日前,科技部高新技術(shù)發(fā)展及產(chǎn)業(yè)化司司長(zhǎng)趙玉海在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟成立大會(huì)上強(qiáng)調(diào),應(yīng)加強(qiáng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略研究,打造第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)。欲知更多科技資訊,請(qǐng)關(guān)注每天的電子芯聞早報(bào)。
2015-09-15 10:38:281277 3月15日,在深圳福田會(huì)展中心的論壇上,中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟秘書(shū)長(zhǎng)趙靜分享2022年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)和中國(guó)第三代半導(dǎo)體的最新市場(chǎng)規(guī)模和應(yīng)用進(jìn)展。
2023-03-17 08:33:275138 隨著科技的不斷進(jìn)步,新的半導(dǎo)體材料正在為整個(gè)電子行業(yè)帶來(lái)深刻的變革。在這場(chǎng)技術(shù)革命的前沿,第三代半導(dǎo)體材料嶄露頭角。與前兩代半導(dǎo)體材料相比,第三代半導(dǎo)體在高溫、高壓、高頻等應(yīng)用環(huán)境中展現(xiàn)出了更為出色的性能。從材料分類(lèi)的角度來(lái)看,第三代半導(dǎo)體材料主要可以分為以下四類(lèi)。
2023-08-21 09:33:071580 5月10日消息 南韓近期啟動(dòng)「X-band GaN國(guó)家計(jì)劃」沖刺第三代半導(dǎo)體,三星積極參與。由于市場(chǎng)高度看好第三代半導(dǎo)體發(fā)展,臺(tái)積電、世界等臺(tái)廠均已卡位,三星加入南韓官方計(jì)劃沖刺第三代半導(dǎo)體布局
2021-05-10 16:00:572569 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/程文智)不久前,有朋友分享一篇文章,說(shuō)第三代半導(dǎo)體的市場(chǎng)很小,無(wú)法跟硅基半導(dǎo)體相比??催^(guò)文章之后,其實(shí)他說(shuō)的是目前及未來(lái)幾年第三代半導(dǎo)體的產(chǎn)量很小。作為一個(gè)新興技術(shù),剛開(kāi)始產(chǎn)量
2022-01-06 10:14:163678 器件產(chǎn)業(yè)鏈重點(diǎn)公司及產(chǎn)品進(jìn)展:歐美出于對(duì)我國(guó)技術(shù)發(fā)展速度的擔(dān)憂(yōu)及遏制我國(guó)新材料技術(shù)的發(fā)展想法,在第三代半導(dǎo)體材料方面,對(duì)我國(guó)進(jìn)行幾乎全面技術(shù)封鎖和材料封鎖。在此情況下,我國(guó)科研機(jī)構(gòu)和企業(yè)單位立足自主
2019-04-13 22:28:48
、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料?! ≡诠?b class="flag-6" style="color: red">電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。SiC功率器件在C波段以上受頻率的限制,也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
出來(lái)之后,材料質(zhì)量逐步完善,器件性能和可靠性也在逐步改善。到目前為止,碳化硅的二極管以其優(yōu)異的性能和使用過(guò)程中展現(xiàn)的可靠性,已經(jīng)廣泛應(yīng)用在很多場(chǎng)合。氮化鎵GaN和碳化硅同屬于第三代半導(dǎo)體材料。為了區(qū)別于
2017-05-15 17:09:48
3G定義 3G是英文3rd Generation的縮寫(xiě),至第三代移動(dòng)通信技術(shù)。相對(duì)于第一代模擬制式手機(jī)(1G)和第二代GSM、TDMA等數(shù)字手機(jī)(2G)來(lái)說(shuō),第三代手機(jī)是指將無(wú)線(xiàn)通信與國(guó)際互聯(lián)網(wǎng)等
2019-07-01 07:19:52
第三代移動(dòng)通信過(guò)渡技術(shù)——EDGE作者:項(xiàng)子GSM和TDMA/136現(xiàn)在是全球通用的第二代蜂窩移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)。當(dāng)前有100多個(gè)國(guó)家的1億多人采用GSM,有近100個(gè)國(guó)家的約9500萬(wàn)用戶(hù)采用 TDMA
2009-11-13 21:32:08
)第三代紅外攝像機(jī)技術(shù)散熱性能好、發(fā)光點(diǎn)大、亮度高等特點(diǎn)大大提高了紅外燈的使用效率,并且采用獨(dú)特的COB封裝技術(shù)能有效地將紅外燈5年內(nèi)的光衰減控制在10%以?xún)?nèi),比陣列式的使用壽命延長(zhǎng)5年。在使用壽命上
2011-02-19 09:35:33
紅外夜視領(lǐng)域領(lǐng)先技術(shù),在產(chǎn)品性能與應(yīng)用等方面上與激光紅外相比,有明顯的優(yōu)勢(shì)。廣州帕特羅(PATRO)的第三代紅外攝像機(jī)以單顆燈完全取代多顆燈模式,電光轉(zhuǎn)化效能最高可達(dá)85%以上,降低了功耗,使用壽命
2011-02-19 09:38:46
``<p>凌度dt298第三代聯(lián)網(wǎng)記錄儀搭載騰訊車(chē)聯(lián),采用的是最新無(wú)限技術(shù),無(wú)限流量隨便使用。擁有強(qiáng)大的互聯(lián)網(wǎng)功能,全程語(yǔ)音幫車(chē)主解決很多行車(chē)問(wèn)題。行車(chē)
2019-01-08 15:44:58
LED:節(jié)能環(huán)保的第三代照明技術(shù)1、半導(dǎo)體照明 LED:變革照明的第三代革命1.1LED 代替白熾燈—任重而道遠(yuǎn)自 20 世紀(jì) 60 年代世界第一個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光二極管誕生以來(lái),LED 照明因具 有
2011-09-28 00:12:44
`第一代沒(méi)有留下痕跡。第二代之前在論壇展示過(guò):https://bbs.elecfans.com/jishu_282495_1_1.html現(xiàn)在第三代誕生:`
2013-08-10 15:35:19
據(jù)業(yè)內(nèi)權(quán)威人士透露,我國(guó)計(jì)劃把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),寫(xiě)入“十四五”規(guī)劃,計(jì)劃在2021-2025年期間,在教育、科研、開(kāi)發(fā)、融資、應(yīng)用等等各個(gè)方面,大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),...
2021-07-27 07:58:41
什么是第三代移動(dòng)通信答復(fù):第三代移動(dòng)通信系統(tǒng)IMT2000,是國(guó)際電信聯(lián)盟(ITU)在1985年提出的,當(dāng)時(shí)稱(chēng)為陸地移動(dòng)系統(tǒng)(FPLMTS)。1996年正式更名為IMT2000。與現(xiàn)有的第二代移動(dòng)
2009-06-13 22:49:39
隨著第三代移動(dòng)通信技術(shù)的興起,UMTS網(wǎng)絡(luò)的建立將帶來(lái)一場(chǎng)深刻的革命,這對(duì)網(wǎng)絡(luò)規(guī)劃也提出了更高的要求。在德國(guó)轟動(dòng)一時(shí)的UMTS執(zhí)照拍賣(mài),引起了公眾對(duì)這一新技術(shù)的極大興趣。第三代移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò)的建設(shè)正方
2019-08-15 07:08:29
IR-III技術(shù)定義(IR-III Technology Definition)IR-III技術(shù)即紅外夜視第三代技術(shù),根植于上世紀(jì)60年代美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明的紅外夜視技術(shù),屬于一種主動(dòng)式紅外
2011-02-19 09:34:33
導(dǎo) 讀 追求更低損耗、更高可靠性、更高性?xún)r(jià)比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標(biāo)。為不斷提升產(chǎn)品核心競(jìng)爭(zhēng)力,基本半導(dǎo)體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管,這是基本半導(dǎo)體系列標(biāo)準(zhǔn)封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35
超過(guò)40%,其中以碳化硅材料(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì),2019年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)7562億元
2021-01-12 11:48:45
本文討論了移動(dòng)通信向
第三代(3G)標(biāo)準(zhǔn)的演化與發(fā)展,給出了范圍廣泛的3G發(fā)射機(jī)關(guān)鍵
技術(shù)與規(guī)范要求的概述。文章提供了頻分復(fù)用(FDD)寬帶碼分多址(WCDMA)系統(tǒng)發(fā)射機(jī)的設(shè)計(jì)和測(cè)得的
性能數(shù)據(jù),以Maxim現(xiàn)有的發(fā)射機(jī)IC進(jìn)行展示和說(shuō)明?! ?/div>
2019-06-14 07:23:38
。 (三)IC 制造與封裝 封裝設(shè)計(jì)、測(cè)試、設(shè)備與應(yīng)用、制造與封測(cè)、EDA、MCU、印制電路板、封裝基板、半導(dǎo)體材料與設(shè)備等。 (四)第三代半導(dǎo)體 第三代半導(dǎo)體器件、功率器件、砷化鎵、磷化鎵、金剛石
2021-11-17 14:05:09
°C。系統(tǒng)可靠性大大增強(qiáng),穩(wěn)定的超快速本體二極管,因此無(wú)需外部續(xù)流二極管。三、碳化硅半導(dǎo)體廠商SiC電力電子器件的產(chǎn)業(yè)化主要以德國(guó)英飛凌、美國(guó)Cree公司、GE、ST意法半導(dǎo)體體和日本羅姆公司、豐田
2023-02-20 15:15:50
分享小弟用第三代太陽(yáng)能的心得。
最近看了很多資料對(duì)第三代太陽(yáng)能的介紹,諸多的評(píng)論都說(shuō)到他的優(yōu)勢(shì),小弟于是購(gòu)買(mǎi)了這種叫第三代的太陽(yáng)能-砷化鎵太陽(yáng)能模塊。想說(shuō),現(xiàn)在硅晶的一堆
2010-11-27 09:53:27
Intel Xeon?鉑金處理器(第三代)Intel? Xeon?鉑金處理器(第三代)是安全、敏捷、數(shù)據(jù)中心的基礎(chǔ)。這些處理器具有內(nèi)置AI加速、先進(jìn)的安全技術(shù)和出色的多插槽處理性能,設(shè)計(jì)用于任務(wù)關(guān)鍵
2024-02-27 11:57:15
Intel Xeon?金牌處理器(第三代)Intel? Xeon?金牌處理器(第三代)支持高內(nèi)存速度和增加內(nèi)存容量。Intel? Xeon?金牌處理器具有更高性能、先進(jìn)的安全技術(shù)以及內(nèi)置工作負(fù)載加速
2024-02-27 11:57:49
。Xeon?可擴(kuò)展處理器(第三代)基于平衡、高效的結(jié)構(gòu),可提高芯體性能、儲(chǔ)存器和I/O帶寬,以加速?gòu)臄?shù)據(jù)中心到邊緣的各種工作負(fù)載。 這些器件采用Int
2024-02-27 11:58:54
3月31日,在深圳市委市政府的大力支持下,由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、基本半導(dǎo)體和南方科技大學(xué)等單位發(fā)起共建的深圳第三代半導(dǎo)體研究院在五洲賓館宣布正式啟動(dòng)。深圳第三代半導(dǎo)體研究院的成立具有
2018-04-02 16:25:003685 以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料憑借其寬禁帶、高熱導(dǎo)率、高擊穿電場(chǎng)、高抗輻射能力等特點(diǎn),在許多應(yīng)用領(lǐng)域擁有前兩代半導(dǎo)體材料無(wú)法比擬的優(yōu)點(diǎn),有望突破第一、二代半導(dǎo)體材料應(yīng)用技術(shù)的發(fā)展瓶頸,市場(chǎng)應(yīng)用潛力巨大。根據(jù)第三代半導(dǎo)體不同的發(fā)展情況,其主要應(yīng)用為半導(dǎo)體照明、電力電子器件、激光器和探測(cè)器等領(lǐng)域。
2018-09-03 14:40:00690 本文首先介紹了第三代半導(dǎo)體的材料特性,其次介紹了第三代半導(dǎo)體材料性能應(yīng)用及優(yōu)勢(shì),最后分析了了我國(guó)第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展面臨著的機(jī)遇挑戰(zhàn)。
2018-05-30 12:37:3334365 本文首先介紹了第3代半導(dǎo)體主要應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展概況,其次介紹了第三代半導(dǎo)體電力電子器件和產(chǎn)業(yè)趨勢(shì),具體的跟隨小編一起來(lái)了解一下。
2018-05-31 14:38:3116356 繼5G、新基建后,第三代半導(dǎo)體概念近日在市場(chǎng)上的熱度高居不下。除了與5G密切相關(guān)外,更重要是有證券研報(bào)指出,第三代半導(dǎo)體有望納入重要規(guī)劃,消息傳出后多只概念股受到炒作。證券業(yè)人士提醒,有個(gè)人投資者
2020-09-21 11:57:553812 近日科技部高新司在北京組織召開(kāi)“十二五”期間863計(jì)劃重點(diǎn)支持的“第三代半導(dǎo)體器件制備及評(píng)價(jià)技術(shù)”項(xiàng)目驗(yàn)收會(huì)。通過(guò)項(xiàng)目的實(shí)施,我國(guó)在第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵的碳化硅和氮化鎵材料、功率器件、高性能封裝以及可見(jiàn)光通信等領(lǐng)域取得突破。
2018-09-14 10:51:1620140 日前,科技部高新司在北京組織召開(kāi)十二五期間863計(jì)劃重點(diǎn)支持的第三代半導(dǎo)體器件制備及評(píng)價(jià)技術(shù)項(xiàng)目驗(yàn)收會(huì)。通過(guò)項(xiàng)目的實(shí)施,中國(guó)在第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵的碳化硅和氮化鎵材料、功率器件、高性能封裝以及可見(jiàn)光
2018-10-24 22:38:02478 近日, 江豐電子在互動(dòng)平臺(tái)上表示,公司目前可以滿(mǎn)足大部分第三代半導(dǎo)體所需的靶材技術(shù)和供應(yīng),部分貴金屬及稀土靶材除外。
2019-06-03 17:40:094531 第三代半導(dǎo)體,又稱(chēng)寬禁帶半導(dǎo)體,是以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的半導(dǎo)體材料,具備高壓、高溫、高頻大功率等特性。
2019-06-21 10:29:317739 第三屆“中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇”在深圳五洲賓館成功舉辦。
2019-09-23 10:32:171019 近幾年,國(guó)內(nèi)不少地區(qū)都紛紛建設(shè)第三代半導(dǎo)體生產(chǎn)線(xiàn),種種跡象表明,第三代半導(dǎo)體投資熱的戲碼正在悄然上演。這輪投資熱將對(duì)整個(gè)產(chǎn)業(yè)帶來(lái)哪些影響?國(guó)內(nèi)發(fā)展第三代半導(dǎo)體應(yīng)注意什么問(wèn)題?需要采取什么措施?
2019-12-16 11:35:328667 “萬(wàn)畝千億”平臺(tái)添新引擎。3月20日上午,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院簽約落戶(hù)嘉興科技城,為順利推進(jìn)氮化鎵射頻及功率器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目,促進(jìn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在嘉興科技城集聚發(fā)展。
2020-03-21 10:13:042866 摩爾定律”為產(chǎn)業(yè)發(fā)展帶來(lái)新機(jī)遇。第三代半導(dǎo)體是“超越摩爾定律”的重要發(fā)展內(nèi)容。與Si材料相比,第三代半導(dǎo)體材料擁有高頻、高功率、抗高溫、抗高輻射、光電性能優(yōu)異等特點(diǎn),特別適合于制造微波射頻器件、光電子器件、電力電子器件,是未來(lái)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要方向。
2020-09-02 11:05:303026 解密第三代半導(dǎo)體材料:華為小米緊追,突破歐美鎖喉的新武器 傳感器技術(shù) A股半導(dǎo)體材料板塊徹底爆了,這還是在前夜美股出現(xiàn)午夜驚魂大跌一場(chǎng)之后! 探究A股半導(dǎo)體概念股硬氣扛住外盤(pán)影響的原因,是前一晚一則
2020-09-10 11:26:202443 、5G、智能電網(wǎng)、高速軌道交通、半導(dǎo)體照明、消費(fèi)類(lèi)電子、航天等領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用價(jià)值。 據(jù)了解,三安光電是Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體、集成電路龍頭企業(yè)。長(zhǎng)沙三安第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目總投資160億元,總占地面積1000畝,主要建設(shè)具有自
2020-09-12 09:28:092819 周二盤(pán)中,第三代半導(dǎo)體板塊沖高,截至發(fā)稿,聚燦光電拉升封板,派瑞股份大漲近15%,乾照光電、易事特、臺(tái)基股份等個(gè)股紛紛走高。 粵開(kāi)證券研報(bào)指出,第三代半導(dǎo)體是十四五重要發(fā)展方向,據(jù)國(guó)家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展
2020-11-03 15:58:30743 、基金,但多數(shù)人連半導(dǎo)體是什么都沒(méi)搞清楚,而第三代半導(dǎo)體又是何方神圣? 在我國(guó)發(fā)力新基建的背景下,第三代半導(dǎo)體材料成了非常重要的技術(shù)支撐。今年4月,國(guó)家發(fā)改委首次官宣新基建的范圍,正式定調(diào)了5G基建、人工智能、工
2020-09-26 11:04:023797 什么是第三代半導(dǎo)體? 第三代半導(dǎo)體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。 一、二、三代半導(dǎo)體
2020-09-28 09:52:203299 從上面的數(shù)據(jù)可以看出,在第一代半導(dǎo)體面前,第三代半導(dǎo)體的產(chǎn)值非常的小。國(guó)外發(fā)展第三代半導(dǎo)體不是因?yàn)樯庥卸嗝吹拇?,是因?yàn)閲?guó)防和科技信息技術(shù)的發(fā)展需要用到第三代半導(dǎo)體。同時(shí),這是一個(gè)增量市場(chǎng),也是企業(yè)可以尋求的增長(zhǎng)空間。
2020-09-29 14:16:004865 在日前于南京舉辦的世界半導(dǎo)體大會(huì)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇上,與會(huì)專(zhuān)家紛紛表示,近年來(lái)我國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)程較快,基本形成了從晶體生長(zhǎng)到器件研發(fā)制造的完整產(chǎn)業(yè)鏈。同時(shí),我國(guó)在高速軌道交通
2020-10-09 16:44:513357 2020年,新基建產(chǎn)業(yè)站在了風(fēng)口上。在以5G、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等為代表的新基建主要領(lǐng)域中,第三代半導(dǎo)體承擔(dān)著重要角色。 有消息稱(chēng),第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將寫(xiě)入十四五規(guī)劃之中,計(jì)劃2021年至2025
2020-10-27 10:36:302890 目前,國(guó)家2030計(jì)劃和十四五國(guó)家研發(fā)計(jì)劃已明確第三代半導(dǎo)體是重要發(fā)展方向。在10月16日,國(guó)星光電舉辦了2020第一屆國(guó)星之光論壇,而論壇的主角之一,就是第三代半導(dǎo)體。那么到底什么是第三代半導(dǎo)體
2020-10-29 18:26:404897 。 什么是第三代半導(dǎo)體? 第三代半導(dǎo)體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。 一、二、三代半導(dǎo)體什么區(qū)別? 一、材料 第一代半導(dǎo)體材料,發(fā)
2020-11-04 15:12:374305 些新興材料中,碳化硅、氮化鎵技術(shù)目前來(lái)看相對(duì)較為成熟,,因此這兩種材料也成為近年來(lái)市場(chǎng)布局的重點(diǎn)。下面查IC網(wǎng)小編帶大家一起看一看瑞能半導(dǎo)體沈鑫在全球CEO峰會(huì)發(fā)表的關(guān)于第三代半導(dǎo)體的主題演講。
2020-11-09 17:22:052755 在5G和新能源汽車(chē)等新市場(chǎng)需求的驅(qū)動(dòng)下,第三代半導(dǎo)體材料有望迎來(lái)加速發(fā)展。硅基半導(dǎo)體的性能已無(wú)法完全滿(mǎn)足5G和新能源汽車(chē)的需求,碳化硅和氮化鎵等第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)被放大。
2020-11-29 10:48:1287782 招商引資名單中。 問(wèn)題來(lái)了:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是真的進(jìn)入春天還是虛火上升?又有哪些行業(yè)真的需要GaN或SiC功率器件呢?相對(duì)于IGBT、MOSFET和超級(jí)結(jié)MOSFET,GaN和SiC到底能為電子行業(yè)帶來(lái)哪些技術(shù)變革? 為了回答這些問(wèn)題,小編認(rèn)真閱讀了多
2020-12-08 17:28:0312548 最近,“我國(guó)將把發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)寫(xiě)入‘十四五’規(guī)劃”引爆全網(wǎng)。什么是第三代半導(dǎo)體?發(fā)展第三代半導(dǎo)體的意義在哪兒?它憑什么一夜爆火
2020-12-14 11:02:443296 ,什么材料會(huì)再領(lǐng)風(fēng)騷?記者采訪(fǎng)了專(zhuān)家。? 禁帶寬度,是用來(lái)區(qū)分不同代際半導(dǎo)體的關(guān)鍵參數(shù)。? 作為第三代半導(dǎo)體,氮化鎵和碳化硅的禁帶寬度分別為3.39電子伏特和3.26電子伏特,較高的禁帶寬度非常適合高壓器件應(yīng)用。氮化鎵電子飽和速度
2021-01-07 14:19:483427 為應(yīng)對(duì)氣候變化,我國(guó)提出,二氧化碳排放力爭(zhēng)于2030年前達(dá)到峰值,努力爭(zhēng)取2060年前實(shí)現(xiàn)“碳中和”??商嵘茉崔D(zhuǎn)換效率的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在開(kāi)啟發(fā)展加速度,有望成為綠色經(jīng)濟(jì)的中流砥柱。目前,第三代
2021-03-25 15:19:163618 ADSP-21262高性能第三代SHARC DSP
2021-05-17 18:25:150 來(lái)源:天風(fēng)證券,如需下載,進(jìn)入“華秋商城”公眾號(hào)發(fā)送“2021第三代半導(dǎo)體”即可下載。 責(zé)任編輯:haq
2021-11-03 10:33:408212 第三代半導(dǎo)體器件毫不夸張的講為電源行業(yè)帶來(lái)了革新,基于其高速,小體積,低功耗的特點(diǎn),越來(lái)越廣泛應(yīng)用在消費(fèi)電子及電力電子行業(yè)。下圖顯示了不同技術(shù)的功率器件的性能區(qū)別??梢钥吹剑瑐鹘y(tǒng)的Si基IGBT或者
2021-12-29 17:11:061046 日前,基于SiC和GaN的第三代半導(dǎo)體技術(shù)蓬勃發(fā)展,其對(duì)應(yīng)的分立器件性能測(cè)試需求也隨之而來(lái)。其較高的dv/dt與di/dt給性能測(cè)試帶了不少困難。泰克的TIVP系列光隔離探頭,以其優(yōu)越的160dB
2022-05-12 14:54:171309 半導(dǎo)體列入國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料”重點(diǎn)專(zhuān)項(xiàng);與此同時(shí),在地方政策方面,北京、深圳、江蘇、成都、廈門(mén)、泉州、蕪湖等均已發(fā)布或正在研究推動(dòng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的扶持政策。
2022-08-02 08:57:381567 、新架構(gòu)的探索。憑借著在功率、射頻應(yīng)用中的顯著性能優(yōu)勢(shì),第三代半導(dǎo)體逐漸顯露出廣闊的應(yīng)用前景和市場(chǎng)發(fā)展?jié)摿Α?【導(dǎo)讀】在集成電路和分立器件領(lǐng)域,硅始終是應(yīng)用最廣泛、技術(shù)最成熟的半導(dǎo)體材料,但硅材料技術(shù)的成熟
2022-08-02 15:12:291442 近年來(lái),「第三代半導(dǎo)體」這個(gè)名詞頻頻進(jìn)入我們的視野。尤其近年來(lái)「第三代半導(dǎo)體」在電動(dòng)車(chē)、充電樁、高功率適配器等應(yīng)用中的爆發(fā)式增長(zhǎng),使得其越來(lái)越貼近我們的生活。
2022-09-22 09:48:501263 第三代半導(dǎo)體材料有哪些 第三代半導(dǎo)體材料: 氨化家、碳化硅、氧化鋅、氧化鋁和金剛石。 從半導(dǎo)體材料的三項(xiàng)重要參數(shù)看,第三代半導(dǎo)體材料在電子遷移率、飽和漂移速率、禁帶寬度三項(xiàng)指標(biāo)上均有著優(yōu)異的表現(xiàn)
2023-02-07 14:06:164201 第三代半導(dǎo)體是一種新型的半導(dǎo)體材料,它可以提供更高的功率密度、更低的功耗和更高的效率。它們可以用于制造更小、更輕、更高效的電子元件,從而提高電子設(shè)備的性能。
2023-02-16 15:29:259966 、射頻應(yīng)用中的顯著
性能優(yōu)勢(shì),第三代半導(dǎo)體逐漸顯露出廣闊的應(yīng)用前景和市場(chǎng)發(fā)展?jié)摿Α?
所謂第三代半導(dǎo)體,即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導(dǎo)體材料,又稱(chēng)寬禁帶半導(dǎo)體。常見(jiàn)的第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化
硅(SiC)、氮化鎵
2023-02-27 15:23:542 作者?| 薛定諤的咸魚(yú) 第三代半導(dǎo)體 主要是指氮化鎵和碳化硅、氧化鋅、氧化鋁、金剛石等寬禁帶半導(dǎo)體,它們通常都具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高遷移率、高飽和電子速度、高電子密度、可承受大功率等特點(diǎn)
2023-02-27 15:19:2912 領(lǐng)域的性能方面表現(xiàn)不佳,但還有性?xún)r(jià)
比助其占據(jù)市場(chǎng)。第二代半導(dǎo)體以砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb)、磷化銦(InP)為代表,主要應(yīng)用領(lǐng)域?yàn)楣?b class="flag-6" style="color: red">電子、微電
子、微波功率器件等。第三代半導(dǎo)體以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金
2023-02-27 15:20:113 第三代半導(dǎo)體列入國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料”重點(diǎn)專(zhuān)項(xiàng);與此同時(shí),在地方政策方面,北京、深圳、江蘇、成都、廈門(mén)、泉州、蕪湖等均已發(fā)布或正在研究推動(dòng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的扶持政策。毋庸置疑,隨著國(guó)家
2023-02-27 15:21:454 日前,在南京世界半導(dǎo)體大會(huì)暨第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇上,國(guó)家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專(zhuān)家咨詢(xún)委員會(huì)委員、第三代半
導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長(zhǎng)吳玲透露:國(guó)家2030計(jì)劃和“十四五”國(guó)家研發(fā)計(jì)劃都已經(jīng)明確,第三代半導(dǎo)體是重要發(fā)展方
向,現(xiàn)在到了動(dòng)議討論實(shí)施方案的階段。
2023-02-27 15:23:005 、射頻應(yīng)用中的顯著
性能優(yōu)勢(shì),第三代半導(dǎo)體逐漸顯露出廣闊的應(yīng)用前景和市場(chǎng)發(fā)展?jié)摿Α?
所謂第三代半導(dǎo)體,即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導(dǎo)體材料,又稱(chēng)寬禁帶半導(dǎo)體。常見(jiàn)的第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化
硅(SiC)、氮化鎵
2023-02-27 14:37:561 隨著高壓、高頻及高溫領(lǐng)域應(yīng)用的逐漸提高,第三代半導(dǎo)體技術(shù)高頻化和可靠性等性能的要求已是必須。 第三代半導(dǎo)體材料通常是指氮化鎵、碳化硅、氧化鋅、金剛石等,其中氮化鎵、碳化硅為主要代表。在禁帶寬
2023-03-09 14:56:53497 又以碳化硅和氮化鎵材料技術(shù)的發(fā)展最為成熟。與第一代、第二代半導(dǎo)體材料相比,第三代半導(dǎo)體材料通常具備更寬的禁帶寬度、更高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)、更高的熱導(dǎo)率,電子飽和速率和抗輻射能力也更勝一籌,在高溫、高壓、高頻、高功率等嚴(yán)苛環(huán)境下,依然能夠保證性能穩(wěn)定。
2023-05-18 10:57:361018 展區(qū),國(guó)星光電首次展出了應(yīng)用于LED電源領(lǐng)域的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品及其應(yīng)用方案,這是公司立足自身優(yōu)勢(shì),推進(jìn)第三代半導(dǎo)體應(yīng)用邁向LED下游應(yīng)用關(guān)鍵的一步。 于LED封裝領(lǐng)域,國(guó)星光電經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展和沉淀,已具備領(lǐng)先的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和良好的市場(chǎng)
2023-06-14 10:02:14437 伴隨著物聯(lián)網(wǎng)、新能源和人工智能的發(fā)展,對(duì)半導(dǎo)體器件的需求日益增長(zhǎng),對(duì)相關(guān)器件可靠性與性能指標(biāo)的要求也更加嚴(yán)苛,于是第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)應(yīng)運(yùn)而生。近年國(guó)內(nèi)的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展如火如荼,同時(shí)對(duì)高壓、高電流
2022-01-10 16:34:43697 第三代半導(dǎo)體具有廣泛的應(yīng)用,已成為戰(zhàn)略物資,被美國(guó)列入301管制清單。檢測(cè)是提高半導(dǎo)體器件質(zhì)量與可靠性的重要保障,廣電計(jì)量作為國(guó)有檢測(cè)機(jī)構(gòu),在我國(guó)第三代半導(dǎo)體發(fā)展過(guò)程中,秉承國(guó)企擔(dān)當(dāng),為光電子、電力電子、微波射頻等第三代半導(dǎo)體三大應(yīng)用領(lǐng)域構(gòu)筑了較為全面的能力。
2022-06-20 15:33:031866 第三代半導(dǎo)體以及芯片的核心材料
2023-05-06 09:48:442620 與成本?未來(lái)有何發(fā)展目標(biāo)?...... 前言: 憑借功率密度高、開(kāi)關(guān)速度快、抗輻照性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體材料被廣泛應(yīng)用于電力電子、光電子學(xué)和無(wú)線(xiàn)通信等領(lǐng)域,以提高設(shè)備性能和效率,并成為當(dāng)前半導(dǎo)
2023-09-18 16:48:02365 第三代寬禁帶半導(dǎo)體SiC和GaN在新能源和射頻領(lǐng)域已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模商用。與第一代和第二代半導(dǎo)體相比,第三代半導(dǎo)體具有許多優(yōu)勢(shì),這些優(yōu)勢(shì)源于新材料和器件結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新。
2023-10-10 16:34:28295 隨著科技的不斷進(jìn)步,電力電子領(lǐng)域正在發(fā)生著深刻的變化。在這個(gè)變化中,第三代半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)技術(shù)成為了焦點(diǎn),其對(duì)于充電器的性能和效率都帶來(lái)了革命性的影響。
在傳統(tǒng)的硅基材料中,電力電子
2023-10-11 16:30:48250 近年來(lái),碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等第三代半導(dǎo)體材料成為全球半導(dǎo)體市場(chǎng)熱點(diǎn)之一。
2023-10-16 14:45:06694 5G、快充、UVC,第三代半導(dǎo)體潮起
2023-01-13 09:06:003 第三代半導(dǎo)體之GaN研究框架
2023-01-13 09:07:4117 。 海內(nèi)外第三代半導(dǎo)體及相關(guān)領(lǐng)域的知名專(zhuān)家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)導(dǎo)、投資機(jī)構(gòu)代表參與大會(huì)。中科院、北京大學(xué)、香港科技大學(xué)、英諾賽科、三安光電等科研院所、企業(yè)代表圍繞第三代半導(dǎo)體技術(shù)、應(yīng)用,深入探討交流最新技術(shù)進(jìn)展與發(fā)展趨勢(shì),分享前沿研究成果。 是德
2023-12-13 16:15:03244 第三代半導(dǎo)體以此特有的性能優(yōu)勢(shì),在半導(dǎo)體照明、新能源汽車(chē)、新一代移動(dòng)通信、新能源并網(wǎng)、高速軌道交通等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。2020年9月,第三代半導(dǎo)體被寫(xiě)入“十四五”規(guī)劃,在技術(shù)、市場(chǎng)與政策的三力驅(qū)動(dòng)下,近年來(lái)國(guó)內(nèi)涌現(xiàn)出多家第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域龍頭公司。
2024-01-04 16:13:36431
評(píng)論
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