已經(jīng)完成，現(xiàn)在可以為客戶提供樣品。通過在其基于極紫外（EUV）的工藝產(chǎn)品中添加另一個(gè)尖端節(jié)點(diǎn)，三星再次證明了其在先進(jìn)晶圓代工市場的領(lǐng)導(dǎo)地位。 與7nm相比，三星的5nm FinFET工藝技術(shù)將邏輯區(qū)域效率提高了25％，功耗降低了20％，性能提高了10％，從而使其能夠擁有更多創(chuàng)
2019-04-18 15:48:47
6010 國內(nèi)半導(dǎo)體制造商中芯國際（SMIC）于8月8日宣布，已開始使用FinFET工藝生產(chǎn)半導(dǎo)體芯片，并計(jì)劃在2019年底前將其市場化。 這是該公司2019年第二季度財(cái)務(wù)報(bào)告中公布的內(nèi)容，其聯(lián)合首席執(zhí)行官
2019-08-20 09:25:016602 作為業(yè)界少數(shù)幾家加入FinFET俱樂部的公司，中芯國際已經(jīng)開始使用其14 nm FinFET制造技術(shù)批量生產(chǎn)芯片。該公司設(shè)法開發(fā)了依賴于此類晶體管的制造工藝。有點(diǎn)遺憾的是，中芯國際的FinFET
2019-11-19 10:40:266858 在Synopsys 的協(xié)助下，臺(tái)灣聯(lián)電（UMC）首款基于14nm制程及FinFET晶體管技術(shù)的測試用芯片日前完成了流片。聯(lián)電公司早前曾宣布明年下半年有意啟動(dòng)14nm 制程FinFET產(chǎn)品的制造，而這
2013-06-28 09:57:581023 在國際電子電路研討會(huì)大會(huì)（ISSCC）上，三星展示了采用10納米FinFET工藝技術(shù)制造的300mm晶圓，這表明三星10納米FinFET工藝技術(shù)最終基本定型。
2015-05-28 10:25:271715 與臺(tái)積電較勁，將10 奈米 FinFET 正式納入開發(fā)藍(lán)圖 、聯(lián)電攜 ARM，完成 14 奈米 FinFET 工藝測試。到底什么是FinFET？它的作用是什么？為什么讓這么多國際大廠趨之若騖呢？
2015-09-19 16:48:004522 
據(jù)外媒報(bào)道，三星電子被指侵犯了與鰭式場效應(yīng)晶體管（FinFET）制程工藝相關(guān)的專利，面臨訴訟。韓媒稱，韓國科學(xué)技術(shù)院（KAIST）計(jì)劃對(duì)三星提起訴訟，指控后者侵犯其FinFET專利。KAIST稱，他們開發(fā)了10納米FinFET工藝，但是三星竊取了這項(xiàng)技術(shù)，并將其用于生產(chǎn)高通驍龍835芯片。
2016-12-05 15:35:27725 日前，中科院微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心在下一代新型FinFET邏輯器件工藝研究上取得重要進(jìn)展。微電子所殷華湘研究員的課題組利用低溫低阻NiPt硅化物在新型FOI FinFET上實(shí)現(xiàn)了全金屬
2017-01-13 09:27:373046 FinFET稱為鰭式場效晶體管（FinField-EffectTransistor;FinFET）是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體（CMOS）晶體管。
2017-02-04 10:30:2214159 
現(xiàn)在，隨著FinFET存儲(chǔ)器的出現(xiàn)，需要克服更多的挑戰(zhàn)。這份白皮書涵蓋：FinFET存儲(chǔ)器帶來的新的設(shè)計(jì)復(fù)雜性、缺陷覆蓋和良率挑戰(zhàn)；怎樣綜合測試算法以檢測和診斷FinFET存儲(chǔ)器具體缺陷；如何通過內(nèi)建自測試（BIST）基礎(chǔ)架構(gòu)與高效測試和維修能力的結(jié)合來幫助保證FinFET存儲(chǔ)器的高良率。
2016-09-30 13:48:242721 
5月14日， Cadence宣布基于中芯國際14nm工藝的10Gbps多協(xié)議PHY研發(fā)成功，這是行業(yè)首個(gè)SMIC FinFET工藝上有成功測試芯片的多協(xié)議SerDes PHY IP。
2020-05-15 09:32:165309 近日，深圳中軟國際有限公司（以下簡稱“中軟國際”）推出的電子哨兵終端順利通過OpenAtom OpenHarmony（以下簡稱“OpenHarmony”）3.1 Release版本兼容性測評(píng)，獲頒
2023-01-11 11:05:27
在高溫及壓力的作用下形成共晶合金，實(shí)現(xiàn)連接及固定的方法。樹脂粘接：芯片背面及載體之間，通過含有大量Ag顆粒的環(huán)氧樹脂作為粘著劑，而達(dá)到固定的作用方法。膠帶粘接：芯片表面與載體之間通過膠帶的粘接，達(dá)到固定的作業(yè)方法。芯片封裝測試工藝教程教材資料[hide][/hide]
2012-01-13 14:46:21
正在從二維走向三維世界——芯片設(shè)計(jì)、芯片封裝等環(huán)節(jié)都在向3D結(jié)構(gòu)靠攏。晶體管架構(gòu)發(fā)生了改變當(dāng)先進(jìn)工藝從28nm向22nm發(fā)展的過程中，晶體管的結(jié)構(gòu)發(fā)生了變化——傳統(tǒng)的平面型晶體管技術(shù)（包括體硅技術(shù)
2020-03-19 14:04:57
`請(qǐng)問這顆5腳芯片 絲印AN1N是什么芯片`
2019-08-02 15:57:07
`7納米芯片一直被視為芯片業(yè)“皇冠上的珍珠”，令全球芯片企業(yè)趨之若鶩。在大家熱火朝天地競相布局7納米工藝時(shí)，全球第二大的芯片大廠GlobalFoundries（格羅方德，格芯，以下簡稱GF）突然宣布
2018-09-05 14:38:53
`產(chǎn)品和應(yīng)用要在全球發(fā)布，需考慮全球化流程，即“國際化”和“本地化”。國際化簡稱「i18n」，是一種趨同的設(shè)計(jì)方式，通過一種方案去滿足不同國家的需求。本地化簡稱「L10n」, 是針對(duì)各個(gè)國家的個(gè)性化
2020-09-24 17:21:49
MPS美國芯源 MPS公司具有獨(dú)特的技術(shù)創(chuàng)新系統(tǒng)，同時(shí)和客戶保持密切接觸，深度理解客戶和市場的需要，以在應(yīng)用設(shè)計(jì)、工藝上的優(yōu)勢(shì)，用體積小、成本低、高性能的芯片為客戶提供最有價(jià)值的應(yīng)用方案。 MPS
2015-08-26 12:16:55
基于軟件的數(shù)字安全全球領(lǐng)導(dǎo)者V-Key宣布，V-OS成為首個(gè)在Apple iOS和Google Android手機(jī)中均獲得通用準(zhǔn)則EAL3+認(rèn)證的虛擬安全元件。由于V-OS是所有V-Key產(chǎn)品
2021-07-26 07:33:33
蘋果晶圓代工龍頭臺(tái)積電16納米鰭式場效晶體管升級(jí)版（FinFET Plus）將在明年1月全產(chǎn)能量產(chǎn)，搭配整合型扇出晶圓尺寸封裝（InFO WLP）的系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）技術(shù)，在x86及ARM架構(gòu)64位
2014-05-07 15:30:16
了高通的訂單。之后，中芯國際憑借極具競爭力的價(jià)格從Globalfoundries手中奪走了訂單，成為高通電源管理芯片的主要合作伙伴。我們知道，在高通的幫助下，中芯國際實(shí)現(xiàn)了28nm工藝量產(chǎn)，而且還加快14nm硅片的量產(chǎn)。由于產(chǎn)能、價(jià)格及新芯片技術(shù)的原因，此次高通將電源管理芯片交給了臺(tái)積電生產(chǎn)。
2017-09-27 09:13:24
14nm工藝量產(chǎn)的計(jì)劃，中芯國際是在今年下半年量產(chǎn)，華虹是將在2020年量產(chǎn)，但制程工藝確實(shí)是要比臺(tái)積電等公司落后兩代以上。在芯片制造領(lǐng)域制約我國晶圓代工企業(yè)發(fā)展的，主要是兩大部件：“刻蝕機(jī)”與“光刻機(jī)
2019-08-10 14:36:57
輸入,這就要求一種新的鍵盤結(jié)構(gòu),即用盡量少的I/O口實(shí)現(xiàn)盡可能多的鍵盤輸入。 本文將從硬件和軟件兩個(gè)方面介紹一種用N+1個(gè)I/O口實(shí)現(xiàn)N×N矩陣式鍵盤的方法（為了與傳統(tǒng)鍵盤區(qū)分,以下簡稱新型鍵盤
2012-02-15 22:02:49
雄芯開發(fā)的首款基于Chiplet異構(gòu)集成的智能處理芯片，該芯片采用12nm工藝生產(chǎn)，HUB Chiplet采用RISC-V CPU核心，可通過靈活搭載多個(gè)NPU Side Die提供8~20TOPS
2023-02-21 13:58:08
各類常用工藝庫臺(tái)積電，中芯國際，華潤上華
2015-12-17 19:52:34
購買單的總代價(jià)為 1201598880 美元。這部分主要為 duv 光刻機(jī)。今日，據(jù)財(cái)聯(lián)社，透露，中芯正在努力重新獲得訂單，是其 14nm finfet 工藝訂單。(it之家注：finfet 工藝是指鰭
2021-07-19 15:09:42
工藝技術(shù)的演進(jìn)遵循摩爾定律，這是這些產(chǎn)品得以上市的主要促成因素。對(duì)整個(gè)行業(yè)來說，從基于大體積平面晶體管向FinFET三維晶體管的過渡是一個(gè)重要里程碑。這一過渡促使工藝技術(shù)經(jīng)過了幾代的持續(xù)演進(jìn)，并且減小
2019-07-17 06:21:02
利用模擬開關(guān)實(shí)現(xiàn)T1E1J1的N+1冗余
2019-04-03 10:36:30
給出好或是壞的測試結(jié)果（即此結(jié)果與被測試芯片實(shí)際的好壞無關(guān)）。 給出所有芯片的測試結(jié)果，問哪些芯片是好芯片。 輸入格式 輸入數(shù)據(jù)第一行為一個(gè)整數(shù)n，表示芯片個(gè)數(shù)。 第二行到第n+1
2021-07-29 07:49:10
)有限公司(以下簡稱“鼎芯”)都宣布推出采用CMOS工藝的TD-SCDMA射頻(RF)芯片，一舉彌補(bǔ)了中國TD-SCDMA產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展的短板。隨后，銳迪科宣布“推出全球首顆支持HSDPA的TD-SCDMA
2019-07-05 08:33:25
式播報(bào)”，標(biāo)志著“搜狗分身”技術(shù)再次取得突破?！ ?018年互聯(lián)網(wǎng)大會(huì)期間，搜狗與新華社聯(lián)合發(fā)布的全球首個(gè)AI合成主播初次亮相，引起了全球傳媒業(yè)和人工智能領(lǐng)域的極大關(guān)注。 三個(gè)月來，首批入職新華社的一中
2019-02-25 09:28:26
也將受到美國的“毀滅性打擊”，并且點(diǎn)名要把中芯國際搞到“關(guān)門”。眾所周知，美國近兩年對(duì)華為采取了一系列的類似行動(dòng)，切斷了其在全球使用美國技術(shù)制造的芯片和其他電子產(chǎn)品的供應(yīng)。制裁最終也削弱了華為成功的移動(dòng)和寬帶業(yè)務(wù)。對(duì)此，你有什么看法，對(duì)中芯國際是否造成影響？
2022-03-11 10:34:37
結(jié)合實(shí)時(shí)熱點(diǎn)、助力解決行業(yè)痛點(diǎn)難點(diǎn)，賦能產(chǎn)業(yè)融合發(fā)展，由全球電子技術(shù)領(lǐng)域知名媒體集團(tuán)AspenCore主辦的2023國際集成電路展覽會(huì)暨研討會(huì) （IIC Shanghai）將3月29日-30日在上海國際
2023-02-28 16:11:42
億元人民幣，只能說明是英特爾高瞻遠(yuǎn)矚，提前布局，搶占先機(jī)。4、中芯國際深圳廠投產(chǎn)、28nm試量產(chǎn)芯片制造進(jìn)步快速中芯國際集成電路有限公司12月17日宣布其在深圳的8英寸晶圓廠正式投產(chǎn)。根據(jù)計(jì)劃，中芯
2015-01-13 15:48:21
2023年1月13日，知名物理IP提供商 銳成芯微（Actt） 宣布在22nm工藝上推出雙模藍(lán)牙射頻IP。近年來，隨著藍(lán)牙芯片各類應(yīng)用對(duì)功耗、靈敏度、計(jì)算性能、協(xié)議支持、成本的要求越來越高，22nm
2023-02-15 17:09:56
實(shí)現(xiàn)，比如電源管理芯片、電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片、照明驅(qū)動(dòng)芯片、快充/無線充芯片、BMS電池管理系統(tǒng)中的模擬前端芯片等。BCD（Bipolar-CMOS-DEMOS）工藝通過集成高驅(qū)動(dòng)能力的Bipolar器件、高
2023-03-03 16:42:42
EUV主要用于7nm及以下制程的芯片制造，光刻機(jī)作為集成電路制造中最關(guān)鍵的設(shè)備，對(duì)芯片制作工藝有著決定性的影響，被譽(yù)為“超精密制造技術(shù)皇冠上的明珠”，根據(jù)之前中芯國際的公報(bào)，目...
2021-07-29 09:36:46
知名芯片設(shè)計(jì)廠商ARM公司日前與臺(tái)積電公司簽訂了一份為期多年的新協(xié)議，根據(jù)該協(xié)議，雙方將就使用臺(tái)積電的FinFET工藝制造下一代64bit ARM處理器產(chǎn)品方面進(jìn)行合作。
2012-07-24 13:52:57911 該14納米產(chǎn)品體系與芯片是ARM、Cadence與IBM之間在14納米及以上高級(jí)工藝節(jié)點(diǎn)上開發(fā)系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）多年努力的重要里程碑。使用FinFET技術(shù)以14納米標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)的SoC能夠大幅降低功耗。 這
2012-11-16 14:35:551270 新思科技公司日前宣布：該公司與三星在FinFET技術(shù)上的多年合作已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了一個(gè)關(guān)鍵性的里程碑，即采用三星的14LPE工藝成功實(shí)現(xiàn)了首款測試芯片的流片
2013-01-09 12:11:311062 三星于2015年第一季度發(fā)布了半導(dǎo)體芯片行業(yè)首款采用14nmLPE （Low-Power Early） 工藝量產(chǎn)的Exynos 7 Octa處理器，成為FinFET邏輯制程上的行業(yè)引領(lǐng)者。
2016-01-15 17:12:47927 2016年5月19日，北京訊——ARM今日發(fā)布了首款采用臺(tái)積電公司（TSMC）10納米FinFET工藝技術(shù)的多核 64位 ARM?v8-A 處理器測試芯片。仿真基準(zhǔn)檢驗(yàn)結(jié)果顯示，相較于目前常用于多款頂尖智能手機(jī)計(jì)算芯片的16納米FinFET+工藝技術(shù)，此測試芯片展現(xiàn)更佳運(yùn)算能力與功耗表現(xiàn)。
2016-05-19 16:41:50662 中芯國際是全球芯片代工行業(yè)中的四大廠商之一。然而，目前，中芯國際投入量產(chǎn)的最先進(jìn)的制程工藝是28納米PolySiON工藝。并且，中芯國際仍需對(duì)高端的28納米HKMG工藝繼續(xù)深入探究。 中芯國際是全球
2017-04-26 10:05:11712 
本文介紹設(shè)計(jì)人員如何采用針對(duì)FinFET工藝的IP而克服數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)。
2017-09-18 18:55:33
17 賽靈思、Arm、Cadence和臺(tái)積公司今日宣布一項(xiàng)合作，將共同構(gòu)建首款基于臺(tái)積7納米FinFET工藝的支持芯片間緩存一致性（CCIX）的加速器測試芯片，并計(jì)劃在2018年交付
2017-09-23 10:32:124003 賽靈思、Arm、Cadence和臺(tái)積公司今日宣布計(jì)劃在 2018 年交付 7 納米 FinFET 工藝芯片。這一測試芯片旨在從硅芯片層面證明 CCIX 能夠支持多核高性能 Arm CPU 和 FPGA 加速器實(shí)現(xiàn)一致性互聯(lián)。
2017-09-25 11:20:206826 Technology （12FFC） 和最新版本 7nm FinFET Plus 工藝的認(rèn)證。Nitro-SoCTM 布局和布線系統(tǒng)也通過了認(rèn)證，可以支持 TSMC 的 12FFC 工藝技術(shù)。
2017-10-11 11:13:422372 在2011年初，英特爾公司推出了商業(yè)化的FinFET，使用在其22納米節(jié)點(diǎn)的工藝上［3］。從IntelCorei7-3770之后的22納米的處理器均使用了FinFET技術(shù)。由于FinFET具有
2018-07-18 13:49:00119524 
英特爾采用7nm FinFET工藝制成的EyeQ4無人駕駛芯片將會(huì)在明年上市，EyeQx芯片來自Mobileye，單顆芯片的TDP是5W。NVIDIA Xaiver會(huì)是她最強(qiáng)勁的對(duì)手。
2017-12-15 12:43:212862 中芯國際聯(lián)席CEO梁孟松透露，中芯國際將在2018年下半年量產(chǎn)28nm HKC+工藝，2019年上半年開始試產(chǎn)14nm FinFET工藝，并藉此進(jìn)入AI芯片領(lǐng)域。
2018-05-14 14:52:005009 。Mentor 的工具和 TSMC 的新工藝將協(xié)助雙方共同客戶更快地為高增長市場提供芯片創(chuàng)新。 TSMC 設(shè)計(jì)基礎(chǔ)架構(gòu)營銷部資深總監(jiān) Suk Lee 表示：“Mentor 通過提供更多功能和解決方案來支持我們最先進(jìn)的工藝，持續(xù)為TSMC 生態(tài)系統(tǒng)帶來了了更高的價(jià)值。
2018-05-17 15:19:003391 Synopsys設(shè)計(jì)平臺(tái)用于高性能、高密度芯片設(shè)計(jì) 重點(diǎn)： Synopsys設(shè)計(jì)平臺(tái)獲得TSMC工藝認(rèn)證，支持高性能7-nm FinFET Plus工藝技術(shù)，已成功用于客戶的多個(gè)設(shè)計(jì)項(xiàng)目。 針對(duì)
2018-05-17 06:59:004461 替換高清大圖 請(qǐng)點(diǎn)擊此處輸入圖片描述 中芯國際將在2018年下半年量產(chǎn)28nm HKC+工藝，2019年上半年開始試產(chǎn)14nm FinFET工藝，并借此進(jìn)入...... 晶圓制造是目前芯片設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)
2018-05-17 09:37:354975 在領(lǐng)先、變革、開放、合作的掌聲中，全球首個(gè)7nm量產(chǎn)芯片發(fā)布會(huì)落下帷幕。
2018-08-13 16:53:0818352 梁孟松是臺(tái)積電前研發(fā)處長，是臺(tái)積電FinFET工藝的技術(shù)負(fù)責(zé)人，而FinFET工藝是芯片制造工藝從28nm往20nm工藝以下演進(jìn)的關(guān)鍵，2014年臺(tái)積電研發(fā)出16nm工藝之后因制程能效甚至不
2018-09-02 09:00:133310 根據(jù)中芯國際之前的爆料，其14nm工藝良率已達(dá)95%，進(jìn)展符合預(yù)期，已經(jīng)進(jìn)入了客戶導(dǎo)入階段，正在進(jìn)行驗(yàn)證及IP設(shè)計(jì)。另外，中芯國際聯(lián)席CEO梁孟松宣布計(jì)劃在2019年上半年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)14nm FinFET。
2018-11-11 10:03:304212 和KylinCloud銀河麒麟云平臺(tái)上的SPEC Cloud IaaS 2018測試結(jié)果。這是全球首個(gè)在ARM64平臺(tái)上通過SPEC測試并正式發(fā)布的結(jié)果。
2019-12-26 14:04:222720 據(jù)中國臺(tái)灣消息報(bào)道，中國大陸芯片代工廠商中芯國際已經(jīng)從競爭對(duì)手臺(tái)積電手中，奪得華為旗下芯片企業(yè)海思半導(dǎo)體公司的14納米FinFET工藝的芯片代工訂單。
2020-01-14 15:31:432677 關(guān)注半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的臺(tái)灣《電子時(shí)報(bào)》（DigiTimes）1 月 13 日?qǐng)?bào)道稱，中國大陸芯片代工廠商中芯國際擊敗臺(tái)積電，奪得華為旗下芯片企業(yè)海思半導(dǎo)體公司的 14 納米 FinFET 工藝芯片代工訂單。
2020-01-16 09:00:015094 今年 2 月份 2019 年 Q4 財(cái)季的財(cái)報(bào)會(huì)議上， 聯(lián)席 CEO 梁孟松博士公開了中芯國際 N+1、N+2 代工藝的情況，N+1 工藝相當(dāng)于臺(tái)積電的第一代 7nm 工藝，N+2 相當(dāng)于臺(tái)積電的 7nm+ 工藝。
2020-03-12 09:14:332804 去年，中芯國際表示將在四季度開啟基于 14nm FinFET 制程的量產(chǎn)芯片。同時(shí)，該公司也在努力開發(fā)下一代主要節(jié)點(diǎn)（N+1），宣稱具有可媲美 7nm 工藝的部分特性。
2020-03-24 13:45:342567 業(yè)界普遍認(rèn)為，中芯國際N+1工藝相當(dāng)于臺(tái)積電第一代7nm工藝，N+2則相當(dāng)于臺(tái)積電7nm+，重點(diǎn)在提升性能，年底即可量產(chǎn)。
2020-03-24 17:09:1824612 國內(nèi)最大的晶圓代工廠中芯國際昨晚發(fā)布了2019年報(bào)，營收31．16億美元，公司擁有人應(yīng)占利潤為2．347億美元，同比增長75%。
2020-04-01 16:29:4822296 5月14日， Cadence宣布基于中芯國際14nm工藝的10Gbps多協(xié)議PHY研發(fā)成功，這是行業(yè)首個(gè)SMIC FinFET工藝上有成功測試芯片的多協(xié)議SerDes PHY IP。
2020-05-14 15:36:442619 稱，該公司的第一代FinFET 14nm工藝已于2019年第四季度量產(chǎn)，第二代FinFET N+1工藝已經(jīng)進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段，可望于2020年底小批量試產(chǎn)。 按照這樣的時(shí)間表推測，中芯國際N+1代工藝確實(shí)會(huì)在2021年規(guī)模量產(chǎn)。 N+1是中芯國際對(duì)其第二代先進(jìn)工藝的代號(hào)，但從未明確
2020-09-26 10:11:392092 第一代FinFET 14納米已于2019年四季度量產(chǎn)；第二代FinFET N+1已進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段，可望于2020年底小批量試產(chǎn)。 據(jù)集微網(wǎng)2月報(bào)道，在中芯國際2019第四季度財(cái)報(bào)會(huì)議上，梁孟松博士透露了中芯國際下一代N+1工藝的詳細(xì)數(shù)據(jù)。 梁孟松博士透露，中芯國際的下一代
2020-09-30 10:49:592771 710A 芯片等進(jìn)行代工。 對(duì)此，中芯國際回應(yīng)稱，公司的第一代FinFET 14nm工藝已于2019年第四季度量產(chǎn)，第二代FinFET N+1工藝已經(jīng)進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段，有望于2020年底小批量試產(chǎn)。在沒有使用EUV光刻機(jī)的情況下，中芯國際實(shí)現(xiàn)了14nm以下的先進(jìn)制造工藝，不能不說
2020-09-30 14:24:188395 9月21日消息，上周有投資者向中芯國際求證中芯關(guān)于下一代芯片量產(chǎn)消息，中芯國際回答表示，中芯國際第二代 FinFET N+1 已進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段，可望于 2020 年底進(jìn)行小批量試產(chǎn)。
2020-10-12 09:42:551413 
據(jù)珠海特區(qū)報(bào)近日?qǐng)?bào)道稱，中國領(lǐng)先的一站式IP和定制芯片領(lǐng)軍企業(yè)——芯動(dòng)科技發(fā)布消息稱，該公司已完成全球首個(gè)基于中芯國際FinFET N＋1先進(jìn)工藝的芯片流片和測試，所有IP全自主國產(chǎn)，功能一次測試通過，為國產(chǎn)半導(dǎo)體生態(tài)鏈再立新功。
2020-10-12 09:46:186133 根據(jù)中芯國際聯(lián)席CEO梁孟松博此前公布的信息顯示，N+1工藝和現(xiàn)有的14nm工藝相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，邏輯面積縮小了63%，SoC面積減少了55%。從邏輯面積縮小的數(shù)據(jù)來看，與7nm工藝相近。
2020-10-12 10:03:044881 自2019年始，芯動(dòng)在中芯N+1工藝尚待成熟的情況下，團(tuán)隊(duì)全程攻堅(jiān)克難，投入數(shù)千萬元設(shè)計(jì)優(yōu)化，率先完成NTO流片?；?b class="flag-6" style="color: red">N+1制程的首款芯片經(jīng)過數(shù)月多輪測試迭代，助力中芯國際突破N+1工藝良率瓶頸。
2020-10-12 11:11:566384 我國一站式IP定制芯片企業(yè)芯動(dòng)科技（INNOSILICON）近日宣布：已完成全球首個(gè)基于中芯國際FinFET N+1先進(jìn)工藝的芯片流片和測試，所有IP全自主國產(chǎn)，功能一次測試通過。 芯動(dòng)科技擁有自主
2020-10-13 17:33:192964 據(jù)消息，IP和定制芯片企業(yè)芯動(dòng)科技已完成全球首個(gè)基于中芯國際FinFET N＋1先進(jìn)工藝的芯片流片和測試，所有IP全自主國產(chǎn)，功能一次性通過。 在半導(dǎo)體領(lǐng)域，芯片流片也就等同于試生產(chǎn)，即設(shè)計(jì)完電路
2020-10-16 10:26:1112497 
作為中國大陸技術(shù)最先進(jìn)、規(guī)模最大的晶圓代工企業(yè)，中芯國際的制程工藝發(fā)展一直備受關(guān)注。歷經(jīng)20年，其制程工藝從0.18微米技術(shù)節(jié)點(diǎn)發(fā)展至如今的N+1工藝。
2020-10-20 16:50:105947 近日，國際測試委員會(huì)（BenchCouncil）在2020青島創(chuàng)新節(jié)期間舉辦的的智能計(jì)算機(jī)大會(huì)和芯片大會(huì)聯(lián)合主論壇上發(fā)布了國際首個(gè)智能超級(jí)計(jì)算機(jī)榜單HPC AI500。日本富士通公司奪得榜首，騰訊公司位列第四，中日美三國公司包攬榜單前九。
2020-11-03 14:41:541838 ，可望于2020年底小批量試產(chǎn)。 此外，中芯國際方面還重申，目前公司營運(yùn)和采購如常。 其實(shí)去年11月就曾有消息稱，中芯國際已經(jīng)啟動(dòng)了14nm FinFET工藝芯片的量產(chǎn)，且計(jì)劃2019年年底前進(jìn)行12nm FinFET的風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)。 按照中芯國際當(dāng)時(shí)在2019年Q3季度財(cái)報(bào)公布的情況，公司第一代FinFET已
2020-12-04 18:08:151858 據(jù)科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)報(bào)道稱，中芯國際的第二代FinFET已進(jìn)入小量試產(chǎn)。
2020-12-05 09:13:361519 2019 年四季度進(jìn)入量產(chǎn)，第二代 FinFET 已進(jìn)入小量試產(chǎn)。 IT之家了解到，中芯國際于 2019 年實(shí)現(xiàn)了國內(nèi)最先進(jìn)的 14nm 工藝制程量產(chǎn)，并已為華為麒麟 710A 芯片等進(jìn)行代工。 今年9月份，投資者向中芯國際求證中芯關(guān)于下一代芯片量產(chǎn)消息，中芯國際回答表示：中芯國際第二代
2020-12-07 11:23:372570 據(jù)最新消息，我國芯片生產(chǎn)巨頭中芯國際在互動(dòng)平臺(tái)公開表示，該司即將在2020年底小批量試產(chǎn)第二代FinFET N+1芯片，目前這一芯片已經(jīng)進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段。去年年底，中芯國際率先完成任務(wù)，完成了第一代FinFET 14nm芯片的量產(chǎn)工作。
2020-12-08 15:41:092788 從中芯國際官網(wǎng)的介紹來看，該公司提到的最先進(jìn)工藝還是14nm，接下來的是N+1、N+2工藝，但沒有指明具體的工藝節(jié)點(diǎn)。
2021-05-14 09:46:013193 ）認(rèn)證，亦是全球首個(gè)榮獲國際暗天協(xié)會(huì)認(rèn)證的顯示技術(shù)。E Ink電子紙的反射式顯示特性使其可通過環(huán)境光源顯示屏幕畫面，不自發(fā)光。在夜間觀看時(shí)，通過小型LED燈條即能照亮整個(gè)顯示屏幕，減少過度消耗可能干擾所處社區(qū)或環(huán)境的雜散光。 電子紙成為全球首個(gè)榮獲“國際黑暗天空協(xié)會(huì)”認(rèn)證的顯示技術(shù) 隨著智慧城
2022-02-17 14:14:381416 作為全球頂級(jí)科研巨頭的IBM在這一領(lǐng)域有了新的突破，通過與AMD、三星等多家公司合作，推出了2nm的測試芯片，這可是全球首顆2nm芯片。
2022-06-24 09:33:491041 全球首個(gè)2nm芯片是哪個(gè)國家的？全球首個(gè)研發(fā)出2nm芯片的國家亦不是臺(tái)積電，也不是三星，更不是聯(lián)發(fā)科，而是來自美國的IBM。
2022-06-29 16:34:144184 全球首個(gè)2nm芯片是中國的嗎？全球首個(gè)2nm芯片并不是中國制造的，而是由來自美國的IBM公司制造的，全球首顆2nm芯片位于美國紐約州奧爾巴尼半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)設(shè)計(jì)和生產(chǎn)。
2022-06-29 17:09:084040 2021年5月，IBM發(fā)布全球首個(gè)2納米芯片制造技術(shù)，首顆2nm工藝芯片用EUV光刻機(jī)進(jìn)行刻蝕在指甲大小的芯片上，集成了500億顆晶圓體，IBM通過與AMD、三星率先推出測試芯片，處于全球領(lǐng)先地位。
2022-07-04 09:21:412104 IBM宣布已開發(fā)出全球首個(gè)2nm工藝的半導(dǎo)體芯片,采用三層GAA環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)，首次使用底介電隔離通道，其潛在性能和電池續(xù)航能力都將得到巨大的提升。
2022-07-04 12:22:561068 ASIC設(shè)計(jì)服務(wù)暨IP研發(fā)銷售廠商智原科技（Faraday Technology Corporation，TWSE： 3035）今日推出支援多家晶圓廠FinFET工藝的芯片后端設(shè)計(jì)服務(wù)（design implementation service），由客戶指定制程（8納米、7納米、5納米及更先進(jìn)工藝）及生產(chǎn)的晶圓廠。
2022-10-25 11:52:17724 最小 Lg 是溝道柵極控制的函數(shù)，例如從具有不受約束的溝道厚度的單柵極平面器件轉(zhuǎn)移到具有 3 個(gè)柵極圍繞薄溝道的 FinFET，從而實(shí)現(xiàn)更短的 Lg。FinFET 的柵極控制在鰭底部最弱，優(yōu)化至關(guān)重要。
2023-01-04 15:54:511488 當(dāng)做到FinFET工藝時(shí)才了解到這個(gè)名詞，在平面工藝時(shí)都沒有接觸SHE（self-heating effect）這個(gè)概念。為什么到FinFET下開始需要注意SHE的影響了呢？下面參考一些材料總結(jié)一下分享，如有不準(zhǔn)確的地方請(qǐng)幫指正。
2023-12-07 09:25:09677 
且值此具有歷史意義的時(shí)刻，位于法國格勒諾布爾的行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)Dolphin Design，已于近期成功流片首款內(nèi)置先進(jìn)音頻IP的12 nm FinFET測試芯片，這無疑是公司發(fā)展路上一座新的里程碑。
2024-02-22 15:53:11173
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