本文通過等效電路分析，通俗易懂的講解IGBT的工作原理和作用，并精簡(jiǎn)的指出了IGBT的特點(diǎn)?？梢哉f，IGBT是一個(gè)非通即斷的開關(guān)，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。
2014-09-02 16:38:46
379521 兩個(gè)主要類型的功率晶體管：MOSFET和IGBT非常流行，它們?cè)陔娫聪到y(tǒng)設(shè)計(jì)中已經(jīng)使用了多年，因此，很容易假定它們之間的差異一直保持不變。本文通過解釋最新一代MOSFET和IGBT的工作特性，使用戶能夠更好地了解最能滿足應(yīng)用需求的最合適的器件類型，并解釋了目前的功率晶體管選擇的灰色區(qū)域。
2016-11-04 20:43:071290 
由于MOSFET的結(jié)構(gòu),通常它可以做到電流很大,可以到上KA,但是前提耐壓能力沒有IGBT強(qiáng)
2017-11-21 07:34:0077121 
搞電力電子的應(yīng)該都知道IGBT和MOSFET屬于全控型電力電子器件，在應(yīng)用的時(shí)候把它當(dāng)作一個(gè)開關(guān)就可以了，但估計(jì)很少人能夠說出IGBT和MOSFET工作區(qū)的命名和區(qū)別，同時(shí)由于不同參考書對(duì)工作區(qū)的命名又有很多種，很容易讓人混淆。
2021-01-01 17:34:0018659 
由于MOSFET的結(jié)構(gòu)，通常它可以做到電流很大，可以到上KA，但耐壓能力沒有IGBT強(qiáng)。
2023-08-25 10:07:33618 
家用焊機(jī)應(yīng)用電路特點(diǎn)，實(shí)際應(yīng)用工況，分析對(duì)IGBT的參數(shù)要求，并在實(shí)際焊機(jī)上進(jìn)行帶載和沖擊測(cè)試，比較不同IGBT的性能優(yōu)劣。1電路特點(diǎn)家用焊機(jī)相對(duì)工業(yè)焊機(jī)而言輸出焊接電流較小(一般
2014-08-13 09:25:59
柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT 關(guān)斷。IGBT 的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道
2012-07-09 11:53:47
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------一、簡(jiǎn)述大家都知道，IGBT單管相當(dāng)?shù)拇嗳?，同樣電流容量?b class="flag-6" style="color: red">IGBT單管，比同樣電流容量的MOSFET脆弱多了，也就是說，在逆變H橋里頭，MOSFET上去沒有問題，但是IGBT.
2021-11-15 08:51:39
**Mosfet **和 IGBT 驅(qū)動(dòng)對(duì)比的簡(jiǎn)介簡(jiǎn)述：一般中低馬力的電動(dòng)汽車電源主要用較低壓（低于 72V）的電池組構(gòu)成。由于需求的輸出電流較高，因此市場(chǎng)上專用型的 Mosfet 模塊并不
2022-09-16 10:21:27
IGBT的特點(diǎn)可以從其全稱中了解一二：絕緣柵雙極晶體管。所謂絕緣柵，是指IGBT與MOSFET類似，作為控制的門級(jí)和功率電路部分是絕緣的，之間沒有通過導(dǎo)體或半導(dǎo)體電氣連接。門級(jí)只要出現(xiàn)一定的電壓，在
2023-02-16 15:36:56
電壓消除溝道，流過反向基極電流，使IGBT 關(guān)斷。 IGBT 的驅(qū)動(dòng)方法和 MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N 一溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET 的溝道形成后，從P+基極
2018-10-18 10:53:03
現(xiàn)有IGBT 型號(hào)為H20R1202 要設(shè)計(jì)他的驅(qū)動(dòng)電路，在哪里找資料？或者有沒有設(shè)計(jì)過IGBT驅(qū)動(dòng)電路的，能分享嗎？現(xiàn)在有一個(gè)驅(qū)動(dòng)MOSFET 的電路，可以用在IGBT的驅(qū)動(dòng)上嗎？
2016-04-01 09:34:58
本帖最后由 xuehumaiya 于 2016-7-15 10:29 編輯
N溝道MOSFET PowerTrench??[N-Channel PowerTrench?? MOSFET]常用管...................
2013-03-01 08:23:44
MOSFET 和 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
`1. 由于MOSFET的結(jié)構(gòu),通常它可以做到電流很大，可以到上KA,但是前提耐壓能力沒有IGBT強(qiáng)。2. IGBT可以做很大功率，電流和電壓都可以，就是一點(diǎn)頻率不是太高，目前IGBT硬開關(guān)速度可以
2018-08-27 20:50:45
本帖最后由 松山歸人 于 2022-2-10 16:57 編輯
大家下午好！今天給大家?guī)?lái)【MOSFET與IGBT基礎(chǔ)講解】，會(huì)持續(xù)更新，有問題可以留言一同交流討論。需要更多學(xué)習(xí)資料可點(diǎn)擊下方鏈接，添加客服領(lǐng)取http://zyunying.zhangfeidz.com?id=28
2022-02-10 16:54:31
MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同,于是也決定了其應(yīng)用領(lǐng)域的不同，今天就讓小編帶大家一起來(lái)了解一下MOSFET與IGBT的本質(zhì)區(qū)別吧~1、由于MOSFET的結(jié)構(gòu)，通常它可以做到電流很大，可以到上KA
2021-06-16 09:21:55
1、由于MOSFET的結(jié)構(gòu)，通常它可以做到電流很大，可以到上KA，但耐壓能力沒有IGBT強(qiáng)?！ ?、IGBT可以做很大功率，電流和電壓都可以，就是一點(diǎn)頻率不是太高，目前IGBT硬開關(guān)速度可以到
2020-06-28 15:16:35
1.MOSFET的速度比晶體管或IGBT快。2.MOSFET的過電流適中；晶體管是一個(gè)流控流型的，要使集電極上的電流增大，基極上的電流就要增大，但是基極上的電流是無(wú)用的。IGBT一般使用在大電流的場(chǎng)景。...
2021-10-29 08:28:40
MOSFET驅(qū)動(dòng)器的主要用途有哪些？MOSFET或IGBT哪一種驅(qū)動(dòng)器最適合您的應(yīng)用呢？
2021-11-08 06:11:40
1,由于MOSFET的結(jié)構(gòu),通常它可以做到電流很大,可以到上KA,但是前提耐壓能力沒有IGBT強(qiáng)。2,IGBT可以做很大功率,電流和電壓都可以,就是一點(diǎn)頻率不是太高,目前IGBT硬開關(guān)速度可以到
2019-03-06 06:30:00
本帖最后由 我愛方案網(wǎng) 于 2022-6-28 10:31 編輯
前言 EV和充電樁將成為IGBT和MOSFET最大單一產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)袌?chǎng)！俄烏戰(zhàn)爭(zhēng)加速了EV產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展，去化石燃料、保護(hù)國(guó)家安全，以及
2022-06-28 10:26:31
。IGBT的頻率一般不會(huì)超過100KHz,但高頻性能比GTR好。MOSFET 的頻率理論上可以做到1MHz（1000KHz）,應(yīng)用范圍比較多的頻率段應(yīng)該為幾百KHz左右。所以排序大概為：GTO
2012-10-24 08:02:09
/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。IGBT的頻率一般不會(huì)超過100KHz,但高頻性能比GTR好。MOSFET 的頻率理論上可以做到1MHz（1000KHz
2012-07-04 17:14:51
/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。IGBT的頻率一般不會(huì)超過100KHz,但高頻性能比GTR好。MOSFET 的頻率理論上可以做到1MHz（1000KHz
2012-07-06 15:56:04
概述：IRS26302DJBPF美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的一款高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器，它把功率MOSFET/IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器與三個(gè)高側(cè)及三個(gè)低側(cè)參考輸出通道集成在一起，在最高20V
2021-05-18 07:25:34
KA,但是前提耐壓能力沒有IGBT強(qiáng)。2. IGBT可以做很大功率，電流和電壓都可以，就是一點(diǎn)頻率不是太高，目前IGBT硬開關(guān)速度可以到100KHZ，那已經(jīng)是不錯(cuò)了。不過相對(duì)于MOSFET的工作頻率還是
2018-09-28 14:14:34
，IGBT實(shí)際就是MOSFET和晶體管三極管的組合，MOSFET存在導(dǎo)通電阻高的缺點(diǎn)，但IGBT克服了這一缺點(diǎn)，在高壓時(shí)IGBT仍具有較低的導(dǎo)通電阻。 另外，相似功率容量的IGBT和MOSFET
2020-07-19 07:33:42
上一章針對(duì)與Si-MOSFET的區(qū)別，介紹了關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)方法的兩個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)。本章將針對(duì)與IGBT的區(qū)別進(jìn)行介紹。與IGBT的區(qū)別：Vd-Id特性Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一
2018-12-03 14:29:26
應(yīng)用中使用的功率IGBT和MOSFET。 輸出級(jí)的高工作電壓范圍提供了柵極控制設(shè)備所需的驅(qū)動(dòng)電壓。 該光電耦合器提供的電壓和電流使其非常適合直接驅(qū)動(dòng)額定功率高達(dá)800 V / 50 A的IGBT。對(duì)于
2019-10-30 15:23:17
KA,但是前提耐壓能力沒有IGBT強(qiáng)。2,IGBT可以做很大功率,電流和電壓都可以,就是一點(diǎn)頻率不是太高,目前IGBT硬開關(guān)速度可以到100KHZ,那已經(jīng)是不錯(cuò)了.不過相對(duì)于MOSFET的工作頻率還是
2017-04-15 15:48:51
MOSFET開時(shí)米勒平臺(tái)的形成過程的詳細(xì)解析！純手工畫圖解析，這資料還是可以的回帖直接下載原文檔 [hide]https://pan.baidu.com/s/1gf0A2pt[/hide]
2017-10-25 16:14:46
應(yīng)用的時(shí)候，什么時(shí)候能選擇IGBT、什么時(shí)候選擇BJT、什么時(shí)候又選擇MOSFET管呢？乍看這么多問題好像很頭痛，其實(shí)很簡(jiǎn)單，我們一步一步來(lái)。1為什么說IGBT是由BJT和MOSFET組成的器件？要
2023-02-10 15:33:01
三極管的組合，MOSFET存在高壓時(shí)導(dǎo)通電阻高的缺點(diǎn)，但IGBT克服了這一缺點(diǎn)，在高壓時(shí)IGBT仍具有較低的導(dǎo)通電阻。另外，相似功率容量的IGBT和MOSFET，IGBT的速度可能會(huì)慢于MOSFET
2021-03-02 13:47:10
PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT 關(guān)斷。IGBT 的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高
2012-06-19 11:36:58
生活中有各種各樣的電源，其中就有一款叫高頻開關(guān)電源系統(tǒng)，什么是高頻開關(guān)電源系統(tǒng)？它有什么作用？高頻開關(guān)電源（也稱為開關(guān)型整流器SMR）是通過MOSFET或IGBT的高頻工作的電源，開關(guān)頻率一般控制在50-100kHz范圍內(nèi)，實(shí)現(xiàn)高效率和小型化。
2020-11-25 06:00:00
光耦PC817中文解析
2012-08-20 14:32:28
功率二極管、晶閘管、mosfet、IGBT和功率IC的區(qū)別和應(yīng)用
2019-10-24 09:19:22
與IGBT的比較中，開關(guān)特性與SJ MOSFET同樣優(yōu)異。Hybrid MOS可高速開關(guān)，而這是IGBT的弱點(diǎn)。只要能提高開關(guān)頻率的速度，即可減少組成電路的電感和電容器的值和尺寸。另外，沒有損耗要因之一
2018-11-28 14:25:36
載流子，功率MOSFET的優(yōu)點(diǎn)是正向偏壓(VDS(on))隨漏極電流線性降低，關(guān)斷換流快。另一方面，其固有體硅二極管表現(xiàn)出與分立二極管相同的物理局限性，這是MOSFET結(jié)構(gòu)所致?！ ≡?b class="flag-6" style="color: red">IGBT內(nèi)，電壓降
2018-11-20 10:52:44
大功率MOSFET、IGBT怎么雙脈沖測(cè)試，調(diào)門極電阻，急!急!急!急!急!急!
2021-02-24 17:38:39
極驅(qū)動(dòng)器的優(yōu)勢(shì)和期望，開發(fā)了一種測(cè)試板，其中測(cè)試了分立式IGBT和SiC-MOSFET。標(biāo)準(zhǔn)電壓源驅(qū)動(dòng)器也在另一塊板上實(shí)現(xiàn)，見圖3?！ D3.帶電壓源驅(qū)動(dòng)器（頂部）和電流源驅(qū)動(dòng)器（底部）的半橋
2023-02-21 16:36:47
風(fēng)險(xiǎn)，配置合適的短路保護(hù)電路，可以有效減少開關(guān)器件在使用過程中因短路而造成的損壞。與硅IGBT相比，碳化硅MOSFET短路耐受時(shí)間更短?！ ?）硅IGBT： 硅IGBT的承受退保和短路的時(shí)間一般小于
2023-02-27 16:03:36
電動(dòng)自行車一般用的是IGBT還是MOSFET？是什么原因呢？
2023-03-16 10:27:43
的效率。要做到這一點(diǎn)，電機(jī)控制電路必須很快地開關(guān)流向電機(jī)線圈的電流，在開關(guān)上面需要達(dá)到最小的切換時(shí)間或?qū)щ娖陂g的損失。 要滿足這些需求需要使用MOSFET和IGBT。這兩種半導(dǎo)體器件都可以用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)
2016-01-27 17:22:21
（Mosfet和 IGBT）把直流電源變?yōu)榻涣餍碗娫?；通過變壓器變出一定的電壓，再整流后得到我們想要的目標(biāo)電源。為了適應(yīng)輸入電壓的波動(dòng)范圍，我們通過電壓反饋和電流反饋來(lái)調(diào)節(jié)控制開關(guān)導(dǎo)通與關(guān)斷信號(hào)
2012-07-06 15:47:08
（Mosfet和 IGBT）把直流電源變?yōu)榻涣餍碗娫?；通過變壓器變出一定的電壓，再整流后得到我們想要的目標(biāo)電源。為了適應(yīng)輸入電壓的波動(dòng)范圍，我們通過電壓反饋和電流反饋來(lái)調(diào)節(jié)控制開關(guān)導(dǎo)通與關(guān)斷信號(hào)的占空比
2012-07-04 17:05:50
AE（負(fù)責(zé)IGBT, MOSFET, Triacs,Rectifiers and power discretes產(chǎn)品在工業(yè)領(lǐng)域內(nèi)的應(yīng)用和技術(shù)支持,待遇優(yōu)厚）工作地點(diǎn)：深圳如對(duì)推薦職位有興趣可直接投遞簡(jiǎn)歷或E-Mail：Jessie.Yu@heaci.com QQ:1930470890
2013-11-21 12:57:53
復(fù)合而成的一種器件,其輸入極為MOSFET 回收富士IGBT模塊 收購(gòu)富士IGBT模塊 泰拓電子收購(gòu)芯片,BGA,內(nèi)存,單片機(jī),繼電器,二三極管,電容,電感,保險(xiǎn)絲,IC,家電IC,工業(yè)IC,高頻管,IGBT模塊,光纖模塊電話151-5220-9946 QQ 2360670759
2021-10-28 19:46:46
發(fā)生故障，僅僅是因?yàn)槟承?shù)字性溢出故障。
圖1：超級(jí)結(jié)MOSFET (a)和IGBT (b)橫截面，模型中包含嵌入式樣品制程參數(shù)
圖2：可從一個(gè)物理模型擴(kuò)展(a) SuperFET CRSS(b
2019-07-19 07:40:05
實(shí)用晶閘管電路大全（SCR，MOSFET，GTR，IGBT應(yīng)用指南）
2007-09-30 20:59:37
1090 用超快速IGBT可取代100kHz變換器中的MOSFET
2009-05-04 13:07:0733 IGBT和MOSFET器件的隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù):介紹了絕緣柵大功率器件各種不同的驅(qū)動(dòng)技術(shù)以及當(dāng)前市場(chǎng)上的各類成品驅(qū)動(dòng)器的性能特點(diǎn)。關(guān)鍵詞院MOSFET IGBT 隔離驅(qū)動(dòng) 光電耦合器 脈沖變壓器
2009-06-20 08:37:4656
可控硅、達(dá)靈頓、IGBT、MOSFET等大功率模塊外形圖
（供參考）
2009-07-25 14:45:452146 MOSFET的UIS及雪崩能量解析
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩
2010-04-26 18:19:135530 
MOSFET和IGBT是當(dāng)
2010-12-31 10:31:242463 
東芝光耦 IGBT/MOSFET，List of Photocouplers (IC Output) by Peak Output Current (IGBT / MOSFET)
2012-03-16 13:43:011090 
本文介紹了MOSFET/IGBT 半橋驅(qū)動(dòng)芯片IR2111 的使用情況, 分析了其工作電路中外圍各元器件的作用, 同時(shí)指出了在使用過程中應(yīng)注意的一些問題和現(xiàn)象, 并對(duì)不同公司的MOSFET/IGBT 驅(qū)動(dòng)芯片作了簡(jiǎn)要介紹。
2016-06-15 17:36:420 四大存儲(chǔ)方式技術(shù)解析其優(yōu)劣勢(shì)
2017-01-22 13:38:0823 絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是在需要高電壓和開關(guān)頻率的電流電路中獲得相當(dāng)多的使用。一般來(lái)說，這些電路是在電機(jī)控制，不間斷電源和其他類似的逆變器應(yīng)用。大部分的IGBT的流行源于其簡(jiǎn)單的MOSFET
2017-07-04 10:51:0522 IGBT可以做很大功率,電流和電壓都可以,就是一點(diǎn)頻率不是太高,目前IGBT硬開關(guān)速度可以到100KHZ,那已經(jīng)是不錯(cuò)了.不過相對(duì)于MOSFET的工作頻率還是九牛一毛,MOSFET可以工作到幾百KHZ,上MHZ,以至幾十MHZ,射頻領(lǐng)域的產(chǎn)品。
2017-12-11 18:46:5625040 
和MOSFET器件的同時(shí)，沒有出現(xiàn)基于SiC的類似器件。
SiC-MOSFET與IGBT有許多不同，但它們到底有什么區(qū)別呢？本文將針對(duì)與IGBT的區(qū)別進(jìn)行介紹。
2017-12-21 09:07:0436485 
IGBT、MOSFET的過電流保護(hù)
2018-03-19 15:10:477 MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同，
決定了其應(yīng)用領(lǐng)域的不同。
1. 由于MOSFET的結(jié)構(gòu)，通常它可以做到電流很大，可以到上KA，但是前提耐壓能力沒有IGBT強(qiáng)。
2018-06-05 10:00:00193 由于MOSFET的結(jié)構(gòu)，通常它可以做到電流很大，可以到上KA，但是前提耐壓能力沒有IGBT強(qiáng)。
2018-07-24 10:25:2616246 
由于MOSFET的結(jié)構(gòu)，通常它可以做到電流很大，可以到上KA，但耐壓能力沒有IGBT強(qiáng)。
2018-12-03 11:21:2021157 
新型預(yù)驅(qū)動(dòng)光耦使用外部P溝道和N溝道互補(bǔ)的MOSFET作為緩沖器，來(lái)控制中大電流IGBT和MOSFET。
2020-03-11 08:19:001180 為適應(yīng)電力電子裝置高頻化的要求，電壓驅(qū)動(dòng)型開關(guān)器件IGBT、MOSFET被廣泛應(yīng)用。這兩種器件都是多子器件，無(wú)電荷存儲(chǔ)效應(yīng)，開關(guān)速度快，工作頻率高，輸入阻抗高，驅(qū)動(dòng)功率小。MOSFET較IGBT
2020-04-08 08:00:007 本應(yīng)用筆記介紹了MOSFET / IGBT驅(qū)動(dòng)器理論及其應(yīng)用。該文檔介紹了MOSFET和IGBT技術(shù)，驅(qū)動(dòng)器的類型，隔離技術(shù)以及MOSFET / IGBT驅(qū)動(dòng)器的IXYS系列以及一些實(shí)際考慮因素
2021-05-26 17:04:022922 
IGBT MOSFET建模(電源4572)-該文檔為利用Simplorer?IGBT MOSFET建模仿真，simplorer為最近幾年新出的仿真軟件，模型具有比較準(zhǔn)確的可仿真性
2021-07-26 13:35:4091 1.MOSFET的速度比晶體管或IGBT快。2.MOSFET的過電流適中；晶體管是一個(gè)流控流型的，要使集電極上的電流增大，基極上的電流就要增大，但是基極上的電流是無(wú)用的。IGBT一般使用在大電流的場(chǎng)景。...
2021-10-22 11:36:043 MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理
2021-11-29 16:29:1763 IGBT短路測(cè)試方法詳解及波形解析
2021-12-27 10:57:4075 1、由于MOSFET的結(jié)構(gòu)，通常它可以做到電流很大，可以到上KA，但耐壓能力沒有IGBT強(qiáng)。
2、IGBT可以做很大功率，電流和電壓都可以，就是一點(diǎn)頻率不是太高，目前IGBT硬開關(guān)速度可以
2022-02-11 10:47:5631 本書在簡(jiǎn)析電力MOSFET和IGBT的基本工作原理、內(nèi)部結(jié)構(gòu)、主要參
數(shù)及其對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求的基礎(chǔ)上介紹電力MOSFET及IGBT的80多種
集成驅(qū)動(dòng)電路的基本特性和主要參數(shù)重點(diǎn)討論50多種電力
2022-08-13 09:21:390 智能功率模塊（IPM）是一種功率半導(dǎo)體模塊，可將操作IGBT所需的所有電路集成到一個(gè)封裝中。它包括所需的驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)功能，以及IGBT。這樣，可以通過可用的IGBT技術(shù)獲得最佳性能。
2023-02-02 14:39:142429 
上一章針對(duì)與Si-MOSFET的區(qū)別，介紹了關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)方法的兩個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)。本章將針對(duì)與IGBT的區(qū)別進(jìn)行介紹。與IGBT的區(qū)別：Vd-Id特性，Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一。
2023-02-08 13:43:201722 
本文介紹ROHM命名為“Hybrid MOS”的、同時(shí)具備MOSFET和IGBT兩者優(yōu)勢(shì)的MOSFET。產(chǎn)品位于下圖最下方紅色框內(nèi)。
2023-02-10 09:41:02373 
引用:IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極性三極管)和MOSFET(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電
壓驅(qū)動(dòng)
2023-02-22 14:51:281 MOSFET和IGBT的對(duì)比 MOSFET工作原理 MOSFET （metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）全稱金屬-氧化物半導(dǎo)體
2023-02-22 13:56:541 IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道，而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS（on）數(shù)值高的特征，IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。
2023-02-22 15:52:241202 
MOSFET 和 IGBT 內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同， 決定了其應(yīng)用領(lǐng)域的不同。 1.由于MOSFET的結(jié)構(gòu)通常它可以做到 電流 很大，可以到上KA但是前提耐壓能力沒有IGBT強(qiáng)。 2.IGBT可以做很大
2023-02-23 15:51:011 MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同，
決定了其應(yīng)用領(lǐng)域的不同。
1. 由于MOSFET的結(jié)構(gòu),通常它可以做到電流很大，可以到上KA,但是前提耐壓能力沒有IGBT強(qiáng)。
2. IGBT可以做很大
2023-02-24 10:33:326 雖然將典型 400 V 電池的電壓加倍可為 EV 帶來(lái)巨大好處，但對(duì)于依賴硅 (Si) MOSFET 和 IGBT 的 EV 逆變器來(lái)說，在更高電壓下的性能會(huì)受到影響。
2023-03-16 12:35:51585 Sic MOSFET的正柵壓目前已經(jīng)于Si IGBT相當(dāng)(+15V) ,但負(fù)柵壓仍有很大差別(-5V) ，Sic MOSFET開關(guān)速度快引起的EMII問題需要關(guān)注。
2023-04-17 10:57:29339 半導(dǎo)體功率器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開關(guān)器件，具有開關(guān)速度快、易于驅(qū)動(dòng)、損耗低等優(yōu)勢(shì)。IGBT全稱是絕緣柵極
2023-05-18 09:51:583446 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-25 11:27:500 Si IGBT和SiC MOSFET之間的主要區(qū)別在于它們可以處理的電流類型。一般來(lái)說，MOSFET更適合高頻開關(guān)應(yīng)用，而IGBT更適合高功率應(yīng)用。
2023-10-17 14:46:401038 
MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同，決定了其應(yīng)用領(lǐng)域的不同。
2023-11-03 14:53:42500 
MOSFET與IGBT的區(qū)別
2023-11-27 15:36:45369 
IGBT和MOSFET該用誰(shuí)？你選對(duì)了嗎？
2023-12-08 18:25:06474 
這篇文章是《英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體》系列原創(chuàng)文章的第204篇，IGBT單管數(shù)據(jù)手冊(cè)參數(shù)解析（上）
2023-12-06 11:54:3924 這篇文章是英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體微信公眾號(hào)系列原創(chuàng)文章第205篇，IGBT單管數(shù)據(jù)手冊(cè)參數(shù)解析（下）
2023-12-06 11:56:4317 MOSFET (金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管) 和 IGBT (絕緣柵雙極晶體管) 是兩種常見的功率半導(dǎo)體器件。它們?cè)诓煌膽?yīng)用場(chǎng)景中具有不同的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)。本文將對(duì)MOSFET和IGBT進(jìn)行詳盡
2023-12-15 15:25:35366 IGBT和MOSFET在對(duì)飽和區(qū)的定義差別? IGBT和MOSFET是傳輸電力和控制電流的重要電子器件。它們?cè)谠S多電力電子應(yīng)用中起著關(guān)鍵的作用。飽和區(qū)是IGBT和MOSFET工作的一個(gè)重要區(qū)域，但是
2024-02-18 14:35:35325 引言：EV和充電樁將成為IGBT和MOSFET最大單一產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)袌?chǎng)！EV中的電機(jī)控制系統(tǒng)、引擎控制系統(tǒng)、車身控制系統(tǒng)均需使用大量的半導(dǎo)體功率器件，它的普及為汽車功率半導(dǎo)體市場(chǎng)打開了增長(zhǎng)的窗口。充電
2024-02-19 12:28:04191 
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