單向可控硅簡介
可控硅(SCR: Silicon Controlled Rectifier)是可控硅整流器的簡稱??煽毓栌袉蜗颉㈦p向、可關(guān)斷和光控幾種類型。它具有體積小、重量輕、效率高、壽命長、控制方便等優(yōu)點,被廣泛用于可控整流、調(diào)壓、逆變以及無觸點開關(guān)等各種自動控制和大功率的電能轉(zhuǎn)換的場合。
單向可控硅是一種可控整流電子元件,能在外部控制信號作用下由關(guān)斷變?yōu)閷?,但一旦導通,外部信號就無法使其關(guān)斷,只能靠去除負載或降低其兩端電壓使其關(guān)斷。單向可控硅是由三個PN結(jié)PNPN組成的四層三端半導體器件與具有一個PN結(jié)的二極管相比,單向可控硅正向?qū)ㄊ芸刂茦O電流控制;與具有兩個PN結(jié)的三極管相比,差別在于可控硅對控制極電流沒有放大作用。
可控硅導通條件:一是可控硅陽極與陰極間必須加正向電壓,二是控制極也要加正向電壓。以上兩個條件必須同時具備,可控硅才會處于導通狀態(tài)。另外,可控硅一旦導通后,即使降低控制極電壓或去掉控制極電壓,可控硅仍然導通。 可控硅關(guān)斷條件:降低或去掉加在可控硅陽極至陰極之間的正向電壓,使陽極電流小于最小維持電流以下。
結(jié)構(gòu)控制編輯單向可控硅為具有三個 PN 結(jié)的四層結(jié)構(gòu),由最外層的 P 層、N 層引出兩個電極――陽 極 A 和陰極 K,由中間的 P 層引出控制極 G。電路符號好像為一只二極管,但好多一個引 出電極――控制極或觸發(fā)極 G。SCR 或 MCR 為英文縮寫名稱。
從控制原理上可等效為一只 PNP 三極管和一只 NPN 三極管的連接電路, 兩管的基極電 流和集電極電流互為通路,具有強烈的正反反饋作用。一旦從 G、K 回路輸入 NPN 管子的 基極電流,由于正反饋作用,兩管將迅即進入飽合導通狀態(tài)??煽毓鑼ㄖ螅膶?態(tài)完全依靠管子本身的正反饋作用來維持,即使控制電流(電壓)消失,可控硅仍處于導通 狀態(tài)??刂菩盘?UGK 的作用僅僅是觸發(fā)可控硅使其導通,導通之后,控制信號便失去控制 作用。
單向可控硅的導通需要兩個條件:
1) 、A、K 之間加正向電壓;
2) 、G、K 之間輸入一個正向觸發(fā)電流信號,無論是直流或脈沖信號。
若欲使可控硅關(guān)斷,也有兩個關(guān)斷條件:
1) 、使正向?qū)娏髦敌∮谄涔ぷ骶S持電流值;
2) 、使 A、K 之間電壓反向。
可見,可控硅器件若用于直流電路,一旦為觸發(fā)信號開通,并保持一定幅度的流通電流 的話,則可控硅會一直保持開通狀態(tài)。除非將電源開斷一次,才能使其關(guān)斷。若用于交流電 路,則在其承受正向電壓期間,若接受一個觸發(fā)信號,則一直保持導通,直到電壓過零點到 來,因無流通電流而自行關(guān)斷。在承受反向電壓期間,即使送入觸發(fā)信號,可控硅也因 A、 K 間電壓反向,而保持于截止狀態(tài)。 可控硅器件因工藝上的離散性,其觸發(fā)電壓、觸發(fā)電流值和導通壓降,很難有統(tǒng)一的標 1 準??煽毓杵骷刂票举|(zhì)上如同三極管一樣,為電流控制器件。功率越大,所需觸發(fā)電流也 越大。觸發(fā)電壓范圍一般為 1.5V―3V 左右,觸發(fā)電流為 10mA―幾百 mA 左右。峰值觸發(fā) 電壓不宜超過 10V,峰值觸發(fā)電流也不宜超過 2A。A、K 間導通壓降為 1―2V。
單向可控硅光控電路圖大全(四款模擬電路設(shè)計原理圖詳解)
單向可控硅光控電路圖(一)
用單向可控硅的光控照明燈
RG為光敏電阻器它與固定電阻R構(gòu)成分壓器,其分壓值經(jīng)二極管VD整流加至可控硅vs的門極作為觸發(fā)電壓。白天RG受室內(nèi)自然光照射而呈現(xiàn)低電阻,分壓值較低,不足以觸發(fā)可控硅vs,故vs處于關(guān)斷狀態(tài),電燈H不亮。晚上夜幕來臨時,RG無光線照射呈高電阻,其分壓值較高,經(jīng)VD整流后加至vs的門板,使、俜迅速開通,燈H就點亮發(fā)光。電燈在發(fā)光狀態(tài)時,流過的電流是半波交流電,電燈是處于欠壓狀態(tài),所以電燈的使用壽命極長,因此該電路十分適用于無人管理的公共走道照明用。
單向可控硅光控電路圖(二)
單向可控硅光控電路圖(三)
單向可控硅調(diào)壓電路圖
可控硅交流調(diào)壓器由可控整流電路和觸發(fā)電路兩部分組成,其電路原理圖如下圖所示。 從圖中可知,二極管D1—D4組成橋式整流電路,雙基極二極管T1構(gòu)成張弛振蕩器作為可控硅的同步觸發(fā)電路。當調(diào)壓器接上市電后,220V交流電通過負載電阻RL經(jīng)二極管D1—D4整流,在可控硅SCR的A、K兩端形成一個脈動直流電壓,該電壓由電阻R1降壓后作為觸發(fā)電路的直流電源。在交流電的正半周時,整流電壓通過R4、W1對電容C充電。
當充電電壓Uc達到T1管的峰值電壓Up時,T1管由截止變?yōu)閷ǎ谑请娙軨通過T1管的e、b1結(jié)和R2迅速放電,結(jié)果在R2上獲得一個尖脈沖。這個脈沖作為控制信號送到可控硅SCR的控制極, 使可控硅導通??煽毓鑼ê蟮墓軌航岛艿?,一般小于1V,所以張弛振蕩器停止工作。當交流電通過零點時,可控硅自關(guān)斷。當交流電在負半周時,電容C又從新充電……如此周而復始,便可調(diào)整負載RL上的功率了。
單向可控硅光控電路圖(四)
單向可控硅無級調(diào)光器
220V交流電通過燈泡H經(jīng)VD1—VD4橋式整流,輸出一全波脈動電壓加在可控硅vs的陽極與陰極之間,為可控硅提供開通所需的正向陽極電壓。此脈動電壓又經(jīng)R1降壓、VD5剖波得到14~17V的梯形被電壓,此電壓加到由單結(jié)晶體管V‘r2所組成的觸發(fā)電路上,當梯形波電壓每次下降至霉而開始上升時,電源通過電阻RP、R6向電容C充電,使電容C兩端電壓不斷升高,當升至Y12的導通電壓時,VT2導通,C就通過VT2向電阻R5放電,在R5兩端即在三極管VT1的基極上得到一正向尖端脈沖,VT1迅速導通,就向可控硅vs的門極注入正向觸發(fā)電壓,迫使可控硅vs開通。
在vs開通期間因vs的壓降很小,梯形波電壓就幾乎下降為零。當交流電過零時,可控硅vs關(guān)斷,梯形波電壓又從零開始上升,電容C又重新開始充電,電路重復上述過程。調(diào)節(jié)電位器RP,可改變電容C充電時間快慢。當RP阻值較小時,在梯形波一個周期里(即交流電的半個周期),電容C兩端電壓較先達到VT2的導通電壓,所咀可控硅vs的導通角較大,流過燈泡H的平均電流大,燈泡亮度就較大;如RP的阻值調(diào)得較大,因充電時間常數(shù)較大,在梯形波的一個周期里,電容C兩端電壓較后到達VT2的導通電壓,所咀可控硅vs的導通角就小,流過燈泡的平均電流較小,所以發(fā)光亮度也就較暗+因此通過調(diào)節(jié)電位器RP就可以達到改變燈泡H亮度的目的。
評論
查看更多