用于3D封裝的穿硅通過最后光刻的覆蓋性能（下）

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實驗方法

本研究通過檢查 TSV 光刻后的 DSA 光學計量可重復性，然后將該光學配準數(shù)據(jù)與最終的電氣配準數(shù)據(jù)進行比較，來仔細檢查圖像放置性能。

TSV-last 工藝從帶有金屬 1 的 300mm 器件晶片開始，如圖 3 所示，臨時鍵合到用于機械支撐的載體上。硅器件晶片(淺綠色)的背面通過研磨變薄，然后通過拋光打磨光滑?；瘜W機械平面化(CMP)。 TSV 在光刻膠(紅色)中成像，并通過變薄的硅層進行蝕刻。圖 3 描繪了完整的工藝流程，包括 TSV、STI 和 PMD 蝕刻、TSV 填充、再分布層 (RDL) 和載體剝離。對齊的 TSV 結(jié)構必須完全落在金屬 1 焊盤(深藍色)上。

TSV 光刻是使用配備有 DSA 的步進器完成的。光刻膠是一種基于 gh-line 酚醛清漆的正性材料，需要 1250mJ/cm2 的曝光劑量，厚度為 7.5μm [5]。 TSV直徑為5μm，硅厚度為50μm。硅的 TSV 蝕刻通過 Bosch 蝕刻進行 [7]。需要對光刻和 TSV 蝕刻進行嚴格控制，以確保通孔完全落在金屬 1 焊盤上，如圖 1 所示。

DSA-SSM 計量的可接受特性需要符合集成的通孔工藝要求。由于 TSV 蝕刻工藝對圖案尺寸和密度非常敏感，因此 TSV 層僅限于一種尺寸的過孔，DSA-SSM 測量結(jié)構就是使用這種形狀構建的。 DSA-SSM 測量結(jié)構的設計使用一組 5μm 通孔，具有獨特的分組和時鐘旋轉(zhuǎn)，以避免在對齊過程中與相鄰 TSV 器件圖案混淆。

圖 4 顯示了疊加結(jié)構的 DSA 相機圖像的兩個不同焦點偏移。對于此結(jié)構，參考金屬 1 特征(由藍色環(huán)勾勒)和抗蝕劑圖案特征(由紅環(huán)勾勒)不在同一焦平面上。對于 50μm 的硅厚度，聚焦一個特征會使另一個特征失焦，要求每個特征有自己的焦點偏移，這在計量測量配方中指定。

光學配準過程控制

這項研究利用了 23 個光刻場的采樣計劃，每個場進行 5 次測量，因此每個晶片總共進行 115 次測量。由于完整的晶圓布局包含 262 個場，因此該采樣計劃為監(jiān)測線性網(wǎng)格和場內(nèi)參數(shù)提供了良好的統(tǒng)計樣本。

在初始運行中，使用 DSA-SSM 計量反饋優(yōu)化疊加設置，然后固定參數(shù)以研究九周內(nèi)的疊加穩(wěn)定性。圖 5 顯示了 7 個 TSV 批次的平均值和 3σ 趨勢圖。每個測量批次由 8 個晶圓組成，每個晶圓有 115 次測量，并且所有數(shù)據(jù)都使用單個晶圓的測量以每批次為基礎進行 TIS 校正在 0 度和 180 度方向 [3]。在九周期間，批次 3σ 始終小于 600nm。似乎存在一致的小 Y 平均誤差(藍色菱形)，可以對其進行調(diào)整以改善后續(xù)疊加結(jié)果。應用 Y 均值校正后，配準數(shù)據(jù)顯示均值加上 3σ ≤ 600nm。

驗證 TSV 對準和在線光學計量

兩個TSV最后測試芯片晶圓完全加工到可以進行電測的階段。表 1 顯示了注冊號，證實了兩種計量方法之間的良好匹配。需要注意的是，在光學和電學測量之間執(zhí)行了一個額外的轉(zhuǎn)換步驟：TSV 蝕刻。

在此分析中，假定 TSV 蝕刻是完全垂直的。從數(shù)據(jù)我們可以得出結(jié)論，TSV 蝕刻確實是垂直的，不會干擾覆蓋數(shù)據(jù)。否則，這將顯示為兩種計量方法之間的平移或縮放效應。

結(jié)論

用于 TSV 與嵌入式目標對齊的光刻方法使用在線步進自計量和 TIS 校正進行了評估。在九周內(nèi)收集注冊數(shù)據(jù)以表征 TSV 對齊的穩(wěn)定性。應用校正后，配準數(shù)據(jù)顯示平均值加 3σ ≤ 600nm。然后將在線光學配準數(shù)據(jù)與工藝結(jié)束時在相同晶片上執(zhí)行的詳細電氣測量相關聯(lián)，以提供對光學數(shù)據(jù)準確性的獨立評估。光學和電氣數(shù)據(jù)之間的良好相關性證實了在線光學計量方法的準確性，也證實了通過 50μm 厚硅的 TSV 蝕刻是垂直的。

審核編輯：湯梓紅