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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>功率SiC器件和GaN器件市場(chǎng)預(yù)測(cè)

功率SiC器件和GaN器件市場(chǎng)預(yù)測(cè)

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功率半導(dǎo)體觀察:SiCGaN飛速發(fā)展的時(shí)代

SiC、GaN等下一代功率器件的企業(yè)有所增加,為數(shù)眾多的展示吸引了各方關(guān)注。SiCGaN也變得不再是“下一代”。
2013-07-09 09:46:493475

受惠電動(dòng)汽車(chē)增長(zhǎng) 2020年GaN功率器件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)6億美元 

市場(chǎng)調(diào)查公司Yole Developpement(以下簡(jiǎn)稱(chēng)Yole)認(rèn)為,市場(chǎng)規(guī)模方面,2020年GaN器件市場(chǎng)整體規(guī)模有可能達(dá)到約6億美元。從(2020年將支配市場(chǎng)的)電源和PFC(功率因數(shù)校正)領(lǐng)域,到UPS(不間斷電源)和馬達(dá)驅(qū)動(dòng),很多應(yīng)用領(lǐng)域都將從GaN-on-Si功率器件的特性中受益。
2016-12-19 10:34:181254

基于SiCGaN功率半導(dǎo)體應(yīng)用設(shè)計(jì)

SiC)和氮化鎵(GaN)占有約90%至98%的市場(chǎng)份額。供應(yīng)商。WBG半導(dǎo)體雖然還不是成熟的技術(shù),但由于其優(yōu)于硅的性能優(yōu)勢(shì)(包括更高的效率,更高的功率密度,更小的尺寸和更少的冷卻),正在跨行業(yè)進(jìn)軍。 使用基于SiCGaN功率半導(dǎo)體來(lái)獲
2021-04-06 17:50:533168

具有SiCGaN的高功率

電力電子將在未來(lái)幾年發(fā)展,尤其是對(duì)于組件,因?yàn)?WBG 半導(dǎo)體技術(shù)正變得越來(lái)越流行。高工作溫度、電壓和開(kāi)關(guān)頻率需要 GaNSiC 等 WBG 材料的能力。從硅到 SiCGaN 組件的過(guò)渡標(biāo)志著功率器件發(fā)展和更好地利用電力的重要一步。
2022-07-27 10:48:41761

GaNSiC功率器件的最佳用例

碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化鎵 (GaN) HEMT 等寬帶隙 (WBG) 功率器件的采??用目前正在廣泛的細(xì)分市場(chǎng)中全面推進(jìn)。在許多情況下,WBG 功率器件正在取代它們的硅對(duì)應(yīng)物,并在
2022-07-29 14:09:53807

SiC功率器件和模塊!

在很寬的范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)對(duì)器件制造所需的p型和n型的控制。因此,SiC被認(rèn)為是有望超越硅極限的功率器件材料。SiC具有多種多型(晶體多晶型),并且每種多型顯示不同的物理特性。對(duì)于功率器件,4H-SiC被認(rèn)為是理想的,其單晶4英寸到6英寸之間的晶圓目前已量產(chǎn)。
2022-11-22 09:59:261373

氮化鎵(GaN)器件基礎(chǔ)技術(shù)問(wèn)題分享

作為一種新型功率器件GaN 器件在電源的高密小型化方面極具優(yōu)勢(shì)。
2023-12-07 09:44:52783

碳化硅(SiC功率器件發(fā)展現(xiàn)狀

近年來(lái),SiC功率器件的出現(xiàn)大大提升了半導(dǎo)體器件的性能,這對(duì)電力電子行業(yè)的發(fā)展意義重大。據(jù)Yole預(yù)測(cè),到2023年SiC功率器件市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將達(dá)14億美元,其主要的市場(chǎng)增長(zhǎng)機(jī)會(huì)在汽車(chē)領(lǐng)域,特別是
2019-07-05 11:56:2833343

GaNSiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)有望在2027年達(dá)45億美元

全球范圍內(nèi)5G技術(shù)的迅猛發(fā)展,為氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC功率半導(dǎo)體制造商提供新的增長(zhǎng)前景。2020年,GaNSiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為7億美元,預(yù)計(jì)2021年至2027年的復(fù)合年增長(zhǎng)率
2021-05-21 14:57:182257

GaNSiC 器件相似和差異

GaNSiC 器件在某些方面相似,但有顯著差異。
2021-11-17 09:06:184236

最新SiC市場(chǎng)預(yù)測(cè):2030年8英寸滲透率達(dá)5成;中國(guó)汽車(chē)OEM SiC 6成本土供應(yīng)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)近日,著名咨詢(xún)公司麥肯錫發(fā)表了一份SiC市場(chǎng)的分析報(bào)告,其中電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)以及SiC市場(chǎng)的最新預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)值得我們關(guān)注。 電動(dòng)汽車(chē)以及SiC市場(chǎng)預(yù)測(cè) ? 麥肯錫從2018
2023-10-30 06:59:001641

同是功率器件,為什么SiC主要是MOSFET,GaN卻是HEMT

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)在我們談?wù)摰谌雽?dǎo)體的時(shí)候,常說(shuō)的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET(金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT(高電子
2023-12-27 09:11:361220

GaN功率集成電路:器件集成帶來(lái)應(yīng)用性能

GaN功率半導(dǎo)體器件集成提供應(yīng)用性能
2023-06-21 13:20:16

GaN器件在Class D上的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

。GaN器件尤其在高頻高功率的應(yīng)用領(lǐng)域體現(xiàn)了其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì),其中,針對(duì)GaN功率器件的性能特點(diǎn),該器件可被用于適配器、DC-DC轉(zhuǎn)換、無(wú)線(xiàn)充電、激光雷達(dá)等應(yīng)用場(chǎng)合。 圖1 半導(dǎo)體材料特性對(duì)比 傳統(tǒng)的D類(lèi)
2023-06-25 15:59:21

GaNSiC區(qū)別

半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙,能帶動(dòng)電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙(WBG)可以實(shí)現(xiàn)更高功率,更高開(kāi)關(guān)速度的晶體管,WBG器件包括氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC),以及其他半導(dǎo)體。 GaNSiC
2022-08-12 09:42:07

GaN基微波半導(dǎo)體器件材料的特性

材料在制作耐高溫的微波大功率器件方面也極具優(yōu)勢(shì)。筆者從材料的角度分析了GaN 適用于微波器件制造的原因,介紹了幾種GaN 基微波器件最新研究動(dòng)態(tài),對(duì)GaN 調(diào)制摻雜場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MODFETs)的工作原理以及特性進(jìn)行了具體分析,并同其他微波器件進(jìn)行了比較,展示了其在微波高功率應(yīng)用方面的巨大潛力。
2019-06-25 07:41:00

GaN是高頻器件材料技術(shù)上的突破

為什么GaN可以在市場(chǎng)中取得主導(dǎo)地位?簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),相比LDMOS硅技術(shù)而言,GaN這一材料技術(shù),大大提升了效率和功率密度。約翰遜優(yōu)值,表征高頻器件的材料適合性?xún)?yōu)值, 硅技術(shù)的約翰遜優(yōu)值僅為1, GaN最高,為324。而GaAs,約翰遜優(yōu)值為1.44??隙ǖ卣f(shuō),GaN是高頻器件材料技術(shù)上的突破。  
2019-06-26 06:14:34

SiC GaN有什么功能?

基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體的新型高效率、超快速功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)開(kāi)始在各種創(chuàng)新市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域攻城略地——這類(lèi)應(yīng)用包括太陽(yáng)能光伏逆變器、能源存儲(chǔ)、車(chē)輛電氣化(如充電器
2019-07-31 06:16:52

SiC MOSFET的器件演變與技術(shù)優(yōu)勢(shì)

一樣,商用SiC功率器件的發(fā)展走過(guò)了一條喧囂的道路。本文旨在將SiC MOSFET的發(fā)展置于背景中,并且 - 以及器件技術(shù)進(jìn)步的簡(jiǎn)要?dú)v史 - 展示其技術(shù)優(yōu)勢(shì)及其未來(lái)的商業(yè)前景。  碳化硅或碳化硅的歷史
2023-02-27 13:48:12

SiC SBD的器件結(jié)構(gòu)和特征

1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD(肖特基勢(shì)壘二極管)結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管(Si的SBD最高耐壓為200V左右)。因此,如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-03-14 06:20:14

SiC/GaN功率開(kāi)關(guān)有什么優(yōu)勢(shì)

新型和未來(lái)的 SiC/GaN 功率開(kāi)關(guān)將會(huì)給方方面面帶來(lái)巨大進(jìn)步,從新一代再生電力的大幅增加到電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)的迅速增長(zhǎng)。其巨大的優(yōu)勢(shì)——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率,將有助于實(shí)現(xiàn)更緊
2018-10-30 11:48:08

SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換器已在各種創(chuàng)新市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域攻城略地

) !important]推動(dòng)SiC/GaN功率開(kāi)關(guān)普及的主要應(yīng)用有太陽(yáng)能光伏逆變器、電動(dòng)汽車(chē)充電器和儲(chǔ)能轉(zhuǎn)換器。這里利用了超快的小型高效功率開(kāi)關(guān)的附加價(jià)值,為市場(chǎng)帶來(lái)了超高開(kāi)關(guān)頻率和超過(guò)99%的杰出效率
2019-07-16 23:57:01

SiC/GaN具有什么優(yōu)勢(shì)?

基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢(shì)
2021-03-10 08:26:03

SiC功率器件SiC-MOSFET的特點(diǎn)

電導(dǎo)率調(diào)制,向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴,因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小,但是同時(shí)由于少數(shù)載流子的積聚,在Turn-off時(shí)會(huì)產(chǎn)生尾電流,從而造成極大的開(kāi)關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件
2019-05-07 06:21:55

SiC功率器件概述

)工作頻率的高頻化,使周邊器件小型化(例:電抗器或電容等的小型化)主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個(gè)模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類(lèi)型
2019-05-06 09:15:52

SiC功率器件概述

,所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體(結(jié)晶多系),它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作,4H-SiC最為合適
2019-07-23 04:20:21

SiC功率器件的封裝技術(shù)研究

  具有成本效益的大功率高溫半導(dǎo)體器件是應(yīng)用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導(dǎo)體材料,與Si相比,它在應(yīng)用中具有諸多優(yōu)勢(shì)。由于具有較寬的帶隙,SiC器件的工作溫度可高達(dá)600℃,而Si器件
2018-09-11 16:12:04

SiC功率器件的開(kāi)發(fā)背景和優(yōu)點(diǎn)

前面對(duì)SiC的物理特性和SiC功率器件的特征進(jìn)行了介紹。SiC功率器件具有優(yōu)于Si功率器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來(lái)將針對(duì)SiC的開(kāi)發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)
2018-11-29 14:35:23

SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能?

與硅相比,SiC有哪些優(yōu)勢(shì)?SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能?碳化硅器件的缺點(diǎn)有哪些?
2021-07-12 08:07:35

功率器件

元件。?雖然是新半導(dǎo)體,但在要求高品質(zhì)和高可靠性的車(chē)載設(shè)備市場(chǎng)已擁有豐碩的實(shí)際應(yīng)用業(yè)績(jī)。< 相關(guān)產(chǎn)品信息 >SiC功率器件SiC-SBDSiC-MOSFET「全SiC功率模塊
2018-11-29 14:39:47

【直播邀請(qǐng)】羅姆 SiC(碳化硅)功率器件的活用

本帖最后由 chxiangdan 于 2018-7-27 17:22 編輯 親愛(ài)的電子發(fā)燒友小伙伴們!羅姆作為 SiC 功率器件的領(lǐng)先企業(yè),自上世紀(jì) 90 年代起便著手于 SiC 功率器件
2018-07-27 17:20:31

一文詳解下一代功率器件寬禁帶技術(shù)

,從而支持每次充電能續(xù)航更遠(yuǎn)的里程。車(chē)載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來(lái)實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料,提供下一代功率器件的基礎(chǔ)。與硅相比
2020-10-27 09:33:16

中國(guó)功率器件市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀

中國(guó)功率器件市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀:功率器件包括功率 IC 和功率分立器件功率分立器件則主要包括功率MOSFET、大功率晶體管和IGBT 等半導(dǎo)體器件,功率器件幾乎用于所有的電子制造業(yè),所應(yīng)用的產(chǎn)品包括
2009-09-23 19:36:41

了解一下SiC器件的未來(lái)需求

引言:前段時(shí)間,Tesla Model3的拆解分析在行業(yè)內(nèi)確實(shí)很火,現(xiàn)在我們結(jié)合最新的市場(chǎng)進(jìn)展,針對(duì)其中使用的碳化硅SiC器件,來(lái)了解一下SiC器件的未來(lái)需求。我們從前一段時(shí)間的報(bào)道了解到:目前
2021-09-15 07:42:00

什么是基于SiCGaN功率半導(dǎo)體器件

元件來(lái)適應(yīng)略微增加的開(kāi)關(guān)頻率,但由于無(wú)功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗[2]。因此,開(kāi)關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力?! 』?SiCGaN功率半導(dǎo)體器件  碳化硅
2023-02-21 16:01:16

傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)

的材料特性,各自都有各自的優(yōu)點(diǎn)和不成熟處,因此在應(yīng)用方面有區(qū)別 。一般的業(yè)界共識(shí)是:SiC適合高于1200V的高電壓大功率應(yīng)用;GaN器件更適合于40-1200V的高頻應(yīng)用。在600V和1200V器件
2021-09-23 15:02:11

基于GaN的開(kāi)關(guān)器件

在過(guò)去的十多年里,行業(yè)專(zhuān)家和分析人士一直在預(yù)測(cè),基于氮化鎵(GaN)功率開(kāi)關(guān)器件的黃金時(shí)期即將到來(lái)。與應(yīng)用廣泛的MOSFET硅功率器件相比,基于GaN功率器件具有更高的效率和更強(qiáng)的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30

報(bào)名 | 寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會(huì)

`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會(huì)”將于7月16日在浙江大學(xué)玉泉校區(qū)舉辦。寬禁帶半導(dǎo)體電力電子技術(shù)的應(yīng)用、寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術(shù)
2017-07-11 14:06:55

有效實(shí)施更長(zhǎng)距離電動(dòng)汽車(chē)用SiC功率器件

雖然電動(dòng)和混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(chē)(EV]從作為功率控制器件的標(biāo)準(zhǔn)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)到基于碳化硅(SiC)襯底和工藝技術(shù)的FET的轉(zhuǎn)變代表了提高EV的效率和整體系統(tǒng)級(jí)特性的重要步驟
2019-08-11 15:46:45

未找到GaN器件

您好,有人能告訴我如何在原理圖窗口中添加GaN器件,因?yàn)楫?dāng)我在ADS的原理圖窗口中搜索它時(shí),它只顯示GaAs,JFET和BJT器件。我想做一個(gè)功率放大器模擬,我需要一個(gè)GaN器件。請(qǐng)?zhí)岢瞿愕慕ㄗh
2019-01-17 15:55:31

未來(lái)發(fā)展導(dǎo)向之Sic功率器件

`①未來(lái)發(fā)展導(dǎo)向之Sic功率器件功率器件”或“功率半導(dǎo)體”已逐漸步入大眾生活,以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立(分立半導(dǎo)體)元器件備受矚目。在科技發(fā)展道路上的,“小型化”和“節(jié)能化
2017-07-22 14:12:43

淺析SiC功率器件SiC SBD

1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD(肖特基勢(shì)壘二極管)結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管(Si的SBD最高耐壓為200V左右)。因此,如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-05-07 06:21:51

第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵/GaN 未來(lái)發(fā)展及技術(shù)應(yīng)用

采用熱傳導(dǎo)率更優(yōu)的SiC做襯底,因此GaN功率器件具有較高的結(jié)溫,能在高溫環(huán)境下工作。不同材料體系射頻器件功率-頻率工作區(qū)間GaN將在高功率,高頻率射頻市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)明顯相比于4G,5G的通信頻段往高頻波段
2019-04-13 22:28:48

第三代半導(dǎo)體材料盛行,GaNSiC如何撬動(dòng)新型功率器件

、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料。  在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。SiC功率器件在C波段以上受頻率的限制,也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22

驅(qū)動(dòng)新一代SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換器的IC生態(tài)系統(tǒng)

Stefano GallinaroADI公司各種應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換器正從純硅IGBT轉(zhuǎn)向SiC/GaN MOSFET。一些市場(chǎng)(比如電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器市場(chǎng))采用新技術(shù)的速度較慢,而另一些市場(chǎng)(比如太陽(yáng)能
2018-10-22 17:01:41

SiC功率器件的封裝技術(shù)要點(diǎn)

SiC功率器件的封裝技術(shù)要點(diǎn)   具有成本效益的大功率高溫半導(dǎo)體器件是應(yīng)用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導(dǎo)體材料,與S
2009-11-19 08:48:432355

PEC-電力電子帶你看SiCGaN技術(shù)與發(fā)展展望

據(jù)權(quán)威媒體分析,SiCGaN器件將大舉進(jìn)入電力電子市場(chǎng),預(yù)計(jì)到2020年,SiCGaN功率器件將分別獲得14%和8%市場(chǎng)份額。未來(lái)電力電子元器件市場(chǎng)發(fā)展將更多地集中到SiCGaN的技術(shù)創(chuàng)新上。
2013-09-18 10:13:112464

基于SiC_GaN功率器件的光電耦合器

安華高科技公司(Avago Technologies)推出了四款光電耦合器新產(chǎn)品,主要用于使用 SiC(碳化硅)和 GaN(氮化鎵)制造的功率半導(dǎo)體器件等的門(mén)極驅(qū)動(dòng)。新產(chǎn)品的最大特點(diǎn)是最大傳播延遲
2017-09-12 16:07:001

第三代半導(dǎo)體材料盛行,GaNSiC如何撬動(dòng)新型功率器件

1.GaN 功率管的發(fā)展微波功率器件近年來(lái)已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅(SiC)、氮鎵(GaN) 為代表的寬禁帶功率管過(guò)渡。SiC、GaN材料
2017-11-09 11:54:529

針對(duì)惡劣環(huán)境應(yīng)用的SiC功率器件

引言SiC功率器件已經(jīng)成為高效率、高電壓及高頻率的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中Si功率器件的可行替代品。正如預(yù)期的優(yōu)越材料
2018-03-20 11:43:024444

SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場(chǎng)前景

本文首先介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場(chǎng)前景,其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問(wèn)題,最后介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件的突破。
2018-05-28 15:33:5410899

介紹 SiC功率器件

使用SiC的新功率器件技術(shù)
2018-06-26 17:56:005775

SiC器件SiC材料的物性和特征,功率器件的特征,SiC MOSFET特征概述

SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,熱導(dǎo)率是Si的3倍,所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:419257

GaNSiC器件或?qū)⒊蔀?b class="flag-6" style="color: red">功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的新型解決方案

基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開(kāi)關(guān)技術(shù)的出現(xiàn)促使性能大幅提升,超越了基于MOSFET和IGBT技術(shù)的傳統(tǒng)系統(tǒng)。
2018-10-04 09:03:004753

GaN功率器件市場(chǎng)趨熱 英飛凌新方案細(xì)節(jié)曝光

EiceDRIVER。籍此我們梳理了一下GaN功率器件在全球市場(chǎng)、產(chǎn)品應(yīng)用和技術(shù)特性方面的信息,以及英飛凌相關(guān)業(yè)務(wù)和此次量產(chǎn)產(chǎn)品的細(xì)節(jié)。
2018-12-06 18:06:214654

GaNSiC器件將成為功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的新型解決方案

基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開(kāi)關(guān)技術(shù)的出現(xiàn)促使性能大幅提升,超越了基于MOSFET和IGBT技術(shù)的傳統(tǒng)系統(tǒng)。
2019-01-05 09:01:093767

一文解析SiC功率器件在充電樁電源模塊中的應(yīng)用

隨著我國(guó)新能源汽車(chē)市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大,充電樁市場(chǎng)發(fā)展前景廣闊。SiC材料的功率器件可以實(shí)現(xiàn)比Si基功率器件更高的開(kāi)關(guān)頻繁,可以提供高功率密度、超小的體積,因此SiC功率器件在充電樁電源模塊中的滲透率不斷增大。
2019-03-02 09:35:1813799

是時(shí)候采用氮化鎵功率器件設(shè)計(jì)DC/DC轉(zhuǎn)換器了

很多工程師提問(wèn)關(guān)于氮化鎵(GaN)及碳化硅(SiC)的異同。GaNSiC都是寬帶隙半導(dǎo)體,因此可以在更小、更快的器件中處理比硅更多的功率。GaN的一個(gè)額外優(yōu)點(diǎn)是可以在器件表面產(chǎn)生二維電子氣(2DEG)。
2019-03-14 17:05:395887

SiC功率器件加速充電樁市場(chǎng)發(fā)展

隨著我國(guó)新能源汽車(chē)市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大,充電樁市場(chǎng)發(fā)展前景廣闊。SiC材料的功率器件可以實(shí)現(xiàn)比Si基功率器件更高的開(kāi)關(guān)頻繁,可以提供高功率密度、超小的體積,因此SiC功率器件在充電樁電源模塊中的滲透率不斷增大。
2019-06-18 17:24:501774

汽車(chē)市場(chǎng)增長(zhǎng) SiC功率器件市場(chǎng)正在崛起

據(jù)麥姆斯咨詢(xún)介紹,由于特斯拉(Tesla)在其主逆變器中采用了SiC器件,2018~2019年SiC功率器件市場(chǎng)吸引了廣泛關(guān)注。其他汽車(chē)廠商是否會(huì)跟進(jìn)應(yīng)用SiC器件成為今年熱議的話(huà)題。近年,汽車(chē)行業(yè)
2019-07-22 16:53:404551

行業(yè) | 全SiC模塊正在加速,SiC功率器件走向繁榮

安森美半導(dǎo)體是功率電子領(lǐng)域的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者之一,在SiC功率器件領(lǐng)域的地位正在迅速攀升。
2019-07-25 08:50:504206

GaN功率電子器件的技術(shù)路線(xiàn)

目前世界范圍內(nèi)圍繞著GaN功率電子器件的研發(fā)工作主要分為兩大技術(shù)路線(xiàn),一是在自支撐Ga N襯底上制作垂直導(dǎo)通型器件的技術(shù)路線(xiàn),另一是在Si襯底上制作平面導(dǎo)通型器件的技術(shù)路線(xiàn)。
2019-08-01 15:00:037275

SiC器件市場(chǎng)有望快速增長(zhǎng)

了巨大的GaN射頻器件市場(chǎng)需求。2019年,GaN射頻市場(chǎng)約為6.42億美元。亞化咨詢(xún)預(yù)計(jì),到2025年GaN射頻器件市場(chǎng)將超過(guò)30億美元。
2020-08-27 10:47:422369

SiCGaN 功率半導(dǎo)體市場(chǎng)趨勢(shì),2019 年以來(lái)發(fā)生了什么變化?

市場(chǎng)收入以?xún)晌粩?shù)增長(zhǎng),到 2029 年將超過(guò) 50 億美元。 GaNSiC 功率半導(dǎo)體全球市場(chǎng)收入預(yù)測(cè)(單位:百萬(wàn)美元) SiC 肖特
2020-11-16 10:19:322223

SiC功率器件GaN功率、射頻器件介紹

,特別適用于5G射頻和高壓功率器件。 據(jù)集邦咨詢(xún)(TrendForce)指出,因疫情趨緩所帶動(dòng)5G基站射頻前端、手機(jī)充電器及車(chē)用能源等需求逐步提升,預(yù)期2021年GaN通訊及功率器件營(yíng)收分別為6.8億和6100萬(wàn)美元,年增30.8%及90.6%,SiC器件功率領(lǐng)域營(yíng)收
2021-05-03 16:18:0010175

SiC功率器件模塊應(yīng)用筆記

的 3 倍,而且在器件制造時(shí)可以在較寬的范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)必要的 P 型、N 型控制,所以被認(rèn)為是一種超越 Si 極限的用于制造功率器件的材料。SiC 存在各種多型體(結(jié)晶多系),它們的物性值也各不相同。最適合于制造功率器件的是 4H-SiC,現(xiàn)在 4inch~6inch 的單晶晶圓已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)。
2021-04-20 16:43:0957

SiC器件頻繁在高功率工業(yè)驅(qū)動(dòng)中應(yīng)用

前言 近年來(lái),電力電子領(lǐng)域最重要的發(fā)展是所謂的寬禁帶(WBG)材料的興起,即碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)。WBG材料的特性有望實(shí)現(xiàn)更小、更快、更高效的電力電子產(chǎn)品。 WBG功率器件已經(jīng)對(duì)從普通
2021-08-13 15:22:002206

國(guó)產(chǎn)SiC & GaN功率器件已達(dá)國(guó)際一流水平,組建歐洲銷(xiāo)售團(tuán)隊(duì)“出海

日前,SiC & GaN功率器件設(shè)計(jì)和方案商派恩杰官方正式宣告與德國(guó)Foxy Power合作組建歐洲&北美銷(xiāo)售團(tuán)隊(duì)。
2021-09-09 09:39:171065

功率器件SiCGaN的電壓變化率與電流變化率

/dt也就越大。影響dv/dt和di/dt的主要因素是器件材料,其次是器件的電壓、電流、溫度以及驅(qū)動(dòng)特性。為了加深大家對(duì)高速功率半導(dǎo)體器件的理解,今天我們以SiCGaN為例來(lái)聊一下這個(gè)話(huà)題,看看高速功率器件的dv/dt和di/dt到底有多大?
2022-04-22 11:29:482477

GaNSiC功率器件的基礎(chǔ)知識(shí)

在基本半導(dǎo)體特性(帶隙、臨界電場(chǎng)和電子遷移率)的材料比較中,GaN 被證明是一種優(yōu)異的材料?!癝i 的帶隙略高于一個(gè)電子伏特,臨界電子場(chǎng)為 0.23 MV/cm,而 GaN 的電子遷移率和帶隙更寬
2022-08-03 08:04:292748

集成汽車(chē) GaN 功率器件

意法半導(dǎo)體?在PCIM Europe?虛擬會(huì)議上首次向業(yè)界展示了該公司用于汽車(chē)應(yīng)用的集成式?STi 2 GaN系列 GaN 功率器件?。利用臺(tái)積電的 GaN 技術(shù)及其自身獨(dú)特的設(shè)計(jì)和封裝專(zhuān)業(yè)知識(shí)
2022-08-03 10:44:57641

GaN扼殺的硅、分立功率器件

。與此同時(shí),一種新材料氮化鎵 (GaN) 正朝著理論性能邊界穩(wěn)步前進(jìn),該邊界比老化的硅 MOSFET 好 6000 倍,比當(dāng)今市場(chǎng)上最好的 GaN 產(chǎn)品好 300 倍(圖1)。 圖 1:一平方毫米器件的理論導(dǎo)通電阻與基于 Si 和 GaN功率器件的阻斷電壓能力。第 4 代(紫色圓點(diǎn))和
2022-08-04 11:17:55587

GaN功率器件在工業(yè)電機(jī)控制領(lǐng)域的應(yīng)用

GaN 功率器件的卓越電氣特性正在逐步淘汰復(fù)雜工業(yè)電機(jī)控制應(yīng)用中的傳統(tǒng) MOSFET 和 IGBT。
2022-08-12 15:31:231530

優(yōu)化SiC功率器件的三個(gè)步驟

鎵 (GaN) 等技術(shù)所需的最高開(kāi)關(guān)速度和系統(tǒng)尺寸限制而設(shè)計(jì)。架構(gòu)的演進(jìn)滿(mǎn)足了新的效率水平和時(shí)序性能的穩(wěn)定性,從而減少了電壓失真。本文以羅姆半導(dǎo)體的基于 SiC 技術(shù)的功率器件為參考點(diǎn)。
2022-08-10 15:22:11813

詳解GaNSiC器件測(cè)試的理想探頭

DL-ISO 高壓光隔離探頭具有 1 GHz 帶寬、2500 V 差分輸入范圍和 60 kV 共模電壓范圍,提供非常高的測(cè)量精度和豐富的連接方式,是GaNSiC 器件測(cè)試的理想探頭。
2022-11-03 17:47:061121

SiC功率器件的發(fā)展及技術(shù)挑戰(zhàn)

碳化硅(SiC)被認(rèn)為是未來(lái)功率器件的革命性半導(dǎo)體材料;許多SiC功率器件已成為卓越的替代電源開(kāi)關(guān)技術(shù),特別是在高溫或高電場(chǎng)的惡劣環(huán)境中。
2022-11-06 18:50:471289

SiC功率器件的現(xiàn)狀與展望!

碳化硅(SiC功率器件具有提高效率、動(dòng)態(tài)性能和可靠性的顯著優(yōu)勢(shì)電子和電氣系統(tǒng)?;仡櫫?b class="flag-6" style="color: red">SiC功率器件發(fā)展的挑戰(zhàn)和前景
2022-11-11 11:06:141503

SIC功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀!

近年來(lái),SiC功率器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和制造工藝日趨完善,已經(jīng)接近其材料特性決定的理論極限,依靠Si器件繼續(xù)完善來(lái)提高裝置與系統(tǒng)性能的潛力十分有限。本文首先介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場(chǎng)前景,其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問(wèn)題,最后介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件的突破。
2022-11-24 10:05:102020

SiCGaN功率電子器件的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用

  隨著硅接近其物理極限,電子制造商正在轉(zhuǎn)向非常規(guī)半導(dǎo)體材料,特別是寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體,如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)。由于寬帶隙材料具有相對(duì)較寬的帶隙(與常用的硅相比),寬帶隙器件可以在高壓、高溫和高頻下工作。寬帶隙器件可以提高能效并延長(zhǎng)電池壽命,這有助于推動(dòng)寬帶隙半導(dǎo)體的市場(chǎng)。
2023-02-05 14:25:15677

SiC功率器件的開(kāi)發(fā)背景和優(yōu)點(diǎn)

SiC功率器件具有優(yōu)于Si功率器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來(lái)將針對(duì)SiC的開(kāi)發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行介紹。通過(guò)將SiC應(yīng)用到功率器件上,實(shí)現(xiàn)以往Si功率器件無(wú)法實(shí)現(xiàn)的低損耗功率轉(zhuǎn)換。不難發(fā)現(xiàn)這是SiC使用到功率器件上的一大理由。
2023-02-09 11:50:19448

使用多個(gè)電流探頭研究SiCGaN功率半導(dǎo)體器件的電極間電容

本文介紹了使用多個(gè)電流探頭研究SiCGaN功率半導(dǎo)體器件的電極間電容。它分為四部分:雙電流探頭法原理、測(cè)量結(jié)果、三電流探頭法原理和測(cè)量結(jié)果。
2023-02-19 17:06:18350

Yole:SiC 器件將占領(lǐng) 30% 的功率器件市場(chǎng)

根據(jù)市場(chǎng)分析機(jī)構(gòu) Yole 預(yù)測(cè),在未來(lái) 5 年內(nèi),SiC 功率器件將很快占據(jù)整個(gè)功率器件市場(chǎng)的 30%,SiC 行業(yè)(從襯底到模塊,包括器件)的增長(zhǎng)率非常高。在Yole看來(lái),到 2027 年,該行
2023-02-20 17:05:161106

SiC功率器件的開(kāi)發(fā)背景和優(yōu)點(diǎn)

前面對(duì)SiC的物理特性和SiC功率器件的特征進(jìn)行了介紹。SiC功率器件具有優(yōu)于Si功率器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來(lái)將針對(duì)SiC的開(kāi)發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行介紹。
2023-02-22 09:15:30346

未來(lái)五年SiC器件市場(chǎng)價(jià)值將達(dá)到60億美元

全球SiC器件產(chǎn)能到2027年將增長(zhǎng)兩倍,排名前五的公司是:ST、英飛凌、Wolfspeed、onsemi和ROHM。Yole Intelligence的分析師預(yù)測(cè),未來(lái)五年SiC器件市場(chǎng)價(jià)值將達(dá)到60億美元,并可能在2030年代初達(dá)到100億美元。
2023-03-27 11:10:00556

GaN功率器件應(yīng)用可靠性增長(zhǎng)研究

GaN功率器件是雷達(dá)T/R組件或發(fā)射功放組件中的核心元器件,隨著器件的輸出功率功率密度越來(lái)越高,器件的長(zhǎng)期可靠性成為瓶頸。文章對(duì)雷達(dá)脈沖工作條件下GaN功率器件的失效機(jī)理進(jìn)行了分析和研究,指出
2023-03-03 14:04:051074

GaNSiC功率器件的特點(diǎn) GaNSiC的技術(shù)挑戰(zhàn)

 SiCGaN被稱(chēng)為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG),因?yàn)閷⑦@些材料的電子從價(jià)帶炸毀到導(dǎo)帶所需的能量:而在硅的情況下,該能量為1.1eV,SiC(碳化硅)為3.3eV,GaN(氮化鎵)為3.4eV。這導(dǎo)致了更高的適用擊穿電壓,在某些應(yīng)用中可以達(dá)到1200-1700V。
2023-08-09 10:23:39431

一文看懂SiC功率器件

范圍內(nèi)控制必要的p型、n型,所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體(結(jié)晶多系),它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作,4H-SiC最為
2023-08-21 17:14:581145

功率半導(dǎo)體器件 氧化鎵市場(chǎng)正在穩(wěn)步擴(kuò)大

調(diào)查結(jié)果顯示,SiC、GaN(氮化鎵)等寬帶隙半導(dǎo)體單晶主要用于功率半導(dǎo)體器件市場(chǎng)正在穩(wěn)步擴(kuò)大。
2023-09-04 15:13:24365

低成本垂直GaN(氮化鎵)功率器件的優(yōu)勢(shì)

GaN因其特性,作為高性能功率半導(dǎo)體材料而備受關(guān)注,近年來(lái)其開(kāi)發(fā)和市場(chǎng)導(dǎo)入不斷加速。GaN功率器件有兩種類(lèi)型:水平型(在硅晶圓上生長(zhǎng)GaN晶體)和垂直型(原樣使用GaN襯底)。
2023-09-13 15:05:25660

分析 丨GaN功率器件格局持續(xù)變化,重點(diǎn)關(guān)注這兩家廠商

年,GaN器件將達(dá)到整個(gè)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的2.7%,市場(chǎng)規(guī)模僅為20.36億美元。 圖注:GaN市場(chǎng)預(yù)測(cè)(芯查查制表,數(shù)據(jù)來(lái)源:Yole)作為第三代半導(dǎo)體材料,GaN被看好是因?yàn)槠渚哂斜裙韪训碾姎馓匦?,另一個(gè)關(guān)鍵點(diǎn)是成本在逐步降低,市場(chǎng)趨勢(shì)表明,GaN器件將在成本上與MOSFET相媲美。新能源
2023-09-21 17:39:211630

長(zhǎng)電科技高可靠性車(chē)載SiC功率器件封裝設(shè)計(jì)

長(zhǎng)電科技在功率器件封裝領(lǐng)域積累了數(shù)十年的技術(shù)經(jīng)驗(yàn),具備全面的功率產(chǎn)品封裝外形,覆蓋IGBT、SiC、GaN等熱門(mén)產(chǎn)品的封裝和測(cè)試。
2023-10-07 17:41:32398

三菱電機(jī)將投資Coherent的SiC業(yè)務(wù) 發(fā)展SiC功率器件業(yè)務(wù)

業(yè)務(wù)分拆成立新公司,并將投資5億美元(約750億日元1)。Coherent一直是三菱電機(jī)的SiC襯底供應(yīng)商,此次投資旨在通過(guò)加強(qiáng)與Coherent的縱向合作,擴(kuò)大其SiC功率器件業(yè)務(wù)。 電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)正在
2023-10-18 19:17:17368

低成本垂直GaN功率器件研究

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,垂直GaN功率器件逐漸憑借其優(yōu)勢(shì)逐漸應(yīng)用在更多的領(lǐng)域中。高質(zhì)量的GaN單晶材料是制備高性能器件的基礎(chǔ)。
2023-12-27 09:32:54374

一文解析SiC功率器件互連技術(shù)

和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓 大、開(kāi)關(guān)頻率高等諸多優(yōu)點(diǎn),因而適用于更高工作頻 率的功率器件。但這些優(yōu)點(diǎn)同時(shí)也給SiC功率器件的互連封裝帶來(lái)了挑戰(zhàn)。
2024-03-07 14:28:43107

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