電子發(fā)燒友App

硬聲App

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>半導(dǎo)體的制造工序介紹 干法刻蝕設(shè)備溫度控制原理

半導(dǎo)體的制造工序介紹 干法刻蝕設(shè)備溫度控制原理

收藏

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴

評論

查看更多

相關(guān)推薦

如何對氮化鎵基發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)進(jìn)行干法刻蝕

氮化鎵作為一種寬帶隙半導(dǎo)體,已被用于制造發(fā)光二極管和激光二極管等光電器件。最近已經(jīng)開發(fā)了幾種用于氮化鎵基材料的不同干蝕刻技術(shù)。電感耦合等離子體刻蝕因其優(yōu)越的等離子體均勻性和強(qiáng)可控性而備受關(guān)注。本研究
2022-04-26 14:07:281762

半導(dǎo)體制造之等離子工藝

等離子體工藝廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造中。比如,IC制造中的所有圖形化刻蝕均為等離子體刻蝕干法刻蝕,等離子體增強(qiáng)式化學(xué)氣相沉積(PECVD)和高密度等離子體化學(xué)氣相沉積 (HDP CVD)廣泛用于電介質(zhì)
2022-11-15 09:57:312626

半導(dǎo)體八大工藝之刻蝕工藝:干法刻蝕

干法蝕刻中,氣體受高頻(主要為 13.56 MHz 或 2.45 GHz)激發(fā)。在 1 到 100 Pa 的壓力下,其平均自由程為幾毫米到幾厘米。
2023-06-20 09:49:163694

干法刻蝕在工藝制程中的分類介紹干法刻蝕關(guān)鍵因素研究)

濕法刻蝕由于精度較差,只適用于很粗糙的制程,但它還是有優(yōu)點(diǎn)的,比如價格便宜,適合批量處理,酸槽里可以一次浸泡25張硅片,所以有些高校和實(shí)驗(yàn)室,還在用濕法做器件,芯片廠里也會用濕法刻蝕來顯露表面缺陷(defect),腐蝕背面多晶硅。
2023-08-28 09:47:44891

干法刻蝕常用設(shè)備的原理及結(jié)構(gòu)

。常見的干法刻蝕設(shè)備有反應(yīng)離子刻蝕機(jī)(RIE)、電感耦合等離子體刻蝕機(jī)(ICP)、磁性中性線等離子體刻蝕機(jī)(NLD)、離子束刻蝕機(jī)(IBE),本文目的對各刻蝕設(shè)備的結(jié)構(gòu)進(jìn)行剖析,以及分析技術(shù)的優(yōu)缺點(diǎn)。
2024-01-20 10:24:561114

什么是刻蝕呢?干法刻蝕與濕法刻蝕又有何區(qū)別和聯(lián)系呢?

半導(dǎo)體加工工藝中,常聽到的兩個詞就是光刻(Lithography)和刻蝕(Etching),它們像倆兄弟一樣,一前一后的出現(xiàn),有著千絲萬縷的聯(lián)系,這一節(jié)介紹半導(dǎo)體刻蝕工藝。
2024-01-26 10:01:58552

半導(dǎo)體設(shè)備廠商,你知道多少?

,分別用在集成電路生產(chǎn)工藝的不同工序里。 以集成電路各類設(shè)備銷售額推算各類設(shè)備比例,在整個半導(dǎo)體設(shè)備市場中,晶圓制造設(shè)備為主體占比81%,封裝設(shè)備占6%,測試設(shè)備占8%,其他設(shè)備占5%。而在晶圓制造設(shè)備中,光刻機(jī)、刻蝕
2019-06-14 16:43:2828295

屹唐半導(dǎo)體科創(chuàng)板IPO進(jìn)展緩慢!干法去膠設(shè)備市占率全球第一,募資30億

所需晶圓加工設(shè)備研發(fā)與銷售為主的技術(shù)驅(qū)動型半導(dǎo)體設(shè)備公司,主要產(chǎn)品包括干法去膠設(shè)備、快速熱處理設(shè)備、干法刻蝕設(shè)備等,主要應(yīng)用于邏輯芯片、閃存芯片、DRAM芯片三大主流應(yīng)用領(lǐng)域。 截至2021年6月底,屹唐半導(dǎo)體產(chǎn)品全球累計(jì)裝機(jī)數(shù)量已超過3800臺
2023-02-25 01:09:0021515

比肩國際大廠,刻蝕設(shè)備會是率先實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)替代的嗎?

的成熟程度也間接決定了產(chǎn)品的良率和吞吐量。 ? 這每一道工序中,都有所需的對應(yīng)設(shè)備,比如光刻所需的EUV、DUV光刻機(jī),刻蝕所需的干法、濕法刻蝕機(jī),以及化學(xué)、物理氣相沉積所需的CVD、PVD設(shè)備等等。光刻機(jī)作為半導(dǎo)體制造的核心
2023-07-30 03:24:481557

6英寸半導(dǎo)體工藝代工服務(wù)

鋁、干法刻蝕鈦、干法刻蝕氮化鈦等)20、 等離子去膠21、 DRIE (硅深槽刻蝕)、ICP、TSV22、 濕法刻蝕23、 膜厚測量24、 納米、微米臺階測量25、 電阻、方阻、電阻率測量等26、 半導(dǎo)體
2015-01-07 16:15:47

半導(dǎo)體刻蝕工藝

半導(dǎo)體刻蝕工藝
2021-02-05 09:41:23

半導(dǎo)體塑封設(shè)備

本人小白,最近公司想上半導(dǎo)體器件的塑封生產(chǎn)線,主要是小型貼片器件封裝,例如sot系列。設(shè)備也不需要面面俱到,能進(jìn)行小規(guī)模正常生產(chǎn)就行。哪位大神能告知所需設(shè)備的信息,以及這些設(shè)備的國內(nèi)外生產(chǎn)廠家,在此先行感謝!
2022-01-22 12:26:47

半導(dǎo)體失效分析項(xiàng)目介紹

半導(dǎo)體失效分析項(xiàng)目介紹,主要包括點(diǎn)針工作站(Probe Station)、反應(yīng)離子刻蝕(RIE)、微漏電偵測系統(tǒng)(EMMI)、X-Ray檢測,缺陷切割觀察系統(tǒng)(FIB系統(tǒng))等檢測試驗(yàn)。
2020-11-26 13:58:28

半導(dǎo)體式光纖溫度傳感器如何建模?

哪位大神可以詳細(xì)介紹一下半導(dǎo)體式光纖溫度傳感器的建模、仿真與實(shí)驗(yàn)
2021-04-07 06:42:55

半導(dǎo)體景氣關(guān)鍵指標(biāo)下滑 半導(dǎo)體設(shè)備大廠首當(dāng)其沖

半導(dǎo)體景氣關(guān)鍵指標(biāo)北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商接單出貨比(B/B值),8月雖站上五個月來新高達(dá)1.06,但國際半導(dǎo)體設(shè)備材料協(xié)會(SEMI)預(yù)警未來幾個月將下滑,國際一線半導(dǎo)體設(shè)備大廠營運(yùn)首當(dāng)其沖?! 
2015-11-27 17:53:59

半導(dǎo)體材料有什么種類?

半導(dǎo)體材料從發(fā)現(xiàn)到發(fā)展,從使用到創(chuàng)新,擁有這一段長久的歷史。宰二十世紀(jì)初,就曾出現(xiàn)過點(diǎn)接觸礦石檢波器。1930年,氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應(yīng)用,是半導(dǎo)體材料開始受到重視。1947年鍺點(diǎn)接觸三極管制成,成為半導(dǎo)體的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15

半導(dǎo)體清洗設(shè)備

蘇州晶淼專業(yè)生產(chǎn)半導(dǎo)體、光伏、LED等行業(yè)清洗腐蝕設(shè)備,可根據(jù)要求定制濕法腐蝕設(shè)備。晶淼半導(dǎo)體為國內(nèi)專業(yè)微電子、半導(dǎo)體行業(yè)腐蝕清洗設(shè)備供應(yīng)商,歡迎來電咨詢。電話:***,13771786452王經(jīng)理
2016-09-05 10:40:27

半導(dǎo)體濕法腐蝕設(shè)備

蘇州晶淼半導(dǎo)體設(shè)備有限公司致力于向客戶提供濕法制程刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備、高端PP/PVC通風(fēng)柜/廚、CDS化學(xué)品集中供液系統(tǒng)等一站式解決方案。我們的產(chǎn)品廣泛應(yīng)用與微電子、半導(dǎo)體、光伏、光通信、LED等
2016-09-06 13:53:08

半導(dǎo)體的熱管理解析

功率半導(dǎo)體的熱管理對于元件運(yùn)行的可靠性和使用壽命至關(guān)重要。本設(shè)計(jì)實(shí)例介紹的愛普科斯(EPCOS)負(fù)溫度系數(shù)(NTC)和正溫度系數(shù)(PTC)熱敏電阻系列,可以幫助客戶可靠地監(jiān)測半導(dǎo)體元件的溫度。
2020-08-19 06:50:50

半導(dǎo)體芯片的制造技術(shù)

半導(dǎo)體芯片制造技術(shù)英文版教材,需要的聯(lián)系我吧。太大了,穿不上來。
2011-10-26 10:01:25

半導(dǎo)體制造

制造半導(dǎo)體器件時,為什么先將導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的硅或鍺制成本征半導(dǎo)體,使之導(dǎo)電性極差,然后再用擴(kuò)散工藝在本征半導(dǎo)體中摻入雜質(zhì)形成N型半導(dǎo)體或P型半導(dǎo)體改善其導(dǎo)電性?
2012-07-11 20:23:15

半導(dǎo)體制造的難點(diǎn)匯總

以及降低成本。由于半導(dǎo)體制造的工藝性涉及多個行業(yè),專門從事供應(yīng)的行業(yè)發(fā)展起來以提供硅片制造需要的化學(xué)材料和設(shè)備。眾多高技術(shù)公司于20世紀(jì)60年代成立:1968年,成立英特爾公司。1969年,成立AMD。20
2020-09-02 18:02:47

EUV熱潮不斷 中國如何推進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)發(fā)展?

ofweek電子工程網(wǎng)訊 國際半導(dǎo)體制造龍頭三星、臺積電先后宣布將于2018年量產(chǎn)7納米晶圓制造工藝。這一消息使得業(yè)界對半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵設(shè)備之一極紫外光刻機(jī)(EUV)的關(guān)注度大幅提升。此后又有媒體
2017-11-14 16:24:44

SPC在半導(dǎo)體半導(dǎo)體晶圓廠的實(shí)際應(yīng)用

過程與機(jī)臺,以提高良率和總體設(shè)備效能。而統(tǒng)計(jì)過程控制(Statistical Process Control,SPC)是目前國內(nèi)外發(fā)展APC最常用的一種技術(shù),本文將主要論述SPC在半導(dǎo)體晶圓制造
2018-08-29 10:28:14

Sic mesfet工藝技術(shù)研究與器件研究

30 dBm,增益大于5 dB。關(guān)鍵詞:碳化硅;金屬?半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管;犧牲氧化;干法刻蝕;等平面工藝
2009-10-06 09:48:48

半導(dǎo)體制造工藝》學(xué)習(xí)筆記

`《半導(dǎo)體制造工藝》學(xué)習(xí)筆記`
2012-08-20 19:40:32

《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》GaN 基板的表面處理

表面的預(yù)處理 治療2.2 GaN襯底的CMP處理2.3 GaN襯底的ICP干法刻蝕2.4 表面處理后的表面和次表面評估3. 結(jié)果和討論3.1 GaN襯底的CMP處理3.2 GaN襯底的ICP干法刻蝕
2021-07-07 10:26:01

《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》在硅上生長的 InGaN 基激光二極管的腔鏡的晶圓制造

`書籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章:在硅上生長的 InGaN 基激光二極管的腔鏡的晶圓制造編號:JFSJ-21-034作者:炬豐科技 摘要:在硅 (Si) 上生長的直接帶隙 III-V
2021-07-09 10:21:36

【新加坡】知名半導(dǎo)體晶圓代工廠招聘資深刻蝕工藝工程師和刻蝕設(shè)備主管!

新加坡知名半導(dǎo)體晶圓代工廠招聘資深刻蝕工藝工程師和刻蝕設(shè)備主管!此職位為內(nèi)部推薦,深刻蝕工藝工程師需要有LAM 8寸機(jī)臺poly刻蝕經(jīng)驗(yàn)。刻蝕設(shè)備主管需要熟悉LAM8寸機(jī)臺。待遇優(yōu)厚。有興趣的朋友可以將簡歷發(fā)到我的郵箱sternice81@gmail.com,我會轉(zhuǎn)發(fā)給HR。
2017-04-29 14:23:25

【轉(zhuǎn)帖】干法刻蝕的優(yōu)點(diǎn)和過程

蒸發(fā),所以刻蝕要在一個裝有冷卻蓋的密封回流容器中進(jìn)行。主要問題是光刻膠層經(jīng)不起刻蝕劑的溫度和高刻蝕速率。因此,需要一層二氧化硅或其他材料來阻擋刻蝕劑。這兩個因素已導(dǎo)致對于氮化硅使用干法刻蝕技術(shù)。蒸汽刻蝕
2018-12-21 13:49:20

三星半導(dǎo)體誠聘以下人員

半導(dǎo)體原材料/工序不良的原因- 預(yù)防半導(dǎo)體設(shè)備配件的品質(zhì)活動- 查明原材料基因 FAB 工序不良的真正原因及改善活動任職資格:- 本科及以上學(xué)歷,化學(xué)、化工、材料、新原材料、機(jī)械等相關(guān)專業(yè)- 有無
2013-05-08 15:02:12

主流的射頻半導(dǎo)體制造工藝介紹

1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類,元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體,化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍,非常適合
2019-07-29 07:16:49

仿真技術(shù)在半導(dǎo)體和集成電路生產(chǎn)流程優(yōu)化中的應(yīng)用

在產(chǎn)品工序的繁多,對設(shè)備的高利用率要求,和最特殊的是,“再進(jìn)入”(Re-entry)的流程特點(diǎn),也就是產(chǎn)品在加工過程中要多次返回到同一設(shè)備進(jìn)行不同工序的加工。這種特殊的工藝流程特點(diǎn)決定了半導(dǎo)體集成電路
2009-08-20 18:35:32

關(guān)于半導(dǎo)體設(shè)備

想問一下,半導(dǎo)體設(shè)備需要用到溫度傳感器的有那些設(shè)備,比如探針臺有沒有用到,具體要求是那些,
2024-03-08 17:04:59

列數(shù)芯片制造所需設(shè)備

芯片是未來眾多高技術(shù)產(chǎn)業(yè)的食糧,芯片設(shè)計(jì)制造技術(shù)成為世界主要大國競爭的最重要領(lǐng)域之一。而芯片生產(chǎn)設(shè)備又為芯片大規(guī)模制造提供制造基礎(chǔ),因此更是整個半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)金字塔頂端的尖尖。下面是小編帶領(lǐng)大家
2018-09-03 09:31:49

單片機(jī)晶圓制造工藝及設(shè)備詳解

今日分享晶圓制造過程中的工藝及運(yùn)用到的半導(dǎo)體設(shè)備。晶圓制造過程中有幾大重要的步驟:氧化、沉積、光刻、刻蝕、離子注入/擴(kuò)散等。這幾個主要步驟都需要若干種半導(dǎo)體設(shè)備,滿足不同的需要。設(shè)備中應(yīng)用較為廣泛
2018-10-15 15:11:22

國產(chǎn)設(shè)備如何立足半導(dǎo)體市場

增長態(tài)勢,將勢必拉動對所有半導(dǎo)體設(shè)備的旺盛需求。但用于太陽能電池、LED、LCD、MEMS、電力電子器件等制造工藝的半導(dǎo)體設(shè)備和用于IC大生產(chǎn)線的翻新設(shè)備如各種擴(kuò)散爐、離子注入機(jī)、刻蝕機(jī)、光刻機(jī)、CVD
2008-08-16 23:05:04

基于半導(dǎo)體制冷片的高精度溫度控制系統(tǒng),總結(jié)的太棒了

基于半導(dǎo)體制冷片的高精度溫度控制系統(tǒng),總結(jié)的太棒了
2021-05-08 06:20:22

好消息全球最大半導(dǎo)體設(shè)備制造商落子揚(yáng)州

記者近日從揚(yáng)州經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)獲悉,全球最大半導(dǎo)體設(shè)備制造商——美國應(yīng)用材料公司的裝備制造項(xiàng)目近日成功簽約落戶當(dāng)?shù)?,這是該公司在內(nèi)地建設(shè)的首個設(shè)備制造基地。美國應(yīng)用材料公司是全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備制造
2011-07-31 08:52:04

如何實(shí)現(xiàn)基于STM32的半導(dǎo)體制冷片(TEC)溫度控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)?

如何實(shí)現(xiàn)基于STM32的半導(dǎo)體制冷片(TEC)溫度控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)?
2021-12-23 06:07:59

如何用半導(dǎo)體制冷片制作小冰箱?

想用半導(dǎo)體制冷片制作小冰箱,需要用到大功率電源,半導(dǎo)體制冷片,還有散熱系統(tǒng),單片機(jī)控制系統(tǒng),能調(diào)溫度,還能顯示溫度,具體的思路已經(jīng)有了,想問問你們有沒好點(diǎn)的意見,能盡量提高點(diǎn)效率還有溫度調(diào)節(jié)的精度
2020-08-27 08:07:58

想了解半導(dǎo)體制造相關(guān)知識

{:1:}想了解半導(dǎo)體制造相關(guān)知識
2012-02-12 11:15:05

振奮!中微半導(dǎo)體國產(chǎn)5納米刻蝕機(jī)助力中國芯

形成電路,而“濕法”刻蝕(使用化學(xué)?。┲饕糜谇鍧嵕A。 干法刻蝕半導(dǎo)體制造中最常用的工藝之一。 開始刻蝕前,晶圓上會涂上一層光刻膠或硬掩膜(通常是氧化物或氮化物),然后在光刻時將電路圖形曝光在晶圓
2017-10-09 19:41:52

提供半導(dǎo)體二手及翻新設(shè)備(前道和后道)

,***等地設(shè)有分公司,公司業(yè)務(wù)遍及世界各地,并與多家知名半導(dǎo)體制造廠保持良好的關(guān)系與密切的合作。公司配有豐富經(jīng)驗(yàn)的工程師技術(shù)服務(wù)團(tuán)隊(duì),并擁有多家成功的服務(wù)案例。同時,公司還代理國外多家設(shè)備生產(chǎn)企業(yè)
2009-10-14 11:05:53

有需要半導(dǎo)體設(shè)備的嗎

蘇州晶淼有限公司專業(yè)制作半導(dǎo)體設(shè)備、LED清洗腐蝕設(shè)備、硅片清洗、酸洗設(shè)備等王經(jīng)理***/13771786452
2016-07-20 11:58:26

維信諾集團(tuán)~誠聘工程師

面表達(dá)能力,可以使用英語或日語或者韓語進(jìn)行溝通者佳;4. 優(yōu)先考慮具有3年及以上干法刻蝕經(jīng)驗(yàn)工藝工程師;5. 熟悉TFT原理及制造工藝流程;6. 有設(shè)備評估經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先,有設(shè)備安裝調(diào)試經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先。四、實(shí)驗(yàn)
2017-02-04 10:04:52

芯片制造-半導(dǎo)體工藝制程實(shí)用教程

芯片制造-半導(dǎo)體工藝制程實(shí)用教程學(xué)習(xí)筆記[/hide]
2009-11-18 11:44:51

蘇州華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司招賢納士

、具有半導(dǎo)體器件工藝開發(fā)工作經(jīng)歷,3年以上工作經(jīng)驗(yàn),4、具有良好的團(tuán)隊(duì)合作精神和進(jìn)取精神三、半導(dǎo)體刻蝕工藝工程師職責(zé)描述:1、 獨(dú)立負(fù)責(zé)干法、濕法刻蝕工藝,進(jìn)行刻蝕工藝菜單的調(diào)試; 2、優(yōu)化干法刻蝕、濕法
2016-10-26 17:05:04

請教碳化硅刻蝕工藝

最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設(shè)備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50

請問怎么單片機(jī)怎么控制半導(dǎo)體片的電流方向?

畢業(yè)設(shè)計(jì)的要求是用單片機(jī)設(shè)計(jì)一個溫度測量電路,通過測量得到的溫度控制半導(dǎo)體片的電流方向,從而達(dá)到控制兩面的溫度!這個要怎么做,求大神
2020-03-25 00:26:51

適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況介紹

,元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體,化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。隨著無線通信的發(fā)展,高頻電路應(yīng)用越來越廣,今天我們來介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況。
2019-06-27 06:18:41

釋放MEMS機(jī)械結(jié)構(gòu)的干法刻蝕技術(shù)

Microstructures在SEMICON China期間推出了干法刻蝕模塊與氧化物釋放技術(shù),該技術(shù)為MEMS器件設(shè)計(jì)師提供了更多的生產(chǎn)選擇,同時帶來了寬泛的制造工藝窗口,從而使良率得到了提升。麥|斯
2013-11-04 11:51:00

#MEMS與微系統(tǒng) 體微加工技術(shù)—干法刻蝕設(shè)備與應(yīng)用

刻蝕
電子技術(shù)那些事兒發(fā)布于 2022-10-13 21:20:40

#半導(dǎo)體制造工藝 氣體等離子體中的干法刻蝕刻蝕各向異性第2部分

等離子體等離子制造工藝半導(dǎo)體制造等離子體技術(shù)集成電路工藝
電子技術(shù)那些事兒發(fā)布于 2022-10-15 15:27:28

#硬聲創(chuàng)作季 #集成電路 集成電路制造工藝-04.3干法刻蝕-干法刻蝕

工藝制造工藝刻蝕
水管工發(fā)布于 2022-10-17 20:09:24

釋放MEMS機(jī)械結(jié)構(gòu)的干法刻蝕技術(shù)

釋放MEMS機(jī)械結(jié)構(gòu)的干法刻蝕技術(shù)   濕法刻蝕是MEMS 器件去除犧牲材料的傳統(tǒng)工藝,總部位于蘇格蘭的Point 35 Microstructures在SEMICON C
2009-11-18 09:17:32880

瑞薩科技半導(dǎo)體后道工序廠房完成擴(kuò)建

瑞薩科技半導(dǎo)體后道工序廠房完成擴(kuò)建 2010年2月3日,株式會社瑞薩科技(以下簡稱瑞薩)宣布位于北京的半導(dǎo)體后道工序廠房已完成擴(kuò)建。該廠房投資近40億日元,用以提
2010-02-08 09:16:44922

干法刻蝕原理

干法刻蝕原理 刻蝕作用:去除邊緣PN結(jié),防止上下短路。干法刻蝕原理:利用高頻輝光放電反應(yīng),使CF4氣體激活成活性粒子,這些活性
2010-07-18 11:28:205637

半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的前工序和后工序的中端存在大量商機(jī)

半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的分析師JeromeBaron這樣指出:在處于半導(dǎo)體工序和后工序中間位置的“中端”領(lǐng)域,具有代表性的技術(shù)包括晶圓級封裝(WLP)及采用TSV(硅通孔)的硅轉(zhuǎn)接板等,潛藏著
2011-08-12 23:56:051194

[10.3.1]--干法刻蝕

集成電路制造集成電路工藝
學(xué)習(xí)電子知識發(fā)布于 2022-11-24 20:46:32

國內(nèi)外半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)與市場

概述了國內(nèi)外半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)動態(tài), 介紹了光刻技術(shù)、CMP 技術(shù)、膜生長技術(shù)、刻蝕技術(shù)、離子注入技術(shù)、清洗技術(shù)及封裝技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀和技術(shù)趨勢, 預(yù)測了全球半導(dǎo)體制造設(shè)備未來市
2011-10-31 16:28:5937

半導(dǎo)體制造刻蝕設(shè)備調(diào)度算法的研究_賈小恒

半導(dǎo)體制造刻蝕設(shè)備調(diào)度算法的研究_賈小恒
2017-03-19 11:28:162

應(yīng)用于等離子體干法刻蝕設(shè)備的射頻源

目前市場上,一臺新的干法刻蝕設(shè)備使用的射頻源售價大概在1萬美金左右,而維修一臺射頻源的費(fèi)用一般也要1萬元人民幣以上,可見其費(fèi)用相當(dāng)昂貴。本著節(jié)約成木的原則,本單位對在使用中出現(xiàn)故障的射頻源進(jìn)行自主
2018-06-08 09:19:007395

盤點(diǎn)半導(dǎo)體制造工藝中的主要設(shè)備及材料

半導(dǎo)體設(shè)備和材料處于產(chǎn)業(yè)鏈的上游,是推動技術(shù)進(jìn)步的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。半導(dǎo)體設(shè)備和材料應(yīng)用于集成電路、LED等多個領(lǐng)域,其中以集成電路的占比和技術(shù)難度最高。 01IC制造工藝流程及其所需設(shè)備和材料 半導(dǎo)體產(chǎn)品
2018-10-13 18:28:014193

兩種基本的刻蝕工藝:干法刻蝕和濕法腐蝕

反刻是在想要把某一層膜的總的厚度減小時采用的(如當(dāng)平坦化硅片表面時需要減小形貌特征)。光刻膠是另一個剝離的例子??偟膩碚f,有圖形刻蝕和無圖形刻蝕工藝條件能夠采用干法刻蝕或濕法腐蝕技術(shù)來實(shí)現(xiàn)。為了復(fù)制硅片表面材料上的掩膜圖形,刻蝕必須滿足一些特殊的要求。
2018-12-14 16:05:2768523

中微半導(dǎo)體獲長江存儲9臺刻蝕設(shè)備訂單

據(jù)浦東時報報道,2020年開年,中微半導(dǎo)體成功中標(biāo)長江存儲9臺刻蝕設(shè)備訂單。
2020-01-08 10:49:094292

中國半導(dǎo)體設(shè)備發(fā)展的現(xiàn)狀是怎么樣的

7%,其他 3%。其中晶圓制造設(shè)備半導(dǎo)體設(shè)備中占比最大,進(jìn)一步細(xì)分晶圓制造設(shè)備類型,光刻機(jī)占比 30%,刻蝕 20%,PVD15%,CVD10%,量測 10%,離子注入5%,拋光 5%,擴(kuò)散 5%。
2020-02-18 15:58:1711234

全球半導(dǎo)體清洗設(shè)備行業(yè)馬太效應(yīng)明顯,濕法清洗占據(jù)市場90%份額

半導(dǎo)體清洗設(shè)備直接影響集成電路的成品率,是貫穿半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的重要環(huán)節(jié),在單晶硅片制造、光刻、刻蝕、沉積等關(guān)鍵制程及封裝工藝中均為必要環(huán)節(jié),約占所有芯片制造工序步驟30%以上,且隨著節(jié)點(diǎn)的推進(jìn),清洗工序的數(shù)量和重要性會繼續(xù)提升,清洗設(shè)備的需求量也將相應(yīng)增加。
2020-12-08 14:37:347430

GaN材料干法刻蝕工藝在器件工藝中有著廣泛的應(yīng)用

形貌。在優(yōu)化后的刻蝕工藝條件下GaN材料刻蝕速率達(dá)到340nm/min,側(cè)墻傾斜度大于8O。且刻蝕表均方根粗糙度小于3nm。對引起干法刻蝕損傷的因索進(jìn)行了討論,并介紹了幾種減小刻蝕損傷的方法。 氮化鎵(GaN
2020-12-29 14:39:292909

干法刻蝕之鋁刻蝕介紹,它的原理是怎樣的

在集成電路的制造過程中,刻蝕就是利用化學(xué)或物理方法有選擇性地從硅片表面去除不需要的材料的過程。從工藝上區(qū)分,刻蝕可以分為濕法刻蝕干法刻蝕。前者的主要特點(diǎn)是各向同性刻蝕;后者是利用等離子體來進(jìn)行
2020-12-29 14:42:588547

詳細(xì)分析碳化硅(SiC)器件制造工藝中的干法刻蝕技術(shù)

摘要:簡述了在SiC材料半導(dǎo)體器件制造工藝中,對SiC材料采用干法刻蝕工藝的必要性.總結(jié)了近年來SiC干法刻蝕技術(shù)的工藝發(fā)展?fàn)顩r. 半導(dǎo)體器件已廣泛應(yīng)用于各種場合,近年來其應(yīng)用領(lǐng)域已拓展至許多
2020-12-30 10:30:117638

中微半導(dǎo)體5nm刻蝕機(jī)成功打入臺積電生產(chǎn)線

刻蝕半導(dǎo)體制造中十分關(guān)鍵的一環(huán),刻蝕通過物理或化學(xué)方法將硅片表面不需要的材料去除,從而將掩膜圖形正確的復(fù)制到涂膠硅片上。
2021-02-23 16:41:573382

關(guān)于半導(dǎo)體封裝測試設(shè)備的應(yīng)用介紹

半導(dǎo)體制造是人類迄今為止掌握的工業(yè)技術(shù)難度最高的生產(chǎn)環(huán)節(jié),是先進(jìn)制造領(lǐng)域皇冠上的一顆鉆石。隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷發(fā)展,芯片線寬尺寸不斷減小,制造工序逐漸復(fù)雜。目前國際上7 nm制程已進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化階段,需要
2021-11-17 16:31:453159

一種干法各向異性刻蝕石墨和石墨烯的方法

我們?nèi)A林科納研究了一種干法各向異性刻蝕石墨和石墨烯的方法,能夠通過調(diào)整蝕刻參數(shù),如等離子體強(qiáng)度、溫度和持續(xù)時間,從邊緣控制蝕刻,蝕刻過程歸因于碳原子的氫化和揮發(fā),蝕刻動力學(xué)與甲烷形成一致,這種簡單、干凈、可控且可擴(kuò)展的技術(shù)與現(xiàn)有的半導(dǎo)體處理技術(shù)兼容。
2022-05-19 17:06:461781

干法刻蝕工藝介紹

刻蝕半導(dǎo)體IC制造中的至關(guān)重要的一道工藝,一般有干法刻蝕和濕法刻蝕兩種,干法刻蝕和濕法刻蝕一個顯著的區(qū)別是各向異性,更適合用于對形貌要求較高的工藝步驟。
2022-06-13 14:43:316

干法刻蝕解決RIE中無法得到高深寬比結(jié)構(gòu)或陡直壁問題

在 MEMS 制造工藝中,常用的干法刻蝕包括反應(yīng)離子刻蝕 (Reactive lon Etching, RIE)、深反應(yīng)離子刻蝕(Deep Reactive lon Etching, DRIE) 和XerF2各向同性蝕刻。
2022-10-10 10:12:153281

干法刻蝕和清洗(Dry Etch and Cleaning)

干法刻蝕工藝流程為,將刻蝕氣體注入真空反應(yīng)室,待壓力穩(wěn)定后,利用射頻輝光放電產(chǎn)生等離子體;受高速電子撞擊后分解產(chǎn)生自由基,并擴(kuò)散到圓片表面被吸附。
2022-11-10 09:54:193264

濕法刻蝕和清洗(Wet Etch and Cleaning)

濕法刻蝕是集成電路制造工藝最早采用的技術(shù)之一。雖然由于受其刻蝕的各向同性的限制,使得大部分的濕法刻蝕工藝被具有各向異性的干法刻蝕替代,但是它在尺寸較大的非關(guān)鍵層清洗中依然發(fā)揮著重要的作用。
2022-11-11 09:34:187251

電子封裝原理與技術(shù) 芯片制造的挑戰(zhàn)

目前制作硅通孔的主要手段有濕法刻蝕,激光加工和干法刻蝕(深反應(yīng)離子刻蝕, DRIE )三種。
2022-12-07 11:26:20282

半導(dǎo)體設(shè)備分類

半導(dǎo)體設(shè)備可分為前道工藝設(shè)備(晶圓制造)和后道工藝設(shè)備(封裝測試)兩個大類。其中后道工藝設(shè)備還可以細(xì)分為封裝設(shè)備和測試設(shè)備。設(shè)備中的前道設(shè)備占據(jù)了整個市場的80%-85%,其中光刻機(jī),刻蝕機(jī)和薄膜
2023-01-30 16:56:384468

濕法和干法刻蝕圖形化的刻蝕過程討論

刻蝕是移除晶圓表面材料,達(dá)到IC設(shè)計(jì)要求的一種工藝過程。刻蝕有兩種:一種為圖形 化刻蝕,這種刻蝕能將指定區(qū)域的材料去除,如將光刻膠或光刻版上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底薄膜 上
2023-02-01 09:09:351748

ICP刻蝕氮化鎵基LED結(jié)構(gòu)的研究

氮化鎵作為一種寬帶隙半導(dǎo)體,已被用于制造發(fā)光二極管和激光二極管等光電器件。最近已經(jīng)開發(fā)了幾種用于氮化鎵基材料的 不同干蝕刻技術(shù)。電感耦合等離子體刻蝕因其優(yōu)越的等離子體均勻性和強(qiáng)可控性而備受關(guān)注
2023-02-22 15:45:410

半導(dǎo)體行業(yè)之刻蝕工藝介紹

壓力主要控制刻蝕均勻性和刻蝕輪廓,同時也能影響刻蝕速率和選擇性。改變壓力會改變電子和離子的平均自由程(MFP),進(jìn)而影響等離子體和刻蝕速率的均勻性。
2023-04-17 10:36:431922

劃片機(jī):晶圓加工第四篇—刻蝕的兩種方法

刻蝕在晶圓上完成電路圖的光刻后,就要用刻蝕工藝來去除任何多余的氧化膜且只留下半導(dǎo)體電路圖。要做到這一點(diǎn)需要利用液體、氣體或等離子體來去除選定的多余部分。刻蝕的方法主要分為兩種,取決于所使用的物質(zhì)
2022-07-12 15:49:251454

BJCORE半導(dǎo)體劃片機(jī)設(shè)備——封裝的八道工序

半導(dǎo)體產(chǎn)品的制造過程主要包括前道晶圓制造和后道封裝測試,隨著先進(jìn)封裝技術(shù)的浸透,呈現(xiàn)了介于晶圓制造和封裝之間的加工環(huán)節(jié),稱為中道)。半導(dǎo)體產(chǎn)品的加工工序多,在制造過程中需求大量的半導(dǎo)體設(shè)備。在這里
2023-03-27 09:43:57485

半導(dǎo)體八大工藝之刻蝕工藝-干法刻蝕

離子束蝕刻 (Ion beam etch) 是一種物理干法蝕刻工藝。由此,氬離子以約1至3keV的離子束輻射到表面上。由于離子的能量,它們會撞擊表面的材料。晶圓垂直或傾斜入離子束,蝕刻過程是絕對
2023-06-20 09:48:563990

半導(dǎo)體圖案化工藝流程之刻蝕(一)

Dimension, CD)小型化(2D視角),刻蝕工藝從濕法刻蝕轉(zhuǎn)為干法刻蝕,因此所需的設(shè)備和工藝更加復(fù)雜。由于積極采用3D單元堆疊方法,刻蝕工藝的核心性能指數(shù)出現(xiàn)波動,從而刻蝕工藝與光刻工藝成為半導(dǎo)體制造的重要工藝流程之一。
2023-06-26 09:20:10816

ALD是什么?半導(dǎo)體制造的基本流程

半導(dǎo)體制造過程中,每個半導(dǎo)體元件的產(chǎn)品都需要經(jīng)過數(shù)百道工序。這些工序包括前道工藝和后道工藝,前道工藝是整個制造過程中最為重要的部分,它關(guān)系到半導(dǎo)體芯片的基本結(jié)構(gòu)和特性的形成,涉及晶圓制造、沉積、光刻、刻蝕等步驟,技術(shù)難點(diǎn)多,操作復(fù)雜。
2023-07-11 11:25:552902

干法刻蝕工藝介紹 硅的深溝槽干法刻蝕工藝方法

第一種是間歇式刻蝕方法(BOSCH),即多次交替循環(huán)刻蝕和淀積工藝,刻蝕工藝使用的是SF6氣體,淀積工藝使用的是C4F8氣體
2023-07-14 09:54:463214

北方華創(chuàng):12英寸CCP晶邊干法刻蝕設(shè)備已在客戶端實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

半導(dǎo)體工程裝備、北方華創(chuàng)的主要品種是刻蝕、薄膜、清洗、熱處理、晶體生長等核心技術(shù)裝備,廣泛應(yīng)用邏輯部件,存儲半導(dǎo)體零部件、先進(jìn)封裝、第三代半導(dǎo)體照明、微機(jī)電系統(tǒng)、新型顯示、新能源,襯底材料制造等工藝過程。
2023-09-18 09:47:19578

北方華創(chuàng)12英寸CCP晶邊干法刻蝕設(shè)備已在客戶端實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

9月17日,北方華創(chuàng)在投資者互動平臺表示,公司前期已經(jīng)發(fā)布了首臺國產(chǎn)12英寸CCP晶邊干法刻蝕設(shè)備研發(fā)成功有關(guān)信息,目前已在客戶端實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),其優(yōu)秀的工藝均勻性、穩(wěn)定性贏得客戶高度評價。
2023-09-20 10:09:49559

干法刻蝕與濕法刻蝕各有什么利弊?

半導(dǎo)體制造中,刻蝕工序是必不可少的環(huán)節(jié)。而刻蝕又可以分為干法刻蝕與濕法刻蝕,這兩種技術(shù)各有優(yōu)勢,也各有一定的局限性,理解它們之間的差異是至關(guān)重要的。
2023-09-26 18:21:003307

干法刻蝕的負(fù)載效應(yīng)是怎么產(chǎn)生的?有什么危害?如何抑制呢?

有過深硅刻蝕的朋友經(jīng)常會遇到這種情況:在一片晶圓上不同尺寸的孔或槽刻蝕速率是不同的。
2023-10-07 11:29:171454

工信部就干法刻蝕設(shè)備測試方法等行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)公開征集意見

據(jù)工信部網(wǎng)站11月16日消息,工信部公開征集了《半導(dǎo)體設(shè)備 集成電路制造干法刻蝕設(shè)備測試方法》等196個行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)、1個行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)外文版、38個推薦性國家標(biāo)準(zhǔn)計(jì)劃項(xiàng)目的意見。
2023-11-16 17:04:49652

半導(dǎo)體前端工藝(第四篇):刻蝕——有選擇性地刻蝕材料,以創(chuàng)建所需圖形

半導(dǎo)體前端工藝(第四篇):刻蝕——有選擇性地刻蝕材料,以創(chuàng)建所需圖形
2023-11-27 16:54:26256

北方華創(chuàng)公開“刻蝕方法和半導(dǎo)體工藝設(shè)備”相關(guān)專利

該專利詳細(xì)闡述了一種針對含硅有機(jī)介電層的高效刻蝕方法及相應(yīng)的半導(dǎo)體工藝設(shè)備。它主要涉及到通過交替運(yùn)用至少兩個刻蝕步驟來刻蝕含硅有機(jī)介電層。這兩個步驟分別為第一刻蝕步驟和第二刻蝕步驟。
2023-12-06 11:58:16370

已全部加載完成