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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>無缺陷砷化硼:新型半導(dǎo)體材料,更好的熱管理效應(yīng)

無缺陷砷化硼:新型半導(dǎo)體材料,更好的熱管理效應(yīng)

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半導(dǎo)體材料

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半導(dǎo)體材料有什么種類?

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2013-01-28 14:58:38

半導(dǎo)體材料那些事

好像***最近去英國還專程看了華為英國公司的石墨烯研究,搞得國內(nèi)好多石墨烯材料的股票大漲,連石墨烯內(nèi)褲都跟著炒作起來了~~小編也順應(yīng)潮流聊聊半導(dǎo)體材料那些事吧。
2019-07-29 06:40:11

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2020-06-08 17:04:49

泰克 TSP-2000-HALL 半導(dǎo)體器件測試方案

測試半導(dǎo)體材料的霍爾效應(yīng)是表征和分析半導(dǎo)體材料的重要手段。我們可以根據(jù)霍爾系數(shù)的符號來判斷半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電類型,是N型還是P型;霍爾效應(yīng)從本質(zhì)上講是運動的帶電粒子在磁場中受洛侖茲力作用而引起的偏轉(zhuǎn)
2020-05-12 13:54:52

淺談紫外半導(dǎo)體發(fā)光二極管應(yīng)用范圍

外量子效率只有3%左右。如今,基于壓電光電子學(xué)效應(yīng),美國佐治亞理工學(xué)院講席教授王中林帶領(lǐng)的課題組發(fā)明了一種新型高效紫外半導(dǎo)體發(fā)光二極管,在合適應(yīng)用作用下外量子效率可達(dá)到7.82%,其光發(fā)射強度、注入電流能力
2013-07-22 11:01:47

電力半導(dǎo)體模塊有什么特點?

模塊,按最初的定義是把兩個或兩個以上的電力半導(dǎo)體芯片按一定的電路結(jié)構(gòu)相聯(lián)結(jié),用RTV、彈性硅凝膠、環(huán)氧樹脂等保護(hù)材料,密封在一個絕緣的外殼內(nèi),并且與導(dǎo)熱底板相絕緣而成的。
2019-11-11 09:02:31

電子技術(shù)基礎(chǔ)知識整理------半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性

半導(dǎo)體有熱敏電阻(如鈷、錳、鎳等的氧化物)、光敏電阻(如鎘、鉛等的硫化物與硒物)。3、 在純凈的半導(dǎo)體中摻入微量的某種雜質(zhì)后,它的導(dǎo)電能力就可增加幾十萬甚至幾百萬倍。例如在純硅中摻入百萬分之一的
2016-10-07 22:07:14

第三代半導(dǎo)體材料盛行,GaN與SiC如何撬動新型功率器件

的一種最具有優(yōu)勢的半導(dǎo)體材料.并且具有遠(yuǎn)大于Si材料的功率器件品質(zhì)因子。SiC功率器件的研發(fā)始于20世紀(jì)90年代.目前已成為新型功率半導(dǎo)體器件研究開發(fā)的主流。2004年SiC功率MOSFET不僅在高
2017-06-16 10:37:22

第四屆深圳國際半導(dǎo)體及顯示技術(shù)展

。 (三)IC 制造與封裝 封裝設(shè)計、測試、設(shè)備與應(yīng)用、制造與封測、EDA、MCU、印制電路板、封裝基板、半導(dǎo)體材料與設(shè)備等。 (四)第三代半導(dǎo)體 第三代半導(dǎo)體器件、功率器件、鎵、磷化鎵、金剛石
2021-11-17 14:05:09

芯片,半導(dǎo)體,集成電路,傻傻分不清楚?

或是數(shù)字錄音機(jī)當(dāng)中的核心單元都和半導(dǎo)體有著極為密切的關(guān)連。常見的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、鎵等,而硅更是各種半導(dǎo)體材料中,在商業(yè)應(yīng)用上最具有影響力的一種。物質(zhì)存在的形式多種多樣,固體、液體、氣體
2020-04-22 11:55:14

芯片,集成電路,半導(dǎo)體含義

有著極為密切的關(guān)連。常見的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、鎵等,而硅更是各種半導(dǎo)體材料中,在商業(yè)應(yīng)用上最具有影響力的一種。物質(zhì)存在的形式多種多樣,固體、液體、氣體、等離子體等。我們通常把導(dǎo)電性差的材料,如煤
2020-02-18 13:23:44

芯言新語 | 從技術(shù)成熟度曲線看新型半導(dǎo)體材料

”,“5-10年”和“10年以上”分為4個級別。并用這5個階段和4個級別完成一個優(yōu)先權(quán)矩陣,用于評估投資該市場的風(fēng)險。2016技術(shù)成熟度曲線(來源:Gartner 2016年7月)新型半導(dǎo)體材料主要是以
2017-02-22 14:59:09

詳解:半導(dǎo)體的定義及分類

的核心單元都和半導(dǎo)體有著極為密切的關(guān)連。常見的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、鎵等,而硅更是各種半導(dǎo)體材料中,在商業(yè)應(yīng)用上最具有影響力的一種?! ?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體材料很多,按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類
2016-11-27 22:34:51

適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況介紹

,元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體,化合物指鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。隨著無線通信的發(fā)展,高頻電路應(yīng)用越來越廣,今天我們來介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況。
2019-06-27 06:18:41

半導(dǎo)體生產(chǎn)用高純度原料-氧化

半導(dǎo)體生產(chǎn)用高純度原料高純氧化(Boron Oxide,B2O3 )
2022-01-17 14:16:58

半導(dǎo)體器件HPM損傷脈寬效應(yīng)機(jī)理分析

半導(dǎo)體器件HPM損傷脈寬效應(yīng)機(jī)理分析:HPM能量在半導(dǎo)體器件損傷缺陷區(qū)的熱量沉積以及向周圍材料的熱量擴(kuò)散,是造成半導(dǎo)體器件損傷脈寬效應(yīng)的機(jī)理;分別得到了全脈
2009-10-29 13:57:0515

半導(dǎo)體材料,半導(dǎo)體材料是什么意思

半導(dǎo)體材料,半導(dǎo)體材料是什么意思 半導(dǎo)體材料(semiconductor material)   導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì)稱為半
2010-03-04 10:28:035544

低維半導(dǎo)體材料, 低維半導(dǎo)體材料是什么意思

低維半導(dǎo)體材料, 低維半導(dǎo)體材料是什么意思 實際上這里說的低維半導(dǎo)體材料就是納米材料,之所以不愿意使用這個詞,主要是不想
2010-03-04 10:31:425083

什么是半導(dǎo)體材料

什么是半導(dǎo)體材料 半導(dǎo)體材料(semiconductormaterial)是導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì)。半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能、可
2010-03-04 10:36:173395

半導(dǎo)體材料的工藝流程

半導(dǎo)體材料的工藝流程 導(dǎo)體材料特性參數(shù)的大小與存在于材料中的雜質(zhì)原子和晶體缺陷有很大關(guān)系。例如電阻率因雜質(zhì)原子的類型和
2010-03-04 10:45:252352

霍尼韋爾宣布推出用于便攜式計算設(shè)備的新型熱管理材料

霍尼韋爾宣布推出用于便攜式計算設(shè)備的新型熱管理材料-- 采用熱管理領(lǐng)域的領(lǐng)先技術(shù)     美國新澤西州莫里斯鎮(zhèn)2010年3月16日電 /美通社亞洲/ -- 霍尼韋爾公司
2010-03-16 19:22:41437

Honeywell推出便攜式新型熱管理材料

Honeywell推出便攜式新型熱管理材料 公司推出了一種新型的印刷熱管理材料,旨在解決筆記本等便攜式計算設(shè)備應(yīng)用中的熱管理問題。 霍尼韋爾電子材料部在開發(fā)
2010-03-19 14:10:04938

新發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體薄膜材料可產(chǎn)生光伏效應(yīng)

新發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體薄膜材料可產(chǎn)生光伏效應(yīng)  勞倫斯伯克利國家實驗室的研究人員發(fā)現(xiàn)一種新的方法,可克服傳統(tǒng)固態(tài)
2010-04-20 09:14:09983

半導(dǎo)體物理與器件:半導(dǎo)體材料#半導(dǎo)體

半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體材料
學(xué)習(xí)電子發(fā)布于 2022-11-10 14:35:48

半導(dǎo)體材料的電導(dǎo)

半導(dǎo)體中的缺陷能級實際晶體的缺陷:原子在其平衡位置附近振動材料含有雜質(zhì)存在點缺陷極微量的雜質(zhì)和缺陷,對材料的物理性能、化學(xué)性能產(chǎn)生決定性的影響。雜質(zhì)和缺陷的存在禁
2011-11-01 17:29:2635

半導(dǎo)體納米晶體薄膜 無缺陷?!

據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)報道,美國麻省理工學(xué)院的研究人員利用電子束光刻技術(shù)和剝離過程開發(fā)出無缺陷半導(dǎo)體納米晶體薄膜。這是一種很有前途的新材料,可廣泛應(yīng)用并開辟潛在的重點研
2012-08-22 09:06:17942

#工作原理大揭秘 #半導(dǎo)體 #半導(dǎo)體材料 半導(dǎo)體材料及應(yīng)用領(lǐng)域~

半導(dǎo)體材料
MDD辰達(dá)行半導(dǎo)體發(fā)布于 2023-03-09 15:56:26

什么是半導(dǎo)體材料_常見半導(dǎo)體材料有哪些

半導(dǎo)體材料很多,按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體;化合物半導(dǎo)體包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物(砷化鎵、磷化鎵等)、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物
2018-03-08 09:36:33119660

半導(dǎo)體材料應(yīng)用有哪些_半導(dǎo)體材料應(yīng)用領(lǐng)域介紹

半導(dǎo)體材料的早期應(yīng)用:半導(dǎo)體的第一個應(yīng)用就是利用它的整流效應(yīng)作為檢波器,就是點接觸二極管(也俗稱貓胡子檢波器,即將一個金屬探針接觸在一塊半導(dǎo)體上以檢測電磁波)。除了檢波器之外,在早期,半導(dǎo)體還用來做整流器、光伏電池、紅外探測器等,半導(dǎo)體的四個效應(yīng)都用到了。
2018-03-08 10:16:1957822

半導(dǎo)體材料中的光吸收機(jī)制

針對半導(dǎo)體材料光電特性的初期研究過程中,光子到電子的轉(zhuǎn)換過程是半導(dǎo)體材料對光子的吸收以及由此產(chǎn)生的一系列的效應(yīng),例如光電導(dǎo)效應(yīng)、光生伏特效應(yīng)等。之后通過對半導(dǎo)體材料光吸收效應(yīng)的深入研究,將其應(yīng)用在
2021-08-16 10:45:179622

替代硅的新型半導(dǎo)體材料

極佳的導(dǎo)熱性能正如開頭所說,熱量已經(jīng)成了半導(dǎo)體進(jìn)一步提高性能并在各種場景中投入使用的瓶頸,所以大家紛紛開始研制具有高導(dǎo)熱系數(shù)的半導(dǎo)體材料,也正因如此,導(dǎo)熱系數(shù)可達(dá)500W/mK的碳化硅才開始逐漸進(jìn)入汽車、航天市場,因為其導(dǎo)熱系數(shù)是傳統(tǒng)硅材料的三倍以上。
2022-07-29 09:26:212656

什么是半導(dǎo)體材料?半導(dǎo)體材料的發(fā)展之路

半導(dǎo)體材料是制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料,是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ)。利用半導(dǎo)體材料制作的各種各樣的半導(dǎo)體器件和集成電路,促進(jìn)了現(xiàn)代信息社會的飛速發(fā)展。
2023-08-07 10:22:031979

什么是半導(dǎo)體材料的壓阻效應(yīng)

什么是半導(dǎo)體材料的壓阻效應(yīng)半導(dǎo)體材料是現(xiàn)代電子技術(shù)的關(guān)鍵材料之一。它們具有獨特的電學(xué)性能,包括可調(diào)的電阻率和壓阻效應(yīng)。壓阻效應(yīng)是指半導(dǎo)體材料在受到外力或應(yīng)力作用時導(dǎo)電性能的變化。在本文中,我們
2023-09-19 15:56:551584

熱管理材料解決方案的選擇

關(guān)鍵詞:熱管理解決方案,TEC半導(dǎo)體制冷片,PCM相變材料,氮化硼絕緣導(dǎo)熱材料,高端國產(chǎn)材料引言:最近被廣泛報道的iPhone15Pro系列機(jī)型發(fā)熱,蘋果表示是因為iPhone在初次配置或者恢復(fù)
2023-10-10 09:45:02302

半導(dǎo)體材料檢測有哪些種類?測試半導(dǎo)體材料有哪些方法?

半導(dǎo)體材料是制作半導(dǎo)體器件與集成電路的基礎(chǔ)電子材料。隨著技術(shù)的發(fā)展以及市場要求的不斷提高,對于半導(dǎo)體材料的要求也越來越高。因此對于半導(dǎo)體材料的測試要求和準(zhǔn)確性也隨之提高,防止由于其缺陷和特性而影響半導(dǎo)體器件的性能。
2023-11-10 16:02:30690

泡沫材料在電池包熱管理中的應(yīng)用

泡沫材料在電池包熱管理中的應(yīng)用 隨著電動汽車的快速發(fā)展,電池技術(shù)的進(jìn)步對電動汽車的性能和續(xù)航里程起著至關(guān)重要的作用。然而,電池的熱管理問題一直是電動汽車產(chǎn)業(yè)中的一個突出挑戰(zhàn)。過高的溫度會降低電池
2023-12-08 15:55:47251

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