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淺析氮化鎵器件驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)技術(shù)
- 氮化鎵(114707)
- 驅(qū)動(dòng)電源(42009)
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氮化鎵: 歷史與未來
(86) ，因此在正常體溫下，它會(huì)在人的手中融化。
又過了65年，氮化鎵首次被人工合成。直到20世紀(jì)60年代，制造氮化鎵單晶薄膜的技術(shù)才得以出現(xiàn)。作為一種化合物，氮化鎵的熔點(diǎn)超過1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵技術(shù)在半導(dǎo)體行業(yè)中處于什么位置？
從將PC適配器的尺寸減半，到為并網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉(zhuǎn)換，德州儀器為您的設(shè)計(jì)提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過2 kW設(shè)計(jì)的各類解決方案。
2019-08-01 07:38:40
氮化鎵技術(shù)推動(dòng)電源管理不斷革新
。與典型的PN結(jié)MOSFET不同，GaN器件的雙向結(jié)構(gòu)可以使用雙柵結(jié)構(gòu)控制電流。用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的矩陣轉(zhuǎn)換器可以通過利用雙向設(shè)備潛在地減少開關(guān)的數(shù)量。此外，氮化鎵器件可以在比硅器件更高的溫度下工作，這使其成為
2019-03-14 06:45:11
氮化鎵GaN 來到我們身邊竟如此的快
被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運(yùn)用到通信、軍工領(lǐng)域，隨著技術(shù)的進(jìn)步以及人們的需求，氮化鎵產(chǎn)品已經(jīng)走進(jìn)了我們生活中，尤其在充電器中的應(yīng)用逐步布局開來，以下是采用了氮化鎵的快
2020-03-18 22:34:23
氮化鎵GaN技術(shù)促進(jìn)電源管理的發(fā)展
的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年，電力電子領(lǐng)域?qū)⒐芾泶蠹s80％的能源，而2005年這一比例僅為30％1。這相當(dāng)于30億千瓦時(shí)以上
2020-11-03 08:59:19
氮化鎵GaN技術(shù)助力電源管理革新
結(jié)構(gòu)可以使用雙柵結(jié)構(gòu)控制電流。用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的矩陣轉(zhuǎn)換器可以通過利用雙向設(shè)備潛在地減少開關(guān)的數(shù)量。此外，氮化鎵器件可以在比硅器件更高的溫度下工作，這使其成為許多熱門應(yīng)用(如集成電機(jī)驅(qū)動(dòng))的有吸引力的選擇
2018-11-20 10:56:25
氮化鎵GaN接替硅支持高能效高頻電源設(shè)計(jì)方案
在所有電力電子應(yīng)用中，功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一，這主要由更高能效和更高開關(guān)頻率驅(qū)動(dòng)。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限，設(shè)計(jì)工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵（GaN）來提供方案。
2020-10-28 06:01:23
氮化鎵一瓦已經(jīng)不足一元，并且順豐包郵？聯(lián)想發(fā)動(dòng)氮化鎵價(jià)格戰(zhàn)伊始。
技術(shù)迭代。2018 年，氮化鎵技術(shù)走出實(shí)驗(yàn)室，正式運(yùn)用到充電器領(lǐng)域，讓大功率充電器迅速小型化，體積僅有傳統(tǒng)硅（Si）功率器件充電器一半大小，氮化鎵快充帶來了充電器行業(yè)變革。但作為新技術(shù)，當(dāng)時(shí)氮化鎵
2022-06-14 11:11:16
氮化鎵充電器
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率芯片如何在高頻下實(shí)現(xiàn)更高的效率？
氮化鎵為單開關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關(guān)頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
氮化鎵功率芯片的優(yōu)勢
更?。篏aNFast? 功率芯片，可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常
2023-06-15 15:32:41
氮化鎵發(fā)展評估
。氮化鎵的性能優(yōu)勢曾經(jīng)一度因高成本而被抵消。最近，氮化鎵憑借在硅基氮化鎵技術(shù)、供應(yīng)鏈優(yōu)化、器件封裝技術(shù)以及制造效率方面的突出進(jìn)步成功脫穎而出，成為大多數(shù)射頻應(yīng)用中可替代砷化鎵和 LDMOS 的最具成本
2017-08-15 17:47:34
氮化鎵場效應(yīng)晶體管與硅功率器件比拼之包絡(luò)跟蹤，不看肯定后悔
本文展示氮化鎵場效應(yīng)晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動(dòng)器可容易地實(shí)現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
氮化鎵激光器的技術(shù)難點(diǎn)和發(fā)展過程
激光器是20世紀(jì)四大發(fā)明之一，半導(dǎo)體激光器是采用半導(dǎo)體芯片加工工藝制備的激光器，具有體積小、成本低、壽命長等優(yōu)勢，是應(yīng)用最多的激光器類別。氮化鎵激光器（LD）是重要的光電子器件，基于GaN材料
2020-11-27 16:32:53
氮化鎵電源設(shè)計(jì)從入門到精通的方法
氮化鎵電源設(shè)計(jì)從入門到精通，這個(gè)系列直播共分為八講，本篇第六講將為您介紹EMC優(yōu)化和整改技巧，助您完成電源工程師從入門到精通的蛻變。前期回顧（點(diǎn)擊下方內(nèi)容查看上期直播）：- 第一講：元器件選型
2021-12-29 06:31:58
氮化鎵的卓越表現(xiàn)：推動(dòng)主流射頻應(yīng)用實(shí)現(xiàn)規(guī)?；?、供應(yīng)安全和快速應(yīng)對能力
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。 數(shù)十年來，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si
2018-08-17 09:49:42
氮化鎵能否實(shí)現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計(jì)？
GaN如何實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)？氮化鎵能否實(shí)現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計(jì)？
2021-06-17 10:56:45
氮化鎵芯片未來會(huì)取代硅芯片嗎？
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當(dāng)用于電源時(shí)，GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
CGHV96100F2氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
CMPA801B025F氮化鎵（GaN）高電子遷移率 基于晶體管
Cree的CMPA801B025是氮化鎵（GaN）高電子遷移率基于晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
ETA80G25氮化鎵合封芯片支持90-264V輸入，支持27W功率輸出
充電器變得高效起來，發(fā)熱更低，體積也縮小便于攜帶，推進(jìn)了百瓦大功率充電器的普及，也改變了人們對大功率充電器的印象。但是氮化鎵器件對柵極驅(qū)動(dòng)電壓要求非常敏感，并且對布線要求也很高，這也導(dǎo)致了應(yīng)用門檻較高
2021-11-28 11:16:55
IFWS 2018：氮化鎵功率電子器件技術(shù)分會(huì)在深圳召開
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢，并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動(dòng)機(jī)
2018-11-05 09:51:35
MACOM和意法半導(dǎo)體將硅上氮化鎵推入主流射頻市場和應(yīng)用
趕上甚至超過了成本昂貴的硅上氮化鎵產(chǎn)品的替代技術(shù)。我們期待這項(xiàng)合作讓這些GaN創(chuàng)新在硅供應(yīng)鏈內(nèi)結(jié)出碩果，最終服務(wù)于要求最高的客戶和應(yīng)用?！币夥ò雽?dǎo)體汽車與分立器件產(chǎn)品部總裁Marco Monti表示
2018-02-12 15:11:38
MACOM：硅基氮化鎵器件成本優(yōu)勢
可以做得更大，成長周期更短。MACOM現(xiàn)在已經(jīng)在用8英寸晶圓生產(chǎn)氮化鎵器件，與很多仍然用4英寸設(shè)備生產(chǎn)碳化硅基氮化鎵的廠商不同。MACOM的氮化鎵技術(shù)用途廣泛，在雷達(dá)、軍事通信、無線和有線寬帶方面都有
2017-09-04 15:02:41
MACOM：適用于5G的半導(dǎo)體材料硅基氮化鎵（GaN）
的各個(gè)電端子之間的距離縮短十倍。這樣可以實(shí)現(xiàn)更低的電阻損耗，以及電子具備更短的轉(zhuǎn)換時(shí)間?？偟膩碚f，氮化鎵器件具備更快速的開關(guān)、更低的功率損耗及更低的成本優(yōu)勢。由于氮化鎵技術(shù)在低功耗、小尺寸等方面具有獨(dú)特
2017-07-18 16:38:20
Micsig光隔離探頭實(shí)測案例——氮化鎵GaN半橋上管測試
系列光隔離探頭現(xiàn)場條件因該氮化鎵快充PCBA設(shè)計(jì)密度很高，阻容采用0402器件，只能采用不是最優(yōu)方案的同軸延長線連接（通常推薦采用MCX母座連接，可最大限度減少引線誤差）?，F(xiàn)場連接圖如下：▲圖1：接線
2023-01-12 09:54:23
NV6115氮化鎵MOS+NCP1342主控芯片PWM控制器絲印1342AMDCD
`明佳達(dá)優(yōu)勢供應(yīng)NV6115氮化鎵MOS+NCP1342主控芯片PWM控制器絲印1342AMDCD。產(chǎn)品信息1、NV6115氮化鎵MOS絲?。篘V6115芯片介紹：NV6115氮化鎵MOS，是針對
2021-01-08 17:02:10
SGN2729-250H-R氮化鎵晶體管
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
SGN2729-600H-R氮化鎵晶體管
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
aN2 Pro氮化鎵充電器的選購過程和使用
由于換了三星手機(jī)，之前的充電器都不支持快充了，一直想找一款手機(jī)電腦都能用的快充充電器，「倍思GaN2 Pro氮化鎵充電器」就是這樣一款能滿足我的充電器，這篇文章就來說下這款充電器的選購過程
2021-09-14 08:28:31
《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》氮化鎵發(fā)展技術(shù)
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：氮化鎵發(fā)展技術(shù)編號：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個(gè)芯片上集成多個(gè)
2021-07-06 09:38:20
【技術(shù)干貨】氮化鎵IC如何改變電動(dòng)汽車市場
）行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。 SMPS ODM需要置身于滿足這些標(biāo)準(zhǔn)的先進(jìn)半導(dǎo)體器件和主動(dòng)組件的供應(yīng)商網(wǎng)絡(luò)中。對于氮化鎵來說，在更關(guān)鍵的電子子系統(tǒng)之一，符合AEC標(biāo)準(zhǔn)的器件已經(jīng)存在，即電源開關(guān)器件和柵極驅(qū)動(dòng)
2018-07-19 16:30:38
為什么氮化鎵(GaN)很重要？
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因?yàn)樗c傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比，不僅性能優(yōu)異，應(yīng)用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中，傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面，已經(jīng)達(dá)到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
為什么氮化鎵比硅更好？
度為1.1 eV，而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場強(qiáng)度，耗盡區(qū)窄短，從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。例如，一個(gè)典型的650V橫向氮化鎵晶體管，可以支持超過800V
2023-06-15 15:53:16
為何碳化硅比氮化鎵更早用于耐高壓應(yīng)用呢？
目前，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等“WBG（Wide Band Gap，寬禁帶，以下簡稱為：WBG）”以及基于新型材料的電力半導(dǎo)體，其研究開發(fā)技術(shù)備受矚目。根據(jù)日本環(huán)保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
什么是氮化鎵技術(shù)
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計(jì)，帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起，我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級
2020-10-27 09:28:22
什么是氮化鎵功率芯片？
eMode硅基氮化鎵技術(shù)，創(chuàng)造了專有的AllGaN?工藝設(shè)計(jì)套件（PDK），以實(shí)現(xiàn)集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅(qū)動(dòng)器，邏輯和保護(hù)功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的、低寄生電感、低成本的 5×6mm 或
2023-06-15 14:17:56
什么是氮化鎵功率芯片？
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
什么是氮化鎵（GaN）？
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領(lǐng)先地位。『三點(diǎn)半說』經(jīng)多方專家指點(diǎn)查證，特推出“氮化鎵系列”，告訴大家什么是氮化鎵（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
什么是氮化鎵（GaN）？
的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場。氮化鎵比傳統(tǒng)硅材料更大的禁帶寬度，使它具有非常細(xì)窄的耗盡區(qū)，從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。由于氮化
2023-06-15 15:41:16
什么阻礙氮化鎵器件的發(fā)展
帶寬更高，這一點(diǎn)很重要，載波聚合技術(shù)的使用以及準(zhǔn)備使用更高頻率的載波都是為了得到更大的帶寬。[color=rgb(51, 51, 51) !important]與硅或者其他器件相比，氮化鎵速度更快
2019-07-08 04:20:32
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
使用寬帶隙器件做電路設(shè)計(jì)時(shí)的注意事項(xiàng)
易于驅(qū)動(dòng)，不應(yīng)產(chǎn)生高電磁干擾等不利影響，而且要耐用，當(dāng)然還要成本低。柵極驅(qū)動(dòng)至關(guān)重要驅(qū)動(dòng)碳化硅和氮化鎵器件的柵極可能是最重要的考慮因素，在大多數(shù)情況下，這比驅(qū)動(dòng)IGBT和MOSFET更難。這兩種成熟
2023-02-05 15:14:52
供應(yīng)氮化鎵功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268
明佳達(dá)電子優(yōu)勢供應(yīng)氮化鎵功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268，只做原裝，價(jià)格優(yōu)勢，實(shí)單歡迎洽談。產(chǎn)品信息型號1：NV6127絲?。篘V6127屬性：氮化鎵功率芯片封裝：QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
光隔離探頭應(yīng)用場景之—— 助力氮化鎵（GaN）原廠FAE解決客戶問題
客戶希望通過原廠FAE盡快找到解決方案，或者將遇到技術(shù)挫折歸咎為芯片本身設(shè)計(jì)問題，盡管不排除芯片可能存在不適用的領(lǐng)域，但是大部分時(shí)候是應(yīng)用層面的問題，和芯片沒有關(guān)系。這種情況對新興的第三代半導(dǎo)體氮化鎵
2023-02-01 14:52:03
如何利用氮化鎵實(shí)現(xiàn)高性能柵極驅(qū)動(dòng)？
氮化鎵技術(shù)是功率級的真正推動(dòng)者，如今可提供過去十年無法想象的性能。只有當(dāng)柵極驅(qū)動(dòng)器與晶體管具有相同程度的性能和創(chuàng)新時(shí)，才能獲得GaN的最大性能和優(yōu)勢。經(jīng)過多年的研發(fā)，MinDCet通過推出
2023-02-24 15:09:34
如何學(xué)習(xí)氮化鎵電源設(shè)計(jì)從入門到精通?
精通，這個(gè)系列直播共分為八講，從0到1全面解密電源設(shè)計(jì)，帶工程師完整地設(shè)計(jì)一個(gè)高效氮化鎵電源，包括元器件選型、電路設(shè)計(jì)和PCB布線、電路測試和優(yōu)化技巧、磁性元器件的設(shè)計(jì)和優(yōu)化、環(huán)路分析和優(yōu)化、能效分析
2020-11-18 06:30:50
如何完整地設(shè)計(jì)一個(gè)高效氮化鎵電源？
如何帶工程師完整地設(shè)計(jì)一個(gè)高效氮化鎵電源，包括元器件選型、電路設(shè)計(jì)和PCB布線、電路測試和優(yōu)化技巧、磁性元器件的設(shè)計(jì)和優(yōu)化、環(huán)路分析和優(yōu)化、能效分析和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評估和分析。
2021-06-17 06:06:23
如何實(shí)現(xiàn)氮化鎵的可靠運(yùn)行
我經(jīng)常感到奇怪，我們的行業(yè)為什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度；畢竟，大潮之下，沒人能獨(dú)善其身。每年，我們都看到市場預(yù)測的前景不太令人滿意。但通過共同努力，我們就能
2022-11-16 06:43:23
如何實(shí)現(xiàn)小米氮化鎵充電器
如何實(shí)現(xiàn)小米氮化鎵充電器是一個(gè)c to c 的一個(gè)充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口，但這個(gè)口不可以充電，它是用來轉(zhuǎn)VGA,HDMI,DP之類了，可以外接顯示器，拓展塢之類的。要用氮化鎵
2021-09-14 06:06:21
如何用集成驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化氮化鎵性能
導(dǎo)讀：將GaN FET與它們的驅(qū)動(dòng)器集成在一起可以改進(jìn)開關(guān)性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設(shè)計(jì)。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而，當(dāng)
2022-11-16 06:23:29
實(shí)現(xiàn)更小、更輕、更平穩(wěn)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的氮化鎵器件
獲得無與倫比的正弦電壓和電流波形，讓電機(jī)實(shí)現(xiàn)更平穩(wěn)、更安靜的運(yùn)行和更高的系統(tǒng)效率。由基于氮化鎵器件的逆變器以更高的PWM頻率和最短促的死區(qū)時(shí)間驅(qū)動(dòng)時(shí)，電機(jī)變得更有效率。把輸入濾波器中的電解電容器改為
2023-06-25 13:58:54
對于手機(jī)來說射頻GaN技術(shù)還需解決哪些難題？
氮化鎵技術(shù)非常適合4.5G或5G系統(tǒng)，因?yàn)轭l率越高，氮化鎵的優(yōu)勢越明顯。那對于手機(jī)來說射頻GaN技術(shù)還需解決哪些難題呢？
2019-07-31 06:53:15
射頻GaN技術(shù)正在走向主流應(yīng)用
手機(jī)上還不現(xiàn)實(shí)，但業(yè)界還是要關(guān) 注射頻氮化鎵技術(shù)的發(fā)展?！芭c砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）等高頻工藝相比，氮化鎵器件輸出的功率更大；與LDCMOS和碳化硅（SiC）等功率工藝相比，氮化鎵的頻率特性
2016-08-30 16:39:28
將低壓氮化鎵應(yīng)用在了手機(jī)內(nèi)部電路
OPPO公司分享了這一應(yīng)用的優(yōu)勢，一顆氮化鎵可以代替兩顆硅MOS，體積更小、更節(jié)省空間，且阻抗比單顆硅MOS更低，可降低在此路徑上的熱量消耗，降低充電溫升，提升充電的恒流持續(xù)時(shí)間。不僅如此，氮化鎵有
2023-02-21 16:13:41
展嶸電子助力布局氮化鎵適配器方案攜手智融SW351X次級協(xié)議45W69W87W成熟方案保駕護(hù)航
30W超薄氮化鎵充電器ANKER Powerport Atom III Slim因?yàn)閮?nèi)置了氮化鎵元器件，體型可以做的非常的纖薄，只有0.63英寸（約1.6cm）厚，并且是可折疊插腳設(shè)計(jì)，可以輕松裝進(jìn)
2021-04-16 09:33:21
微波射頻能量:工業(yè)加熱和干燥用氮化鎵
這樣的領(lǐng)導(dǎo)者正在將氮化鎵和固態(tài)半導(dǎo)體技術(shù)與這些過程相結(jié)合，以更低的成本進(jìn)行廣泛使用，從而改變行業(yè)的基礎(chǔ)狀況。采油與傳統(tǒng)的干燥和加熱方法相比，射頻能量使用更少的能量，而且高精度可使每瓦都得到有效利用。從
2018-01-18 10:56:28
想要實(shí)現(xiàn)高效氮化鎵設(shè)計(jì)有哪些步驟？
和功率因數(shù)校正 （PFC） 配置?！ 『唵蔚碾娐诽峁┝藢⒐杩刂破饔糜贕aN器件的過渡能力。對于單個(gè)氮化鎵器件，隔離式負(fù) V一般事務(wù)（關(guān)閉）EZDrive?電路是一種低成本、簡單的方法，可以使用12V驅(qū)動(dòng)
2023-02-21 16:30:09
拆解報(bào)告：橙果65W 2C1A氮化鎵充電器
功率，降額使用。
PI官方的資料顯示，INN3378C屬于InnoSwitch3-Pro家族，它采用了PI獨(dú)家的PowiGaN技術(shù)，也就是內(nèi)置了GaN氮化鎵功率器件，相比傳統(tǒng)MOSFET可以輸出更大
2023-06-16 14:05:50
支持瓦特到千瓦級應(yīng)用的氮化鎵技術(shù)介紹
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計(jì)，帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起，我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級
2022-11-10 06:36:09
有關(guān)氮化鎵半導(dǎo)體的常見錯(cuò)誤觀念
氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)更高的效率、顯著減小系統(tǒng)尺寸、更輕和于應(yīng)用中取得硅器件無法實(shí)現(xiàn)的性能。那么，為什么關(guān)于氮化鎵半導(dǎo)體仍然有如此多的誤解？事實(shí)又是怎樣的呢？
關(guān)于氮化鎵技術(shù)
2023-06-25 14:17:47
硅基氮化鎵與LDMOS相比有什么優(yōu)勢？
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
硅基氮化鎵在大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化
日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術(shù)及設(shè)備材料最新趨勢專場中，晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢博士向與會(huì)者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報(bào)告，與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵/GaN 未來發(fā)展及技術(shù)應(yīng)用
重要作用。下圖展示的是鍺化硅和氮化鎵的毫米波5G基站MIMO天線方案，左側(cè)展示的是鍺化硅基MIMO天線，它有1024個(gè)元件，裸片面積是4096平方毫米，輻射功率是65dbm，與之形成鮮明對比的，是右側(cè)氮化
2019-04-13 22:28:48
請問candence Spice能做氮化鎵器件建模嗎？
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎？然后提取參數(shù)想基于candence model editor進(jìn)行氮化鎵器件的建模，有可能實(shí)現(xiàn)嗎？求教ICCAP軟件呢？
2019-11-29 16:04:02
誰發(fā)明了氮化鎵功率芯片？
，是氮化鎵功率芯片發(fā)展的關(guān)鍵人物。
首席技術(shù)官 Dan Kinzer在他長達(dá) 30 年的職業(yè)生涯中，長期擔(dān)任副總裁及更高級別的管理職位，并領(lǐng)導(dǎo)研發(fā)工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
轉(zhuǎn)載 | 推高功率密度，茂睿芯發(fā)布氮化鎵合封快充芯片MK2787/MK2788
本帖最后由 小佑_ 于 2021-11-12 11:54 編輯
氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體器件，憑借其優(yōu)異的性能，在PD快充領(lǐng)域得到了廣泛關(guān)注。作為國內(nèi)領(lǐng)先的ACDC快充品牌，茂睿芯一直潛心研發(fā)
2021-11-12 11:53:21
迄今為止最堅(jiān)固耐用的晶體管—氮化鎵器件
了當(dāng)時(shí)功率半導(dǎo)體界的一項(xiàng)大膽技術(shù)：氮化鎵（GaN）。對于強(qiáng)大耐用的射頻放大器在當(dāng)時(shí)新興的寬帶無線網(wǎng)絡(luò)、雷達(dá)以及電網(wǎng)功率切換應(yīng)用中的使用前景，他們表達(dá)了樂觀的看法。他們稱氮化鎵器件為“迄今為止最堅(jiān)固耐用
2023-02-27 15:46:36
采用ADMU4121來驅(qū)動(dòng)氮化鎵半橋電路，上管的驅(qū)動(dòng)電壓隨輸入電壓的升高而升高是為什么？
采用ADMU4121來驅(qū)動(dòng)氮化鎵半橋電路，采樣的全隔離的驅(qū)動(dòng)方案，但是現(xiàn)在上管的驅(qū)動(dòng)電壓隨輸入電壓的升高而升高，不知道為啥？是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">驅(qū)動(dòng)芯片的原因嗎？上管是將5V的輸入電壓由B0515隔離芯片轉(zhuǎn)化
2024-01-11 06:43:50
針對電機(jī)控制應(yīng)用如何選擇寬帶隙器件？
和MOSFET技術(shù)也在不斷得到提升。因此，我們應(yīng)當(dāng)先思考一下，改用寬帶隙器件是否有意義，什么時(shí)候改用寬帶隙器件比較好，然后再?zèng)Q定是選用碳化硅器件還是氮化鎵器件。IGBT其實(shí)很好用IGBT在電機(jī)控制方面有很多
2023-02-05 15:16:14
集成氮化鎵直驅(qū)的高頻準(zhǔn)諧振模式反激控制器
電壓，可直接用于驅(qū)動(dòng)氮化鎵功率管；芯片工作于帶谷底鎖定功能的谷底開啟模式，同時(shí)集成頻率抖動(dòng)功能以優(yōu)化 EMI 性能；當(dāng)負(fù)載降低時(shí)，芯片從 PFM 模式切換至 BURST 模式工作以優(yōu)化輕載效率，空載待機(jī)
2023-03-28 10:24:46
高壓氮化鎵的未來分析
就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個(gè)用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動(dòng)器解決方案，相對于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù)，創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
高壓氮化鎵的未來是怎么樣的
就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個(gè)用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動(dòng)器解決方案，相對于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù)，創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
氮化鎵的好處#硬聲創(chuàng)作季 #pcb設(shè)計(jì) #電路設(shè)計(jì) #電子制作 #產(chǎn)品方案 #機(jī)器人
氮化鎵
深圳愛美雅電子有限公司發(fā)布于 2023-04-17 14:41:27
AMEYA360熱門新聞：我國對鎵鍺相關(guān)物項(xiàng)實(shí)施出口管制！#氮化鎵 #鍺元素 #半導(dǎo)體材料
氮化鎵
jf_09983350發(fā)布于 2023-07-05 13:40:14
#氮化鎵 #英飛凌 8.3億美元！英飛凌完成收購氮化鎵系統(tǒng)公司 (GaN Systems)
半導(dǎo)體氮化鎵
深圳市浮思特科技有限公司發(fā)布于 2023-10-25 16:11:22
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