“零功率”無(wú)線(xiàn)傳感器由環(huán)境能量供電,幾乎在每個(gè)細(xì)分市場(chǎng)都有應(yīng)用。但是,工程師必須格外小心地管理微量能量收集可用的有限功率預(yù)算。通過(guò)將超低功耗 MCU 和 RF IC 與高效電源轉(zhuǎn)換設(shè)備相結(jié)合,工程師可以創(chuàng)建無(wú)需更換電池即可運(yùn)行的無(wú)線(xiàn)傳感器,以延長(zhǎng)系統(tǒng)組件的有效使用壽命。為了設(shè)計(jì)這些高效系統(tǒng),工程師可以利用來(lái)自 Cymbet、Linear Technology、 Maxim Integrated Products、Microchip Technology、Silicon Labs和Texas Instruments等制造商的超低功耗器件和專(zhuān)用 IC 。
除了適用于光、熱、振動(dòng)或射頻能量的傳感器外,零功率無(wú)線(xiàn)傳感器系統(tǒng)設(shè)計(jì)通常還包括功率轉(zhuǎn)換和管理單元、微控制器、射頻無(wú)線(xiàn)電和應(yīng)用傳感器(圖 1)。在運(yùn)行中,系統(tǒng)將微弱的幾微瓦環(huán)境能量轉(zhuǎn)換為足夠的功率,以允許系統(tǒng)定期喚醒、收集應(yīng)用傳感器數(shù)據(jù)、執(zhí)行所需的傳感器信號(hào)處理和數(shù)據(jù)格式化,并最終傳輸結(jié)果。
圖 1:典型的零功耗無(wú)線(xiàn)傳感器結(jié)合了能量傳感器、能量處理能力、MCU、RF 無(wú)線(xiàn)電和應(yīng)用傳感器(Cymbet 提供)。
典型的無(wú)線(xiàn)傳感器應(yīng)用將需要幾百毫秒或更短的時(shí)間來(lái)完成傳感器數(shù)據(jù)收集和傳輸事件。對(duì)于監(jiān)控現(xiàn)實(shí)世界進(jìn)程的大多數(shù)應(yīng)用程序,傳感器事件可能每隔幾分鐘而不是每隔幾秒發(fā)生一次。因此,無(wú)線(xiàn)傳感器表現(xiàn)出一種活動(dòng)配置文件,其特點(diǎn)是長(zhǎng)時(shí)間的靜止?fàn)顟B(tài)會(huì)被活動(dòng)突發(fā)周期性地中斷(圖 2,另請(qǐng)參見(jiàn) TechZone 文章“超低功耗 MCU 實(shí)現(xiàn)能量收集設(shè)計(jì)”)。
圖 2:典型無(wú)線(xiàn)傳感器的活動(dòng)配置文件表現(xiàn)出較長(zhǎng)的靜止期,被活動(dòng)突發(fā)中斷,喚醒轉(zhuǎn)換持續(xù)時(shí)間不同,具體取決于振蕩器類(lèi)型和設(shè)備要求(德州儀器提供)。
無(wú)線(xiàn)傳感器的低占空比操作特性為工程師在創(chuàng)建無(wú)線(xiàn)傳感器設(shè)計(jì)的高效電源、處理和通信階段提出了獨(dú)特的挑戰(zhàn)。功率級(jí)必須能夠收集環(huán)境能源并產(chǎn)生足夠的電力來(lái)為下游電路供電。在無(wú)線(xiàn)傳感器中,通信需求導(dǎo)致的峰值需求遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出環(huán)境源瞬時(shí)可用的需求。因此,功率級(jí)必須能夠有效地對(duì)存儲(chǔ)設(shè)備進(jìn)行涓流充電,例如像 Cymbet EnerChip 這樣的薄膜電池,或者像太陽(yáng)誘電LR 系列或伊頓 PowerStor這樣的超級(jí)電容器系列。在峰值負(fù)載期間,電源管理系統(tǒng)必須能夠切換到存儲(chǔ)的能量來(lái)為活動(dòng)突發(fā)以及與返回到靜止?fàn)顟B(tài)相關(guān)的活動(dòng)供電。
為了設(shè)計(jì)合適的功率級(jí),工程師可以求助于專(zhuān)門(mén)的、高度集成的能量收集器件,例如 Cymbet CBC915或 Linear LTC3588、Maxim MAX17710,它們都提供專(zhuān)為能量微收集應(yīng)用設(shè)計(jì)的電源轉(zhuǎn)換功能(圖 3,另請(qǐng)參閱 TechZone 文章“用于微采集設(shè)計(jì)的電源管理 IC ”)。
圖 3:Maxim MAX17710 等專(zhuān)用微采集 IC 可為無(wú)線(xiàn)傳感器中的環(huán)境源電源提供現(xiàn)成的解決方案(由 Maxim Integrated Products 提供)。
這些器件構(gòu)成了環(huán)境源電源的核心,為無(wú)線(xiàn)傳感器系統(tǒng)的應(yīng)用階段提供轉(zhuǎn)換后的能量。隨著具有集成外圍設(shè)備(包括模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC))的 MCU 的廣泛使用,應(yīng)用電路可以簡(jiǎn)單地由 MCU 和 RF 設(shè)備組成,而附加的分立元件最少。對(duì)于工程師來(lái)說(shuō),挑戰(zhàn)就變成了通過(guò)最大限度地減少浪費(fèi)的功率和最大限度地提高處理和通信操作的效率來(lái)滿(mǎn)足非常緊張的功率預(yù)算。為了應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn),制造商為 MCU 和 RF 設(shè)備配備了多種省電模式,使工程師能夠在設(shè)備功能與功耗之間取得良好的平衡。對(duì)于零功耗無(wú)線(xiàn)傳感器設(shè)計(jì),
待機(jī)模式
由于無(wú)線(xiàn)傳感器應(yīng)用中通常存在低占空比操作,待機(jī)模式往往是這些系統(tǒng)中的主要操作狀態(tài)。即使是長(zhǎng)時(shí)間的靜止?fàn)顟B(tài)的綜合功耗也可能不會(huì)上升到單個(gè)活動(dòng)突發(fā)期間發(fā)現(xiàn)的瞬時(shí)水平。然而,待機(jī)模式下的電源效率將在確定系統(tǒng)在使用稀缺環(huán)境能源方面的整體效率方面發(fā)揮重要作用。
待機(jī)功耗主要來(lái)自?xún)蓚€(gè)主要因素:設(shè)備的泄漏電流和在睡眠模式下支持系統(tǒng)所需功能所需的最小功率。器件引腳上的泄漏是不可避免的(圖 4),但當(dāng)今的超低功耗器件具有最小的泄漏電流,通常呈現(xiàn)微安甚至納安的每個(gè)引腳值,并且隨著每一代新一代器件的出現(xiàn),泄漏電流將繼續(xù)下降到新的低點(diǎn)。工藝技術(shù)。
圖 4:簡(jiǎn)化模型說(shuō)明了代表性輸入引腳的泄漏電流(由 Microchip Technology 提供)。
工程師還需要在功率預(yù)算中考慮分立元件的泄漏,直接使用指定的泄漏額定值或通過(guò)基于電容器的絕緣電阻 (IR) 規(guī)格的計(jì)算:
I = V x C / IR
其中 IR 以兆歐或兆法拉。
工程師可以通過(guò)關(guān)閉他們自己的電路或支持這種選擇性電源狀態(tài)的集成設(shè)備中不需要的電路來(lái)進(jìn)一步降低泄漏電流。例如,應(yīng)用傳感器和 RF 級(jí)可以分別僅在數(shù)據(jù)采集和通信的突發(fā)活動(dòng)開(kāi)始和結(jié)束時(shí)單獨(dú)上電。如下所述,高級(jí)射頻電路允許工程師以編程方式禁用射頻信號(hào)鏈的選定部分,以降低泄漏電流和整體功耗。
在睡眠模式期間,無(wú)線(xiàn)傳感器系統(tǒng)必須保持足夠的功能,以根據(jù)編程標(biāo)準(zhǔn)或響應(yīng)外部事件觸發(fā)的中斷來(lái)喚醒自己。對(duì)于典型應(yīng)用,此最低功能級(jí)別可能包括在活動(dòng)突發(fā)之間保留 MCU 狀態(tài)和內(nèi)存內(nèi)容,而不是在突發(fā)周期結(jié)束時(shí)將狀態(tài)寫(xiě)入非易失性存儲(chǔ)器并在下一次突發(fā)開(kāi)始時(shí)恢復(fù)狀態(tài)時(shí)期。
MCU 還需要能夠檢測(cè)電源電壓欠壓并采取適當(dāng)?shù)拇胧?,包括安全返回待機(jī)狀態(tài)甚至自行復(fù)位。例如,Microchip PIC12LF1840T48A集成 MCU 包括一個(gè)可編程的掉電復(fù)位 (BOR) 功能,該功能可在發(fā)生掉電時(shí)使 MCU 復(fù)位(圖 5)。如果不加以考慮,掉電可能會(huì)導(dǎo)致?tīng)顟B(tài)損壞,因?yàn)殡娫磿?huì)低于保持 MCU 狀態(tài)、寄存器值、程序狀態(tài)和內(nèi)存所需的最低電壓。
圖 5:Microchip PIC12LF1840T48A 等 MCU 可以編程為在電源掉電時(shí)復(fù)位。此處,當(dāng)電源電壓低于掉電電壓閾值 VBOR 時(shí),器件將置位復(fù)位,并保持復(fù)位狀態(tài),直到 VDD 上升至高于 VBOR 加上遲滯值(由 Microchip Technology 提供)。
除了這些最低功能要求之外,MCU 還需要保留響應(yīng)外部事件中斷的能力,例如溫度、壓力或突然加速的變化?;蛘?,工程師可以設(shè)計(jì)一個(gè)無(wú)線(xiàn)系統(tǒng)來(lái)定期喚醒并執(zhí)行傳感器測(cè)量。對(duì)于這種定時(shí)輪詢(xún)方法,處于待機(jī)模式的 MCU 必須能夠保持實(shí)時(shí)時(shí)鐘 (RTC) 功能和響應(yīng) RTC 警報(bào)的能力。Silicon Labs Si1030x 和 Texas Instruments MSP430F513x等集成 MCU提供片上 RTC,并提供維持 RTC 功能和鬧鐘喚醒功能的低功耗模式。
醒來(lái)
在每微瓦都至關(guān)重要的能量微收集設(shè)計(jì)中,從待機(jī)模式到活動(dòng)模式的過(guò)渡代表了當(dāng)電路重新通電到有用的操作模式時(shí)浪費(fèi)的功率。喚醒期間所需的功率開(kāi)始耗盡寶貴的存儲(chǔ)能量,這是與應(yīng)用程序活動(dòng)突發(fā)相關(guān)的峰值負(fù)載所必需的。因此,針對(duì)這些系統(tǒng)的 MCU 和 RF 設(shè)備應(yīng)該具有非??斓膯?dòng)時(shí)間。此外,理想情況下,這些設(shè)備應(yīng)支持以定義的順序?yàn)樗枳与娐饭╇姷哪芰?,以避免超過(guò)瞬時(shí)功率預(yù)算,從而可能導(dǎo)致整個(gè)無(wú)線(xiàn)傳感器系統(tǒng)崩潰。這種順序啟動(dòng)能力在“冷啟動(dòng)”情況下尤為重要,
對(duì)于 MCU,喚醒時(shí)間是一個(gè)關(guān)鍵的性能特征。Silicon Labs Si1030x 等 MCU 在短短 2 μs 內(nèi)從睡眠模式喚醒到活動(dòng)模式。Texas Instruments MSP430F513x MCU 在 5 μs 內(nèi)從低功耗模式喚醒,甚至在 2 ms 內(nèi)從掉電復(fù)位中喚醒。MSP430F513x 還提供慢速喚醒功能,可在低功耗模式下提供喚醒序列。
Silicon Labs Si4420等射頻設(shè)備允許工程師有選擇地為射頻信號(hào)鏈的各個(gè)階段供電。通過(guò)設(shè)置或重置設(shè)備電源管理控制寄存器中的位,工程師可以在不同時(shí)間激活或停用所需的特定電路塊。
主動(dòng)模式
睡眠和喚醒模式下的電源效率對(duì)于確??梢苑e累足夠的能量來(lái)供應(yīng)活動(dòng)突發(fā)期間產(chǎn)生的峰值負(fù)載至關(guān)重要。在活動(dòng)模式下,最小化活動(dòng)功耗對(duì)于確保峰值需求(并返回靜態(tài)狀態(tài))不會(huì)超過(guò)可用功率(通常來(lái)自系統(tǒng)存儲(chǔ)的電源)至關(guān)重要。降低有功功耗的最直接方法之一是使用盡可能低的電源電壓。電源電壓是以下 CMOS 邏輯門(mén)動(dòng)態(tài)功耗等式中的一個(gè)主要因素:
活動(dòng)模式功耗 = C x V2 xf
其中
C是加工技術(shù)的函數(shù),
V 是電源電壓
f 是柵極的開(kāi)關(guān)頻率。
MCU 制造商數(shù)據(jù)表通常會(huì)引用相對(duì)于 1 MHz 的動(dòng)態(tài)電流。用這些術(shù)語(yǔ)重新表述,主動(dòng)模式方程變?yōu)椋?/p>
主動(dòng)模式功率 = V * I
其中動(dòng)態(tài)電流 I = C x V xf
適用于能量微采集應(yīng)用的低功耗 MCU 的動(dòng)態(tài)額定電流通常低于 300 uA/MHz(同樣,請(qǐng)參閱 TechZone 文章“超低功耗 MCU 實(shí)現(xiàn)能量收集設(shè)計(jì)”)。此類(lèi)設(shè)備通常在 1.8 V 至 3.6 V 的電源電壓范圍內(nèi)工作,這是低壓微收集設(shè)計(jì)的基本特征。
使用高度集成的設(shè)備也有助于消除浪費(fèi)的電力。混合信號(hào)片上系統(tǒng) (SoC) 設(shè)備,例如前面提到的 Microchip PIC12LF1840T48A、Silicon Labs Si1030x 和德州儀器 MSP430F513x,結(jié)合了無(wú)線(xiàn)傳感器所需的完整功能,集成了 RF、MCU、ADC、GPIO、時(shí)鐘、穩(wěn)壓器和電源管理單元在單個(gè)設(shè)備上,從而消除與片外訪(fǎng)問(wèn)相關(guān)的延遲和電源效率低下。
這些器件通常提供可編程射頻輸出功率,以及允許工程師有選擇地禁用單個(gè)外設(shè)的靈活操作模式。例如,在 Silicon Labs Si103x 集成 MCU 中,工程師可以設(shè)置片上收發(fā)器的操作模式以禁用部分射頻信號(hào)鏈,就像前面提到的獨(dú)立 Si4420 射頻收發(fā)器芯片一樣。在 Si103x 中,工程師可以設(shè)置禁用信號(hào)鏈部分(包括功率放大器、接收器單元、PLL 等)的射頻模式,將動(dòng)態(tài)電流從完全運(yùn)行時(shí)的 18.5 mA 降低到寄存器節(jié)省待機(jī)模式下的 450 nA。當(dāng)然,工程師需要在這些節(jié)能與重新激活這些階段所需的額外喚醒時(shí)間之間取得平衡。
即使使用最高度集成的組件,無(wú)線(xiàn)電通信通常也會(huì)在無(wú)線(xiàn)傳感器系統(tǒng)中占據(jù)不成比例的大部分功耗。工程師可以通過(guò)優(yōu)化射頻功率和通信協(xié)議來(lái)最小化功率。當(dāng)接收器在物理附近時(shí),單個(gè)無(wú)線(xiàn)傳感器節(jié)點(diǎn)可以在非常低的輸出功率水平下運(yùn)行。例如,工程師可以使用配備收發(fā)器的 SoC(例如 Silicon Labs Si1030x 和 Texas Instruments MSP430F513x)提供的 RSSI 輸出(圖 6)來(lái)估計(jì)與無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò)接收器的距離并相應(yīng)地調(diào)整發(fā)射器輸出功率。
圖 6:工程師可以使用 Silicon Labs Si1030x 等 SoC 中可用的 RSSI 輸出來(lái)優(yōu)化射頻功率輸出(由 Silicon Labs 提供)。
工程師還可以設(shè)計(jì)無(wú)線(xiàn)傳感器以適應(yīng)可用的能源資源。如果無(wú)線(xiàn)傳感器系統(tǒng)以最小的能量?jī)?chǔ)備運(yùn)行,則可以將其設(shè)計(jì)為根據(jù)可用能量?jī)?chǔ)備按比例改變射頻輸出功率水平,僅當(dāng)有足夠的儲(chǔ)備能量可用以確保完成傳輸和返回時(shí),才以全輸出功率傳輸系統(tǒng)進(jìn)入待機(jī)模式。
使用低開(kāi)銷(xiāo)通信協(xié)議還可以顯著降低與通信相關(guān)的功率要求。無(wú)線(xiàn)傳感器數(shù)據(jù)通信通常在所需通信事務(wù)的類(lèi)型中受到很好的限制。無(wú)需支持一長(zhǎng)串事務(wù)類(lèi)型,工程師可以將數(shù)據(jù)包消息信封減少到可靠地完成數(shù)據(jù)傳輸所需的最低開(kāi)銷(xiāo)。
最大化無(wú)線(xiàn)傳感器系統(tǒng)效率的機(jī)會(huì)擴(kuò)展到軟件架構(gòu)。工程師還可以通過(guò)選擇不同的數(shù)據(jù)處理方法來(lái)優(yōu)化活躍期。例如,使用傳感器數(shù)據(jù)計(jì)算趨勢(shì)的應(yīng)用程序可能會(huì)容忍接收歷史數(shù)據(jù)的一定延遲。在這種情況下,無(wú)線(xiàn)傳感器可以喚醒,收集瞬時(shí)傳感器數(shù)據(jù),并立即返回睡眠狀態(tài)。只有在積累了許多數(shù)據(jù)點(diǎn)之后,系統(tǒng)才需要保持足夠長(zhǎng)的清醒時(shí)間來(lái)為相對(duì)耗電的射頻電路供電并完成數(shù)據(jù)傳輸。
概括
在環(huán)境能源的支持下,高效的無(wú)線(xiàn)傳感器系統(tǒng)可以連續(xù)運(yùn)行,其使用壽命僅取決于其組件的可靠性。然而,要實(shí)現(xiàn)這種永久供電無(wú)線(xiàn)設(shè)計(jì)的理想,需要優(yōu)化待機(jī)、喚醒和活動(dòng)模式的電源特性??捎玫?MCU、RF IC 和 RF 混合信號(hào) SoC 具有豐富的功率控制功能,可實(shí)現(xiàn)這種級(jí)別的功率優(yōu)化。通過(guò)將這些節(jié)能 IC 與專(zhuān)門(mén)的能量收集設(shè)備相結(jié)合,工程師可以通過(guò)能夠無(wú)限期運(yùn)行的無(wú)線(xiàn)傳感器設(shè)計(jì)來(lái)滿(mǎn)足復(fù)雜的應(yīng)用要求。
評(píng)論
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