推動(dòng)科技進(jìn)步的半導(dǎo)體技術(shù)真的會(huì)停滯不前嗎？這也不太可能，7nm工藝節(jié)點(diǎn)將開始應(yīng)用EUV光刻工藝，研發(fā)EUV光刻機(jī)的ASML表示EUV工藝將會(huì)支持未來15年，部分客戶已經(jīng)在討論2030年的1.5nm工藝路線圖了。
2017-01-22 11:45:42
3424 傳統(tǒng)的光刻工藝是相對(duì)目前已經(jīng)或尚未應(yīng)用于集成電路產(chǎn)業(yè)的先進(jìn)光刻工藝而言的，普遍認(rèn)為 193nm 波長(zhǎng)的 ArF 深紫外光刻工藝是分水嶺（見下表）。這是因?yàn)?193nm 的光刻依靠浸沒式和多重曝光技術(shù)的支撐，可以滿足從 0.13um至7nm 共9個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的光刻需要。
2022-10-18 11:20:2913995 在上一篇文章，我們介紹了光刻工藝，即利用光罩(掩膜)把設(shè)計(jì)好的電路圖形繪制在涂覆了光刻膠的晶圓表面上。下一步，將在晶圓上進(jìn)行刻蝕工藝，以去除不必要的材料，只保留所需的圖形。
2023-06-28 10:04:58844 
在之前的文章里，我們介紹了晶圓制造、氧化過程和集成電路的部分發(fā)展史?，F(xiàn)在，讓我們繼續(xù)了解光刻工藝，通過該過程將電子電路圖形轉(zhuǎn)移到晶圓上。光刻過程與使用膠片相機(jī)拍照非常相似。但是具體是怎么實(shí)現(xiàn)的呢？
2023-06-28 10:07:472427 
光刻工藝就是把芯片制作所需要的線路與功能做出來。利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對(duì)涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會(huì)發(fā)生性質(zhì)變化，從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用
2023-12-04 09:17:241338 
技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展。新的進(jìn)展來自兩類光電子應(yīng)用：用于數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)的激光光源和波導(dǎo)技術(shù)，以及用于先進(jìn)3D成像的激光二極管和光電探測(cè)器技術(shù)。在GaAs襯底上制造的器件常常以多片晶圓批量式進(jìn)行工藝步驟，這一
2019-05-12 23:04:07
小弟想知道8寸晶圓盒的制造工藝和檢驗(yàn)規(guī)范，還有不知道在大陸有誰在生產(chǎn)？
2010-08-04 14:02:12
介質(zhì)層上的光致抗蝕劑薄層上?！、诳涛g工藝：利用化學(xué)或物理方法，將抗蝕劑薄層未掩蔽的晶片表面或介質(zhì)層除去，從而在晶片表面或介質(zhì)層上獲得與抗蝕劑薄層圖形完全一致的圖形。集成電路各功能層是立體重疊的，因而光刻工藝
2012-01-12 10:51:59
芯片制造流程其實(shí)是多道工序?qū)⒏鞣N特性的材料打磨成形，經(jīng)循環(huán)往復(fù)百次后，在晶圓上“刻”出各種電子特性的區(qū)域，最后形成數(shù)十億個(gè)晶體管并被組合成電子元件。那光刻，整個(gè)流程中的一個(gè)重要步驟，其實(shí)并沒有
2020-09-02 17:38:07
光刻膠也稱為光致抗蝕劑，是一種光敏材料，它受到光照后特性會(huì)發(fā)生改變。光刻膠主要用來將光刻掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到晶圓片上。光刻膠有正膠和負(fù)膠之分。正膠經(jīng)過曝光后，受到光照的部分變得容易溶解，經(jīng)過顯影后被
2019-11-07 09:00:18
一、光刻膠的選擇光刻膠包括兩種基本的類型：正性光刻和負(fù)性光刻，區(qū)別如下
2021-01-12 10:17:47
關(guān)于光刻工藝的原理，大家可以想象一下膠片照片的沖洗，掩膜版就相當(dāng)于膠片，而光刻機(jī)就是沖洗臺(tái)，它把掩膜版上的芯片電路一個(gè)個(gè)的復(fù)制到光刻膠薄膜上，然后通過刻蝕技術(shù)把電路“畫”在晶圓上?！ ‘?dāng)然
2020-07-07 14:22:55
采用厚度150μm的晶圓以維持2：1的縱橫比?！ 榱送瓿蒑OSFET功率放大器所需WLP封裝工藝的開發(fā)，藍(lán)鯨計(jì)劃聯(lián)盟的成員DEK和柏林工業(yè)大學(xué)開發(fā)出一種焊球粘植工藝，可在直徑為6英寸的晶圓上以500
2011-12-01 14:33:02
`晶圓切割目的是什么？晶圓切割機(jī)原理是什么？一.晶圓切割目的晶圓切割的目的，主要是要將晶圓上的每一顆晶粒（Die）加以切割分離。首先要將晶圓（Wafer）的背面貼上一層膠帶（Wafer Mount
2011-12-02 14:23:11
是在晶圓上制作電路及電子元件（如晶體管、電容、邏輯開關(guān)等），其處理程序通常與產(chǎn)品種類和所使用的技術(shù)有關(guān)，但一般基本步驟是先將晶圓適當(dāng)清洗，再在其表面進(jìn)行氧化及化學(xué)氣相沉積，然后進(jìn)行涂膜、曝光、顯影、蝕刻
2011-12-01 15:43:10
架上，放入充滿氮?dú)獾拿芊庑『袃?nèi)以免在運(yùn)輸過程中被氧化或沾污十、發(fā)往封測(cè)Die（裸片）經(jīng)過封測(cè)，就成了我們電子數(shù)碼產(chǎn)品上的芯片。晶圓的制造在半導(dǎo)體領(lǐng)域，科技含量相當(dāng)?shù)母撸夹g(shù)工藝要求非常高。而我國(guó)半導(dǎo)體
2019-09-17 09:05:06
所用的硅晶圓。) 通過使用化學(xué)、電路光刻制版技術(shù)，將晶體管蝕刻到硅晶圓之上，一旦蝕刻是完成，單個(gè)的芯片被一塊塊地從晶圓上切割下來。 在硅晶圓圖示中，用黃點(diǎn)標(biāo)出的地方是表示這個(gè)地方存在一定缺陷，或是
2011-12-01 16:16:40
晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅
2011-12-01 14:53:05
有人又將其稱為圓片級(jí)-芯片尺寸封裝（WLP-CSP），以晶圓圓片為加工對(duì)象，在晶圓上封裝芯片。晶圓封裝中最關(guān)鍵的工藝為晶圓鍵合，即是通過化學(xué)或物理的方法將兩片晶圓結(jié)合在一起，以達(dá)到密封效果。如下
2021-02-23 16:35:18
` 硅是由石英沙所精練出來的，晶圓便是硅元素加以純化（99.999%），接著是將些純硅制成硅晶棒，成為制造積體電路的石英半導(dǎo)體的材料，經(jīng)過照相制版，研磨，拋光，切片等程序，將多晶硅融解拉出單晶硅晶棒
2011-09-07 10:42:07
測(cè)試晶格:指晶圓表面具有電路元件及特殊裝置的晶格，在晶圓制造期間，這些測(cè)試晶格需要通過電流測(cè)試，才能被切割下來 4 邊緣晶格：晶圓制造完成后，其邊緣會(huì)產(chǎn)生部分尺寸不完整的晶格，此即為邊緣晶格，這些
2011-12-01 15:30:07
晶圓級(jí)CSP的返修工藝包括哪幾個(gè)步驟？晶圓級(jí)CSP對(duì)返修設(shè)備的要求是什么？
2021-04-25 08:33:16
； ·尺寸和位置精度受阻焊膜窗口的影響，不適合密間距元件的裝配?！ SMD焊盤的尺寸和位置不受阻焊膜窗口的影響，在焊盤和阻焊膜之間有一定空隙，如圖2和圖3所示。對(duì)于 密間距晶圓級(jí)CSP，印刷電路板上的焊盤
2018-09-06 16:32:27
晶圓級(jí)CSP裝配回流焊接工藝控制，看完你就懂了
2021-04-25 06:28:40
晶圓級(jí)CSP的裝配對(duì)貼裝壓力控制、貼裝精度及穩(wěn)定性、照相機(jī)和影像處理技術(shù)、吸嘴的選擇、助焊劑應(yīng) 用單元和供料器，以及板支撐及定位系統(tǒng)的要求類似倒裝晶片對(duì)設(shè)備的要求。WLCSP貼裝工藝的控制可以參
2018-09-06 16:32:18
返修工藝和未經(jīng)底部填充的返修工藝很相似，主要區(qū)別在于前者元件被移除后，PCB上 會(huì)流有底部填充材料，這就要求在焊盤整理過程中，不光要清理掉焊盤上的殘余的焊料，還必須清理掉殘留 的底部填充材料。其返修工藝
2018-09-06 16:32:17
（Engineering die，test die）：這些芯片與正式器件（或稱電路芯片）不同。它包括特殊的器件和電路模塊用于對(duì)晶圓生產(chǎn)工藝的電性測(cè)試。（4）邊緣芯片（Edge die）：在晶圓的邊緣上的一些掩膜殘缺不全
2020-02-18 13:21:38
某些步驟出現(xiàn)問題，必須盡快通知工程師檢查。 （2）雷射修補(bǔ)（Laser Repairing） 雷射修補(bǔ)的目的是修補(bǔ)那些尚可被修復(fù)的不良品（有設(shè)計(jì)備份電路 在其中者），提高產(chǎn)品的良品率。當(dāng)晶圓針測(cè)完成后
2020-05-11 14:35:33
一.概述 目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在板子外層需保留的銅箔部分上，也就是電路的圖形部分上預(yù)鍍一層鉛錫抗蝕層，然后用化學(xué)方式將其余的銅箔
2018-11-26 16:58:50
目前，印刷電路板（pcb）加工的典型工藝采用“圖形電鍍法”.即先在板子外層需保留的銅箔部分上，也就是電路的圖形部分上預(yù)鍍一層鉛錫抗蝕層，然后用化學(xué)方式將其余的銅箔腐蝕掉，稱為蝕刻。PCB蝕刻工藝
2018-09-13 15:46:18
`請(qǐng)問PCB蝕刻工藝質(zhì)量要求有哪些？`
2020-03-03 15:31:05
的歷史蝕刻工藝進(jìn)行了兩個(gè)主要的工藝更改，這使得這項(xiàng)工作成為必要。首先，我們從 Clariant AZ4330 光刻膠切換到 Shipley SPR220-3。我們發(fā)現(xiàn)后者的光刻膠具有更好的自旋均勻性
2021-07-06 09:39:22
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：DI-O3水在晶圓表面制備中的應(yīng)用編號(hào)：JFSJ-21-034作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要
2021-07-06 09:36:27
。光刻膠的圖案通過蝕刻劑轉(zhuǎn)移到晶片上。沉積：各種材料的薄膜被施加在晶片上。為此，主要使用兩種工藝，物理氣相沉積 (PVD) 和化學(xué)氣相沉積 (CVD)。制作步驟：1.從空白晶圓開始2.自下而上構(gòu)建
2021-07-08 13:13:06
同一硅襯底上并排制造 nMOS 和 pMOS 晶體管。 制造方法概述 制作工藝順序硅制造（詳細(xì)內(nèi)容略）晶圓加工（詳細(xì)內(nèi)容略）光刻（詳細(xì)內(nèi)容略）氧化物生長(zhǎng)和去除（詳細(xì)內(nèi)容略）擴(kuò)散和離子注入（詳細(xì)內(nèi)容略
2021-07-09 10:26:01
（2.4m），在該范圍內(nèi)，晶圓的工作層都要在頂部有1~2英寸或更小的區(qū)域。平整度是小尺寸圖案絕對(duì)必要的條件。先進(jìn)的光刻工藝把所需的圖案投影到晶圓表面，如果表面不平，投影將會(huì)扭曲，就像電影圖像在不平的熒幕上
2018-07-04 16:46:41
覆、光刻、刻蝕、離子注入和封裝。 沉積沉積步驟從晶圓開始，晶圓是從99.99%的純硅圓柱體（也叫“硅錠”）上切下來的，并被打磨得極為光滑，然后再根據(jù)結(jié)構(gòu)需求將導(dǎo)體、絕緣體或半導(dǎo)體材料薄膜沉積到晶圓上
2022-04-08 15:12:41
納米到底有多細(xì)微？什么晶圓？如何制造單晶的晶圓？
2021-06-08 07:06:42
` 晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅
2011-12-01 11:40:04
的輔助。 測(cè)試是為了以下三個(gè)目標(biāo)。第一，在晶圓送到封裝工廠之前，鑒別出合格的芯片。第二，器件/電路的電性參數(shù)進(jìn)行特性評(píng)估。工程師們需要監(jiān)測(cè)參數(shù)的分布狀態(tài)來保持工藝的質(zhì)量水平。第三，芯片的合格品與不良品
2011-12-01 13:54:00
`晶圓級(jí)封裝(WLP)就是在其上已經(jīng)有某些電路微結(jié)構(gòu)（好比古董）的晶片（好比座墊）與另一塊經(jīng)腐蝕帶有空腔的晶片（好比玻璃罩）用化學(xué)鍵結(jié)合在一起。在這些電路微結(jié)構(gòu)體的上面就形成了一個(gè)帶有密閉空腔的保護(hù)
2011-12-01 13:58:36
是最流行的半導(dǎo)體，這是由于其在地球上的大量供應(yīng)。半導(dǎo)體晶圓是從錠上切片或切割薄盤的結(jié)果，它是根據(jù)需要被摻雜為P型或N型的棒狀晶體。然后對(duì)它們進(jìn)行刻劃，以用于切割或切割單個(gè)裸片或方形子組件，這些單個(gè)裸片或
2021-07-23 08:11:27
1、為什么晶圓要做成圓的？如果做成矩形，不是更加不易產(chǎn)生浪費(fèi)原料？2、為什么晶圓要多出一道研磨的工藝？為什么不能直接做成需求的厚度？
2014-01-20 15:58:42
半導(dǎo)體光刻蝕工藝
2021-02-05 09:41:23
單晶的晶圓制造步驟是什么？
2021-06-08 06:58:26
今日分享晶圓制造過程中的工藝及運(yùn)用到的半導(dǎo)體設(shè)備。晶圓制造過程中有幾大重要的步驟：氧化、沉積、光刻、刻蝕、離子注入/擴(kuò)散等。這幾個(gè)主要步驟都需要若干種半導(dǎo)體設(shè)備，滿足不同的需要。設(shè)備中應(yīng)用較為廣泛
2018-10-15 15:11:22
that occurs during the photolithography process.套準(zhǔn)精度 - 在光刻工藝中轉(zhuǎn)移圖形的精度。Anisotropic - A process of etching
2011-12-01 14:20:47
TEL:***回收拋光片、光刻片、晶圓片碎片、小方片、牙簽料、藍(lán)膜片回收晶圓片硅片回收/廢硅片回收/單晶硅片回收/多晶硅片回收/回收太陽能電池片/半導(dǎo)休硅片回收
2011-04-15 18:24:29
中國(guó)科學(xué)院大學(xué)（以下簡(jiǎn)稱國(guó)科大）微電子學(xué)院是國(guó)家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院，國(guó)科大微電子學(xué)院開設(shè)的《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)計(jì)優(yōu)化》課程是國(guó)內(nèi)少有的研究討論光刻技術(shù)的研究生課程，而開設(shè)課程
2021-10-14 09:58:07
`所謂多項(xiàng)目晶圓(簡(jiǎn)稱MPW)，就是將多種具有相同工藝的集成電路設(shè)計(jì)放在同一個(gè)硅圓片上、在同一生產(chǎn)線上生產(chǎn)，生產(chǎn)出來后，每個(gè)設(shè)計(jì)項(xiàng)目可以得到數(shù)十片芯片樣品，這一數(shù)量足夠用于設(shè)計(jì)開發(fā)階段的實(shí)驗(yàn)、測(cè)試
2011-12-01 14:01:36
是什么推動(dòng)著高精度模擬芯片設(shè)計(jì)？如何利用專用晶圓加工工藝實(shí)現(xiàn)高性能模擬IC？
2021-04-07 06:38:35
晶圓的表面，將會(huì)給光刻工藝的光刻版造成損壞，同時(shí)造成器件的表面有針孔和曝光不好，影響產(chǎn)品的成品率。同時(shí)，通過邊緣倒角可以規(guī)范晶圓直徑。通常晶圓的直徑是由滾圓工序來控制的，由于滾圓設(shè)備的精度所限，表面
2019-09-17 16:41:44
怎么選擇晶圓級(jí)CSP裝配工藝的錫膏？
2021-04-25 08:48:29
形成電路，而“濕法”刻蝕（使用化學(xué)浴）主要用于清潔晶圓。 干法刻蝕是半導(dǎo)體制造中最常用的工藝之一。 開始刻蝕前，晶圓上會(huì)涂上一層光刻膠或硬掩膜（通常是氧化物或氮化物），然后在光刻時(shí)將電路圖形曝光在晶圓
2017-10-09 19:41:52
招聘6/8吋晶圓測(cè)試工藝工程師/主管1名工作地點(diǎn)：無錫工資：面議要求：1. 工藝工程師：晶圓測(cè)試經(jīng)驗(yàn)3年以上，工藝主管：晶圓測(cè)試經(jīng)驗(yàn)5年以上；2. 精通分立器件類產(chǎn)品晶圓測(cè)試，熟悉IC晶圓測(cè)試尤佳
2017-04-26 15:07:57
根據(jù)半徑繪制圓，這一控件，為何點(diǎn)擊運(yùn)行后，圖片上沒有圓生成啊
2020-04-06 20:30:00
濕法蝕刻工藝的原理是使用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物。選擇性非常高，因?yàn)樗没瘜W(xué)藥品可以非常精確地適應(yīng)各個(gè)薄膜。對(duì)于大多數(shù)解決方案，選擇性大于100：1。
2021-01-08 10:12:57
激光用于晶圓劃片的技術(shù)與工藝 激光加工為無接觸加工，激光能量通過聚焦后獲得高能量密度，直接將硅片
2010-01-13 17:01:57
的解決方案 泛林集團(tuán)通過其獨(dú)有的Durendal?工藝解決這一問題。該工藝可以產(chǎn)出優(yōu)質(zhì)、光滑的大型銅柱頂部表面，整個(gè)晶圓上的大型銅柱高度也非常均勻。整套Durendal?工藝可以在SABRE? 3D設(shè)備上
2020-07-07 11:04:42
`什么是硅晶圓呢，硅晶圓就是指硅半導(dǎo)體積體電路制作所用的硅晶片。晶圓是制造IC的基本原料。硅晶圓和晶圓有區(qū)別嗎？其實(shí)二者是一個(gè)概念。集成電路（IC）是指在一半導(dǎo)體基板上，利用氧化、蝕刻、擴(kuò)散等方法
2011-12-02 14:30:44
是使用化學(xué)或者物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要材料的過程。通常的晶圓加工流程中，刻蝕工藝位于光刻工藝之后，有圖形的光刻膠層在刻蝕中不會(huì)受到腐蝕源的顯著侵蝕，從而完成圖形轉(zhuǎn)移的工藝步驟?？涛g環(huán)節(jié)是復(fù)制
2020-07-07 11:36:10
更高的亮度?！ 〖?b class="flag-6" style="color: red">光刻劃的優(yōu)勢(shì) - 可以干凈整齊的刻劃硬脆性材料 - 非接觸式工藝低運(yùn)營(yíng)成本 - 減少崩邊、微裂紋、分層等缺陷的出現(xiàn) - 刻劃線條窄提高了單片晶圓上的分粒數(shù)量 - 減少微裂紋
2011-12-01 11:48:46
先在板子外層需保留的銅箔部分上，也就是電路的圖形部分上預(yù)鍍一層鉛錫抗蝕層，然后用化學(xué)方式將其余的銅箔腐蝕掉,稱為蝕刻?！ ∫?蝕刻的種類 要注意的是，蝕刻時(shí)的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有
2018-09-19 15:39:21
長(zhǎng)期收購(gòu)藍(lán)膜片.藍(lán)膜晶圓.光刻片.silicon pattern wafer. 藍(lán)膜片.白膜片.晶圓.ink die.downgrade wafer.Flash內(nèi)存.晶片.good die.廢膜硅片
2016-01-10 17:50:39
工序。光刻:IC生產(chǎn)的主要工藝手段,指用光技術(shù)在晶圓上刻蝕電路。線寬:4微米/1微米/0.6微未/0.35微米/035微米等,是指IC生產(chǎn)工藝可達(dá)到的最小導(dǎo)線寬度,是IC工藝先進(jìn)水平的主要指標(biāo).線寬
2013-01-11 13:52:17
` 集成電路按生產(chǎn)過程分類可歸納為前道測(cè)試和后到測(cè)試；集成電路測(cè)試技術(shù)員必須了解并熟悉測(cè)試對(duì)象—硅晶圓。測(cè)試技術(shù)員應(yīng)該了解硅片的幾何尺寸形狀、加工工藝流程、主要質(zhì)量指標(biāo)和基本檢測(cè)方法；集成電路晶圓測(cè)試基礎(chǔ)教程ppt[hide][/hide]`
2011-12-02 10:20:54
。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">晶圓的溫度直接影響到其上形成的薄膜的質(zhì)量，包括其厚度、結(jié)構(gòu)、電學(xué)和光學(xué)性質(zhì)等。因此，對(duì)晶圓表面溫度的精確控制和測(cè)試是保證半導(dǎo)體產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵步驟。本文將
2023-12-04 11:36:42
Intel 22nm光刻工藝背后的故事
去年九月底的舊金山秋季IDF 2009論壇上，Intel第一次向世人展示了22nm工藝晶圓，并宣布將在2011年下半年發(fā)布相關(guān)產(chǎn)品。
2010-03-24 08:52:581085 光刻膠與光刻工藝技術(shù) 微電路的制造需要把在數(shù)量上精確控制的雜質(zhì)引入到硅襯底上的微小 區(qū)域內(nèi),然后把這些區(qū)域連起來以形成器件和VLSI電路.確定這些區(qū)域圖形 的工藝是由光刻來完成的,也就是說,首先在硅片上旋轉(zhuǎn)涂覆光刻膠,再將 其曝露于某種光源下,如紫外光,
2011-03-09 16:43:21
0 光刻是半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)流程中最復(fù)雜、最關(guān)鍵的工藝步驟，耗時(shí)長(zhǎng)、成本高。半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)的難點(diǎn)和關(guān)鍵點(diǎn)在于將電路圖從掩模上轉(zhuǎn)移至硅片上，這一過程通過光刻來實(shí)現(xiàn)， 光刻的工藝水平直接決定芯片的制程水平和性能
2018-04-08 16:10:52162273 
本文首先介紹了PCB蝕刻工藝原理和蝕刻工藝品質(zhì)要求及控制要點(diǎn)，其次介紹了PCB蝕刻工藝制程管控參數(shù)及蝕刻工藝品質(zhì)確認(rèn)，最后闡述了PCB蝕刻工藝流程詳解，具體的跟隨小編一起來了解一下吧。
2018-05-07 09:09:0940479 今年臺(tái)積電、三星及Globalfoundries等公司都會(huì)量產(chǎn)7nm工藝，第一代7nm工藝將使用傳統(tǒng)的DUV光刻工藝，二代7nm才會(huì)上EUV光刻工藝，預(yù)計(jì)明年量產(chǎn)。那么存儲(chǔ)芯片行業(yè)何時(shí)會(huì)用上EUV
2018-06-07 14:49:006059 隨著三星宣布7nm EUV工藝的量產(chǎn)，2018年EUV光刻工藝終于商業(yè)化了，這是EUV工藝研發(fā)三十年來的一個(gè)里程碑。不過EUV工藝要想大規(guī)模量產(chǎn)還有很多技術(shù)挑戰(zhàn)，目前的光源功率以及晶圓產(chǎn)能輸出還沒有
2018-10-30 16:28:403376 重要要點(diǎn) l 什么是光刻？ l 光刻工藝的類型。 l 光刻處理如何用于電路板成像。 l 工業(yè)平版印刷處理設(shè)計(jì)指南。 可以說，有史以來研究最多的文物是都靈裹尸布。進(jìn)行廣泛檢查的原因，從來源的宗教建議
2020-09-16 21:01:161361 在制造芯片的過程中，光刻工藝無疑最關(guān)鍵、最復(fù)雜和占用時(shí)間比最大的步驟。光刻定義了晶體管的尺寸，是芯片生產(chǎn)中最核心的工藝，占晶圓制造耗時(shí)的40％到50％。光刻機(jī)在晶圓制造設(shè)備投資額中約占23
2020-10-09 15:40:112189 在集成電路的制造過程中，有一個(gè)重要的環(huán)節(jié)光刻，正因?yàn)橛辛怂?，我們才能在微小的芯片上?shí)現(xiàn)功能。 根據(jù)維基百科的定義，光刻是半導(dǎo)體器件制造工藝中的一個(gè)重要步驟，該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫
2020-11-11 10:14:2022384 光刻機(jī)又被稱為掩膜對(duì)準(zhǔn)曝光機(jī)，在芯片生產(chǎn)中用于光刻工藝，而光刻工藝又是生產(chǎn)流程中最關(guān)鍵的一步，所以光刻機(jī)又是芯片生產(chǎn)中不可缺少的設(shè)備，總得來說光刻機(jī)是用來制造芯片的。
2022-02-06 07:25:0029436 什么是光刻？光刻是將掩模上的幾何形狀轉(zhuǎn)移到硅片表面的過程。光刻工藝中涉及的步驟是晶圓清洗；阻擋層的形成；光刻膠應(yīng)用；軟烤；掩模對(duì)準(zhǔn)；曝光和顯影；和硬烤。
2022-03-15 11:38:02850 
光刻是半導(dǎo)體工藝中最關(guān)鍵的步驟之一。EUV是當(dāng)今半導(dǎo)體行業(yè)最熱門的關(guān)鍵詞，也是光刻技術(shù)。為了更好地理解 EUV 是什么，讓我們仔細(xì)看看光刻技術(shù)。
2022-10-18 12:54:053180 來源：云天半導(dǎo)體 廈門云天半導(dǎo)體繼九月初812吋 “晶圓級(jí)封裝與無源器件生產(chǎn)線”正式通線后，經(jīng)過團(tuán)隊(duì)的不懈努力， 8英寸晶圓Fine Pitch光刻工藝開發(fā)終破2/2um L/S大關(guān)； 以下為部分工藝
2022-11-30 17:07:07854 光掩模可以被認(rèn)為是芯片的模板。光掩模用電子束圖案化并放置在光刻工具內(nèi)。然后，光掩?？梢晕栈蛏⑸涔庾樱蛟试S它們穿過晶圓。這就是在晶圓上創(chuàng)建圖案的原因。
2023-03-03 10:10:321129 通常，光刻是作為特性良好的模塊的一部分執(zhí)行的，其中包括晶圓表面制備、光刻膠沉積、掩模和晶圓的對(duì)準(zhǔn)、曝光、顯影和適當(dāng)?shù)目刮g劑調(diào)節(jié)。光刻工藝步驟需要按順序進(jìn)行表征，以確保模塊末端剩余的抗蝕劑是掩模的最佳圖像，并具有所需的側(cè)壁輪廓。
2023-06-02 16:30:25421 
光刻機(jī)可分為前道光刻機(jī)和后道光刻機(jī)。光刻機(jī)既可以用在前道工藝，也可以用在后道工藝，前道光刻機(jī)用于芯片的制造，曝光工藝極其復(fù)雜，后道光刻機(jī)主要用于封裝測(cè)試，實(shí)現(xiàn)高性能的先進(jìn)封裝，技術(shù)難度相對(duì)較小。
2023-06-09 10:49:205860 
可分為涂覆光刻膠、曝光和顯影三個(gè)步驟。1、涂覆光刻膠在晶圓上繪制電路的第一步是在氧化層上涂覆光刻膠。光刻膠通過改變化學(xué)性質(zhì)的方式讓晶圓成為“相紙”。晶圓表面的光刻膠層
2022-07-11 11:04:121124 
光刻是半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)流程中最復(fù)雜、最關(guān)鍵的工藝步驟，耗時(shí)長(zhǎng)、成本高。半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)的難點(diǎn)和關(guān)鍵點(diǎn)在于將電路圖從掩模上轉(zhuǎn)移至硅片上，這一過程通過光刻來實(shí)現(xiàn)， 光刻的工藝水平直接決定芯片的制程水平和性能水平。
2023-08-23 10:47:531589 
半導(dǎo)體制造工藝之光刻工藝詳解
2023-08-24 10:38:541223 
三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工藝
2023-11-23 18:13:02579 
[半導(dǎo)體前端工藝：第三篇] 光刻——半導(dǎo)體電路的繪制
2023-11-29 11:25:52242 
光照條件的設(shè)置、掩模版設(shè)計(jì)以及光刻膠工藝等因素對(duì)分辨率的影響都反映在k?因子中，k?因子也常被用于評(píng)估光刻工藝的難度，ASML認(rèn)為其物理極限在0.25，k?體現(xiàn)了各家晶圓廠運(yùn)用光刻技術(shù)的水平。
2023-12-18 10:53:05326 
利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對(duì)涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會(huì)發(fā)生性質(zhì)變化，從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用。
2024-03-06 14:28:5062 
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