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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>單晶片背面和斜面清潔(上)

單晶片背面和斜面清潔(上)

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7.2 直拉硅單晶生長(zhǎng)的基本工藝(中)

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7.4 單晶生長(zhǎng)的主要影響因素

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7.6 直拉硅單晶的加工(

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8.1 直拉硅單晶的摻雜技術(shù)(

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8.5 直拉硅單晶的缺陷

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9.2 單晶硅薄膜材料()_clip001

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9.2 單晶硅薄膜材料(下)

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9.3 絕緣體單晶硅薄膜SOI

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2017-09-28 16:35:3018

美高森美推出世界首款單晶片硅鍺RF前端器件LX5586

美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào):MSCC)日前推出世界首款單晶片硅鍺(SiGe)RF前端(FE)器件LX5586,該模塊用于IEEE
2018-04-27 09:49:001213

TMS320DM369數(shù)字媒體系統(tǒng)單晶片(DMSoC)技術(shù)英文原版資料概述

本文的主要內(nèi)容是介紹了TI的產(chǎn)品TMS320DM369數(shù)字媒體系統(tǒng)單晶片(DMSoC)的技術(shù)英文原版資料概述
2018-04-20 10:39:590

絡(luò)達(dá)推出世界第一款專用于主動(dòng)式3D眼鏡的藍(lán)牙單晶片

協(xié)議用于主動(dòng)式 3D 眼鏡的單晶片。AB1128 為一包含了基頻處理器、無(wú)線發(fā)射接收器、LCD 開(kāi)關(guān)控制、EEPROM、電池充電等器件的高整合度單晶片。 全球 3D 電視在2015年預(yù)期將有一億臺(tái)的銷售量。3D 眼鏡隨著 3D 技術(shù)的成熟而更顯得重要。和傳統(tǒng)的紅外線技術(shù)比較,藍(lán)牙有不受限
2018-10-13 11:14:01368

聯(lián)發(fā)科宣布推出曦力P70系統(tǒng)單晶片 將在11月上市主打AI運(yùn)算

聯(lián)發(fā)科技 24 日宣布推出曦力 P70(Helio P70)系統(tǒng)單晶片,其結(jié)合 CPU 與GPU的升級(jí),實(shí)現(xiàn)了更強(qiáng)大的 AI 處理能力,預(yù)計(jì)將搶在高通之前于今年 11 月上市。
2018-10-25 16:05:083913

半導(dǎo)體單晶和薄膜制造技術(shù)詳細(xì)資料說(shuō)明

單晶硅圓片按其直徑分為6英寸、8英寸、12英寸(300毫米)及18英寸(450毫米)等。直徑越大的圓片,所能刻制的集成電路越多,芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片對(duì)材料和技術(shù)的要求也越高。單晶
2018-11-19 08:00:0024

關(guān)于硅晶片研磨之后的清洗工藝介紹

本發(fā)明的工藝一般涉及到半導(dǎo)體晶片的清洗。更確切地說(shuō),本發(fā)明涉及到可能存在于被研磨的單晶晶片的表面上的有機(jī)殘留物、金屬雜質(zhì)和其它特定的沾污物的清洗處理步驟的順序。 集成電路制造中所用的半導(dǎo)體晶片
2020-12-29 14:45:211999

半導(dǎo)體單晶拋光片清洗工藝分析

通過(guò)對(duì) Si , CaAs , Ge 等半導(dǎo)體材料單晶拋光片清洗工藝技術(shù)的研究 , 分析得出了半導(dǎo)體材料單晶拋光片的清洗關(guān)鍵技術(shù)條件。首先用氧化性溶液將晶片表面氧化 , 然后用一定的方法將晶片表面
2021-04-08 14:05:3949

單晶片超音波清洗機(jī)的聲學(xué)特性分析

單晶片兆頻超聲波清洗機(jī)的聲音分布通過(guò)晶片清洗測(cè)試、視覺(jué)觀察、聲音測(cè)量和建模結(jié)果來(lái)表征。該清潔器由一個(gè)水平晶圓旋轉(zhuǎn)器和一個(gè)兆頻超聲波換能器/發(fā)射器組件組成。聲音通過(guò)液體彎月面從換能器組件傳輸?shù)剿绞?/div>
2021-12-20 15:40:31776

無(wú)化學(xué)添加劑的單晶晶片的無(wú)損拋光

半導(dǎo)體行業(yè)需要具有超成品表面和無(wú)損傷地下的硅晶片。因此,了解單晶硅在表面處理過(guò)程中的變形機(jī)制一直是研究重點(diǎn)。
2021-12-22 17:35:40724

半導(dǎo)體單晶片旋轉(zhuǎn)清洗器中渦流的周期性結(jié)構(gòu)

近年來(lái),隨著集成電路的微細(xì)化,半導(dǎo)體制造的清洗方式從被稱為“批量式”的25枚晶片一次清洗的方式逐漸改變?yōu)椤皢螐埵健钡?b class="flag-6" style="color: red">晶片一次清洗的方式。在半導(dǎo)體的制造中,各工序之間進(jìn)行晶片的清洗,清洗工序
2022-02-22 16:01:08905

《華林科納-半導(dǎo)體工藝》單晶硅清洗工藝

摘要 提供了一種用于半導(dǎo)體晶片清潔操作的系統(tǒng)。清潔系統(tǒng)具有頂蓋和底蓋。頂蓋密封在晶片的頂面接觸環(huán)上,底蓋密封在晶片的底面接觸環(huán)上。文章全部詳情:壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁晶片保持在頂蓋和底蓋之間。邊緣
2022-02-24 13:41:20862

清洗半導(dǎo)體晶片的方法說(shuō)明

)和第二槽(138)中;晶片在第二槽(138)中處理后,將晶片從第二槽(138)中取出,文章全部詳情:壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁使晶片保持濕潤(rùn)狀態(tài)。在將晶片之一轉(zhuǎn)移到單個(gè)晶片清潔模塊150中的夾盤(pán)上的同時(shí)旋轉(zhuǎn)夾盤(pán),同時(shí)將化學(xué)溶液施加到晶片上;將去離子水涂
2022-02-28 14:56:03927

單片晶圓清洗干燥性能評(píng)估的結(jié)果與討論

介紹 單晶片清洗工具正在成為半導(dǎo)體行業(yè)取代批量工具的新標(biāo)準(zhǔn)。事實(shí)上,它們成功地提高了清潔性能(工藝均勻性、缺陷率、產(chǎn)量)和工業(yè)方面的考慮(周期時(shí)間、DIW 消耗、環(huán)境)。 盡管如此,單晶圓/批量工具
2022-02-28 14:58:45314

單晶片清洗中分散現(xiàn)象對(duì)清洗時(shí)間的影響

摘要 硅晶片制造涉及許多濕法工藝,其中液體分布在整個(gè)晶片表面。在單晶片工具中,流體分配是至關(guān)重要的,它決定了清潔過(guò)程的均勻性。研究了沖洗流中的流體動(dòng)力學(xué)和化學(xué)傳輸,結(jié)果表明在沖洗時(shí)間的一般分析中必須
2022-03-01 14:38:07330

濕法清洗系統(tǒng)對(duì)晶片表面顆粒污染的影響

摘要 研究了泵送方法對(duì)晶片清洗的影響。兩種類型的泵,例如隔膜泵和離心泵,用于在濕浴和單晶片工具中循環(huán)和供應(yīng)用于晶片清潔的去離子水。清洗研究表明,泵送方法對(duì)清洗性能有很大影響。實(shí)驗(yàn)研究表明,在 MLC
2022-03-02 13:56:46521

高效晶圓背面清潔工藝顯得尤為重要

兆聲波增強(qiáng)了較小和較大顆粒尺寸的顆粒去除。99% 的 PRE 值是通過(guò)使用稀釋的 HF/SC1 化學(xué)物質(zhì)和通過(guò)使用 SC1 增加兆聲波功率而獲得的。如果需要,單晶片清潔系統(tǒng)允許在正面分配 DIW,以在將化學(xué)物質(zhì)施加到背面時(shí)最大限度地減少晶片器件側(cè)的化學(xué)接觸。蝕刻速率測(cè)試證實(shí)沒(méi)有化
2022-03-03 14:17:11664

半導(dǎo)體工藝之單晶清潔工藝

接觸層是器件與鋁或銅互連之間的第一個(gè)金屬(通常是鎢)連接層。根據(jù)器件類型(CMOS、存儲(chǔ)器、光子器件)和技術(shù)節(jié)點(diǎn),觸點(diǎn)圖案化正在不斷發(fā)展以提高性能。在接觸清潔步驟中,由于金屬或敏感材料暴露于清潔
2022-03-04 15:06:38825

關(guān)于晶片背面的薄膜蝕刻法說(shuō)明

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,為了在有限的面積內(nèi)形成很多器件,技術(shù)正在向多層結(jié)構(gòu)發(fā)展,要想形成多層結(jié)構(gòu),將形成比現(xiàn)有的更多的薄膜層,這時(shí)晶片背面也會(huì)堆積膜。如果在背面有膜的情況下進(jìn)行batch方式的潤(rùn)濕工序
2022-03-28 15:54:481282

濕法清洗過(guò)程中晶片旋轉(zhuǎn)速度的影響

噴涂工具、或單晶片旋轉(zhuǎn)工具。在批量浸漬工具中,與其他濕法加工工具相比,存在由水槽中晶片之間的顆粒轉(zhuǎn)移引起的交叉污染問(wèn)題。批量旋轉(zhuǎn)噴涂工具用于在生產(chǎn)線后端(BEOL)進(jìn)行蝕刻后互連清洗。
2022-04-08 14:48:32585

單晶晶片的超聲輔助化學(xué)蝕刻

用氟化氫-氯化氫-氯氣混合物進(jìn)行各向異性酸性蝕刻是一種有效的方法 單晶晶片紋理化的替代方法 在晶片表面形成倒金字塔結(jié)構(gòu)[1,2]形貌取決于以下成分 蝕刻混合物[3]硅在HF-HCl[1]Cl2
2022-04-12 14:10:22362

一種用濕式均勻清洗半導(dǎo)體晶片的方法

本發(fā)明公開(kāi)了一種用濕式均勻清洗半導(dǎo)體晶片的方法,所公開(kāi)的本發(fā)明的特點(diǎn)是:具備半導(dǎo)體晶片和含有預(yù)定清潔液的清潔組、對(duì)齊上述半導(dǎo)體晶片的平坦區(qū)域,使其不與上述清潔組的入口相對(duì)、將上述對(duì)齊的半導(dǎo)體晶片浸入
2022-04-14 15:13:57605

GaN單晶晶片的清洗與制造方法

作為用于高壽命藍(lán)色LD (半導(dǎo)體激光器)、高亮度藍(lán)色LED (發(fā)光二極管)、高特性電子器件的GaN單晶晶片,通過(guò)hvpe (氫化物氣相)生長(zhǎng)法等進(jìn)行生長(zhǎng)制造出了變位低的自立型GaN單晶晶片。GaN
2022-04-15 14:50:00510

晶片的化學(xué)蝕刻工藝研究

拋光的硅片是通過(guò)各種機(jī)械和化學(xué)工藝制備的。首先,通過(guò)切片將單晶硅錠切成圓盤(pán)(晶片),然后進(jìn)行稱為研磨的平整過(guò)程,該過(guò)程包括使用研磨漿擦洗晶片。 在先前的成形過(guò)程中引起的機(jī)械損傷通過(guò)蝕刻是本文的重點(diǎn)。在準(zhǔn)備用于器件制造之前,蝕刻之后是各種單元操作,例如拋光和清潔。
2022-04-28 16:32:37670

使用單晶片自旋處理器的背面清潔研究

在這項(xiàng)研究中,我們?nèi)A林科納使用經(jīng)濟(jì)特區(qū)單晶片自旋處理器開(kāi)發(fā)了一種單一背面清潔解決方案,能夠通過(guò)蝕刻晶片背面的幾埃來(lái)去除任何金屬或外來(lái)污染物,無(wú)論其涂層如何(無(wú)涂層、Si3N4或SiO2)。選擇H2O
2022-05-06 14:06:45339

用于光刻膠去除的單晶片清洗技術(shù)

本文的目標(biāo)是討論一種新技術(shù),它可以在保持競(jìng)爭(zhēng)力的首席運(yùn)營(yíng)官的同時(shí)改善權(quán)衡。 將開(kāi)發(fā)濕化學(xué)抗蝕劑去除溶液的能力與對(duì)工藝和工具要求的理解相結(jié)合,導(dǎo)致了用于光刻膠去除的單晶片清洗技術(shù)的發(fā)展。 該技術(shù)針對(duì)
2022-05-07 15:11:11621

SAPS兆頻超聲波技術(shù)應(yīng)用于TSV晶片的刻蝕后清洗工藝

,F(xiàn)IB-SEM用于評(píng)估鍍銅性能,TSV泄漏電流圖和電壓斜坡介電擊穿(VRDB)作為主要電氣可靠性指標(biāo),也用于評(píng)估清潔效果,測(cè)試結(jié)果表明,兆聲能量可以傳播到TSV的底部,與傳統(tǒng)的單晶片噴淋清洗相比,經(jīng)過(guò)SAPS清洗的晶片表現(xiàn)出明顯的電學(xué)性能提高。
2022-05-26 15:07:03701

單晶片背面斜面清潔(下篇)

高級(jí)應(yīng)用 在正面具有對(duì)損壞敏感的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)的應(yīng)用中,例如對(duì)于32nm柵極多晶硅(AR5:1)圖案化的晶片,該 系統(tǒng)可以被設(shè)置為無(wú)損壞地清潔。這是通過(guò)修改背面化學(xué)噴嘴和配方配置,并保持正面干燥來(lái)實(shí)現(xiàn)
2022-06-27 17:04:27746

不同的濕法晶片清洗技術(shù)方法

雖然聽(tīng)起來(lái)可能沒(méi)有極紫外(EUV)光刻那么性感,但對(duì)于確保成功的前沿節(jié)點(diǎn)、先進(jìn)半導(dǎo)體器件制造,濕法晶片清洗技術(shù)可能比EUV更重要,這是因?yàn)槠骷目煽啃院妥罱K產(chǎn)品的產(chǎn)量都與晶片清潔度直接相關(guān),因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">晶片要經(jīng)過(guò)數(shù)百個(gè)圖案化、蝕刻、沉積和互連工藝步驟。
2022-07-07 16:24:231578

晶片的清洗技術(shù)

摘要 隨著越來(lái)越高的VLSIs集成度成為商業(yè)實(shí)踐,對(duì)高質(zhì)量晶片的需求越來(lái)越大。對(duì)于表面上幾乎沒(méi)有金屬雜質(zhì)、顆粒和有機(jī)物的高度潔凈的晶片來(lái)說(shuō),尤其如此。為了生產(chǎn)高清潔度的晶片,有必要通過(guò)對(duì)表面雜質(zhì)行為
2022-07-11 15:55:451026

晶片的酸基蝕刻:傳質(zhì)和動(dòng)力學(xué)效應(yīng)

拋光硅晶片是通過(guò)各種機(jī)械和化學(xué)工藝制備的。首先,硅單晶錠被切成圓盤(pán)(晶片),然后是一個(gè)稱為拍打的扁平過(guò)程,包括使用磨料清洗晶片。通過(guò)蝕刻消除了以往成形過(guò)程中引起的機(jī)械損傷,蝕刻之后是各種單元操作,如拋光和清洗之前,它已經(jīng)準(zhǔn)備好為設(shè)備制造。
2023-05-16 10:03:00584

全球首個(gè)100毫米的單晶金剛石晶圓研發(fā)成功

運(yùn)用異質(zhì)外延工藝,Diamond Foundry以可擴(kuò)展的基底制造單晶金剛石,這是一項(xiàng)前所未有的技術(shù)突破。過(guò)去已有技術(shù)用于生產(chǎn)金剛石晶片,但這些晶片基于壓縮金剛石粉末制備,缺乏單晶金剛石的特性。
2023-11-10 16:04:03857

什么是單晶硅光伏板?單晶硅光伏板優(yōu)缺點(diǎn)

單晶硅光伏板是一種基于單晶硅材料制造的太陽(yáng)能光電設(shè)備,常用于太陽(yáng)能光伏發(fā)電系統(tǒng)中。單晶硅光伏板由多個(gè)單晶硅太陽(yáng)能電池片組成,每個(gè)電池片都被覆蓋在透明的防反射玻璃上,并使用鋁框架進(jìn)行支撐和保護(hù)。
2023-11-29 09:46:061006

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