單閘極MOS FET 前置放大器(1)VHF高頻放大電路以往都是以雙極電晶體(Bipolar Transistor)為主流,但是現(xiàn)在大都以FET取代之。圖2-1便是其代表性電路,2SK241(東芝)系VHF用的FET,功率增益可達(dá)28dB(@100MHz),是最適於VHF接收器的高頻放大級(jí)使用的。由於閘極的動(dòng)作點(diǎn)是零偏壓(Zero Bias),所以電路的結(jié)構(gòu)相當(dāng)簡單,電路的全部元件共有六個(gè),配合表2-1所示之電感及電容就能適用於各種頻率的高頻放大電路。泄極電流為9mA,在電源電壓為6~12V之范圍內(nèi),泄極電流都保持一定。
MOSFET高頻放大電路
- 高頻(52398)
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2023-09-18 10:44:121777
高頻諧振功率放大器與高頻小信號(hào)諧振放大器有什么異同?
高頻諧振功率放大器與高頻小信號(hào)諧振放大器有什么異同? 高頻諧振功率放大器與高頻小信號(hào)諧振放大器是電路中兩種常見的放大器,它們?cè)诨驹?、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)合等方面存在著很多差異和相似之處。下面,本文
2023-10-11 17:38:093237
LC諧振回路在高頻小信號(hào)放大電路和高頻功放電路中的作用
LC諧振回路在高頻小信號(hào)放大電路和高頻功放電路中的作用? LC諧振回路是一種用來調(diào)節(jié)電路中信號(hào)頻率的重要元件。在高頻小信號(hào)放大電路和高頻功放電路中,LC諧振回路的作用非常重要,下面我們將詳細(xì)講解一下
2023-10-20 14:44:321359
SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對(duì)比
SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對(duì)比
2023-12-05 14:31:21258
碳化硅MOSFET在高頻開關(guān)電路中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
碳化硅MOSFET在高頻開關(guān)電路中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)? 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件,具有在高頻開關(guān)電路中廣泛應(yīng)用的多個(gè)優(yōu)勢(shì)。 1. 高溫特性: 碳化硅MOSFET具有極低的本征載流子濃度
2023-12-21 10:51:03357
常用的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
常用的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)如圖1所示,驅(qū)動(dòng)信號(hào)經(jīng)過圖騰柱放大后,經(jīng)過一個(gè)驅(qū)動(dòng)電阻Rg給MOSFET驅(qū)動(dòng)。
2024-01-22 18:09:54288
高頻功率放大器的工作原理 高頻功率放大器的三種工作狀態(tài)
高頻功率放大器是一種專門用于放大高頻信號(hào)的放大器。它的主要作用是將輸入的小信號(hào)放大成為足夠大的信號(hào),以供后續(xù)電路使用。在無線通信、雷達(dá)、衛(wèi)星通信等領(lǐng)域中,高頻功率放大器具有非常重要的地位。下面將詳細(xì)
2024-01-25 09:57:06314
影響放大電路低頻響應(yīng)和高頻響應(yīng)的分別是什么?
影響放大電路低頻響應(yīng)和高頻響應(yīng)的分別是什么? 影響放大電路低頻響應(yīng)和高頻響應(yīng)的因素是多方面的。 1. 輸入和輸出電容:輸入和輸出電容對(duì)放大電路的頻率響應(yīng)有顯著影響。輸入電容是指連接到放大電路輸入
2024-02-04 10:25:29235
影響放大電路高頻特性的主要因素是什么
影響放大電路高頻特性的主要因素是很多的,包括晶體管的頻率響應(yīng)、反饋電容、電感、布線、負(fù)載電容等。這些因素都會(huì)對(duì)放大電路的高頻特性產(chǎn)生不同程度的影響。 首先,晶體管的頻率響應(yīng)是影響放大電路高頻特性
2024-03-09 14:06:13338
評(píng)論
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