用一個(gè)晶體管為主件的電路同時(shí)產(chǎn)生振蕩和掃頻是不多見(jiàn)的,一般都是由一個(gè)低頻振蕩信號(hào)去控制另一個(gè)高頻振蕩。圖1示出了一個(gè)單結(jié)晶體管為主的電路產(chǎn)生掃頻式的振蕩脈沖。由單結(jié)管和阻容元件所組成的自激張弛振蕩電路的原理是比較普通的。為了達(dá)到掃頻的目的,一般在單結(jié)管的射極上加上低頻振蕩器產(chǎn)生的。
單管掃頻式振蕩電路圖
本電路的特點(diǎn)是由一個(gè)單結(jié)管同電路時(shí)擔(dān)負(fù)這兩個(gè)任務(wù),電路相當(dāng)精簡(jiǎn)?,F(xiàn)按由示波器觀察到的各點(diǎn)波形(圖2)來(lái)解釋掃頻和振蕩的梗概。
圖1
圖2
單管掃頻式振蕩電路分析
由圖2可見(jiàn),V2小于單結(jié)管的導(dǎo)通電壓VP從t1時(shí)刻開(kāi)始,電路中有兩條充電回路,E→R1→C→地和E→R1→R2→C2→地。前一條充電回路的時(shí)間常數(shù)遠(yuǎn)大于后一條回路的時(shí)間常數(shù),在一個(gè)△t(T2《△t《T1)時(shí)段內(nèi),當(dāng)C2上的充電電壓V2到Vp時(shí),C2上的電荷即由單結(jié)管的‘e-b1結(jié)得到泄放,從而形成高頻振蕩。當(dāng)V1上升后。經(jīng)過(guò)后一條充電回路的充電電流將會(huì)增加,即后一條充電回路的等效電阻或時(shí)間常數(shù)將會(huì)減小,使V2的上升速率加快,形成更高頻串的振蕩。當(dāng)△t移至t2,V1上升到一個(gè)定值時(shí),C1上的電荷將通過(guò)R2由單結(jié)管的e-bl結(jié)泄放。完成了一個(gè)低頻周期。這樣周而復(fù)始,在R上取得了自掃的振蕩脈沖。
從理論上講,由R1、R2、C1和C2所組成的兩節(jié)積分電路在階躍激勵(lì)之下,選擇合適的R1、R2、C1和C2,使得R和R可變的等效電阻的負(fù)載線均落在單結(jié)管的負(fù)阻區(qū),并使高頻的變化范圍滿足設(shè)計(jì)的要求。從電容器的端電壓來(lái)分析問(wèn)題則是C1和C2,尤其是C1上的電荷應(yīng)同樣能從單結(jié)管上得到泄放。運(yùn)用拉氏變換可求得t1時(shí)刻的V1和V2,但比較繁復(fù)。我們可以先按照對(duì)低頻f1和高頻f2變化范圍的要求選定C1和C2,粗定R1和R2,再在調(diào)試中確定R1和R2。
假設(shè)單結(jié)管的分壓比n=0.6,要求低頻f1=1.5赫,高頻變化范圍f2=18~36千赫。由于fa》fu取C1=100微法,C2=3300微微法,則
取W1=10千歐,R2=10千歐(均采用可變電阻器)。R3和R4的選取不再贅述,其數(shù)值均標(biāo)于圖1中??紤]至能使用電池,電源選用6伏。
評(píng)論
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