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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>O極和Zn極ZnO單晶的蝕刻行為

O極和Zn極ZnO單晶的蝕刻行為

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蝕刻簡(jiǎn)介

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蝕刻過(guò)程分為兩類

為了在基板上形成功能性的MEMS結(jié)構(gòu),必須蝕刻先前沉積的薄膜和/或基板本身。通常,蝕刻過(guò)程分為兩類:浸入化學(xué)溶液后材料溶解的濕法蝕刻蝕刻,其中使用反應(yīng)性離子或氣相蝕刻劑濺射或溶解材料在下文中,我們將簡(jiǎn)要討論最流行的濕法和干法蝕刻技術(shù)。
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NPN與PNP三管的主要功能是什么?NPN三管與PNP三管有哪些不同?
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STM8S105 / 103的I / O引腳的“安全”漏/源電流是多少?以上來(lái)自于谷歌翻譯以下為原文 What is 'safe' sink/source current for I/O pins for STM8S105/103
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TVS二管替代選型

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TVS二管能用普通二管代替嗎?

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發(fā)射感興趣,這可以避免AlGaAs 的氧化和深能級(jí)問(wèn)題。用于器件制造的關(guān)鍵技術(shù)操作之一是濕化學(xué)蝕刻。在我們之前的論文中,我們介紹了一組在 HC1:C H3COOH:H2O2(所謂的 KKI)溶液中
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間電位

`射跟隨器開(kāi)關(guān)電路中:當(dāng)三管導(dǎo)通時(shí),發(fā)射的電位要低于基極電位0.6~0.7V,這好理解,它們之間有個(gè)二管嘛。射電位和集電極電位是什么關(guān)系呢?這點(diǎn)我就有點(diǎn)糊涂了——既然是射跟隨,當(dāng)然是
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跟隨器開(kāi)關(guān)電路中:當(dāng)三管導(dǎo)通時(shí),發(fā)射的電位要低于基極電位0.6~0.7V,這好理解,它們之間有個(gè)二管嘛。射電位和集電極電位是什么關(guān)系呢?這點(diǎn)我就有點(diǎn)糊涂了——既然是射跟隨,當(dāng)然是和基極
2013-03-25 13:07:46

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2018-09-26 15:13:04

管工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)的一些問(wèn)題

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管電路故障怎么解決?

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凌訊二管是晶體二管的簡(jiǎn)稱,也叫半導(dǎo)體二管,用半導(dǎo)體單晶材料(主要是鍺和硅)制成,是半導(dǎo)體器件中最基本的一種器件,是一種具有單方向?qū)щ娞匦缘臒o(wú)源半導(dǎo)體器件。 晶體二管由一個(gè)PN結(jié)加兩個(gè)引線電極
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常見(jiàn)晶體二管的分類

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2019-03-04 15:51:00

濕法蝕刻問(wèn)題

我司是做濕法蝕刻藥水的,所以在濕法這塊有很多年的研究。所以有遇到濕法蝕刻問(wèn)題歡迎提問(wèn),很愿意為大家解答。謝謝!QQ:278116740
2017-05-08 09:58:09

盤點(diǎn)一下二管及八大電路保護(hù)元器件的區(qū)別

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2019-08-24 07:30:00

盤點(diǎn)二管及八大電路保護(hù)元器件

元件和電路,防止在電源供應(yīng)、控制和信號(hào)線產(chǎn)生的ESD。  5.ESD靜電放電二管的作用:ESD靜電放電二管是一種過(guò)壓、防靜電保護(hù)元件,是為高速數(shù)據(jù)傳輸應(yīng)用的I/O端口保護(hù)設(shè)計(jì)的器件。ESD保護(hù)器
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瞬態(tài)抑制二管和ESD靜電二管的區(qū)別

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瞬態(tài)抑制二管和ESD靜電二管的區(qū)別有哪些?

保護(hù)。3.再選用ESD靜電二管時(shí),更多看的是ESD二管的的ESD rating (HBM/MM)和IEC61000-4-2的LEVEL,高速的USB和I/O非常重視ESD二管的C;而選用TVS
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請(qǐng)教一個(gè)關(guān)于三管電流由E流向C的問(wèn)題

本帖最后由 苦瓜你好 于 2016-9-27 10:28 編輯 有一道關(guān)于三管的題:右邊的是我自己的答案,但是老師的答案跟我的不同,他的三管反向電壓是不能導(dǎo)通的(T2到T3那一段是沒(méi)有
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請(qǐng)教二管作為三管的溫度補(bǔ)償電路的問(wèn)題

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2019-06-27 10:06:04

請(qǐng)問(wèn)三管發(fā)射接到負(fù)載叫什么輸出呢?

當(dāng)三管為開(kāi)路輸出時(shí),三管集電極通過(guò)一個(gè)負(fù)載,再?gòu)呢?fù)載另一端接到電源,-----------------------------通常我們稱為集電極開(kāi)路輸出。那么三管為發(fā)射這邊來(lái)接負(fù)載時(shí),這個(gè)
2019-08-01 00:03:31

常見(jiàn)原電池電極反應(yīng)

常見(jiàn)原電池電極反應(yīng) 1、 銀?鋅電池:    負(fù)  極:Zn + 2OH- - 2e- ? ZnO + H2O正  極:Ag2O + H2O + 2e-?2Ag + 2OH-總反應(yīng):Zn + Ag2O ? 2Ag + ZnO 2
2009-11-07 13:42:3414

ZnO壓敏電阻的漏電流

ZnO壓敏電阻的漏電流是壓敏電阻應(yīng)用中的重要參數(shù),它決定著施加穩(wěn)態(tài)外電壓時(shí)的功率損耗,因而就決定了壓敏電阻的工作電壓。文章綜述了ZnO壓敏電阻材料的顯微結(jié)構(gòu),晶粒
2010-03-05 13:36:5631

13.1 ZnO的基本性質(zhì)

ZnO
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 19:08:05

13.3 ZnO的薄膜單晶的制備

單晶
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 19:10:19

13.4 ZnO單晶的摻雜

單晶
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基于QCM的不同形貌ZnO的濕敏性能研究_王虎

基于QCM的不同形貌ZnO的濕敏性能研究_王虎
2017-03-19 19:12:420

染料敏化Zno太陽(yáng)能電池的發(fā)展歷史與Zno光陽(yáng)極的制備方法及特點(diǎn)

染料敏化Zno太陽(yáng)電池的發(fā)展歷史使用znO作為電極材料的時(shí)間要遠(yuǎn)比Ti0,早: 1969年Gerischer等u叫就已研究了染料敏化半導(dǎo)體單晶znO電極;1976年M砒su咖ra等川報(bào)道了染料
2017-09-21 14:37:443

蝕刻的原理

通常所指蝕刻也稱腐蝕或光化學(xué)蝕刻(photochemicaletching),指通過(guò)曝光制版、顯影后,將要蝕刻區(qū)域的保護(hù)膜去除,在蝕刻時(shí)接觸化學(xué)溶液,達(dá)到溶解腐蝕的作用,形成凹凸或者鏤空成型的效果。
2019-04-25 15:41:3614173

pcb蝕刻機(jī)的基礎(chǔ)原理

一、蝕刻的目的 蝕刻的目的即是將前工序所做出有圖形的線路板上的未受保護(hù)的非導(dǎo)體部分銅蝕刻去,形成線路。 蝕刻有內(nèi)層蝕刻和外層蝕刻,內(nèi)層采用酸性蝕刻,濕膜或干膜為抗蝕劑;外層采用堿性蝕刻
2020-12-11 11:40:587462

淺談pcb蝕刻制程及蝕刻因子

1、 PCB蝕刻介紹 蝕刻是使用化學(xué)反應(yīng)而移除多余材料的技術(shù)。PCB線路板生產(chǎn)加工對(duì)蝕刻質(zhì)量的基本要求就是能夠?qū)⒊刮g層下面以外的所有銅層完全去除干凈,僅此而已。在PCB制造過(guò)程中,如果要精確地
2021-04-12 13:48:0031019

《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》單晶的濕法蝕刻和紅外吸收

書(shū)籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章:單晶的濕法蝕刻和紅外吸收 編號(hào):JFKJ-21-206 作者:炬豐科技 摘要 采用濕法腐蝕、x射線衍射和紅外吸收等方法研究了物理氣相色譜法生長(zhǎng)AlN單晶的缺陷
2023-04-23 11:15:00118

次氯酸鈉對(duì)單晶硅表面的紋理蝕刻

單晶硅的各向異性蝕刻是硅器件和微結(jié)構(gòu)加工中經(jīng)常使用的技術(shù)。已經(jīng)制造的三角形和矩形凹槽、棱錐體、薄膜和微孔,它們?cè)谄骷杏泻艽蟮膽?yīng)用。
2021-12-17 15:26:07858

ZnO薄膜的濕法刻蝕研究報(bào)告—華林科納

摘要 FeCl3·6h2o用于單晶氧化鋅薄膜的濕法蝕刻。該方法對(duì)抑制用酸蝕刻氧化鋅薄膜時(shí)通常觀察到的“W”形蝕刻輪廓有很大的影響。通過(guò)觸控筆輪廓儀和掃描電子顯微鏡證實(shí),在廣泛的蝕刻速率下獲得了
2022-01-26 14:46:48307

石英單晶等離子體蝕刻工藝參數(shù)的優(yōu)化

本文對(duì)單晶石英局部等離子體化學(xué)刻蝕工藝的主要工藝參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化。在射頻(射頻,13.56兆赫)放電激勵(lì)下,在CF4和H2的氣體混合物中進(jìn)行蝕刻。采用田口矩陣法的科學(xué)實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)來(lái)檢驗(yàn)腔室壓力、射頻發(fā)生器
2022-02-17 15:25:421804

氫氧化鉀在凸角處的蝕刻行為

,在實(shí)現(xiàn)晶片通孔互聯(lián)的情況下,圓角是必須的。尖角增加了光致抗蝕劑破裂的風(fēng)險(xiǎn),光致抗蝕劑破裂用于圖案化下面的金屬。因此,了解最常見(jiàn)的各向異性蝕刻劑(氫氧化鉀)的蝕刻行為以及圓角的形狀非常重要。本文通過(guò)蝕刻
2022-03-07 15:26:14372

晶圓濕式用于硅蝕刻浴晶圓蝕刻

了解形成MEMS制造所需的三維結(jié)構(gòu),需要SILICON的各向異性蝕刻,此時(shí)使用的濕式蝕刻工藝考慮的事項(xiàng)包括蝕刻率、長(zhǎng)寬比、成本、環(huán)境污染等[1]。用于硅各向異性濕式蝕刻。
2022-03-11 13:57:43337

AFN塊體單晶的濕法蝕刻和紅外吸收研究報(bào)告

摘要 采用濕法腐蝕、x射線衍射(XRD)和紅外吸收等方法研究了物理氣相色譜法(PVT)生長(zhǎng)AlN(0001)單晶的缺陷和晶格完善性。 一個(gè)正六邊形的蝕刻坑密度(EPD)約為4000厘米在AlN
2022-03-14 14:40:34286

單晶硅片堿性溶液中的蝕刻速率

本文研究了用金剛石線鋸切和標(biāo)準(zhǔn)漿料鋸切制成的180微米厚5英寸半寬直拉單晶硅片與蝕刻時(shí)間的關(guān)系,目的是確定FAS晶片損傷蝕刻期間蝕刻速率降低的根本原因,無(wú)論是與表面結(jié)構(gòu)相關(guān),缺陷相關(guān),由于表面存在的氧化層,還是由于有機(jī)殘差。
2022-03-16 13:08:09619

單晶硅各向異性蝕刻特性的表征

在本文章中,研究了球形試樣的尺寸參數(shù),以確定哪種尺寸允許可靠地測(cè)量各向異性蝕刻中的方向依賴性,然后進(jìn)行了一系列的實(shí)驗(yàn),測(cè)量了所有方向的蝕刻速率。這導(dǎo)致建立了一個(gè)涵蓋廣泛的氫氧化鉀蝕刻條件范圍的蝕刻
2022-03-22 16:15:00411

詳解單晶硅的各向異性蝕刻特性

為了形成膜結(jié)構(gòu),單晶硅片已經(jīng)用氫氧化鉀和氫氧化鉀-異丙醇溶液進(jìn)行了各向異性蝕刻,觀察到蝕刻速率強(qiáng)烈依賴于蝕刻劑溫度和濃度,用于蝕刻實(shí)驗(yàn)的掩模圖案在硅晶片的主平面上傾斜45°。根據(jù)圖案方向和蝕刻劑濃度
2022-03-25 13:26:342506

用于硅片減薄的濕法蝕刻工藝控制

,并添加化學(xué)物質(zhì)來(lái)調(diào)整粘度和單晶圓旋轉(zhuǎn)加工的表面潤(rùn)濕性。 當(dāng)硅被蝕刻并并入蝕刻溶液時(shí),蝕刻速率將隨時(shí)間而降低。 這種變化已經(jīng)建模。 這些模型可以延長(zhǎng)時(shí)間,補(bǔ)充化學(xué)物質(zhì),或者兩者兼而有之。
2022-04-07 14:46:33751

單晶硅晶片的超聲輔助化學(xué)蝕刻

用氟化氫-氯化氫-氯氣混合物進(jìn)行各向異性酸性蝕刻是一種有效的方法 單晶硅晶片紋理化的替代方法 在晶片表面形成倒金字塔結(jié)構(gòu)[1,2]形貌取決于以下成分 蝕刻混合物[3]硅在HF-HCl[1]Cl2
2022-04-12 14:10:22362

單晶硅片與蝕刻時(shí)間的關(guān)系研究

本文研究了用金剛石線鋸切和標(biāo)準(zhǔn)漿料鋸切制成的180微米厚5英寸半寬直拉單晶硅片與蝕刻時(shí)間的關(guān)系,目的是確定FAS晶片損傷蝕刻期間蝕刻速率降低的根本原因,無(wú)論是與表面結(jié)構(gòu)相關(guān),缺陷相關(guān),由于表面存在的氧化層,還是由于有機(jī)殘差。
2022-04-18 16:36:05406

單晶硅的各向異性蝕刻特性說(shuō)明

為了形成膜結(jié)構(gòu),單晶硅片已經(jīng)用氫氧化鉀和氫氧化鉀-異丙醇溶液進(jìn)行了各向異性蝕刻,觀察到蝕刻速率強(qiáng)烈依賴于蝕刻劑的溫度和濃度,用于蝕刻實(shí)驗(yàn)的掩模圖案在硅晶片的主平面上傾斜45°。根據(jù)圖案方向和蝕刻
2022-05-05 16:37:362658

多晶ZnO薄膜上HCl腐蝕的過(guò)程

方法,觀察了多晶ZnO薄膜上HCl腐蝕的發(fā)展,結(jié)果表明這種觀察方法沒(méi)有改變蝕刻行為,停止和重新開(kāi)始蝕刻也沒(méi)有改變侵蝕點(diǎn),表明HCl侵蝕點(diǎn)是隨著它們的生長(zhǎng)而形成在膜中的。此外我們?nèi)A林科納研究了先前在KOH
2022-05-09 13:28:32423

一種用于蝕刻的現(xiàn)象學(xué)結(jié)構(gòu)區(qū)域模型

在本文中,結(jié)合了現(xiàn)有的經(jīng)驗(yàn)和觀察到的多晶氧化鋅腐蝕模型,該模型可以定性地描述濺射條件、材料特性和蝕刻條件的影響。幾項(xiàng)研究調(diào)查了濺射參數(shù)和蝕刻行為之間的關(guān)系,并提出了一種用于蝕刻的現(xiàn)象學(xué)結(jié)構(gòu)區(qū)域模型
2022-05-09 14:27:58281

多孔ZnO薄膜表面形貌和粗糙度的研究

本文介紹了我們?nèi)A林科納研究了蝕刻時(shí)間和氧化劑對(duì)用氫氧化銨(銨根OH)形成的多孔氧化鋅(氧化鋅)薄膜的表面形貌和表面粗糙度的影響。在本工作中,射頻磁控管濺射的ZnO薄膜在氫氧化銨(NH4OH)溶液中腐蝕,全面研究了刻蝕時(shí)間和添加H2O2溶液對(duì)多孔ZnO薄膜表面形貌和粗糙度的影響。
2022-05-09 15:19:34560

M111N蝕刻速率,在堿性溶液中蝕刻

被認(rèn)為是一個(gè)速度源,這是我們提出的一個(gè)數(shù)學(xué)概念,也適用于位錯(cuò)和晶界,速度源的活動(dòng)取決于相關(guān)的M111N平面與掩模之間的夾角,因此在微觀機(jī)械結(jié)構(gòu)中蝕刻的薄壁相對(duì)的M111N側(cè)可以有不同的值。 在圖1a中,示出了S 100T單晶硅爐和部分覆蓋它的惰性掩
2022-05-20 17:12:59853

多晶ZnO:Al薄膜的蝕刻特性研究

密度通常隨著溫度的升高、濃度的降低或通過(guò)在小分子大小的弱酸中蝕刻而增加。觀察到的多晶ZnO:Al膜的腐蝕趨勢(shì)在ZnO單晶上得到證實(shí)。我們從蝕刻速率和凹坑形成的角度詳細(xì)討論了蝕刻過(guò)程。根據(jù)最近提出的ZnO腐蝕模型解釋了結(jié)果,并給出了可能的物理解釋。
2022-05-23 16:51:232566

納米多孔鋅助力二次堿性鋅基電池

本工作利用電化學(xué)還原,直接將壓實(shí)在泡沫銅集流體上的ZnO粉末通過(guò)類似于滲流溶解(percolation dissolution)的機(jī)理,形成具有雙連續(xù)結(jié)構(gòu)的納米多孔鋅電極。該電極在堿性電池循環(huán)中可維持Zn核 / ZnO殼的結(jié)構(gòu),與傳統(tǒng)ZnOZn粉末電極不均勻的結(jié)構(gòu)變化大相徑庭。
2022-06-02 09:15:11896

寬帶隙半導(dǎo)體GaN、ZnO和SiC的濕法化學(xué)腐蝕

寬帶隙半導(dǎo)體具有許多特性,這些特性使其對(duì)高功率、高溫器件應(yīng)用具有吸引力。本文綜述了三種重要材料的濕法腐蝕,即ZnO、GaN和SiC。雖然ZnO在包括HNO3/HCl和HF/HNO3的許多酸性溶液
2022-07-06 16:00:211643

什么是金屬蝕刻蝕刻工藝?

金屬蝕刻是一種通過(guò)化學(xué)反應(yīng)或物理沖擊去除金屬材料的技術(shù)。金屬蝕刻技術(shù)可分為濕蝕刻和干蝕刻。金屬蝕刻由一系列化學(xué)過(guò)程組成。不同的蝕刻劑對(duì)不同的金屬材料具有不同的腐蝕特性和強(qiáng)度。
2023-03-20 12:23:433172

干法蝕刻與濕法蝕刻-差異和應(yīng)用

干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭(zhēng)論是微電子制造商在項(xiàng)目開(kāi)始時(shí)必須解決的首要問(wèn)題之一。必須考慮許多因素來(lái)決定應(yīng)在晶圓上使用哪種類型的蝕刻劑來(lái)制作電子芯片,是液體(濕法蝕刻)還是氣體(干法蝕刻
2023-04-12 14:54:331005

硅在氫氧化鈉和四甲基氫氧化銨中的溫度依賴性蝕刻

過(guò)去利用堿氫氧化物水溶液研究了硅的取向依賴蝕刻,這是制造硅中微結(jié)構(gòu)的一種非常有用的技術(shù)。以10M氫氧化鉀(KOH)為蝕刻劑,研究了單晶硅球和晶片的各向異性蝕刻過(guò)程,測(cè)量了沿多個(gè)矢量方向的蝕刻速率,用單晶球發(fā)現(xiàn)了最慢的蝕刻面。英思特利用這些數(shù)據(jù),提出了一種預(yù)測(cè)不同方向表面的傾角的方法
2023-05-29 09:42:40618

半導(dǎo)體資料丨氧化鋅、晶體硅/鈣鈦礦、表面化學(xué)蝕刻的 MOCVD GaN

蝕刻時(shí)間和過(guò)氧化氫濃度對(duì)ZnO玻璃基板的影響 本研究的目的是確定蝕刻ZnO薄膜的最佳技術(shù)。使用射頻濺射設(shè)備在玻璃基板上沉積ZnO。為了蝕刻ZnO薄膜,使用10%、20%和30%的過(guò)氧化氫(H2O2
2024-02-02 17:56:45306

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