在驅(qū)動(dòng)MOS管時(shí)，我們希望給到MOS管柵極是標(biāo)準(zhǔn)的電壓方波波形，但是在實(shí)際情況下，我們?cè)跍y(cè)得的Ugs波形往往是帶有振蕩的。
2023-06-25 14:26:26
2112 
為什么有時(shí)候需要MOSFET柵極電阻？它應(yīng)該是什么價(jià)值？它應(yīng)該在下拉電阻之前還是之后？事實(shí)上，有許多電路是在沒(méi)有柵極電阻的情況下工作的，但添加一個(gè)可以防止一些潛在的問(wèn)題。1000Ω很可能會(huì)起作用。
2023-07-06 11:10:48950 
由于MOS管柵極寄生電容以及寄生電感的存在使得MOS管驅(qū)動(dòng)時(shí)柵極很容易發(fā)生諧振，常采用的辦法是在柵極串接一個(gè)小電阻，我想問(wèn)為什么電阻可以抑制振蕩？請(qǐng)眾位大神解釋原因，呵呵，知其然不知其所以然！
2014-05-24 15:28:54
大功率電源的PFC電路中，根據(jù)MOS管的Qg和導(dǎo)通時(shí)間計(jì)算柵極驅(qū)動(dòng)電流約5A。按照一般的說(shuō)法，如果驅(qū)動(dòng)電流設(shè)計(jì)的太大，會(huì)引起電壓過(guò)沖和振蕩，除此之外，還會(huì)有什么不利后果？會(huì)損壞MOS管嗎？根據(jù)經(jīng)驗(yàn)一般最大在多少A比較好？謝謝指教！
2022-05-05 23:01:18
MOS管一個(gè)ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應(yīng)而帶電(少量電荷就可能在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓(想想U(xiǎn)=Q/C)將管子損壞)，又因
2017-06-01 15:59:30
?！ 《?dāng)柵極開(kāi)路的時(shí)候，這個(gè)電流只能給下方的Cgs電容充電，然后就會(huì)導(dǎo)致柵極電壓突然升高。當(dāng)超過(guò)MOS管的門(mén)線(xiàn)電壓VTH的時(shí)候，MOS管就會(huì)很容易誤導(dǎo)通?！ ∷晕覀?b class="flag-6" style="color: red">需要保護(hù)MOS管的柵極電壓來(lái)防止誤導(dǎo)
2023-03-15 16:55:58
的改進(jìn)，可以使MOS管的VT值降到2～3V。2. 直流輸入電阻RGS ·即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比 ·這一特性有時(shí)以流過(guò)柵極的柵流表示 ·MOS管的RGS可以很容易地超過(guò)1010
2012-08-15 21:08:49
工作原理本質(zhì)是一樣的。MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來(lái)控制輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它通過(guò)加在柵極上的電壓控制器件的特性，不會(huì)發(fā)生像三極管做開(kāi)關(guān)時(shí)的因基極電流引起的電荷存儲(chǔ)效應(yīng)，因此在開(kāi)關(guān)
2018-10-31 13:59:26
在開(kāi)啟后，才會(huì)出現(xiàn)導(dǎo)電溝道；兩者的控制方式也不一樣，耗盡型MOS管的VGS（柵極電壓）可以用正、零、負(fù)電壓控制導(dǎo)通，而增強(qiáng)型MOS管必須使得VGS》VGS（th）（柵極閾值電壓）才行。這些特性使得耗盡
2021-01-15 15:39:46
，很多MOS管都內(nèi)置穩(wěn)壓管強(qiáng)行限制柵極電壓的幅值。在這種情況下，當(dāng)提供的驅(qū)動(dòng)電壓超過(guò)穩(wěn)壓管的電壓時(shí)，會(huì)造成較大的靜態(tài)功耗。同時(shí)，如果單純利用電阻分壓原理來(lái)降低柵極電壓，當(dāng)輸入電壓比較高時(shí)，MOS管工作良好
2021-12-03 16:37:02
數(shù)字電路中MOS管常被用來(lái)作開(kāi)關(guān)管，所以被廣泛應(yīng)用在需要電子開(kāi)關(guān)的電路中，根據(jù)構(gòu)成和導(dǎo)通特性可分為四類(lèi)MOS管：g被稱(chēng)為柵極，d為漏極，s為源極，B為襯底，在實(shí)際生產(chǎn)中，襯底與源極相連，所以MOS管
2019-01-28 15:44:35
高端驅(qū)動(dòng)的MOS，導(dǎo)通時(shí)需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓與漏極電壓（VCC）相同，所以這時(shí)柵極電壓要比VCC大4V或10V.如果在同一個(gè)系統(tǒng)里，要得...
2021-10-29 06:54:59
通時(shí)需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓與漏極電壓（VCC）相同，所以這時(shí)柵極電壓要比VCC大4V或10V.如果在同一個(gè)系統(tǒng)里，要得到比VCC大的電壓，就要專(zhuān)門(mén)的升壓電路了。很多...
2021-10-29 07:22:17
1、首先看一個(gè)普通SOT-23封裝mos管的開(kāi)關(guān)參數(shù)Qg表示MOS管開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)柵極需要的總的電荷量，這個(gè)參數(shù)直接反應(yīng)mos管的開(kāi)關(guān)速度，越小的話(huà)MOS管的開(kāi)關(guān)速度就越快。
2021-10-29 08:10:05
三極管放大好理解，輸入電流被放大，波形相位都保持不變，峰峰值變大。但是MOS管放大我就不理解了，柵極絕緣沒(méi)有電流流入，那么他放大的是什么呢？看起來(lái)MOS管只是由柵極電壓控制的一個(gè)開(kāi)關(guān)，或者說(shuō)是由柵極電壓控制一個(gè)可變電阻。請(qǐng)前輩們來(lái)解答疑惑
2020-03-04 14:22:43
，可以使MOS管的VT值降到2～3V?！ ?.直流輸入電阻RGS 即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比，這一特性有時(shí)以流過(guò)柵極的柵流表示，MOS管的RGS可以很容易地超過(guò)1010Ω。 3.漏源擊穿
2018-11-20 14:06:31
～3V。 2.直流輸入電阻RGS 即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比，這一特性有時(shí)以流過(guò)柵極的柵流表示，MOS管的RGS可以很容易地超過(guò)1010Ω?！ ?.漏源擊穿電壓BVDS 在VGS=0
2018-11-20 14:10:23
嗎，為什么？2、導(dǎo)通之后，三極管基極和MOS管柵極的電流幾乎一樣，而且是pf級(jí)別的，非常小。所以具體過(guò)程是不是剛開(kāi)始MOS柵極電流很大，等到MOS管完全導(dǎo)通后柵極電流就變小，但為什么這個(gè)電流會(huì)變小呢？
2021-04-27 12:03:09
MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來(lái)控制輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它通過(guò)加在柵極上的電壓控制器件的特性，不會(huì)發(fā)生像三極管做開(kāi)關(guān)時(shí)的因基極電流引起的電荷存儲(chǔ)效應(yīng)，因此在開(kāi)關(guān)應(yīng)用中，MOS管的開(kāi)關(guān)速度比三極管快。
2023-03-12 05:16:04
MOS管的開(kāi)關(guān)電路中柵極電阻R5和柵源極級(jí)間電阻R6是怎么計(jì)算的？在這個(gè)電路中有什么用。已知道VDD=3.7V，在可變電阻狀態(tài)中，作為開(kāi)關(guān)電路是怎么計(jì)算R5和R6？
2021-04-19 00:07:09
電流，因?yàn)閷?duì)電容充電瞬間可以把電容看成短路，所以瞬間電流會(huì)比較大。選擇/設(shè)計(jì)MOS管驅(qū)動(dòng)時(shí)第一要注意的是可提供瞬間短路電流的大小?！ 〉诙⒁獾氖?，普遍用于高端驅(qū)動(dòng)的NMOS，導(dǎo)通時(shí)需要是柵極電壓大于
2019-02-14 11:35:54
時(shí)第一要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。第二注意的是，普遍用于高端驅(qū)動(dòng)的NMOS，導(dǎo)通時(shí)需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓與漏極電壓（VCC）相同，所以這時(shí)柵極電壓要比
2021-01-11 20:12:24
在設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者逆變器時(shí)，我們經(jīng)常需要用到MOS管，可是有些朋友對(duì)于如何選取MOS管的驅(qū)動(dòng)電阻不太熟悉，今天本人就分享一份來(lái)自網(wǎng)絡(luò)資源的資料，希望對(duì)大家有所幫助。
2018-07-11 22:37:16
的是，普遍用于高端驅(qū)動(dòng)的NMOS，導(dǎo)通時(shí)需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓與漏極電壓（VCC）相同，所以這時(shí)柵極電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個(gè)系統(tǒng)里，要得到比
2011-11-07 15:56:56
MOS管具有正溫度系數(shù)，網(wǎng)上很多說(shuō)不需要均流電阻。三極管是負(fù)溫度系數(shù)，才需要在發(fā)射極串接均流電阻。網(wǎng)上看到有人說(shuō)，MOS管只在一定的電流范圍內(nèi)才能起到均流作用，那么大電流下還是要加均流電阻咯?，F(xiàn)在
2021-01-05 18:19:30
`一般情況下普遍用于高端驅(qū)動(dòng)的MOS,導(dǎo)通時(shí)需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓與漏極電壓(VCC)相同，所以這時(shí)柵極電壓要比VCC大4V或10V.如果在同一個(gè)系統(tǒng)里，要得
2019-07-05 08:00:00
`一般情況下普遍用于高端驅(qū)動(dòng)的MOS,導(dǎo)通時(shí)需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓與漏極電壓(VCC)相同，所以這時(shí)柵極電壓要比VCC大4V或10V.如果在同一個(gè)系統(tǒng)里，要得
2019-07-05 07:30:00
一般情況下普遍用于高端驅(qū)動(dòng)的MOS,導(dǎo)通時(shí)需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓與漏極電壓(VCC)相同，所以這時(shí)柵極電壓要比VCC大4V或10V.如果在同一個(gè)系統(tǒng)里，要得
2019-07-03 07:00:00
過(guò)二極管，放電功率不受限制，故此情況下mos管開(kāi)啟速度較關(guān)斷速度慢，形成硬件死區(qū)。限流當(dāng)使用含內(nèi)部死區(qū)的驅(qū)動(dòng)或不需要硬件死區(qū)時(shí)，是否可以省去柵極電阻呢？答案是不行。當(dāng)開(kāi)啟mos管為結(jié)電容充電瞬間，驅(qū)動(dòng)電路電壓源近似短接到地，當(dāng)驅(qū)動(dòng)電驢電壓源等價(jià)電源內(nèi)阻較小時(shí)，存在過(guò)流燒毀驅(qū)動(dòng)（可能是三態(tài)門(mén)三
2021-11-16 08:27:47
關(guān)于mos管的驅(qū)動(dòng)知識(shí)點(diǎn)不看肯定后悔柵極電阻的作用是什么？
2021-09-18 09:17:37
)：290NS工作溫度：-55~+150℃引線(xiàn)數(shù)量：3 1、去掉連接6N60柵極和源極的電阻，萬(wàn)用表紅黑表筆不變。如果去掉電阻后針逐漸恢復(fù)到高阻或無(wú)窮大，則MOS管就漏電，不變則完好。2、然后用一根導(dǎo)線(xiàn)
2021-10-23 15:15:38
MOSFET較小的柵極電阻可以減少開(kāi)通損耗嗎？柵極電阻的值會(huì)在開(kāi)通過(guò)程中影響與漏極相連的二極管嗎？
2023-05-16 14:33:51
全橋逆變后接的是容性負(fù)載，全橋的高壓是220v整流的，驅(qū)動(dòng)是用的ir21834做的 自舉電容是用的1uf快速二極管用的是rf107mos管耐壓是500v 電流8a 全橋逆變接容性負(fù)載工作大概3分鐘mos管的漏極和柵極通了且mos管的封轉(zhuǎn)裂了 是由于負(fù)載引起的過(guò)熱還是什么其他原因
2015-01-30 00:35:51
管的輸入端，為了保護(hù)MOS管的安全，在具體的電路中必須采取措施限制瞬時(shí)充電的電流值，在柵極充電的電路中串接一個(gè)適當(dāng)?shù)某潆娤蘖?b class="flag-6" style="color: red">電阻R，如圖2-3-A所示。充電限流電阻R的阻值的選??；要根據(jù)MOS管的輸入
2012-08-09 14:45:18
向右偏轉(zhuǎn)的情形。其原因是人體幾個(gè)部位和電阻對(duì)MOS管起到偏置作用，使之進(jìn)入飽和區(qū)。（2）也可以用舌尖舔住柵極，現(xiàn)象同上。來(lái)源：網(wǎng)絡(luò)，如侵刪
2019-01-08 13:28:49
我們知道，mos管是電壓控制器件，與雙極性三極管不同的是，mos管的導(dǎo)通只需要控制柵極的電壓超過(guò)其開(kāi)啟閾值電壓即可，不需要柵極電流。所以本質(zhì)上，MOS管柵極上無(wú)需串聯(lián)任何電阻?！ ?duì)于普通的雙
2023-03-10 15:06:47
二極管的管壓降0.5v左右，同樣也應(yīng)該可以測(cè)得到電阻一般為幾千歐以?xún)?nèi)。1.2 如何判斷MOS管是N型還是P型?2. MOS管驅(qū)動(dòng)電路分析下面是常見(jiàn)的MOS管驅(qū)動(dòng)電路（1）二極管D1的作用是什么？二極管D1在驅(qū)動(dòng)信號(hào)是低電平時(shí)起到快速關(guān)斷的作用。一般在H橋驅(qū)動(dòng)電路中需要加此二極管起到“慢開(kāi)快關(guān)
2021-12-31 06:20:08
被控制部分的電源，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">柵極是隔離，所以也可以用5v信號(hào)控制3v系統(tǒng)的某處是否接地?！ ?、MOS管放大區(qū)應(yīng)用 工作于放大區(qū)，一般用來(lái)設(shè)計(jì)反饋電路，需要的專(zhuān)業(yè)知識(shí)比較多，類(lèi)似運(yùn)放，難以進(jìn)行細(xì)說(shuō)。主要需要
2019-03-08 11:04:10
，并聯(lián)復(fù)合管管子一般不超過(guò)4個(gè)，而且在每管基極或柵極上串接防寄生振蕩電阻?！ 。?）結(jié)型MOS管的柵源電壓不能接反，可以在開(kāi)路狀態(tài)下保存，而絕緣柵型MOS管在不使用時(shí)，由于它的輸入電阻非常高，須將各
2020-06-28 16:41:02
本帖最后由 酷雪豹 于 2014-9-5 18:58 編輯
1、我我要用一個(gè)功率NMOS，置于直流電源（0~7V）和負(fù)載之間作為開(kāi)關(guān)，短路置于MOS管漏源之間的電阻（20歐姆），具體請(qǐng)見(jiàn)附件
2014-09-04 11:23:26
不能用?！ ”３稚鲜鰻顟B(tài)；此時(shí)用一只100K～200K電阻連接于柵極和漏極，如下圖所示；這時(shí)表針指示歐姆數(shù)應(yīng)該越小越好，一般能指示到0歐姆，這時(shí)是正電荷通過(guò)100K電阻對(duì)MOS管的柵極充電，產(chǎn)生柵極
2018-11-01 15:21:31
兩個(gè)mos管，第一個(gè)MOS管柵極接單片機(jī)io口，通過(guò)io口控制通斷繼而控制第二個(gè)mos管通斷，開(kāi)關(guān)頻率要求不高，對(duì)開(kāi)關(guān)時(shí)間和導(dǎo)通電阻有要求，開(kāi)關(guān)時(shí)間和導(dǎo)通電阻都要盡可能小，有沒(méi)有推薦的電路圖和MOS管，圖片是我畫(huà)的簡(jiǎn)單示意圖
2018-10-16 22:40:53
在一張圖中，源漏相連，襯底接地，柵極接入電路中加電壓，那這個(gè)時(shí)候MOS管是有什么作用呢？那為什么要用MOS而不直接用一個(gè)電容呢？這個(gè)地方加一個(gè)MOS電容的作用是什么呢，濾波？
2021-06-24 06:28:33
（因?yàn)槲以谧鲭姍C(jī)時(shí)候，逆變橋用自舉驅(qū)動(dòng)MOS管是要GND網(wǎng)絡(luò)的，不知道這個(gè)是否需要），我有個(gè)想法就是不需要此GND網(wǎng)絡(luò)，但是在柵極和源極之間需要并個(gè)大電阻，不知這樣是否可行。
2020-11-11 20:39:43
，實(shí)際上MOS管并聯(lián)多了容易引起走線(xiàn)很長(zhǎng)，分布電感電容加大，對(duì)于高頻電路工作產(chǎn)生不利的影響。下面以4顆為例說(shuō)明MOS管的應(yīng)用。并聯(lián)的一般電路圖如下 上圖中，R1-4為柵極驅(qū)動(dòng)電阻，每個(gè)MOS管都由獨(dú)立
2018-10-12 16:47:54
維修過(guò)程中的攔路虎，如何區(qū)分和判斷成為必要手段。MOS管和IGBT管的辨別帶阻尼的NPN型IGBT管與N溝道增強(qiáng)型MOMS管的識(shí)別帶阻尼的NPN型IGBT管與N溝道增強(qiáng)型MOMS管它們的柵極位置一樣
2019-05-02 22:43:32
大家在電路設(shè)計(jì)時(shí)，經(jīng)常需要通過(guò)主電源給各個(gè)模塊供電，而且這些模塊的供電經(jīng)常是需要可以控制的。如何控制電源的通斷，我想最簡(jiǎn)單的就是選用MOS管去控制，主要兩個(gè)方面的原因：1.MOS管導(dǎo)通電
2023-02-28 16:32:33
構(gòu)成了一個(gè)N溝道（NPN型）增強(qiáng)型MOS管。顯然它的柵極和其它電極間是絕緣的。MOS管的基本特性：MOS管的柵極G和源極S之間是絕緣的，由于Sio2絕緣層的存在，在柵極G和源極S之間等效是一個(gè)電容存在
2018-10-25 16:36:05
一個(gè)LC振蕩電路，如果直接把驅(qū)動(dòng)芯片的輸出端接到MOS管柵極的話(huà)，在PWM波的上升下降沿會(huì)產(chǎn)生很大的震蕩，導(dǎo)致MOS管急劇發(fā)熱甚至爆炸，一般的解決方法是在柵極串聯(lián)10歐左右的電阻，降低LC振蕩電路的Q
2019-04-29 08:00:00
一個(gè)開(kāi)關(guān)電源問(wèn)題，開(kāi)關(guān)電源有個(gè)開(kāi)關(guān)管MOS管的柵極上串有一個(gè)電容和一個(gè)電阻，分別起什么作用呢？降低開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通速度嗎？增加上升沿和下降沿時(shí)間嗎？那為何還要串個(gè)電容呢？
2018-06-29 11:28:43
怎樣去計(jì)算MOS管柵極的驅(qū)動(dòng)電流呢？如何對(duì)MOS管的驅(qū)動(dòng)波形進(jìn)行測(cè)試呢？
2021-09-28 07:36:15
強(qiáng)型、P溝耗盡型和加強(qiáng)型四大類(lèi)。 MOS管應(yīng)該如何檢測(cè)呢？MOS管的外形、結(jié)構(gòu)及符號(hào)如下圖所示，三個(gè)電極分別為柵極G、源極S、漏極D。國(guó)產(chǎn)N溝道管典型產(chǎn)品有3DJ2、3DJ4.3DJ6、3DJ7，P
2018-10-23 15:10:53
1、溝道 上面圖中，下邊的p型中間一個(gè)窄長(zhǎng)條就是溝道，使得左右兩塊P型極連在一起，因此mos管導(dǎo)通后是電阻特性，因此它的一個(gè)重要參數(shù)就是導(dǎo)通電阻，選用MOS管必須清楚這個(gè)參數(shù)是否符合需求
2019-01-03 13:43:48
要注意的是可提供瞬間短路電流的大小?！ 〉诙⒁獾氖?，普遍用于高端驅(qū)動(dòng)的NMOS，導(dǎo)通時(shí)需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓和漏極電壓(Vcc)相同，所以這是柵極電壓要比Vcc大4V
2018-12-03 14:43:36
，為了盡可能降低MOS管的開(kāi)關(guān)損耗，工程師在電源設(shè)計(jì)過(guò)程中需要選擇同等規(guī)格下Qg更低的MOS管作為主功率開(kāi)關(guān)管。如圖2所示是柵極電荷Qg與Vgs的曲線(xiàn)圖： MOS管選型 針對(duì)開(kāi)關(guān)電源的應(yīng)用，美國(guó)
2018-11-06 13:45:30
整流管使用時(shí)柵極的電壓應(yīng)當(dāng)取多少合適？作為整流的mos管Q1,Q2,Q3,Q4是否與S1,S2,S3,S4的導(dǎo)通時(shí)間形成互補(bǔ)？感謝！
2017-08-03 14:31:02
開(kāi)關(guān)MOS管與線(xiàn)性MOS管的區(qū)別，1.是不是開(kāi)關(guān)MOS管的只有“開(kāi)”與“關(guān)”2種狀態(tài)？2.是不是線(xiàn)性MOS管可以利用柵極的電壓大小來(lái)控制導(dǎo)通的比率?3.開(kāi)關(guān)的MOS管是使用數(shù)字信號(hào)控制。而線(xiàn)性的MOS管使用模擬信號(hào)控制？
2023-03-15 11:51:44
，實(shí)際上MOS管并聯(lián)多了容易引起走線(xiàn)很長(zhǎng)，分布電感電容加大，對(duì)于高頻電路工作產(chǎn)生不利的影響。下面以4顆為例說(shuō)明MOS管的應(yīng)用。并聯(lián)的一般電路圖如下 上圖中，R1-4為柵極驅(qū)動(dòng)電阻，每個(gè)MOS管都由獨(dú)立
2018-11-28 12:08:27
?！ ∏髥?wèn)MOS管關(guān)斷延遲大怎么調(diào)？ 搞搞前級(jí)，搞搞后級(jí)。就可以了。。。斷掉前級(jí)，測(cè)試MOS輸入電平。是低就上拉，高就下拉?？傊麑?duì)著干。然后把前級(jí)加上去。試試看。調(diào)柵極的電阻啊或許
2019-01-08 13:51:07
對(duì)MOS管是有害的。如果必須在MOS管柵極前加齊納二極管,那么可以在MOS管的柵極和齊納極管之間插入一個(gè)5~10歐的小電阻或在柵源之間接一個(gè)小電容(電容值要小于MOS管輸入電容的1/50)來(lái)消除自振蕩
2018-10-19 16:21:14
，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問(wèn)底?！ ?duì)于這兩種增強(qiáng)型MOS管，比較常用的是NMOS管。原因是導(dǎo)通電阻小，且容易制造。所以開(kāi)關(guān)電源
2018-10-26 14:32:12
的MOS管運(yùn)行時(shí)，由于在Flyback時(shí)功率MOS管的寄生雙極晶體管運(yùn)行，導(dǎo)致此二極管破壞的模式?！ ∷?、由寄生振蕩導(dǎo)致的破壞此破壞方式在并聯(lián)時(shí)尤其容易發(fā)生 在并聯(lián)功率MOS管時(shí)未插入柵極電阻而直接
2018-11-21 13:52:55
，或者有可能造成功率管遭受過(guò)高的di／dt而引起誤導(dǎo)通。為避免上述現(xiàn)象的發(fā)生，通常在MOS驅(qū)動(dòng)器的輸出與MOS管的柵極之間串聯(lián)一個(gè)電阻，電阻的大小一般選取幾十歐姆?！ ?)防止柵源極間過(guò)電壓，由于柵極與源
2018-12-10 14:59:16
` MOS管的導(dǎo)通電阻小而且柵極驅(qū)動(dòng)也不需要電流，所以它造成的損耗較小。除此之外還具備熱特性好、自動(dòng)保護(hù)二極管等優(yōu)點(diǎn)，這也使它獲得了大多數(shù)廠(chǎng)商的青睞。現(xiàn)如今，有許多的電子行業(yè)廠(chǎng)家都會(huì)采用性能優(yōu)秀
2018-12-27 13:49:40
為0，此時(shí)mos管柵極電壓變?yōu)?6.3V（正常情況下，AI+輸入0時(shí)，柵極電壓受ref反偏影響在-3v左右），即使再次給定AI+AI-至50a電流的給定值，mos管仍無(wú)法開(kāi)通，柵極電壓仍維持在-6.3v。請(qǐng)大家?guī)兔Ψ治鱿率裁丛颍恐x謝
2018-08-22 11:27:10
一個(gè)電流，因?yàn)殡娙莩潆娝查g可以把電容看成短路，所以瞬間電流會(huì)比較大。選擇/設(shè)計(jì)MOS管驅(qū)動(dòng)時(shí)第一要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。第二注意的是，普遍用于高端驅(qū)動(dòng)的NMOS，導(dǎo)通時(shí)需要是柵極電壓大于源
2017-12-05 09:32:00
詳解MOS管驅(qū)動(dòng)電路在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS管的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀
2017-08-15 21:05:01
會(huì)比較大。選擇/設(shè)計(jì)MOS管驅(qū)動(dòng)時(shí)第一要注意的是可提供瞬間短路電流的大小?！ 〉诙⒁獾氖?，普遍用于高端驅(qū)動(dòng)的NMOS，導(dǎo)通時(shí)需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓與漏極電壓
2018-11-27 13:44:26
Rg具體會(huì)影響到那些參數(shù)？我個(gè)人的理解是①這個(gè)電阻對(duì)MOS管的開(kāi)關(guān)頻率有關(guān)，決定了對(duì)mos管的輸入輸出電容的充放電時(shí)間②匹配集成驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)能力，電阻越到，集成驅(qū)動(dòng)所需的最大驅(qū)動(dòng)電流也就越小。大家有什么看法，請(qǐng)教一下
2017-06-05 11:28:22
這個(gè)是一個(gè)升壓電路的部分電路，6腳PWM輸出控制N-MOS，我仿真發(fā)現(xiàn)不同的柵極電阻R6，PWM經(jīng)過(guò)R6后，波形失真很?chē)?yán)重，請(qǐng)問(wèn)這個(gè)R6是如何影響到后級(jí)波形，圖中灰色的代表PWM輸出，黃色代表經(jīng)過(guò)R6后的柵極門(mén)波形
2017-08-11 10:24:02
MOS管柵極接的100K電阻起什么作用，這個(gè)電阻取值是的依據(jù)是什么。
2018-10-24 15:51:49
傳送與運(yùn)輸過(guò)程需要特別注意，以減少損失，避免無(wú)所謂的糾紛。防護(hù)的話(huà)加齊納穩(wěn)壓管保護(hù)?！ ‖F(xiàn)在的MOS管沒(méi)有那么容易被擊穿，尤其是是大功率的VMOS，主要是不少都有二極管保護(hù)?！ MOS柵極電容大，感應(yīng)
2022-05-14 10:22:39
，工程師在電源設(shè)計(jì)過(guò)程中需要選擇同等規(guī)格下Qg更低的MOS管作為主功率開(kāi)關(guān)管。如圖2所示是柵極電荷Qg與Vgs的曲線(xiàn)圖： [url=http://www.wenjunhu.com/uploads
2016-12-23 19:06:35
一般情況下普遍用于高端驅(qū)動(dòng)的MOS管，導(dǎo)通時(shí)需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓與漏極電壓（VCC）相同，所以這時(shí)柵極電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個(gè)系統(tǒng)里
2021-10-29 08:34:24
文章介紹了MOS管柵極電阻會(huì)影響開(kāi)通和關(guān)斷時(shí)的損耗，應(yīng)該選用多大阻值的呢？
2016-05-06 16:57:53
35 過(guò)二極管，放電功率不受限制，故此情況下mos管開(kāi)啟速度較關(guān)斷速度慢，形成硬件死區(qū)。限流當(dāng)使用含內(nèi)部死區(qū)的驅(qū)動(dòng)或不需要硬件死區(qū)時(shí)，是否可以省去柵極電阻呢？答案是不行。當(dāng)開(kāi)啟mos管為結(jié)電容充電瞬間，驅(qū)動(dòng)電路電壓源近似短接到地，當(dāng)驅(qū)動(dòng)電驢電壓源等價(jià)電源內(nèi)阻較小時(shí)，存在過(guò)流燒毀驅(qū)動(dòng)（可能是三態(tài)門(mén)三
2021-11-09 15:21:0019 在了解mos管柵極電阻的作用之前，我們先了解一下mos管柵極及其他2個(gè)極的基礎(chǔ)知識(shí)。場(chǎng)效應(yīng)管根據(jù)三極管的原理開(kāi)發(fā)出的新一代放大元件，有3個(gè)極性，柵極，漏極，源極，它的特點(diǎn)是柵極的內(nèi)阻極高，采用
2022-09-27 15:29:507347 如果沒(méi)有
柵極電阻，或者
電阻阻值太小
MOS導(dǎo)通速度過(guò)快，高壓情況下容易擊穿周?chē)钠骷?/div>
2022-10-27 09:41:296053 級(jí)或者更低)。柵極電阻過(guò)大時(shí)，MOS管導(dǎo)通速度過(guò)慢，即Rds的減小要經(jīng)過(guò)一段時(shí)間，高壓時(shí)Rds會(huì)消耗大量功率，導(dǎo)致MOS管發(fā)燙。過(guò)于頻繁地導(dǎo)通會(huì)使熱量來(lái)不及發(fā)散，MOS溫度迅速升高。 ? ? 3、在高壓下，PCB的設(shè)計(jì)也需要注意。柵極電阻最好緊靠柵極，并且導(dǎo)線(xiàn)不要與母線(xiàn)電壓平行分
2022-11-04 13:37:245045 在高壓下，PCB的設(shè)計(jì)也需要注意。柵極電阻最好緊靠柵極，并且導(dǎo)線(xiàn)不要與母線(xiàn)電壓平行分布。否則母線(xiàn)高壓容易耦合至下方導(dǎo)線(xiàn)，柵極電壓過(guò)高擊穿MOS管。
2023-01-10 11:33:55690 MOS管，又叫絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管，屬于電壓控制電流型元件，是開(kāi)關(guān)電路中的基本元件。其特點(diǎn)是柵極（G）的內(nèi)阻極高。場(chǎng)
效應(yīng)管分為P型和N型，P型場(chǎng)效應(yīng)管由于跨導(dǎo)小、閾值電壓高等原因，已經(jīng)逐漸被NMOS所取代。
2023-03-20 11:21:432 雖然MOS管名義上是壓控器件，只要柵極的電壓超過(guò)其閾值就會(huì)控制MOS管導(dǎo)通。
2023-06-25 14:49:24759 
中，我將詳細(xì)探討為什么電阻和MOS管的單位cell需要設(shè)計(jì)成偶數(shù)個(gè)，其具體原因如下。 首先，我們需要了解MOS管和電阻的構(gòu)成方式。MOS管是由氧化物-半導(dǎo)體材料構(gòu)成的三端口器件，包括源極、漏極和柵極。而電阻則是由電阻材料構(gòu)成的兩端口器件。這些器
2023-09-20 16:23:38336 MOS芯片是一種常見(jiàn)的電子器件，其中MOS管（MOSFET）是一種常用的三端器件，包括源極（Source）、漏極（Drain）和柵極（Gate）。了解MOS管的源極、漏極和柵極的位置以及如何判斷它們
2024-01-10 15:34:25857 已全部加載完成
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