，近日消息，國內(nèi)比亞迪也已成功研發(fā)可用于電動(dòng)車的SiCMOSFET。 與Si功率器件相比，SiC功率器件的優(yōu)勢在哪里？SiC功率器件的市場空間有多大？前段時(shí)間，在2018年ROHM科技展的SiC功率器件研討會(huì)上，ROHM技術(shù)專家謝健佳先生表示，未來SiC功率器件在太陽能發(fā)電、數(shù)據(jù)中心服
2018-12-13 11:26:11
9157 碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化鎵 (GaN) HEMT 等寬帶隙 (WBG) 功率器件的采??用目前正在廣泛的細(xì)分市場中全面推進(jìn)。在許多情況下，WBG 功率器件正在取代它們的硅對(duì)應(yīng)物，并在
2022-07-29 14:09:53807 
在很寬的范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)對(duì)器件制造所需的p型和n型的控制。因此，SiC被認(rèn)為是有望超越硅極限的功率器件材料。SiC具有多種多型（晶體多晶型），并且每種多型顯示不同的物理特性。對(duì)于功率器件，4H-SiC被認(rèn)為是理想的，其單晶4英寸到6英寸之間的晶圓目前已量產(chǎn)。
2022-11-22 09:59:261373 近年來，SiC功率器件的出現(xiàn)大大提升了半導(dǎo)體器件的性能，這對(duì)電力電子行業(yè)的發(fā)展意義重大。據(jù)Yole預(yù)測，到2023年SiC功率器件市場規(guī)模預(yù)計(jì)將達(dá)14億美元，其主要的市場增長機(jī)會(huì)在汽車領(lǐng)域，特別是
2019-07-05 11:56:2833343 ROHM的SiC MOSFET被UAES公司的OBC產(chǎn)品采用，與以往的OBC相比，新OBC所在單元的效率提高了1%（效率高達(dá)95.7%，功率損耗比以往降低約20%）。
2020-03-18 07:58:001590 ROHM針對(duì)這些挑戰(zhàn)，于2019年開始開發(fā)內(nèi)置高耐壓、低損耗SiC MOSFET的插裝型AC/DC轉(zhuǎn)換器IC，并一直致力于開發(fā)出能夠更大程度地發(fā)揮SiC功率半導(dǎo)體性能的IC，在行業(yè)中處于先進(jìn)地位。
2021-06-20 10:58:48961 
ROHM致力于為廣泛的應(yīng)用提供有效的電源解決方案，不僅專注于行業(yè)先進(jìn)的SiC功率元器件，還積極推動(dòng)Si功率元器件和驅(qū)動(dòng)IC的技術(shù)及產(chǎn)品開發(fā)。
2021-07-08 16:31:581605 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在我們談?wù)摰谌雽?dǎo)體的時(shí)候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361220 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM在慕尼黑上海電子展上展出了ROHM所擅長的模擬電源、以業(yè)界領(lǐng)先的SiC（碳化硅）元器件為首的功率元器件、種類繁多的汽車電子產(chǎn)品、以及能夠?yàn)镮oT（物聯(lián)網(wǎng)）的發(fā)展做出貢獻(xiàn)
2019-04-12 05:03:38
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM在慕尼黑上海電子展上展出了ROHM所擅長的模擬電源、以業(yè)界領(lǐng)先的SiC（碳化硅）元器件為首的功率元器件、種類繁多的汽車電子產(chǎn)品、以及能夠?yàn)镮oT（物聯(lián)網(wǎng)）的發(fā)展做出貢獻(xiàn)
2019-07-11 04:17:44
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM在慕尼黑上海電子展上展出了ROHM所擅長的模擬電源、以業(yè)界領(lǐng)先的SiC（碳化硅）元器件為首的功率元器件、種類繁多的汽車電子產(chǎn)品、以及能夠?yàn)镮oT（物聯(lián)網(wǎng)）的發(fā)展做出貢獻(xiàn)
2019-07-15 04:20:14
使其內(nèi)置功率器件芯片（IGBT或SiC MOSFET）和功率分流電阻器成為可能，這將有助于主驅(qū)逆變器的小型化發(fā)展。與PSR350一樣，PSR330通過優(yōu)化材料和制造工序，縮小了產(chǎn)品尺寸，預(yù)計(jì)將以15W
2023-03-14 16:13:38
實(shí)現(xiàn)了具有硅半導(dǎo)體無法得到的突破性特性的碳化硅半導(dǎo)體（SiC半導(dǎo)體）的量產(chǎn)。另外，在傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體功率元器件領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)了從分立式半導(dǎo)體到IC全覆蓋的融合了ROHM綜合實(shí)力的復(fù)合型產(chǎn)品群。下面介紹這些產(chǎn)品中的一部分。
2019-07-08 08:06:01
標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品，并與具有高技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)和高品質(zhì)要求的供應(yīng)商合作。在這過程中，ROHM作為ApexMicrotechnology的SiC功率元器件供應(yīng)商脫穎而出。ROHM的服務(wù)和技術(shù)支持都非常出色，使得我們能夠
2023-03-29 15:06:13
，而且產(chǎn)品還具有薄型尺寸（1U），有助于削減系統(tǒng)的安裝面積。＜關(guān)于ROHM的SiC功率器件＞ROHM于2010年在全球開始SiC MOSFET的量產(chǎn)以來，作為SiC功率元器件領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，一直在推動(dòng)先進(jìn)
2023-03-02 14:24:46
盡管自20世紀(jì)70年代以來，與器件相關(guān)的SiC材料研究一直在進(jìn)行，但是Baliga在1989年最正式地提出了SiC用于功率器件的前景。Baliga的品質(zhì)因素是有抱負(fù)的材料和器件科學(xué)家繼續(xù)推進(jìn)SiC
2023-02-27 13:48:12
MOSFET上進(jìn)行了加速柵極氧化物壽命測試。兩個(gè)測試結(jié)果之間的密切一致證實(shí)了SiC MOSFET是可靠的器件，當(dāng)在T = 175°C和V GS = 25V 下工作時(shí)，預(yù)計(jì)壽命超過100年。點(diǎn)擊顯示大圖圖2加速
2019-07-30 15:15:17
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-03-14 06:20:14
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-04-22 06:20:22
”）應(yīng)用越來越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET，這里給出了DMOS結(jié)構(gòu)，不過目前ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。具體情況計(jì)劃后續(xù)進(jìn)行介紹。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
。本篇到此結(jié)束。關(guān)于SiC-MOSFET，將會(huì)借其他機(jī)會(huì)再提供數(shù)據(jù)。（截至2016年10月）關(guān)鍵要點(diǎn):?ROHM針對(duì)SiC-SBD的可靠性，面向標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體元器件，根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行試驗(yàn)與評(píng)估。＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞SiC-SBDSiC-MOSFET
2018-11-30 11:50:49
電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時(shí)由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時(shí)會(huì)產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結(jié)晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為合適
2019-07-23 04:20:21
具有成本效益的大功率高溫半導(dǎo)體器件是應(yīng)用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導(dǎo)體材料，與Si相比，它在應(yīng)用中具有諸多優(yōu)勢。由于具有較寬的帶隙，SiC器件的工作溫度可高達(dá)600℃，而Si器件
2018-09-11 16:12:04
前面對(duì)SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進(jìn)行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對(duì)SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)
2018-11-29 14:35:23
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09
與硅相比，SiC有哪些優(yōu)勢？SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能？碳化硅器件的缺點(diǎn)有哪些？
2021-07-12 08:07:35
的方式相存在。 另外，汽車無疑是SiC最大的應(yīng)用市場，且業(yè)內(nèi)預(yù)計(jì)到2025年，汽車電子功率器件領(lǐng)域采用SiC技術(shù)的占比會(huì)超過20%，因此意法半導(dǎo)體、英飛凌、安森美等都在產(chǎn)能擴(kuò)張、產(chǎn)業(yè)整合、技術(shù)創(chuàng)新
2022-12-27 15:05:47
眾多電子信息系統(tǒng)的性能。已有文獻(xiàn)報(bào)道采用SiC 功率器件制作了寬帶脈沖功率放大器， 并進(jìn)行了性能測試和環(huán)境試驗(yàn)， 證實(shí)了SiC 功率器件可靠性較高、環(huán)境適應(yīng)能力較強(qiáng)等特點(diǎn)。
2019-08-12 06:59:10
。我們就SCS3系列的特點(diǎn)、應(yīng)用范圍展望等，采訪了負(fù)責(zé)開發(fā)的ROHM株式會(huì)社 功率元器件制造部 千賀 景先生。－今年春天ROHM宣布推出SiC-SBD的第三代產(chǎn)品。后面我會(huì)問到第三代SiC-SBD的特點(diǎn)
2018-12-03 15:12:02
。SiC半導(dǎo)體的功率元器件SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）和SiC-MOSFET已于2010年＊1量產(chǎn)出貨，SiC的MOSFET和SBD的“全SiC”功率模塊也于2012年＊1實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。此時(shí)，第二代
2018-11-29 14:39:47
第五屆"ROHM技術(shù)研討會(huì)"計(jì)劃于蘇州、廈門、北京、惠州、合肥5大城市舉行。根據(jù)各個(gè)城市不同的行業(yè)發(fā)展情況，將圍繞"電源"與"SiC（碳化硅） "開展
2018-09-03 13:24:49
半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動(dòng)電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實(shí)現(xiàn)更高功率，更高開關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導(dǎo)體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
解決方案、SiC（碳化硅）功率元器件、電源IC開發(fā)趨勢、EMC/EMI熱設(shè)計(jì)支持、傳感器解決方案、功率元器件故障解析等主題，帶來6場技術(shù)講座。??相約“2019 ROHM科技展”，共享ROHM最新的產(chǎn)品
2019-09-29 17:42:28
本帖最后由 chxiangdan 于 2018-7-27 17:22 編輯
親愛的電子發(fā)燒友小伙伴們！羅姆作為 SiC 功率元器件的領(lǐng)先企業(yè)，自上世紀(jì) 90 年代起便著手于 SiC 功率元器件
2018-07-27 17:20:31
失效模式等。項(xiàng)目計(jì)劃①根據(jù)文檔，快速認(rèn)識(shí)評(píng)估板的電路結(jié)構(gòu)和功能；②準(zhǔn)備元器件，相同耐壓的Si-MOSFET和業(yè)內(nèi)3家SiC-MOSFET③項(xiàng)目開展，按時(shí)間計(jì)劃實(shí)施，④項(xiàng)目調(diào)試，優(yōu)化，比較，分享。預(yù)計(jì)成果分享項(xiàng)目的開展，實(shí)施，結(jié)果過程，展示項(xiàng)目結(jié)果
2020-04-24 18:09:12
額定電壓SiC功率管和高壓無源器件完成雙相諧振式DC/DC變換器的板級(jí)電路的搭建。預(yù)期性能指標(biāo)：輸入電壓800V，輸出電壓400V，額定功率3.3kW；開關(guān)頻率200kHz；滿載效率>90%；電壓紋波和電流紋波均小于1%。預(yù)計(jì)成果：分享項(xiàng)目的開展，實(shí)施，結(jié)果過程，展示項(xiàng)目結(jié)果
2020-04-24 18:11:27
項(xiàng)目名稱：微電網(wǎng)結(jié)構(gòu)與控制研究試用計(jì)劃：本人從事電力電子開發(fā)與研究已有10年，目前在進(jìn)行微電網(wǎng)結(jié)構(gòu)與其控制相關(guān)項(xiàng)目，我們擁有兩電平和多電平并網(wǎng)逆變器，需要將逆變器功率器件全部更換為SiC MOS，以
2020-04-29 18:26:12
項(xiàng)目名稱：電池充放電檢測設(shè)備試用計(jì)劃：申請理由：現(xiàn)有的充放電設(shè)備的功率密度較低，打算使用SiC來提供功率密度。 使用項(xiàng)目：電池充放電檢測設(shè)備計(jì)劃：了解并測試demo的驅(qū)動(dòng)，現(xiàn)有產(chǎn)品的的驅(qū)動(dòng)是否適用于
2020-04-24 18:09:35
。想借助發(fā)燒友論壇和羅姆P02SCT3040KR-EVK-001 評(píng)估板完善該項(xiàng)目的設(shè)計(jì)，目前風(fēng)電領(lǐng)域正值國家最后兩年的補(bǔ)貼期，發(fā)展勢頭迅猛，也是國產(chǎn)化的前沿陣地，使用SiC器件預(yù)計(jì)可以解決部分器件性能
2020-04-24 18:03:59
項(xiàng)目名稱：全SiC MMC實(shí)驗(yàn)平臺(tái)設(shè)計(jì)——功率子模塊驅(qū)動(dòng)選型試用計(jì)劃：申請理由本人在電力電子領(lǐng)域有三年多的學(xué)習(xí)和開發(fā)經(jīng)驗(yàn)，曾設(shè)計(jì)過基于半橋級(jí)聯(lián)型拓?fù)涞膬?chǔ)能系統(tǒng)，通過電力電子裝置實(shí)現(xiàn)電池單元的間接
2020-04-21 16:02:34
和學(xué)習(xí)，現(xiàn)申請此開發(fā)板。項(xiàng)目名稱:基于碳化硅功率器件的永磁同步電機(jī)先進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究計(jì)劃：研究碳化硅功率器件的開關(guān)行為；研究碳化硅功率器件熱阻抗特性；研究碳化硅功率器件在永磁同步電機(jī)伺服控制系統(tǒng)中的驅(qū)動(dòng)技術(shù)。預(yù)計(jì)成果：以上研究及測試總結(jié)報(bào)告
2020-04-21 16:04:04
元件來適應(yīng)略微增加的開關(guān)頻率，但由于無功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力?！ 』?SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機(jī)型。之后計(jì)劃依次介紹其特點(diǎn)、性能、應(yīng)用案例和使用方法。何謂全SiC功率模塊ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全
2018-11-27 16:38:04
ROHM為參戰(zhàn)2017年12月2日開幕的電動(dòng)汽車全球頂級(jí)賽事“FIAFormula E錦標(biāo)賽2017-2018（第4賽季）”的文圖瑞Formula E車隊(duì)提供全SiC功率模塊。ROHM在上個(gè)賽季（第
2018-12-04 10:24:29
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優(yōu)異性能。本文將對(duì)開關(guān)損耗進(jìn)行介紹，開關(guān)損耗也可以說是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。全SiC功率模塊的開關(guān)損耗全SiC功率模塊與現(xiàn)有
2018-11-27 16:37:30
ROHM一直專注于功率元器件的開發(fā)。最近推出并已投入量產(chǎn)的“SCT2H12NZ”，是實(shí)現(xiàn)1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現(xiàn)有650V與1200V的產(chǎn)品陣容中新增的更高耐壓版本。不僅具備
2018-12-04 10:11:25
ROHM努力推進(jìn)最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢壘二極管）。2010年在日本國內(nèi)率先開始SiC SBD的量產(chǎn)，目前正在擴(kuò)充第二代SIC-SBD產(chǎn)品陣容，并推動(dòng)在
2018-12-04 10:26:52
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:14:32
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)對(duì)汽車級(jí)離散器件的影響之后，它介紹了ROHM半導(dǎo)體公司的兩款符合AEC標(biāo)準(zhǔn)的SiC功率器件，并強(qiáng)調(diào)了成功設(shè)計(jì)必須考慮的關(guān)鍵特性。為電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車提供動(dòng)力
2019-08-11 15:46:45
`①未來發(fā)展導(dǎo)向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半導(dǎo)體”已逐漸步入大眾生活，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導(dǎo)體）元器件備受矚目。在科技發(fā)展道路上的，“小型化”和“節(jié)能化
2017-07-22 14:12:43
) 2019/2020要求的產(chǎn)品，視為滿足舊版ERP指令 (EC) No 244/2009，(EC) No 245/2009及 (EU) No 1194/2012的要求。2.新增條款：針對(duì)已投放市場的產(chǎn)品
2021-04-02 09:29:09
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應(yīng)的SiC-MOSFET的相關(guān)信息。獨(dú)有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-05-07 06:21:51
SiCMOSFET具有出色的開關(guān)特性，但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作-前言”中介
2022-09-20 08:00:00
`— —開年了，去把倉庫里的元器件拿出來，都盤一盤吧。不論今年是不是過去十年中最差的一年,2019已經(jīng)在我們面前展開了。本文將盡各方角度為大家展示2019年元器件市場的可能性，您依然可以通過文末暗號(hào)
2019-02-25 10:53:53
2019年度末（2020年3月底）將整體MLCC產(chǎn)能提高兩成。此外，早在同年6月8日村田曾宣布，計(jì)劃投資290億日元興建一座MLCC新廠，新廠預(yù)計(jì)于2018年9月動(dòng)工、2019年12月完工。一下子兩個(gè)
2018-10-10 16:13:30
著這些電力電子設(shè)備的成本和效率。自從二十世紀(jì)五十年代真空管被固態(tài)器件代替以來，以硅(Si)材料為主的功率半導(dǎo)體器件就一直扮演著重要的角色。功率雙極性晶體管及晶閘管的問世，大大減小的電力電子設(shè)備的體積重量
2021-03-25 14:09:37
的一種最具有優(yōu)勢的半導(dǎo)體材料.并且具有遠(yuǎn)大于Si材料的功率器件品質(zhì)因子。SiC功率器件的研發(fā)始于20世紀(jì)90年代.目前已成為新型功率半導(dǎo)體器件研究開發(fā)的主流。2004年SiC功率MOSFET不僅在高
2017-06-16 10:37:22
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
SiC功率器件的封裝技術(shù)要點(diǎn)
具有成本效益的大功率高溫半導(dǎo)體器件是應(yīng)用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導(dǎo)體材料，與S
2009-11-19 08:48:432355 【ROHM半導(dǎo)體（上海）有限公司 03月19日上海訊】全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM為加強(qiáng)需求日益擴(kuò)大的二極管等分立元器件產(chǎn)品的生產(chǎn)能力，決定在ROHM旗下的馬來西亞制造子公司ROHM ‐ WAKO ELECTRONICS （MALAYSIA）SDN.BHD.（以下簡稱RWEM）投建新廠房。
2015-03-20 11:35:03889 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM面向工業(yè)設(shè)備和太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出額定1200V/300A的“全SiC”功率模塊“BSM300D12P2E001”。
2015-05-05 14:07:44737 引言SiC功率器件已經(jīng)成為高效率、高電壓及高頻率的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中Si功率器件的可行替代品。正如預(yù)期的優(yōu)越材料
2018-03-20 11:43:024444 使用SiC的新功率元器件技術(shù)
2018-06-26 17:56:005775 本視頻介紹了SiC SBD、SiC-MOSFETs、“全SiC”功率模塊。ROHM的"全SiC"功率模塊具有高速開關(guān)、低開關(guān)損耗、高速恢復(fù)、消除寄生二極管通電導(dǎo)致的原件劣化問題等特點(diǎn)，可用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、太陽能發(fā)電、轉(zhuǎn)換器等多元化領(lǐng)域。
2018-06-26 17:53:007927 SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場強(qiáng)是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導(dǎo)率是Si的3倍，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:419257 
日刊工業(yè)新聞4日報(bào)導(dǎo)，Sony計(jì)劃在長崎縣諫早市的現(xiàn)有工廠內(nèi)興建使用于智能手機(jī)相機(jī)等用途的CMOS影像傳感器新廠房，預(yù)估最快將在2019年末動(dòng)工、2021年內(nèi)啟用生產(chǎn)。全球智能手機(jī)市場雖減速，不過因每臺(tái)智能機(jī)搭載的相機(jī)數(shù)量增加、加上傳感器大尺寸化趨勢今后料將持續(xù)，也讓Sony決議進(jìn)行增產(chǎn)。
2019-06-05 17:01:243719 隨著我國新能源汽車市場的不斷擴(kuò)大，充電樁市場發(fā)展前景廣闊。SiC材料的功率器件可以實(shí)現(xiàn)比Si基功率器件更高的開關(guān)頻繁，可以提供高功率密度、超小的體積，因此SiC功率器件在充電樁電源模塊中的滲透率不斷增大。
2019-06-18 17:24:501774 
安森美半導(dǎo)體是功率電子領(lǐng)域的市場領(lǐng)導(dǎo)者之一，在SiC功率器件領(lǐng)域的地位正在迅速攀升。
2019-07-25 08:50:504206 得到的突破性特性的碳化硅半導(dǎo)體（SiC半導(dǎo)體）的量產(chǎn)。另外，在傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體功率元器件領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)了從分立式半導(dǎo)體到IC全覆蓋的融合了ROHM綜合實(shí)力的復(fù)合型產(chǎn)品群。下面介紹這些產(chǎn)品中的一部分。
2020-09-24 10:45:00
0 ROHM于2015年世界上第一家成功地實(shí)現(xiàn)了溝槽結(jié)構(gòu)SiC MOSFET的量產(chǎn)，并一直致力于提高SiC功率元器件的性能。
2021-01-07 11:48:121754 的 3 倍，而且在器件制造時(shí)可以在較寬的范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)必要的 P 型、N 型控制，所以被認(rèn)為是一種超越 Si 極限的用于制造功率器件的材料。SiC 存在各種多型體（結(jié)晶多系），它們的物性值也各不相同。最適合于制造功率器件的是 4H-SiC，現(xiàn)在 4inch～6inch 的單晶晶圓已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)。
2021-04-20 16:43:0957 羅姆最近在日本筑后市的羅姆阿波羅工廠完成了一座新建筑。該設(shè)施旨在提高碳化硅（SiC）功率器件的生產(chǎn)能力。這座創(chuàng)新建筑采用工廠自動(dòng)化和可再生節(jié)能技術(shù)，從生態(tài)角度看待制造業(yè) Rohm
2022-07-26 17:24:31812 
碳化硅（SiC）被認(rèn)為是未來功率器件的革命性半導(dǎo)體材料;許多SiC功率器件已成為卓越的替代電源開關(guān)技術(shù)，特別是在高溫或高電場的惡劣環(huán)境中。
2022-11-06 18:50:471289 近年來，功率元器件在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中發(fā)揮著非常重要的作用。在涉及到大功率和高電壓的應(yīng)用產(chǎn)品開發(fā)過程中，特別是在預(yù)先確保安全性方面，仿真是一種行之有效的方法。 ROHM提供的在線仿真工具“ROHM
2022-11-09 18:36:00463 
碳化硅（SiC）功率器件具有提高效率、動(dòng)態(tài)性能和可靠性的顯著優(yōu)勢電子和電氣系統(tǒng)。回顧了SiC功率器件發(fā)展的挑戰(zhàn)和前景
2022-11-11 11:06:141503 近年來，SiC功率器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和制造工藝日趨完善，已經(jīng)接近其材料特性決定的理論極限，依靠Si器件繼續(xù)完善來提高裝置與系統(tǒng)性能的潛力十分有限。本文首先介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場前景，其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問題，最后介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件的突破。
2022-11-24 10:05:102020 SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對(duì)SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行介紹。通過將SiC應(yīng)用到功率元器件上，實(shí)現(xiàn)以往Si功率元器件無法實(shí)現(xiàn)的低損耗功率轉(zhuǎn)換。不難發(fā)現(xiàn)這是SiC使用到功率元器件上的一大理由。
2023-02-09 11:50:19448 
本文就SiC-MOSFET的可靠性進(jìn)行說明。這里使用的僅僅是ROHM的SiC-MOSFET產(chǎn)品相關(guān)的信息和數(shù)據(jù)。另外，包括MOSFET在內(nèi)的SiC功率元器件的開發(fā)與發(fā)展日新月異，如果有不明之處或希望確認(rèn)現(xiàn)在的產(chǎn)品情況，請點(diǎn)擊這里聯(lián)系我們。
2023-02-08 13:43:21860 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機(jī)型。
2023-02-08 13:43:21685 
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:081333 
業(yè)的產(chǎn)值有望超過 60 億美元。 Yole 表示，EV/混合動(dòng)力汽車市場將成為 SiC 功率元件的最佳市場，預(yù)計(jì)超過 70% 的收入將來自該領(lǐng)域。如下圖所示，根據(jù) Yole 的預(yù)測，除汽車以外，能源、交通、工業(yè)、消費(fèi)者、通信和基礎(chǔ)設(shè)施等也都將為 SiC 的發(fā)展貢獻(xiàn)力量。 總結(jié)而言，SiC 基器件擁
2023-02-20 17:05:161106 前面對(duì)SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進(jìn)行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對(duì)SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行介紹。
2023-02-22 09:15:30346 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機(jī)型。之后計(jì)劃依次介紹其特點(diǎn)、性能、應(yīng)用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08430 
ROHM的1,200VSiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的這些產(chǎn)品將有助于應(yīng)用的小型化并提高模塊的性能和可靠性。
2023-04-10 09:34:29483 碳化硅（SiC）器件是一種新興的技術(shù)，具有傳統(tǒng)硅所缺乏的多種特性。SiC具有比Si更寬的帶隙，允許更高的電壓阻斷，并使其適用于高功率和高電壓應(yīng)用。此外，SiC還具有比Si更低的熱阻，這意味著它可以更有效地散熱，具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:161469 SiC（碳化硅）功率元器件領(lǐng)域的先進(jìn)企業(yè)ROHM Co., Ltd. （以下簡稱“羅姆”）于2023年6月19日與全球先進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)和電動(dòng)化解決方案大型制造商緯湃科技（以下簡稱“Vitesco”）簽署
2023-06-20 16:14:54139 范圍內(nèi)控制必要的p型、n型，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結(jié)晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為
2023-08-21 17:14:581145 
?
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SiC SBD”)已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商Apex?Microtechnology的功率模塊
2023-09-14 19:15:14353 已經(jīng)竣工，并舉行了竣工儀式。 RWEM此前主要生產(chǎn)二極管和LED等小信號(hào)產(chǎn)品，新廠房建成后計(jì)劃生產(chǎn)隔離柵極驅(qū)動(dòng)器(模擬IC的重點(diǎn)產(chǎn)品之一)。 隔離柵極驅(qū)動(dòng)器是用來對(duì)IGBT和SiC等功率半導(dǎo)體進(jìn)行合宜驅(qū)動(dòng)的IC，在實(shí)現(xiàn)電動(dòng)汽車和工業(yè)設(shè)備的節(jié)能化及小型化方面發(fā)揮著重要作用，預(yù)計(jì)未來其需求將會(huì)進(jìn)一步
2023-10-18 10:44:34470 
半導(dǎo)體器件，這一計(jì)劃得到了日本政府的支持。 ROHM和東芝將分別對(duì)SiC和Si功率器件進(jìn)行密集投資，兩者將依據(jù)對(duì)方生產(chǎn)力優(yōu)勢進(jìn)行互補(bǔ)，有效提高供應(yīng)能力。 兩家公司計(jì)劃在合作項(xiàng)目上花費(fèi)3883億日元（折合人民幣約193億元），其中日本政府可提供最高1294億日
2023-12-11 13:46:15174 與存儲(chǔ)株式會(huì)社（"東芝電子設(shè)備與存儲(chǔ)"）合作生產(chǎn)和增加功率器件產(chǎn)量的計(jì)劃得到了經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省的認(rèn)可，并將作為支持日本政府實(shí)現(xiàn)安全穩(wěn)定的半導(dǎo)體供應(yīng)目標(biāo)的一項(xiàng)措施得到支持。ROHM 公司和東芝電子器件和存儲(chǔ)公司將分別在碳化硅（SiC）和硅（Si）功率器件方面加大投資力度，有效
2023-12-26 15:45:38270 
3月5日，據(jù)“樂山發(fā)布”消息，四川樂山高新區(qū)希爾電子功率半導(dǎo)體新項(xiàng)目廠房預(yù)計(jì)在今年下半年逐步投用，屆時(shí)企業(yè)將新增4個(gè)品類的生產(chǎn)線，全部投用后可實(shí)現(xiàn)年銷售額10億元。
2024-03-07 09:59:31295 和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓 大、開關(guān)頻率高等諸多優(yōu)點(diǎn),因而適用于更高工作頻 率的功率器件。但這些優(yōu)點(diǎn)同時(shí)也給SiC功率器件的互連封裝帶來了挑戰(zhàn)。
2024-03-07 14:28:43107 
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