光電倍增管電路
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PMT模塊的選型PMT模塊中不僅都集成了PMT裸管、分壓電路和高壓電源,還根據(jù)信號輸出的不同需求集成了其他的功能組件。按照PMT模塊的信號輸出類型,濱松的PMT模塊產品可以分為電流輸出模塊、電壓輸出模塊和光子計數(shù)探測器
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光電倍增管探測范圍
從科學的角度來說,電磁波是能量的一種,凡是高于絕對零度的物體,都會釋放出電磁波,且溫度越高,釋放的電磁波波長就越短。電磁波由低頻到高頻主要分為無線電波、紅外線、可見光、紫外線、X射線和γ射線等。
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光電倍增管分壓電路
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2019-07-02 14:41:588267
光電倍增管的特點與用途
紫外/可見/近紅外分光光度計,原子吸收分光光度計,發(fā)光分光光度計,熒光分光光度計,拉曼分光光度計,其他液相或氣相色譜如X光衍射儀、X光熒光分析和電子顯微鏡等。
2019-07-02 14:36:3813426
光電倍增管的工作過程
當光照射到光陰極時,光陰極向真空中激發(fā)出光電子。這些光電子按聚焦極電場進入倍增系統(tǒng),并通過進一步的二次發(fā)射得到的倍增放大。然后把放大后的電子用陽極收集作為信號輸出。
2019-07-02 14:33:255001
光電倍增管輸出電路
將光電倍增管輸出的反映光脈沖變規(guī)律的電流脈沖引向一個負載電阻,可得到相應的電壓脈沖。此電壓脈沖的上升或下降時間決定于陽極及其聯(lián)線到地線的分布電容與負載電阻之乘積。
2019-06-28 15:01:267591
光電二極管和光電倍增管的區(qū)別
光電二極管是利用的半導體的能帶理論,當光照射光電二極管時,光的能量大于帶隙能量時,價電子帶的電子受到激勵向導帶運動,原來的價電子就留下空穴。這樣在P區(qū)、N區(qū)及耗盡層就產生電子-空穴對
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光電倍增管的使用方法
光電倍增管(PhotomultiplierTube,簡稱PMT)將光信號轉化為電信號,后續(xù)需要配合相應附件及電路,如管座、分壓器、高壓電源等,才能使電信號正常輸出并處理。
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光電倍增管的主要噪聲
光電倍增管的噪聲來源可以粗略地分為兩類。第一類屬于來自于光電倍增管工作的基本過程所引起的噪聲;第二類屬于光電倍增管設計和制造的方式及使用條件所引起的噪聲。
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電耦合器的輸出特性是指在一定的發(fā)光電流IF下,光敏管所加偏置電壓VCE與輸出電流IC之間的關系,當IF=0時,發(fā)光二極管不發(fā)光,此時的光敏晶體管集電極輸出電流稱為暗電流,一般很小。
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光電倍增管的光譜特性
光譜特性反應了光電倍增管的陽極輸出電流與照射在光電陰極上的光通量之間的函數(shù)關系。對于較好的管子,在很寬的光通量范圍之內,這個關系是線性的,即入射光通量小于10-4lm時,有較好的線性關系。光通量大,開始出現(xiàn)非線性。
2019-06-27 15:48:525429
光電倍增管的組成
光電倍增管由入射窗、光電陰極、電子光學輸入系統(tǒng)、倍增系統(tǒng)、陽極等部分組成。它的工作原理是建立在光電效應、二次電子發(fā)射和電子光學的理論基礎上。它的工作過程是光子入射到光陰極上產生光電子,光電子通過電子光學系統(tǒng)(聚焦系統(tǒng)),進入倍增系統(tǒng),電子得到倍增,通過陽極把電子收集起來,形成陽極電流或電壓輸出。
2019-06-27 15:40:1310895
光電管和光電倍增管的區(qū)別
近十年來從事負電子親和勢光電陰極和倍增極研究所取得的成果把響應光的長波閾值推到1.6微米,量子效率顯著提高,倍增極的次級發(fā)射系數(shù)提高1~2個數(shù)量級。有可能制造出級數(shù)少、增益大、時間常數(shù)小的快速光電倍增管。
2019-06-27 15:28:3012730
如何選擇你需要的光電倍增管
雖然PMT可探測光譜范圍很寬,但每一種管型可直接響應的波段范圍是有限的,為使其探測效率得到充分利用,同時又不造成性能及成本的浪費,需要根據(jù)入射光的波長選擇合適波段的PMT。
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光電倍增管分類
本文主要詳細介紹了光電倍增管分類,分別有硅光電倍增管、高溫光電倍增管、低溫光電倍增管、低本底輻射光電倍增管、位置檢出型光電倍增管、mcp型光電倍增管。
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光電倍增管的工作原理
光電倍增管建立在外光電效應、二次電子發(fā)射和電子光學理論基礎上,結合了高增益、低噪聲、高頻率響應和大信號接收區(qū)等特征,是一種具有極高靈敏度和超快時間響應的光敏電真空器件,可以工作在紫外、可見和近紅外
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基于激光雷達光電倍增管門控實現(xiàn)了雷達門控系統(tǒng)的軟件控制
在大氣參數(shù)和環(huán)境污染檢測方面扮演重要的角色。要使激光雷達的測量范圍盡可能的大,必須控制好雷達光電倍增管(PMT)門控的開關門時間,以滿足各種測量的要求。如果能很好地解決這些問題將會極大地推動激光雷達的應用和推廣。
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安森美半導體近期推出了新款R系列硅光電倍增管
RB系列SiPM的主要應用為采用905nm波長的激光雷達(LiDAR)和測距應用。相比雪崩光電二極管(APD)和PIN二極管,該系列SiPM傳感器改善了高增益和單光子靈敏度。
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雪崩光電二極管電路圖 雪崩二極管的工作曲線分析
雪崩光電二極管 (semiconductor avalanche photodiode )是具有內部光電流增益的半導體光電子器件,又稱固態(tài)光電倍增管。
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固態(tài)硅光電倍增管(SiPM)技術新突破
Excelitas 公司在對固態(tài)硅光電倍增管(SiPM)技術進行開發(fā)和實用化過程中,取得了破紀錄的世界級高光子探測效率(PDE)與低暗計數(shù)的性能成果。固態(tài)硅光電倍增管是Excelitas針對醫(yī)療與分析儀器市場的微光探測(L3D)技術與產品套件的一大重要組成部分
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是一種在光的照射下產生電動勢的半導體元件。光電池的種類很多,常用有硒光電池、硅光電池和硫化鉈、硫化銀光電池等。主要用于儀表,自動化遙測和遙控方面。有的光電池可
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本規(guī)范規(guī)定了具有分立倍增極的光電倍增管的質量評定程序,給出了光電參數(shù)、機械、環(huán)境和耐久性等試驗和測試
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