本文介紹的是主要要求不可避免地需采用電源并聯(lián)技術，即功率管并聯(lián)或電源裝置的并聯(lián)。對于 20kA直流電源，若采用功率管IGBT并聯(lián)，每個橋臂則至少需15只功率管并聯(lián)，這不但給驅(qū)動帶來很大困難，而且
2014-04-02 14:16:19
11337 利用IGBT雙脈沖測試電路，改變電壓及電流測量探頭的位置，即可對IGBT并聯(lián)的續(xù)流二極管（下文簡稱FRD）的相關參數(shù)進行測量與評估。
2023-11-24 16:52:10521 
誰能幫我解釋一下：IGBT均流的問題：三相逆變的電流不平衡，相與相之間的電流相差10-15安培（兩個IGBT并聯(lián)在一起為一相電流）？
2012-06-02 09:02:05
IGBT并聯(lián)技術分享
2019-06-18 17:24:14
等級，從而提升變流器的功率等級?？紤]到前者功率密度相對較低，從性價比出發(fā)，IGBT并聯(lián)技術是最好的選擇。1IGBT并聯(lián)運行分析1.1 影響并聯(lián)IGBT均流的主要因素1)IGBT和反并聯(lián)二極管靜態(tài)參數(shù)
2015-03-11 13:18:21
摘要：本文主要分析如何實現(xiàn)并聯(lián)IGBT靜態(tài)和動態(tài)過程的均流，并提出了一些用于減少電流不平衡的相關并聯(lián)方法，以便于客戶并聯(lián)設計。重點突出一些易實現(xiàn)并聯(lián)方案的IGBT模塊新封裝，又提出一些實現(xiàn)并聯(lián)均流
2018-12-03 13:50:08
IGBT中頻電源并聯(lián)諧振式電流型逆變器原理 IGBT中頻電源并聯(lián)諧振式電流型逆變器的基本電路如圖所示。 電流型逆變器的直流電源中串聯(lián)了大電感厶，因而負載電流是恒定的，不受負載阻抗變化的影響。當負載
2013-02-21 21:02:50
制造成大功率芯片，不能采用平板式結構，只好采用模塊式，雖然安裝方便，但散熱性能差不利于可靠性，這是不爭的事實。五. IGBT的并聯(lián)均流問題目前，國外單管IGBT的最大容量為2000A/2500V，實際的商品器件
2018-10-17 10:05:39
https://mp.weixin.qq.com/s/hR16FxSCcmrGDgItNhLDPw上述視頻包含以下三方面內(nèi)容：— IGBT并聯(lián)均流的影響因素— 六并聯(lián)測試雙脈沖測試步驟— 六并聯(lián)短路測試講師PPT見附件。
2020-06-28 11:21:33
`北汽EU260：IGBT驅(qū)動電路過流故障。能維修嗎？有經(jīng)驗的可以談論。鄺志勇***`
2021-03-13 11:41:08
狀態(tài)直接影響整機的性能，所以合理的驅(qū)動電路對整機顯得很重要，但是如果控制不當，它很容易損壞，其中一種就是發(fā)生過流而使IGBT損壞，本文主要研究了IGBT的驅(qū)動和短路保護問題，就其工作原理進行分析
2012-07-18 14:54:31
IGBT過流保護的保護時間一般設定成多少合適？根據(jù)IGBT哪些參數(shù)得出來的那？
2017-02-24 11:01:51
IGBT是否順壞，但是難測試大電流情況下IGBT的表現(xiàn)情況。如果采用多個IGBT并聯(lián)工作，即使是同一批次的產(chǎn)品，由于個體差異，大電流情況下的Vce壓降千差萬別，無法很好實現(xiàn)均流。如果能夠真實測量大電流情況下
2015-03-11 13:15:10
誰幫俺女友畫個電路圖呀 關系寡人后半生幸福 有人嗎聯(lián)系QQ237029870重金大謝啊題目 igbt的過壓過流軟保護要求 ce端反向過壓（大于300V）時能自動 保護。。正向電壓在igbt觸發(fā)
2014-04-21 10:49:28
DCDC的并聯(lián)均流怎么設計
2022-05-05 11:01:21
都只能做到500W，假如先做4路并聯(lián)，均流問題有什么好的方案可以推薦嗎？如果后面再采用三個2KW并聯(lián)，這個并聯(lián)均流問題如何解決，能推薦一下嗎？謝謝！
2024-01-08 07:21:12
MOS管具有正溫度系數(shù)，網(wǎng)上很多說不需要均流電阻。三極管是負溫度系數(shù)，才需要在發(fā)射極串接均流電阻。網(wǎng)上看到有人說，MOS管只在一定的電流范圍內(nèi)才能起到均流作用，那么大電流下還是要加均流電阻咯?，F(xiàn)在
2021-01-05 18:19:30
MOS管并聯(lián)均流技術分析IGBT管并聯(lián)均流技術分析BJT 管并聯(lián)均流技術分析普通的功率MOSFET因為內(nèi)阻低、耐壓高、電流大、驅(qū)動簡易等優(yōu)良特性而得到了廣泛應用。當單個MOSFET的電流或耗散功率
2015-07-24 14:24:26
的均流，因此當電路中電流很大時，一般會采用并聯(lián)MOS管的方法來進行分流。采用MOS管進行電流的均流時，當其中一路電流大于另一路MOS管中的電流時，電流大的MOS管產(chǎn)生的熱量多，從而引起導通電...
2021-10-29 07:04:37
PRM及VTM并聯(lián)應用 應用筆記 此應用筆記將介紹使用兩組PRM-AL和VTM做出更大功率而且均流的并聯(lián)步驟。如果應用需并聯(lián)多過兩組PRM，請與應用工程部聯(lián)絡。 [/hide]
2009-11-20 08:50:51
走線以充當一個鎮(zhèn)流電阻，10～15mΩ的電阻便足以對穩(wěn)壓器的輸出進行鎮(zhèn)流，并提供上佳的均流作用。由于現(xiàn)在并聯(lián)了多個器件，因此需要采用一個輸出電容器以實現(xiàn)穩(wěn)壓器的穩(wěn)定。輸出電壓以相同的方式進行調(diào)節(jié)（采用
2008-08-18 09:21:51
均流。均流的方法有很多種。例如：1.輸出阻抗法，又叫下垂法、傾斜法、電壓調(diào)整率法。是通過調(diào)節(jié)電源的輸出內(nèi)阻的方式來實現(xiàn)的。這個方法的特點是簡單。但最大的缺點是電壓調(diào)整率差。2.主從設置法，人為的在并聯(lián)
2018-07-28 14:13:50
輸出，或者通過倍壓整流電路將交流電轉(zhuǎn)換為高壓直流電輸出。 利用多個DC-DC模塊電源并聯(lián)均流并實現(xiàn)輸出電壓的穩(wěn)定保持，是工程師在實際操作中比較常見的工作之一。此前我們曾經(jīng)為大家介紹過多種不同的并聯(lián)均
2018-10-23 15:58:49
申請理由：四臺380V輔助逆變器并聯(lián)運行，運行過程中需要高速采集自身的運行狀態(tài)數(shù)據(jù)并共享給其他三臺輔助逆變器，用于四臺逆變器的均流控制以及相關的故障保護，由于C6748具有高達456MHz的主頻
2015-11-06 09:54:12
100KW要容易的多。所以就需要應用到并聯(lián)，電壓源并聯(lián)就需要均流技術，大家想為什么需要均流，比如我們都是5v輸出的電源直接并起來不就好了嗎，理論是可以的，但是我們實際中的開關電源總是有誤差范圍的，比如
2021-08-05 10:11:22
住穩(wěn)定性，則無必要在線路中采用均壓電阻。只有當截止電壓大于1200V的元件串聯(lián)時，一般來說才有必要外加一個并聯(lián)電阻。假設截止漏電流不隨電壓變化，同時忽略電阻的誤差，則對于n個具有給定截止電壓VR
2019-07-18 07:00:00
。電流的長尾表示下方IGBT反并聯(lián)二極管中的續(xù)流導致的感應電能。開啟時，去飽和電壓的初始增加是雜散去飽和檢測電動勢的一個例子，這是由于集電極-發(fā)射極電壓瞬態(tài)所導致?？梢酝ㄟ^增加去飽和濾波器時間常數(shù)，從而
2019-07-24 04:00:00
的差異，導致IGBT并聯(lián)時電流不均衡。本文分析了帶輸出電抗器均流的三相三相全橋逆變器的并聯(lián)均流特性，設計了輸出電抗器參數(shù)，給出了仿真和試驗結果，試驗結果表明了對并聯(lián)特性分析的合理性及有效性。
2023-09-19 07:45:32
兩個開關電源可以并聯(lián)使用嗎時間:2018-08-07 08:46 來源:電工之家兩個開關電源可以并聯(lián)使用嗎開關電源并聯(lián)使用，就是我們常說的開關電源有均流功能，只有開關電源有均流功能的才可以并聯(lián)
2021-11-12 08:37:34
準備用幾個鋰電池并聯(lián)做大電流放電(2.5A峰值)用不用均流？有專門的IC賣嗎？求解答謝謝~
2016-01-05 17:50:04
描述對于具有較高輸出額定功率的電源轉(zhuǎn)換設備而言，并聯(lián) IGBT 變得很有必要，因為在這類應用中，單個 IGBT 無法提供所需的負載電流。此 TI 設計采用一個增強型隔離式 IGBT 柵極控制模塊來
2018-12-07 14:05:13
是考慮到其具有保護速度快以及高頻斬波帶來的濾波器尺寸小等優(yōu)點。斬波器和逆變器中的主功率器件（VT與VT1、VT2、VT3、VT4）均采用IGBT管。逆變器橋臂的每一個IGBT上均串聯(lián)一個二極管，通過
2018-11-30 16:41:33
本文首先分析了電源的并聯(lián)特性及均流的一般原理,又詳細分析了幾種電源并聯(lián)均流的技術,最后提出了基于AVR單片機為控制核心,附帶有RS485通信協(xié)議、電壓電流采集和顯示以及調(diào)節(jié)電源的輸出電壓和實現(xiàn)各路電源的異常工作的聲光報警的計算機均流技術方案,實現(xiàn)了數(shù)字均流的智能化控制。
2011-03-09 12:20:43
本文采用STM32F103VET6處理器作為主控芯片，實現(xiàn)了一種以CAN總線為通信媒介、具有穩(wěn)壓/穩(wěn)流/安培時/工藝曲線/遠程控制5種工作模式、液晶圖形顯示的數(shù)字式電鍍電源并聯(lián)均流系統(tǒng)(以下簡稱
2018-08-20 10:08:28
集成度、豐富且性能出眾的片上外設、編程復雜度低等優(yōu)點。數(shù)字式電鍍電源并聯(lián)均流系統(tǒng)以數(shù)字通信和控制的方式實現(xiàn)多個電源模塊的并聯(lián)工作，提供更大的輸出功率，具有組合靈活、可靠性高、人機接口友善、工作模式多樣等
2018-08-30 14:00:49
導讀：本文為了實現(xiàn)大功率數(shù)字式電鍍電源,提出了一種基于ARM芯片STM32F103的數(shù)字式電鍍電源并聯(lián)均流系統(tǒng)設計方案，并完成系統(tǒng)的軟硬件設計。該系統(tǒng)采用STM32F103作為主控芯片，通過
2018-11-29 17:10:58
多路LED如何實現(xiàn)均流，比如我恒流總輸出5A，5路每路要1A；總輸出10A，10路，每路1A網(wǎng)上查的方案不是很清楚，精度5%以內(nèi)吧越高越好方案盡量簡單易于實現(xiàn)
2018-01-04 15:44:05
在電源的設計開發(fā)中，對于大功率電源的使用范圍也是越來越廣泛，此類電源是開關電源的一種，比較廣泛的應用與電力通訊行業(yè)。大功率開關電源也同樣在近來幾年中開端盛行并聯(lián)均流的供電規(guī)劃。如今這樣的并聯(lián)均流
2016-04-07 11:40:06
我照著EXB841的DataSheet上的應用電路搭了一個IGBT的驅(qū)動電路，在測試EXB841的過流保護功能時，發(fā)現(xiàn)模塊沒有起作用，IBGT***掉了，三個腿全通，請問大神EXB841的過流保護要怎么弄??？比如說我要把過流閾值設置為1A，該如何做？IGBT型號為IRGS30B60KPBF。
2015-05-28 10:21:23
兩相交錯并聯(lián)Boost電路，當兩支路的電感大小不同，而引起兩支路電流不相等時，應該如何調(diào)節(jié)？？如何實現(xiàn)均流呢？？求助
2016-11-27 14:01:01
并聯(lián)的話，多個負載間電流差異可能比較大。在網(wǎng)上也查了些資料，大部分是講恒
流負載功率擴展
并聯(lián)的，但是恒壓負載
并聯(lián)使用的基本沒找到什么資料？請教高手指點一下，不甚感激?。。?/div>
2018-10-11 17:56:37
使用IGBT首要注意的是過流保護,產(chǎn)生過流的原因大致有：晶體管或二極管損壞、控制與驅(qū)動電路故障或干擾等引起誤動、輸出線接錯或絕緣損 壞等形成短路、輸出端對地短路與電機絕緣損壞、逆變橋的橋臂短路等。針對這些原因該如何設計電路呢？
2019-02-14 14:26:17
的額外裕量。IGBT過流保護無論出于財產(chǎn)損失還是安全方面的考量，針對過流條件的IGBT 保護都是系統(tǒng)可靠性的關鍵所在。IGBT并非是一種故障安全元 件，它們?nèi)舫霈F(xiàn)故障則可能導致直流總線電容爆炸，并使整個
2018-08-20 07:40:12
經(jīng)常使用的均流技術有6種
2021-03-16 06:59:35
Power System Architecture)，用小功率DC/DC轉(zhuǎn)換器模塊并聯(lián)供電的方式，來滿足大功率負載的需要。此外，為了提高供電電源系統(tǒng)的可靠性，要求并聯(lián)工作的模塊有功率冗余。因此分布式供電電源
2011-11-10 11:29:25
有關buck并聯(lián)供電系統(tǒng)中均流方案怎么弄
2017-04-17 23:59:52
如何增加中間端子的雜散電感？電磁場對IGBT模塊并聯(lián)的影響是什么？
2021-06-15 08:26:38
和可靠運行。均流技術就是對系統(tǒng)中各并聯(lián)電源的輸出電流加以控制，盡可能均分系統(tǒng)輸入總電流，確保多臺電源可靠運行的一種特殊措施。圖1所示為多臺開關電源并聯(lián)均流實現(xiàn)大功率電源系統(tǒng)的示意圖。本文就自動均流技術
2011-07-13 15:19:57
都只能做到500W，假如先做4路并聯(lián)，均流問題有什么好的方案可以推薦嗎？如果后面再采用三個2KW并聯(lián)，這個并聯(lián)均流問題如何解決，能推薦一下嗎？謝謝！
2018-07-27 08:56:50
模塊電源市場日趨成熟，并聯(lián)均流有何優(yōu)缺點？
2021-03-16 09:24:11
MOS管在制作生產(chǎn)時，這個反并聯(lián)的快速恢復二極管就自動復合而成，不需要人為特意去另裝這個PN結。但是IGBT在制作生產(chǎn)時，這個反并聯(lián)二極管不是自動復合而成，是沒有的，需要單獨再并聯(lián)一個快速恢復二極管。請問我的理解對嗎？請大家指導，謝謝！
2019-09-09 04:36:22
怎么解決IGBT模塊在并聯(lián)時的降額問題？
2021-04-08 06:21:04
基于LTC4350的并聯(lián)均流技術應用研究(2)
2019-04-22 11:40:09
為了滿足電動汽車用大功率變換器大電流輸出、高功率密度和高性價比的要求，本文對IGBT 并聯(lián)技術進行了仿真和實驗研究。在提出實用的半橋IGBT 并聯(lián)測試電路和評價指標的基礎上
2009-02-07 02:22:14
40 該文針對逆變電源向大功率發(fā)展時受單管IGBT(絕緣門極雙極型晶體管) 電流容量限制的問題,受MOSFET(電力場效應晶體管) 并聯(lián)擴流成功應用的啟發(fā),提出采用多IGBT的并聯(lián)技術,解決進一
2009-02-07 02:23:0744 :介紹了IGBT 擴容的并聯(lián)方法,分析了導致IGBT 模塊并聯(lián)運行時不均流的各種因素,提出了相應的解決措施,并進行了仿真分析和實驗驗證。關鍵詞:絕緣柵雙極晶體管; 并聯(lián)/ 靜態(tài)均流
2009-05-01 09:56:5656 在復合式晶體管開關中晶體管IGBT的并聯(lián)
2009-05-30 21:26:242 兩個反向阻斷型IGBT反向并聯(lián)時的電路和關斷波形電路
2010-02-18 10:47:481450 
在大功率 光伏并網(wǎng)逆變器 的設計中，由于系統(tǒng)具有電壓低和電流大的特點，I G B T 并聯(lián)技術受到了廣泛重視。文章在深入分析IGBT 并聯(lián)技術的基礎上，提出了250 kW 光伏并網(wǎng)逆變器的系統(tǒng)
2011-08-22 17:07:22173 2015-09-24 15:38:418 并聯(lián)IGBT模塊靜動態(tài)均流方法研究_肖雅偉
2017-01-08 10:11:415 帶反并聯(lián)二極管IGBT中的二極管設計
2017-01-24 16:35:0539 ，能實現(xiàn)4個象限的運行。針對此要求，不可避免地需采用電源并聯(lián)技術，即功率管并聯(lián)或電源裝置的并聯(lián)。對于20kA直流電源，若采用功率管IGBT并聯(lián)，每個橋臂則至少需15只功率管并聯(lián)，這不但給驅(qū)動帶來很大困難，而且，在一般情況下，電流容量較大的功率管
2017-12-06 13:59:526 對于壓接式IGBT器件，封裝結構引起的寄生參數(shù)不一致將導致開通瞬態(tài)過程中并聯(lián)IGBT芯片的電流分布不一致，使部分芯片在開關瞬態(tài)過程中的電流過沖太大，從而降低了開通性能。采用寄生參數(shù)提取、電路建模
2018-01-07 11:04:087 在大功率系統(tǒng)中，為了擴大電路的功率等級，開關器件往往會并聯(lián)使用。為了保證絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）模塊工作在安全范圍，需要建立并聯(lián)器件的瞬態(tài)電熱模型。首先，重點分析了結溫變化對損耗產(chǎn)生
2018-02-01 14:09:060 視頻簡介：安森美半導體應用專家為您闡釋并聯(lián)連接兩顆或多顆IGBT時需要考慮哪些因素。
2019-03-27 06:12:007216 
通過降額法計算IGBT器件并聯(lián)時工作的總安全電流，使IGBT器件工作在允許承受的電流范圍內(nèi)。
2020-04-10 09:29:387822 
來源：羅姆半導體社區(qū)? 1、因為并聯(lián)，所以精彩 IGBT與FRD、晶閘管等無元胞器件相比，天生就是并聯(lián)的。模塊封裝中更是需要多芯片并聯(lián)。正是因為并聯(lián)，才使得IGBT器件的功率容量得以擴展。可以說
2022-11-15 17:18:002696 過多臺小功率的三橋全橋逆變器的并聯(lián)是實現(xiàn)變頻器大容量輸出的有效方式。通過并聯(lián)可實現(xiàn)電力電子變換裝置的模塊化，易維修，N+I冗余，可靠性及系列化。由于IGBT器件本身參數(shù)、驅(qū)動回路參數(shù)、散熱裝置參數(shù)
2021-04-12 15:23:3222 IGBT器件的大功率DCDC電源并聯(lián)技術(通信電源技術2019第七期)-該文檔為基于IGBT器件的大功率DCDC電源并聯(lián)技術總結文檔，是一份不錯的參考資料，感興趣的可以下載看看
2021-09-22 12:39:1950 由于并聯(lián)IGBT自身參數(shù)的不一致及電路布局不對稱等，必引起器件電流分配不均，嚴重時會使器件失效甚至損壞主電路，因此，IGBT并聯(lián)的重點是考慮如何通過設計確保均流。目前現(xiàn)有的一些IGBT并聯(lián)均流措施包括：降額法、柵極電阻匹配法、發(fā)射極電阻反饋法、外加電感平衡法等。
2022-02-18 11:11:332878 利用IGBT雙脈沖測試電路，改變電壓及電流測量探頭的位置，即可對IGBT并聯(lián)的續(xù)流二極管(即FRD)的相關參數(shù)進行測量與評估。
2022-04-13 13:54:332892 IGBT并聯(lián)
2022-11-15 20:29:263 賽米控近期完成了基于成熟大功率三電平IGBT模塊并聯(lián)的功率模組參考設計與測試驗證。本文將詳細的介紹這款設計。
2023-02-07 09:12:041555 摘要 壓接型 IGBT 芯片在正常的運行工況下承受著電-熱-力多物理量的綜合作用，研究電熱-力影響下的 IGBT 芯片動態(tài)特性對于指導 IGBT 芯片建模以及規(guī)?；?IGBT 并聯(lián)封裝設計具有
2023-08-08 09:58:280 igbt反向并聯(lián)二極管作用 IGBT是一種強勁的功率半導體器件，被廣泛應用于高電壓、高電流和高速開關的領域。與傳統(tǒng)的大功率晶體管相比，IGBT能夠提供更高的功率密度，同時也具有更高的效率和更低
2023-08-29 10:25:571118 igbt為什么要反并聯(lián)二極管 IGBT是一種功率器件，它是一種膜材料型結構，它采用P型部分、N型部分、漂移區(qū)、隔離氧化層、金屬控制電極和保護結構等元件組成，為集成化的功率MOSFET和雙極性晶體管
2023-08-29 10:25:592926 igbt反向并聯(lián)二極管作用? IGBT反向并聯(lián)二極管，也稱為快速反向二極管，是一種非常重要的器件，它廣泛應用于各種電子設備和電氣系統(tǒng)中。以下將詳細介紹IGBT反向并聯(lián)二極管的作用、原理、特點
2023-08-29 10:32:243492 從一開始的TO-247封裝的IGBT單管并聯(lián)，到單管電流等級需求優(yōu)化的TO-247Plus封裝的IGBT并聯(lián)，到如今的TPAK封裝，可以說將單管并聯(lián)方式發(fā)揮的淋漓盡致。
2023-09-20 15:59:446191 
驅(qū)動電路對動態(tài)均流的影響：驅(qū)動電路對并聯(lián)均流的影響也是顯而易見的，如果并聯(lián)工作的IGBT驅(qū)動電路不同步，則先驅(qū)動的IGBT要承擔大得多的動態(tài)電流。
2023-10-20 10:31:551224 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《IGBT模塊在并聯(lián)時的降額必然性問題.doc》資料免費下載
2023-11-14 11:33:102 Zhang Gang
2024-03-15 08:13:08134 
已全部加載完成
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論