延續(xù)7納米制程領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，臺(tái)積電支援極紫外光(EUV)微影技術(shù)的7納米加強(qiáng)版(7+)制程將按既定時(shí)程于3月底正式量產(chǎn)，而全程采用EUV技術(shù)的5納米制程也將在2019年第2季進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)。 據(jù)了解，獨(dú)家
2019-02-13 10:08:15
4409 ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/周凱揚(yáng)）作為目前最先進(jìn)的半導(dǎo)體制造設(shè)備，EUV光刻機(jī)的誕生是由各個(gè)部件在技術(shù)上的集體突破才最終成型的，比如光刻膠、掩膜板和鏡組等等。但最為關(guān)鍵的還是EUV名號(hào)中的極紫外光
2023-02-13 07:04:004326 在9月份召開(kāi)的“SEMICON Taiwan 2014”展覽會(huì)上，ASML公司的臺(tái)灣地區(qū)銷(xiāo)售經(jīng)理鄭國(guó)偉透露，第3代極紫外光（EUV）設(shè)備已出貨6臺(tái)。
2014-10-11 09:09:541795 “7納米是很重要的節(jié)點(diǎn)，是生產(chǎn)工藝第一次轉(zhuǎn)向EUV的轉(zhuǎn)折點(diǎn)。三星和臺(tái)積電都宣布了將采用EUV(極紫外光微影)技術(shù)在7納米，而EUV是摩爾定律能夠進(jìn)一步延續(xù)到5納米以下的關(guān)鍵?！?Gartner(中國(guó)
2017-01-19 10:15:491397 在日前于美國(guó)舉行的西部光電展（Photonics West）上，業(yè)界多家廠(chǎng)商探討了極紫外光（EUV）微影所需的250W光源、具有發(fā)展前景的紅外線(xiàn)與近紅外線(xiàn)攝影機(jī)，以及利用雷射發(fā)光二極管（LED）光源進(jìn)行數(shù)據(jù)通訊等議題。
2017-03-09 07:50:452523 在三星決定7nm率先導(dǎo)入EUV后，讓EUV輸出率獲得快速提升，臺(tái)積電決定在7nm強(qiáng)化版提供客戶(hù)設(shè)計(jì)定案，5nm才決定全數(shù)導(dǎo)入。
2017-08-23 08:38:231779 極紫外 (EUV) 光刻系統(tǒng)是當(dāng)今使用的最先進(jìn)的光刻系統(tǒng)。本文將介紹這項(xiàng)重要但復(fù)雜的技術(shù)。
2023-06-06 11:23:54688 
他們正在研發(fā)下一代極紫外光刻機(jī)的，計(jì)劃在2022年年初開(kāi)始出貨，2024/2025年大規(guī)模生產(chǎn)。 在EUV光刻機(jī)方面，荷蘭ASML（阿斯麥）公司壟斷了目前的EUV光刻機(jī)，去年出貨26臺(tái)，創(chuàng)造了新紀(jì)錄。據(jù)報(bào)道，ASML公司正在研發(fā)新一代EUV光刻機(jī)，預(yù)計(jì)在2022年開(kāi)始出貨。根據(jù)
2020-03-18 09:16:392659 制造的各道工序，不少晶圓廠(chǎng)在新建之際時(shí)，都要對(duì)該地區(qū)的電力輸送進(jìn)行大改。 ? 極度耗電的EUV 光刻機(jī) ? 由于制造EUV光源的能源轉(zhuǎn)換效率并不算高，所以哪怕7nm節(jié)點(diǎn)下，EUV光刻機(jī)的目標(biāo)功耗只有250W，其實(shí)際需要的電力供應(yīng)依然驚人。一臺(tái)EU
2023-10-25 01:14:001062 ，購(gòu)買(mǎi)或者開(kāi)發(fā)EUV光刻機(jī)是否必要？中國(guó)應(yīng)如何切實(shí)推進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)的發(fā)展？EUV面向7nm和5nm節(jié)點(diǎn)所謂極紫外光刻，是一種應(yīng)用于現(xiàn)代集成電路制造的光刻技術(shù)，它采用波長(zhǎng)為10～14納米的極紫外光作為
2017-11-14 16:24:44
污染物將嚴(yán)重改變受照物體表面的吸收特性。除非另有規(guī)定，試驗(yàn)時(shí)應(yīng)當(dāng)保證樣品的清潔，但在評(píng)定表面污染物的作用時(shí)，有關(guān)規(guī)范應(yīng)規(guī)定樣品表面處理等必要內(nèi)容；5、紫外光耐氣候試驗(yàn)箱濕度在不同濕度條件下，各種材料、涂料
2017-09-07 15:07:23
自然界的陽(yáng)光和濕氣對(duì)材料的破壞，每年造成難以估計(jì)的經(jīng)濟(jì)損失，紫外光耐氣候試驗(yàn)箱可以再現(xiàn)陽(yáng)光、雨水和露水所產(chǎn)生的破壞。設(shè)備通過(guò)將待測(cè)材料曝曬放在經(jīng)過(guò)控制的陽(yáng)光和濕氣的交互循環(huán)中，同時(shí)提高溫度的方式
2018-03-01 10:47:14
MAX1614EUV - High-Side, n-Channel MOSFET Switch Driver Internal On/Off Latch - Maxim Integrated Products
2022-11-04 17:22:44
，光源是ArF（氟化氬）準(zhǔn)分子激光器，從45nm到10/7nm工藝都可以使用這種光刻機(jī)，但是到了7nm這個(gè)節(jié)點(diǎn)已經(jīng)的DUV光刻的極限，所以Intel、三星和臺(tái)積電都會(huì)在7nm這個(gè)節(jié)點(diǎn)引入極紫外光（EUV
2020-07-07 14:22:55
真空紫外輻射有高于共價(jià)鍵鍵能的光子能量,可在室溫下激起化學(xué)反應(yīng)。自上世紀(jì)80年代,基于稀有氣體介質(zhì)阻擋放電的準(zhǔn)分子真空紫外光燈面世以來(lái),真空紫外光源有了很大的發(fā)展,商業(yè)化的準(zhǔn)分子真空紫外光燈已有上百
2010-05-06 08:56:18
`有時(shí)自己做一些PCB，閑來(lái)無(wú)事，利用紫外光LED和一個(gè)網(wǎng)購(gòu)定時(shí)模塊制作了一個(gè)曝光箱，還沒(méi)進(jìn)行PCB實(shí)操，放一個(gè)變色鏡在上面，十幾秒就變色，上圖`
2018-01-30 14:47:54
7nm以下的工藝也將導(dǎo)入EUV技術(shù)。據(jù)***媒體報(bào)道，臺(tái)積電5nm制程將于今年第二季度量產(chǎn)。據(jù)臺(tái)積電介紹， 5nm是臺(tái)積公司第二代使用極紫外光（EUV）技術(shù)的制程，其已展現(xiàn)優(yōu)異的光學(xué)能力與符合預(yù)期的良好
2020-02-27 10:42:16
本文介紹了一種基于A(yíng)MBE-2000的紫外光語(yǔ)音系統(tǒng)設(shè)計(jì)。實(shí)驗(yàn)證明，紫外光語(yǔ)音通信系統(tǒng)具有低竊聽(tīng)率、低位辨率、全方位、高抗干擾能力、音質(zhì)優(yōu)、功耗低等特點(diǎn)。
2021-03-31 06:04:34
原文來(lái)源：如何對(duì)紫外光老化試驗(yàn)箱的維護(hù)保養(yǎng)工作小編：林頻儀器 為了使紫外光老化試驗(yàn)箱能過(guò)能好的工作，所以我們平時(shí)一定要對(duì)其進(jìn)行定期的維護(hù)和保養(yǎng)，這樣才能讓它一直處于良好的工作狀態(tài)，那我們?cè)谄綍r(shí)
2016-09-05 15:05:57
德國(guó)UV7800紫外光管道非開(kāi)挖修復(fù)機(jī)器人系統(tǒng)開(kāi)創(chuàng)式的配電設(shè)計(jì)，可以上UV燈鏈支持拓展延長(zhǎng)，固化效率提升1/3以上。同時(shí)設(shè)備可采用電腦程序控制或獨(dú)立的PLC系統(tǒng)控制。在突發(fā)事故中，平板電腦發(fā)生故障
2019-12-13 14:27:25
【作者】：呂鵬;劉春芳;張潮海;趙永蓬;王騏;賈興;【來(lái)源】：《強(qiáng)激光與粒子束》2010年02期【摘要】：描述了Z箍縮放電等離子體極紫外光源系統(tǒng)中的主脈沖電源,給出了主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),重點(diǎn)介紹了三級(jí)磁
2010-04-22 11:41:29
的物理現(xiàn)象：一是大氣層中的臭氧對(duì)波長(zhǎng)在200nm到280nm之間的紫外光有強(qiáng)烈的吸收作用，這個(gè)區(qū)域被叫做日盲區(qū)，到達(dá)地面的日盲區(qū)紫外光輻射在海平面附近幾乎衰減為零；另一現(xiàn)象是地球表面的日盲區(qū)紫外光被大氣
2019-06-18 08:00:06
或評(píng)估影響產(chǎn)品耐用性的組成變化等方面有極大的幫助。設(shè)備可以極好地預(yù)測(cè)產(chǎn)品將在戶(hù)外遭遇的變化。 盡管紫外光（UV）只占陽(yáng)光的5％，但是它卻是造成戶(hù)外產(chǎn)品耐用性下降的主要光照因素。這是因?yàn)殛?yáng)光的光化學(xué)
2017-10-11 15:40:19
荷蘭ISTEQ公司TEUS系列EUV光源產(chǎn)品介紹：ISTEQ公司開(kāi)發(fā)了一種基于激光產(chǎn)生等離子體（LPP）的EUV光源。該光源具有極高的亮度和極高的穩(wěn)定性。它采用可自刷新的材料，無(wú)需中斷和更換燃料盒
2023-07-05 16:06:24
荷蘭ISTEQ公司TEUS系列EUV光源產(chǎn)品介紹：ISTEQ公司開(kāi)發(fā)了一種基于激光產(chǎn)生等離子體（LPP）的EUV光源。該光源具有極高的亮度和極高的穩(wěn)定性。它采用可自刷新的材料，無(wú)需中斷和更換燃料盒
2023-07-05 16:16:48
新式半導(dǎo)體光刻技術(shù)中，極紫外光刻(EUV)被認(rèn)為是最有前途的方法之一，不過(guò)其實(shí)現(xiàn)難度也相當(dāng)高，從上世紀(jì)八十年代開(kāi)始探尋至今已經(jīng)將近三十年， 仍然未能投入實(shí)用。極紫外光
2010-06-17 17:27:381470 介紹了國(guó)內(nèi)外紫外光通信系統(tǒng)幾種紫外光源的發(fā)展,并從光譜特點(diǎn)、功率、效率等方面分析了其在紫外光通信中的應(yīng)用特點(diǎn)。指出了紫外發(fā)光二極管(UVED)決定了未來(lái)紫外光通信高速、小型
2011-10-17 17:02:10
48 巴隆周刊（Barrons）報(bào)導(dǎo)，艾司摩爾（ASML）上周公布上季財(cái)報(bào)亮眼，并宣布已接到新一代極紫外光（EUV）微影機(jī)臺(tái)六部訂單，有分析師推測(cè)，臺(tái)積電可能訂走了其中五臺(tái)，即一口氣買(mǎi)下5.5億美元的設(shè)備。
2017-01-22 11:19:0326386 為對(duì)抗三星，臺(tái)積電計(jì)劃導(dǎo)入極紫外光(EUV)微影設(shè)備，決定在7納米強(qiáng)化版提供客戶(hù)設(shè)計(jì)、并在5納米全數(shù)導(dǎo)入。這項(xiàng)決定引發(fā)群聚效應(yīng)，激勵(lì)相關(guān)設(shè)備供應(yīng)鏈和材料廠(chǎng)全數(shù)動(dòng)起來(lái)，搶進(jìn)「臺(tái)積大聯(lián)盟」，以分到市場(chǎng)。
2018-06-17 11:27:002411 EUV光刻機(jī)的唯一供應(yīng)商ASML在2017年度Semicon West半導(dǎo)體設(shè)備展上也表示，250瓦的EUV光源也萬(wàn)事俱備。公司2017年財(cái)報(bào)中也強(qiáng)調(diào)，其EUV光刻機(jī)滿(mǎn)足了125WPH（每小時(shí)生產(chǎn)
2018-01-23 14:51:008018 
? 前些天，新聞曝光的中芯國(guó)際花了1．2億美元從荷蘭ASML買(mǎi)來(lái)一臺(tái)EUV極紫外光刻機(jī)，未來(lái)可用于生產(chǎn)7nm工藝芯片，而根據(jù)最新消息稱(chēng)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)也迎來(lái)了自己的第一臺(tái)光刻機(jī)，國(guó)產(chǎn)SSD固態(tài)硬盤(pán)將迎來(lái)重大突破。
2018-06-29 11:24:008478 三星官網(wǎng)發(fā)布新聞稿，三星、高通宣布擴(kuò)大晶圓代工業(yè)務(wù)合作，包含高通下一代5G移動(dòng)芯片，將采用三星7納米LPP（Low-Power Plus）極紫外光（EUV）制程。 新聞稿指出，通過(guò)7納米LPP
2018-02-23 07:31:561279 納米電子與數(shù)字技術(shù)研發(fā)創(chuàng)新中心 IMEC 與美國(guó)楷登電子( Cadence) 公司聯(lián)合宣布，得益于雙方的長(zhǎng)期深入合作，業(yè)界首款 3nm 測(cè)試芯片成功流片。該項(xiàng)目采用極紫外光刻(EUV)技術(shù)。
2018-03-19 15:08:308347 隨機(jī)變化需要新方法、新工具，以及不同公司之間的合作。 極紫外（EUV）光刻技術(shù)正在接近生產(chǎn)，但是隨機(jī)性變化又稱(chēng)為隨機(jī)效應(yīng)正在重新浮出水面，并為這項(xiàng)期待已久的技術(shù)帶來(lái)了更多的挑戰(zhàn)
2018-03-31 11:52:005861 臺(tái)積電為防堵強(qiáng)敵三星在七納米導(dǎo)入極紫外光（EUV）及后段先進(jìn)封裝，搶食蘋(píng)果新一代處理器訂單，已加速在七納米強(qiáng)化版導(dǎo)入極紫外光時(shí)程。供應(yīng)鏈透露，臺(tái)積電可望年底建構(gòu)七納米強(qiáng)化版試產(chǎn)線(xiàn)，進(jìn)度追平或超前三星，讓三星無(wú)奪蘋(píng)機(jī)會(huì)。
2018-04-08 11:22:00896 Borodovsky在采訪(fǎng)中表示，另一個(gè)可能導(dǎo)致5nm缺陷的因素是現(xiàn)有的EUV光阻劑材料缺乏均勻度。此外，他還表示支持直接電子束寫(xiě)入，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">EUV使用的復(fù)雜相移光罩最終將膨脹至目前浸潤(rùn)式光罩價(jià)格的8倍。
2018-04-11 15:59:3711349 
非關(guān)鍵層面上首次嘗試使用EVU極紫外光刻系統(tǒng)，工藝節(jié)點(diǎn)從CLN7FF升級(jí)為CLN7FF+，號(hào)稱(chēng)晶體管密度可因此增加20%，而在同樣密度和頻率下功耗可降低10%。 臺(tái)積電5nm(CLN5)將繼續(xù)使用荷蘭
2018-05-15 14:35:133793 
盡管極紫外光(EUV)步進(jìn)機(jī)的大量生產(chǎn)面臨復(fù)雜的問(wèn)題以及緊迫的時(shí)間，專(zhuān)家們?nèi)匀槐С謽?lè)觀(guān)態(tài)度...
2018-06-01 16:01:492726 傳三星電子（Samsung Electronics）啟動(dòng)采用極紫外光（EUV）微影設(shè)備的DRAM生產(chǎn)研發(fā)，雖然三星目標(biāo)2020年前量產(chǎn)16納米DRAM，不過(guò)也有可能先推出17納米制程產(chǎn)品。
2018-08-17 17:07:22709 今年4月開(kāi)始，臺(tái)積電第一代7nm工藝(CLN7FF/N7)投入量產(chǎn)，蘋(píng)果A12、華為麒麟980、高通“驍龍855”、AMD下代銳龍/霄龍等處理器都正在或?qū)?huì)使用它制造，但仍在使用傳統(tǒng)的深紫外光刻(DUV)技術(shù)。
2018-10-17 15:44:564730 隨著三星宣布7nm EUV工藝的量產(chǎn)，2018年EUV光刻工藝終于商業(yè)化了，這是EUV工藝研發(fā)三十年來(lái)的一個(gè)里程碑。不過(guò)EUV工藝要想大規(guī)模量產(chǎn)還有很多技術(shù)挑戰(zhàn)，目前的光源功率以及晶圓產(chǎn)能輸出還沒(méi)有
2018-10-30 16:28:403376 現(xiàn)在的EUV光刻機(jī)使用的是波長(zhǎng)13.5nm的極紫外光，而普通的DUV光刻機(jī)使用的是193nm的深紫外光，所以升級(jí)到EUV光刻機(jī)可以大幅提升半導(dǎo)體工藝水平，實(shí)現(xiàn)7nm及以下工藝。
2018-11-01 09:44:264269 “ASML的
EUV光刻機(jī)使用的13.5納米的極
紫外光源，價(jià)格高達(dá)3000萬(wàn)元，還要在真空下使用。”項(xiàng)目副總師胡松說(shuō)，“而我們使用的365納米
紫外光的汞燈，只要幾萬(wàn)元一只。我們整機(jī)價(jià)格在百萬(wàn)元級(jí)到千萬(wàn)元級(jí)，加工能力介于深
紫外級(jí)和極
紫外級(jí)之間，讓很多用戶(hù)大喜過(guò)望?！?/div>
2018-12-03 10:53:1212225 ASML副總裁Anthony Yen表示，ASML已開(kāi)始開(kāi)發(fā)極紫外（EUV）光刻機(jī)，其公司認(rèn)為，一旦當(dāng)今的系統(tǒng)達(dá)到它們的極限，就將需要使用極紫外光刻機(jī)來(lái)繼續(xù)縮小硅芯片的特征尺寸。
2018-12-09 10:35:077142 全球三大晶圓代工廠(chǎng)臺(tái)積電、英特爾、三星，最快將在2019年導(dǎo)入極紫外光微影技術(shù)（EUV），值得注意的是，全球可提供EUV光罩盒的業(yè)者只有兩家，家登是其中之一，且家登已經(jīng)通過(guò)艾司摩爾（ASML）認(rèn)證，此舉無(wú)疑宣告，家登今年EUV光罩盒將大出貨，公司更透露，接單強(qiáng)勁，目前已有供給告急壓力。
2019-01-03 11:16:374248 隨著晶圓代工廠(chǎng)臺(tái)積電及記憶體廠(chǎng)三星電子的7納米邏輯制程均支援極紫外光（EUV）微影技術(shù)，并會(huì)在2019年進(jìn)入量產(chǎn)階段，半導(dǎo)體龍頭英特爾也確定正在開(kāi)發(fā)中的7納米制程會(huì)支援新一代EUV技術(shù)。
2019-01-03 11:31:593812 就在日前，半導(dǎo)體設(shè)備大廠(chǎng)荷蘭商艾司摩爾 （ASML） 在財(cái)報(bào)會(huì)議上表示，2019 年 ASML 將把極紫外光刻機(jī) （EUV） 的年出貨量從 18 臺(tái)，提升到30 臺(tái)之后，現(xiàn)有外國(guó)媒體報(bào)導(dǎo)，晶圓代工
2019-02-13 16:53:038511 據(jù)臺(tái)媒2月12日?qǐng)?bào)道，為延續(xù)7納米制程領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，臺(tái)積電支持極紫外光(EUV)微影技術(shù)的7nm加強(qiáng)版制程將按既定時(shí)間于3月底正式量產(chǎn)，而全程采用EUV技術(shù)的5nm制程也將在今年第2季進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)。
2019-02-16 11:11:154482 將光刻技術(shù)轉(zhuǎn)移到EUV波段意味著材料和光源的巨大變化。新的13.5納米EUV等離子體光源取代了193納米波長(zhǎng)的紫外激光器。光子能量隨著波長(zhǎng)的減小而增加，因此來(lái)自激光驅(qū)動(dòng)的新型等離子體EUV光源的每個(gè)光子所攜帶的能量是來(lái)自舊激光光源的光子的14倍。
2019-03-16 10:32:215629 國(guó)內(nèi)知名關(guān)鍵性貴重材料之保護(hù)、傳送及儲(chǔ)存解決方案整合服務(wù)商家登日前正式發(fā)布新一代EUV極紫外光光罩傳送盒G/GP Type同時(shí)獲全球最大半導(dǎo)體設(shè)備商ASML認(rèn)證，G/GP Type 版本可用于NXE:3400B，家登加速進(jìn)入EUV微影技術(shù)先進(jìn)裂程，大量制造全面啟航。
2019-03-20 10:21:455638 臺(tái)積電指出，5nm制程將會(huì)完全采用極紫外光(EUV)微影技術(shù)，因此可帶來(lái)EUV技術(shù)提供的制程簡(jiǎn)化效益。5nm制程能夠提供全新等級(jí)的效能及功耗解決方案，支援下一代的高端移動(dòng)及高效能運(yùn)算需求的產(chǎn)品。目前，其他晶元廠(chǎng)的7nm工藝尚舉步維艱，在5nm時(shí)代臺(tái)積電再次領(lǐng)先。
2019-04-04 16:05:571660 臺(tái)積電官方宣布，已經(jīng)開(kāi)始批量生產(chǎn)7nm N7+工藝，這是臺(tái)積電第一次、也是行業(yè)第一次量產(chǎn)EUV極紫外光刻技術(shù)，意義非凡。
2019-05-28 16:18:243401 繼臺(tái)積電、三星晶圓代工、英特爾等國(guó)際大廠(chǎng)在先進(jìn)邏輯制程導(dǎo)入極紫外光（EUV）微影技術(shù)后，同樣面臨制程微縮難度不斷增高的DRAM廠(chǎng)也開(kāi)始評(píng)估采用EUV技術(shù)量產(chǎn)。三星電子今年第四季將開(kāi)始利用EUV技術(shù)生產(chǎn)1z納米DRAM，SK海力士及美光預(yù)期會(huì)在1α納米或1β納米評(píng)估導(dǎo)入EUV技術(shù)。
2019-06-18 17:20:312438 當(dāng)前半導(dǎo)體制程微縮到10納米節(jié)點(diǎn)以下，包括開(kāi)始采用的7納米制程，以及未來(lái)5納米、3納米甚至2納米制程，EUV極紫外光光刻技術(shù)已成為不可或缺的設(shè)備。藉由EUV設(shè)備導(dǎo)入，不僅加快生產(chǎn)效率、提升良率，還能
2019-07-05 15:32:482520 臺(tái)積電近日宣布，已經(jīng)開(kāi)始了7nm+ EUV工藝的大規(guī)模量產(chǎn)，這是該公司乃至整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)首個(gè)商用EUV極紫外光刻技術(shù)的工藝。作為EUV設(shè)備唯一提供商，市場(chǎng)預(yù)估荷蘭ASML公司籍此EUV設(shè)備年增長(zhǎng)率將超過(guò)66%。這個(gè)目標(biāo)是否能實(shí)現(xiàn)？EUV工藝在發(fā)展過(guò)程中面臨哪些挑戰(zhàn)？產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程中需要突破哪些瓶頸？
2019-10-17 15:57:302351 截至目前，華為麒麟990 5G是唯一應(yīng)用了EUV極紫外光刻的商用芯片，臺(tái)積電7nm EUV工藝制造，而高通剛發(fā)布的驍龍765/驍龍765G則使用了三星的7nm EUV工藝。
2019-12-18 09:20:0315995 三星宣布，位于韓國(guó)京畿道華城市的V1工廠(chǎng)已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)7nm 7LPP、6nm 6LPP工藝，這也是全球第一座專(zhuān)門(mén)為EUV極紫外光刻工藝打造的代工廠(chǎng)。
2020-02-21 16:19:052214 當(dāng)前在芯片制造中最先進(jìn)的EUV（極紫外光刻）工藝被三星率先用到了DRAM內(nèi)存顆粒的生產(chǎn)中。
2020-03-25 15:40:482003 芯片加工精度取決于光刻機(jī)光線(xiàn)的波長(zhǎng)，光線(xiàn)波長(zhǎng)越小，芯片精度越高。隨著摩爾定律發(fā)展，芯片制造邁進(jìn)10nm節(jié)點(diǎn)，波長(zhǎng)13.4nm的EUV（極紫外光）就成為唯一的選擇。
2020-07-20 09:27:172241 CFan曾在《芯希望來(lái)自新工藝！EUV和GAAFET技術(shù)是個(gè)什么鬼？》一文中解讀過(guò)EUV（極紫外光刻），它原本是用于生產(chǎn)7nm或更先進(jìn)制程工藝的技術(shù)，特別是在5nm3nm這個(gè)關(guān)鍵制程節(jié)點(diǎn)上，沒(méi)有
2020-09-01 14:00:292234 臺(tái)媒稱(chēng)，翔名切入臺(tái)積電5nm極紫外光（EUV）光罩盒表面處理業(yè)務(wù)，與EUV光罩盒大廠(chǎng)接洽合作機(jī)會(huì)，以獨(dú)家專(zhuān)利無(wú)電鍍鎳（ENP）表面處理技術(shù)來(lái)提升產(chǎn)品良率，目前該光罩盒廠(chǎng)正進(jìn)行評(píng)估測(cè)試，未來(lái)獲臺(tái)積電EUV制程指定產(chǎn)品入場(chǎng)門(mén)票機(jī)會(huì)大增。
2020-07-24 17:27:20671 據(jù)中國(guó)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，三星（Samsung）明年可能導(dǎo)入極紫外光（EUV）技術(shù)生產(chǎn)內(nèi)存，美光（Micron）企業(yè)副總裁、中國(guó)臺(tái)灣美光董事長(zhǎng)徐國(guó)晉表示，美光不打算跟進(jìn)，目前并無(wú)采用 EUV 計(jì)劃
2020-10-12 09:36:181660 臺(tái)積電是第一家將EUV（極紫外）光刻工藝商用到晶圓代工的企業(yè)，目前投產(chǎn)的工藝包括N7+、N6和N5三代。
2020-10-22 14:48:561425 根據(jù)韓國(guó)媒體《BusinessKorea》的報(bào)道，日前三星電子副董事長(zhǎng)李在镕前往荷蘭拜訪(fǎng)光刻機(jī)大廠(chǎng)ASML，其目的就是希望ASML的高層能答應(yīng)提早交付三星已經(jīng)同意購(gòu)買(mǎi)的極紫外光光刻設(shè)備（EUV）。
2020-10-24 09:37:302866 日前三星電子副董事長(zhǎng)李在镕前往荷蘭拜訪(fǎng)光刻機(jī)大廠(chǎng)ASML，其目的就是希望ASML 的高層能答應(yīng)提早交付三星已經(jīng)同意購(gòu)買(mǎi)的極紫外光光刻設(shè)備（EUV）。
2020-10-24 09:39:061509 11月5日，世界光刻機(jī)巨頭荷蘭阿斯麥ASML亮相第三屆進(jìn)博會(huì)。作為全球唯一能生產(chǎn)EUV（極紫外光）光刻機(jī)的企業(yè)，由于A(yíng)SML目前仍不能向中國(guó)出口EUV光刻機(jī)，所以此次展示的是其DUV（深紫外光）光刻機(jī)。據(jù)悉，該產(chǎn)品可生產(chǎn)7nm及以上制程芯片。
2020-11-06 11:27:465517 中國(guó)需要光刻機(jī)，尤其是支持先進(jìn)制程的高端光刻機(jī)。具體來(lái)說(shuō)，就是 EUV （極紫外光源）光刻機(jī)。
2020-11-11 10:13:304278 
體上，三分之二的調(diào)查參與者認(rèn)為這將產(chǎn)生積極的影響。前往EUV時(shí)，口罩的數(shù)量減少了。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">EUV將整個(gè)行業(yè)帶回單一模式。具有多個(gè)圖案的193nm浸入需要在高級(jí)節(jié)點(diǎn)處使用更多的掩模。
2020-11-23 14:42:091096 三星電子近期為爭(zhēng)搶極紫外光（EUV）設(shè)備，高層頻頻傳出密訪(fǎng)ASML。繼三星電子副會(huì)長(zhǎng)李在镕（Lee Jae-yong）10月親自赴荷蘭拜會(huì)ASML執(zhí)行長(zhǎng)Peter Wennink后，又再度傳出
2020-12-02 15:25:391847 自從芯片工藝進(jìn)入到7nm工藝時(shí)代以后，需要用到一臺(tái)頂尖的EUV光刻機(jī)設(shè)備，才可以制造7nm EUV、5nm等先進(jìn)制程工藝的芯片產(chǎn)品，但就在近日，又有外媒豪言：這種頂尖的EUV極紫外光刻機(jī)，目前全球
2020-12-03 13:46:226379 根據(jù)韓國(guó)媒體《Etnews》報(bào)導(dǎo)指出，目前全球3大DRAM存儲(chǔ)器中尚未明確表示采用EUV極紫外光刻機(jī)的美商美光（Micron），因日前招聘網(wǎng)站開(kāi)始征求EUV工程師，揭露美光也在進(jìn)行EUV運(yùn)用于DRAM先進(jìn)制程，準(zhǔn)備與韓國(guó)三星、SK海力士競(jìng)爭(zhēng)
2020-12-25 14:33:101459 EUV光刻（即極紫外光刻）利用波長(zhǎng)非常短的光，在硅片上形成數(shù)十億個(gè)微小結(jié)構(gòu)，構(gòu)成一個(gè)芯片。與老式光刻機(jī)相比，EUV設(shè)備可以生產(chǎn)更小、更快、更強(qiáng)大的芯片。
2020-12-29 16:20:301425 EUV（極紫外光）光刻機(jī)，是目前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已投入規(guī)模生產(chǎn)使用的最先進(jìn)光刻機(jī)類(lèi)型。近來(lái)，有不少消息都指出，EUV光刻機(jī)耗電量非常大，甚至它還成為困擾臺(tái)積電的一大難題。 為何EUV光刻機(jī)會(huì)這么耗電
2021-02-14 14:05:003915 半導(dǎo)體必不可少的“光刻”機(jī)器，在摩爾定律即將發(fā)展到盡頭的現(xiàn)在，可以說(shuō)，得EUV者得先進(jìn)工藝。雖然在EUV相關(guān)設(shè)備市場(chǎng)中，荷蘭ASML壟斷了核心光刻機(jī)，但在“極紫外光刻曝光”周邊設(shè)備中，日本設(shè)備廠(chǎng)家的存在感在逐步提升，尤其在檢測(cè)、感光材料涂覆、成像等相關(guān)設(shè)備方面，日本的實(shí)力也是不容忽視的。
2021-01-16 09:43:112542 近日，荷蘭的光刻機(jī)制造商阿斯麥（ASML）發(fā)布2020年度財(cái)報(bào)，全年凈銷(xiāo)售額達(dá)到140億歐元，毛利率達(dá)到48.6%。ASML同時(shí)宣布實(shí)現(xiàn)第100套極紫外光刻（EUV）系統(tǒng)的出貨，至2020年年底已有
2021-02-01 09:30:232588 哈工大在國(guó)家急需時(shí)刻從不缺席，現(xiàn)在國(guó)家急需光刻機(jī)。哈工大的DPP-EUV光源出來(lái)，真的是史詩(shī)級(jí)成果，一流大學(xué)就應(yīng)該有世界頂尖水平，這是哈工大在超精密加工，超精密測(cè)量領(lǐng)域幾十年積累的結(jié)果！ 中科院
2021-02-01 10:41:4725937 日前，ASML產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)總監(jiān)Mike Lercel向媒體分享了EUV（極紫外）光刻機(jī)的最新進(jìn)展。
2021-03-19 09:39:404630 就在幾天前，清華大學(xué)團(tuán)隊(duì)聯(lián)合德國(guó)的研究機(jī)構(gòu)實(shí)驗(yàn)證實(shí)了「穩(wěn)態(tài)微聚束」(steady-state microbunching, SSMB)光源。這個(gè)光源的波長(zhǎng)可以從太赫茲覆蓋到極紫外波段，或許能成為EUV光刻機(jī)新的光源技術(shù)。
2021-03-30 10:43:088197 
美國(guó)媒體7月19日?qǐng)?bào)道，美國(guó)政府正在努力阻止荷蘭ASML EUV光刻機(jī)（極紫外光刻機(jī)）進(jìn)入中國(guó)大陸。 報(bào)道稱(chēng)，中國(guó)政府此前與荷蘭政府協(xié)商，要求允許中國(guó)公司購(gòu)買(mǎi)ASML生產(chǎn)的EUV光刻機(jī)設(shè)備（極紫外光
2021-07-21 16:52:252126 美國(guó)華爾街日?qǐng)?bào)7月19日?qǐng)?bào)道，美國(guó)政府正在努力阻止荷蘭ASML EUV光刻機(jī)（極紫外光刻機(jī)）進(jìn)入中國(guó)大陸。 華爾街日?qǐng)?bào)報(bào)道稱(chēng)，中國(guó)政府此前與荷蘭政府協(xié)商，要求允許中國(guó)公司購(gòu)買(mǎi)ASML生產(chǎn)的EUV
2021-07-25 17:35:152919 HVM中的EUV光刻
?背景和歷史
?使用NXE的EUV光刻：3400B
?EUV生成原理
?EUV來(lái)源：架構(gòu)
?現(xiàn)場(chǎng)EUV源
?電源展望
?總結(jié)
2022-06-13 14:45:450 目前，光刻機(jī)主要分為EUV光刻機(jī)和DUV光刻機(jī)。DUV是深紫外線(xiàn)，EUV是非常深的紫外線(xiàn)。DUV使用的是極紫外光刻技術(shù)，EUV使用的是深紫外光刻技術(shù)。EUV為先進(jìn)工藝芯片光刻的發(fā)展方向。那么duv
2022-07-10 14:53:1078127 euv光刻機(jī)原理是什么 芯片生產(chǎn)的工具就是紫外光刻機(jī)，是大規(guī)模集成電路生產(chǎn)的核心設(shè)備，對(duì)芯片技術(shù)有著決定性的影響。小于5 nm的芯片只能由EUV光刻機(jī)生產(chǎn)。那么euv光刻機(jī)原理是什么呢？ EUV
2022-07-10 15:28:1015099 EUV 光刻是以波長(zhǎng)為 10-14nm 的極紫外光作為光源的芯片光刻技術(shù)，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，就是以極紫外光作“刀”，對(duì)芯片上的晶圓進(jìn)行雕刻，讓芯片上的電路變成人們想要的圖案。
2022-10-10 11:15:024367 [UVLED紫外光源]，別名紫外線(xiàn)固化光源，也稱(chēng)之為紫外發(fā)光二極管，屬于冷光源，歸類(lèi)于是特種照明光源設(shè)備。按照光源形狀，主要可分為UVLED點(diǎn)光源、UVLED線(xiàn)光源、UVLED面光源這三個(gè)類(lèi)型
2022-12-28 10:03:102089 
過(guò)去二十年見(jiàn)證了193 nm以下波長(zhǎng)光刻技術(shù)的發(fā)展。在使用 F2 準(zhǔn)分子激光器開(kāi)發(fā)基于 157 納米的光刻技術(shù)方面付出了一些努力，但主要關(guān)注點(diǎn)是使用 13.5 納米軟 X 射線(xiàn)作為光源的極紫外 (EUV) 光刻技術(shù)。
2023-02-02 11:49:592234 EUV要解決的不僅是波長(zhǎng)問(wèn)題，更重要的是，ASML的LPP EUV光源中，激光器需要達(dá)到20kW的功率，而這樣的發(fā)射功率經(jīng)過(guò)重重反射，達(dá)到焦點(diǎn)處的功率卻只有350W左右。
2023-02-17 12:44:077659 DUV是深紫外線(xiàn)（Deep Ultraviolet Lithography），EUV是極深紫外線(xiàn)（Extreme Ultraviolet Lithography）。前者采用極紫外光刻技術(shù)，后者采用深紫外光刻技術(shù)。
2023-03-20 14:23:2412166 需要明確什么是EUV光刻機(jī)。它是一種采用極紫外線(xiàn)光源進(jìn)行曝光的設(shè)備。與傳統(tǒng)的ArF光刻機(jī)相比，EUV光刻機(jī)可以將曝光分辨率提高到7納米以下的超高級(jí)別，從而實(shí)現(xiàn)更高清晰度和更高性能的芯片制造。
2023-05-22 12:48:373985 極紫外光刻的制約因素
耗電量高極紫外線(xiàn)波長(zhǎng)更短，但易被吸收，可利用率極低，需要光源提供足夠大的功率。如ASML 3400B光刻機(jī)，250W的功率，每天耗電達(dá)到三萬(wàn)度。
生產(chǎn)效率仍不
2023-06-08 15:56:42283 
上海伯東日本 Atonarp Aston? 過(guò)程質(zhì)譜分析儀通過(guò)快速, 可操作, 高靈敏度的分子診斷數(shù)據(jù)實(shí)現(xiàn)了更佳的反射板鍍錫層清潔, 并且 Aston? 過(guò)程質(zhì)譜的實(shí)時(shí)氫氣 H2 監(jiān)測(cè)也降低了每個(gè) EUV 工具的氫氣消耗
2023-06-20 17:18:43259 
? ? 紫外光刻和曝光 是半導(dǎo)體行業(yè)生產(chǎn)各種高端芯片、微觀(guān)電路結(jié)構(gòu)的核心技術(shù)。在紫外光刻過(guò)程中，光源發(fā)射的紫外線(xiàn)通過(guò)掩模上的微小透鏡或光柵，然后投射到光刻膠層上，形成所需的微細(xì)圖案。 長(zhǎng)期以來(lái)
2023-07-05 10:11:241026 
EUV（Extreme Ultraviolet）光刻機(jī)是一種高級(jí)光刻設(shè)備，用于半導(dǎo)體制造業(yè)中的微電子芯片生產(chǎn)。EUV光刻機(jī)是目前最先進(jìn)的光刻技術(shù)之一，它采用極端紫外光作為曝光光源，具有更短的波長(zhǎng)
2023-07-24 18:19:471095 EUV掩膜，也稱(chēng)為EUV掩模或EUV光刻掩膜，對(duì)于極紫外光刻（EUVL）這種先進(jìn)光刻技術(shù)至關(guān)重要。EUV光刻是一種先進(jìn)技術(shù)，用于制造具有更小特征尺寸和增強(qiáng)性能的下一代半導(dǎo)體器件。
2023-08-07 15:55:02399 據(jù)本文介紹，錫液滴發(fā)生器是激光等離子型極紫外線(xiàn)（lpp-euv）光刻光源中最重要的核心部件之一。錫液滴目標(biāo)具有高反復(fù)頻率，小直徑和穩(wěn)定性好的特性。這篇論文顯示了上海光儀器euv光源組最近對(duì)水滴發(fā)生器的研究發(fā)展，包括水滴的直徑、重復(fù)頻率、間隔、位置及穩(wěn)定性等。
2023-09-05 10:27:171506 實(shí)現(xiàn)深紫外光通信的一個(gè)關(guān)鍵器件是深紫外光源。早期深紫外光源利用高壓汞燈實(shí)現(xiàn)，但汞燈的調(diào)制帶寬非常小，這嚴(yán)重影響了深紫光通信的傳輸速率。
2023-09-05 11:13:00484 
近20年來(lái)，EUV光源、EUV掩模和EUV光刻膠一直是EUV光刻的三大技術(shù)挑戰(zhàn)。
2023-09-14 09:45:12563 
EUV 光是指用于微芯片光刻的極紫外光，涉及在微芯片晶圓上涂上感光材料并小心地將其曝光。這會(huì)將圖案打印到晶圓上，用于微芯片設(shè)計(jì)過(guò)程中的后續(xù)步驟。
2023-10-30 12:22:55615 
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