STM ）的射頻和微控制器技術(shù)。 光寶通訊模塊（ ICM ）事業(yè)部總經(jīng)理吳松泉表示：“在與意法半導(dǎo)體合作開發(fā)的項(xiàng)目過程中，光寶看到了 Sigfox 應(yīng)用的強(qiáng)勁成長勢頭。 我們相信，光寶的Sigfox
2018-07-13 11:59:12
條件下實(shí)現(xiàn)高能效，是達(dá)到這個市場需求的關(guān)鍵要素，同時也是半導(dǎo)體廠商研發(fā)新技術(shù)的動力。 因?yàn)檫^去幾年技術(shù)改良取得較大進(jìn)步，意法半導(dǎo)體最新的功率MOSFET技術(shù)可以成功地替代變頻電機(jī)控制器的IGBT開關(guān)
2018-11-20 10:52:44
中國，2018年8月8日——意法半導(dǎo)體推出符合LoRa-Alliance最新標(biāo)準(zhǔn)的LoRaWAN 1.0.3軟件更新包，使STM32系列微控制器的I-CUBE-LRWAN擴(kuò)展軟件包保持最新、更加安全
2018-08-08 17:09:16
噪聲的干擾下，互鎖邏輯仍可提高運(yùn)行的可靠性?？偨Y(jié)憑借所有內(nèi)置智能以及TI UCC25630系列LLC控制器，UCC24624為LLC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中的同步整流器控制提供了高效、經(jīng)濟(jì)的解決方案。
2019-08-08 09:00:00
的測試，讓功率半導(dǎo)體設(shè)備更快上市并盡量減少設(shè)備現(xiàn)場出現(xiàn)的故障。為幫助設(shè)計(jì)工程師厘清設(shè)計(jì)過程中的諸多細(xì)節(jié)問題，泰克與電源行業(yè)專家攜手推出“氮化鎵電源設(shè)計(jì)從入門到精通“8節(jié)系列直播課，氮化鎵電源設(shè)計(jì)從入門到
2020-11-18 06:30:50
產(chǎn)生不良影響。安森美半導(dǎo)體最新推出的同步整流控制器FAN6248，優(yōu)化用于LLC諧振轉(zhuǎn)換器，完美地解決上述挑戰(zhàn)，適用于高能效服務(wù)器和臺式電腦電源、大屏液晶電視及顯示器電源、網(wǎng)絡(luò)和電信電源、高功率
2018-12-03 11:07:15
的功率型分立器件針對軟開關(guān)諧振和硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器進(jìn)行了優(yōu)化，可最大限度提高低功率和高功率應(yīng)用的系統(tǒng)效率?；?b class="flag-6" style="color: red">氮化鎵的最新產(chǎn)品具備更高的能源效率，并支持面向廣泛的應(yīng)用提供更緊湊的電源設(shè)計(jì)。意法半導(dǎo)體的數(shù)字電源解決方案可以使用專用的評估板、參考設(shè)計(jì)、技術(shù)文檔和eDesignSuite軟件配置器和設(shè)計(jì)工具來實(shí)現(xiàn)
2023-09-06 07:44:16
芯片燒錄行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者-昂科技術(shù)近日發(fā)布最新的燒錄軟件更新及新增支持的芯片型號列表，其中ST意法半導(dǎo)體的32位微控制器STM32F091CCT6的燒錄已經(jīng)被昂科的通用燒錄平臺AP8000所支持
2023-02-28 16:51:49
成為高功率密度充電器的首選。智融最新推出的SW3556，就是一顆支持氮化鎵開關(guān)管的同步降壓控制器。同步降壓在多口的USB PD充電器中使用非常廣泛，其原理是充電器中的開關(guān)電源輸出一個高于最高輸出電壓
2021-11-02 09:03:39
，以及分享GaN FET和集成電路目前在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域替代硅器件的步伐。
誤解1：氮化鎵技術(shù)很新且還沒有經(jīng)過驗(yàn)證
氮化鎵器件是一種非常堅(jiān)硬、具高機(jī)械穩(wěn)定性的寬帶隙半導(dǎo)體，于1990年代初首次用于生產(chǎn)高
2023-06-25 14:17:47
專利和商標(biāo)局注冊。相關(guān)新聞意法半導(dǎo)體的新STM32探索套件簡化移動網(wǎng)至云端連接，并提供免費(fèi)試用的第三方服務(wù)意法半導(dǎo)體(ST)新系列STM32L4+微控制器讓下一代智能產(chǎn)品“吃得少，干得多”意法半導(dǎo)體
2018-07-09 10:17:50
美國國家半導(dǎo)體公司 (National Semiconductor Corporation)宣布推出一款業(yè)界最小的白光LED驅(qū)動器，可以靈活控制顯示屏背光亮度。這款型號為LM3530的升壓轉(zhuǎn)換器屬于
2019-09-03 06:18:33
意法半導(dǎo)體官方的庫怎么搞？求解答
2021-12-15 07:31:43
如何使用UCC24624同步整流器控制器提高LLC諧振轉(zhuǎn)換器的效率？
2021-06-17 11:21:32
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學(xué)，但強(qiáng)大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進(jìn)行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動器解決方案，相對于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù)，創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
頻率增加。安森美半導(dǎo)體按照這種高開關(guān)頻率的策略設(shè)計(jì)了一個演示板。用于此板的控制器是NCP1339準(zhǔn)諧振（QR）控制器，具有高壓（HV）啟動電流源和X2電容放電功能。結(jié)合次級端的同步整流控制器
2018-10-19 08:59:53
球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)出FAN6204同步整流控制器。FAN6204采用專有的創(chuàng)新線性預(yù)測時序控制技術(shù)，不受限于SR MOSFET的導(dǎo)通阻抗RDS(ON)，適合于固定頻率或準(zhǔn)諧振(QR)反激式轉(zhuǎn)換器
2011-02-23 09:21:431258 使用UCC24624同步整流器控制器提高LLC諧振轉(zhuǎn)換器的效率
2022-11-01 08:25:27
2 意法半導(dǎo)體 SRK1004 同步整流控制器降低采用硅基或 GaN 晶體管的功率轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)難度，提高轉(zhuǎn)換能效，目標(biāo)應(yīng)用包括工業(yè)電源、便攜式設(shè)備充電器和 AC/DC適配器。
2024-03-07 16:26:57197 意法半導(dǎo)體近日發(fā)布了其全新同步整流控制器SRK1004，該控制器專為簡化采用硅基或氮化鎵（GaN）晶體管的功率轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)流程而設(shè)計(jì)，同時顯著提高了轉(zhuǎn)換效率。該控制器適用于多種應(yīng)用，包括工業(yè)電源、便攜式設(shè)備充電器以及AC/DC適配器等。
2024-03-12 10:53:17193
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