第三代功率半導(dǎo)體碳化硅SiC具有高耐壓等級(jí)、開(kāi)關(guān)速度快以及耐高溫的特點(diǎn)，能顯著提高電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的效率、功率密度和可靠性。
2023-12-28 16:08:18
686 
碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導(dǎo)體材料，是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一。
2024-01-24 16:42:04843 
深圳基本半導(dǎo)體與廣州廣電計(jì)量檢測(cè)股份有限公司（簡(jiǎn)稱廣電計(jì)量）在廣州舉行戰(zhàn)略合作簽約儀式，雙方宣布將圍繞第三代半導(dǎo)體功率器件開(kāi)展上下游全產(chǎn)業(yè)鏈的深度合作，加快推出車規(guī)級(jí)碳化硅器件，共同推動(dòng)第三代半導(dǎo)體支撐新能源汽車行業(yè)創(chuàng)新發(fā)展。
2019-05-14 08:45:562126 圍繞第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域研發(fā)成果，揚(yáng)杰科技近日在互動(dòng)平臺(tái)上回應(yīng)稱：在碳化硅業(yè)務(wù)板塊，公司已組建高素質(zhì)的研發(fā)團(tuán)隊(duì)，成功開(kāi)發(fā)出多款碳化硅器件產(chǎn)品，其中部分產(chǎn)品處于主流客戶端的認(rèn)證階段，可運(yùn)用于電動(dòng)汽車、光伏微型逆變器、UPS電源等領(lǐng)域。
2020-10-14 10:09:207581 ，也點(diǎn)燃半導(dǎo)體業(yè)新戰(zhàn)火。 ? 第三代半導(dǎo)體主要和氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）兩種材料有關(guān)，不少大廠都已先期投資數(shù)十年，近年隨著蘋(píng)果、小米及現(xiàn)代汽車等大廠陸續(xù)宣布產(chǎn)品采用新材料的計(jì)劃，讓第三代半導(dǎo)體成為各界焦點(diǎn)。 ? 目前各大廠都運(yùn)用不同
2021-05-10 16:00:572569 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）幾乎與電動(dòng)汽車產(chǎn)業(yè)同步，碳化硅器件的發(fā)展也在近十多年間高速發(fā)展。作為第三代半導(dǎo)體，采用碳化硅材料所制造的半導(dǎo)體器件在電氣特性上的優(yōu)異表現(xiàn)，讓它在電動(dòng)汽車應(yīng)用上受到了業(yè)界
2023-05-29 18:09:521943 
。 ? 第三代半導(dǎo)體是以碳化硅、氮化鎵等為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。某機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2022年，國(guó)內(nèi)有超26家碳化硅企業(yè)拿到融資。而根據(jù)電子發(fā)燒友的不完全統(tǒng)計(jì)，今年光上半年就有32家碳化硅企業(yè)拿到融資。2023全年第三代半導(dǎo)體行業(yè)融資超
2024-01-09 09:14:331408 
。砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）半導(dǎo)體分別作為第二代和第三代半導(dǎo)體的代表，相比第一代半導(dǎo)體高頻性能、高溫性能優(yōu)異很多，制造成本更為高昂，可謂是半導(dǎo)體中的新貴。三大化合物半導(dǎo)體材料
2019-05-06 10:04:10
化合物半導(dǎo)體在通訊射頻領(lǐng)域主要用于功率放大器、射頻開(kāi)關(guān)、濾波器等器件中。砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）半導(dǎo)體分別作為第二代和第三代半導(dǎo)體的代表，相比第一代半導(dǎo)體高頻性能、高溫性能優(yōu)異很多，制造成本更為高昂，可謂是半導(dǎo)體中的新貴。
2019-09-11 11:51:19
第三代半導(dǎo)體功率器件及模塊整體解決方案提供商，專注于提供第三代半導(dǎo)體功率器件和模塊整體解決方案的芯片公司。主要產(chǎn)品包括SiC SBD，SiC MOSFET，GaN HEMT等第三代半導(dǎo)體功率器件和模塊
2024-01-19 14:55:55
第三代半導(dǎo)體功率器件及模塊整體解決方案提供商，專注于提供第三代半導(dǎo)體功率器件和模塊整體解決方案的芯片公司。主要產(chǎn)品包括SiC SBD，SiC MOSFET，GaN HEMT等第三代半導(dǎo)體功率器件和模塊
2024-01-19 14:53:16
面向電動(dòng)汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動(dòng)汽車應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長(zhǎng)續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開(kāi)關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
充電器、電機(jī)和太陽(yáng)能逆變器，不僅可以從這些新器件中受益匪淺，不僅在效率上，而且在尺寸上，可實(shí)現(xiàn)高功率、高溫操作。但是，不僅器件的特性讓人對(duì)新設(shè)計(jì)充滿好奇，也是意法半導(dǎo)體的戰(zhàn)略。碳化硅（SiC）技術(shù)是意
2023-02-24 15:03:59
功率開(kāi)關(guān)技術(shù)也是如此，特別是用SiC和GaN制作的寬帶隙器件。SiC已經(jīng)從5年前的商業(yè)起步躍升到今天的第三代，價(jià)格已與硅開(kāi)關(guān)相當(dāng)，特別是在考慮到連鎖效益的情況下?！ ‰S著電動(dòng)汽車、可再生能源和5G等
2023-02-27 14:28:47
5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動(dòng)化的趨勢(shì)，將帶動(dòng)第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計(jì)，2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8
2019-05-09 06:21:14
、GaP、InP等）之后發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體材料。作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，碳化硅具有禁帶寬度大、擊穿場(chǎng)強(qiáng)高、熱導(dǎo)率大、載流子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)、化學(xué)穩(wěn)定性良好等特點(diǎn)，可以用來(lái)制造
2019-10-24 14:21:23
超過(guò)40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2019年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)7562億元
2021-01-12 11:48:45
上，對(duì)介電常數(shù)要求嚴(yán)格，雖然有低溫共燒陶瓷，仍然無(wú)法滿足他們的要求，需要一種性能更好的升級(jí)產(chǎn)品，建議可以使用富力天晟的碳化硅基板；因應(yīng)汽車需求而特別開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品（如IC 載板、軟板、銀膠貫孔等），也在向
2020-12-16 11:31:13
。 碳化硅近幾年的快速發(fā)展 近幾年來(lái)，低碳生活也是隨之而來(lái)，隨著太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，作為光伏產(chǎn)業(yè)用的材料，碳化硅的銷售市場(chǎng)也是十分火爆，許多磨料磨具業(yè)內(nèi)人開(kāi)始關(guān)注起碳化硅這個(gè)行業(yè)了。目前碳化硅制備技術(shù)非常
2019-07-04 04:20:22
的化學(xué)惰性? 高導(dǎo)熱率? 低熱膨脹這些高強(qiáng)度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應(yīng)用，如汽車制動(dòng)器和離合器，以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環(huán)境中工作的半導(dǎo)體電子設(shè)備，如火焰點(diǎn)火器、電阻加熱元件以及惡劣環(huán)境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
已經(jīng)成為全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)國(guó)，半導(dǎo)體消費(fèi)量占全球消費(fèi)量的比重超過(guò)40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國(guó)
2021-03-25 14:09:37
器件產(chǎn)業(yè)鏈重點(diǎn)公司及產(chǎn)品進(jìn)展：歐美出于對(duì)我國(guó)技術(shù)發(fā)展速度的擔(dān)憂及遏制我國(guó)新材料技術(shù)的發(fā)展想法，在第三代半導(dǎo)體材料方面，對(duì)我國(guó)進(jìn)行幾乎全面技術(shù)封鎖和材料封鎖。在此情況下，我國(guó)科研機(jī)構(gòu)和企業(yè)單位立足自主
2019-04-13 22:28:48
、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料?！ ≡诠怆娮印⒏邷卮蠊β势骷透哳l微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。SiC功率器件在C波段以上受頻率的限制，也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
未來(lái)電動(dòng)汽車的動(dòng)力全要靠三代半導(dǎo)體的功率器件了，碳化硅、氮化鎵都會(huì)在電動(dòng)汽車里有很大的市場(chǎng)。僅功率器件一項(xiàng)，每輛車就會(huì)增加大約300美元的需求。（5）機(jī)器人我的天，你是要把未來(lái)世界都劃進(jìn)來(lái)嗎？可是事實(shí)
2017-05-15 17:09:48
據(jù)業(yè)內(nèi)權(quán)威人士透露，我國(guó)計(jì)劃把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，寫(xiě)入“十四五”規(guī)劃，計(jì)劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開(kāi)發(fā)、融資、應(yīng)用等等各個(gè)方面，大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，...
2021-07-27 07:58:41
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
大功率適配器為了減小對(duì)電網(wǎng)的干擾，都會(huì)采用PFC電路、使用氮化鎵的充電器，基本也離不開(kāi)碳化硅二極管，第三代半導(dǎo)體材料幾乎都是同時(shí)出現(xiàn)，強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手避免短板。創(chuàng)能動(dòng)力推出的碳化硅二極管
2023-02-22 15:27:51
：Gen1》 Gen2 》 Gen3 VF：Gen1》 Gen2 》 Gen3 產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn) 綜上所述，基本半導(dǎo)體推出的第三代碳化硅肖特基二極管有以下優(yōu)點(diǎn)： 更低VF：第三代二極管具有更低VF，同時(shí)
2023-02-28 17:13:35
安森美半導(dǎo)體被德國(guó)汽車制造商奧迪挑選加入推進(jìn)半導(dǎo)體計(jì)劃（PSCP），這一合作將推動(dòng)即將到來(lái)的自動(dòng)和電動(dòng)汽車的電子創(chuàng)新和質(zhì)量。這一跨領(lǐng)域的半導(dǎo)體戰(zhàn)略旨在推動(dòng)創(chuàng)新及品質(zhì)，并在早期為奧迪車型提供最新的技術(shù)
2018-10-11 14:33:43
/混合動(dòng)力汽車半導(dǎo)體領(lǐng)袖，緊跟市場(chǎng)趨勢(shì)，提供全面的高性能方案，包括超級(jí)結(jié)SuperFET? III MOSFET、碳化硅(SiC)二極管、IGBT、隔離型門(mén)極驅(qū)動(dòng)器、電流檢測(cè)放大器、快恢復(fù)二極管，滿足電動(dòng)汽車充電樁市場(chǎng)需求并推動(dòng)創(chuàng)新。
2019-08-06 06:39:15
）功率器件產(chǎn)業(yè)化的倡導(dǎo)者之一，國(guó)內(nèi)首家第三代半導(dǎo)體材料碳化硅器件制造與應(yīng)用解決方案提供商，在國(guó)內(nèi)碳化硅功率器件制造商中率先完成了質(zhì)量管理體系---汽車行業(yè)生產(chǎn)件與相關(guān)服務(wù)件的組織實(shí)施ISO9007的要求
2023-02-27 14:35:13
MOSFET更好的在系統(tǒng)中應(yīng)用，需要給碳化硅MOSFET匹配合適的驅(qū)動(dòng)?！ 〗酉聛?lái)介紹基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET及驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品 基本半導(dǎo)體自主研發(fā)的碳化硅 MOSFET 具有導(dǎo)通電阻低，開(kāi)關(guān)損耗小的特點(diǎn)，可降低
2023-02-27 16:03:36
深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司，技術(shù)骨干來(lái)自清華大學(xué)和韓國(guó)延世大學(xué)，掌握第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件國(guó)際領(lǐng)先的工藝，和第五代超快恢復(fù)功率二極管技術(shù)。薩科微slkor（www.slkormicro.com
2024-03-15 11:22:07
之一和全球第二大功率分立器件和模塊半導(dǎo)體供應(yīng)商，提供廣泛的高能效和高可靠性的系統(tǒng)方案，并采用新型的寬禁帶材料如碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等進(jìn)行新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)，用于汽車功能電子化和HEV/EV應(yīng)用。
2019-07-23 07:30:07
深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司，技術(shù)骨干來(lái)自清華大學(xué)和韓國(guó)延世大學(xué)，掌握第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件國(guó)際領(lǐng)先的工藝，和第五代超快恢復(fù)功率二極管技術(shù)。薩科微slkor（www.slkormicro.com
2022-05-31 14:00:20
°C。系統(tǒng)可靠性大大增強(qiáng)，穩(wěn)定的超快速本體二極管，因此無(wú)需外部續(xù)流二極管。三、碳化硅半導(dǎo)體廠商SiC電力電子器件的產(chǎn)業(yè)化主要以德國(guó)英飛凌、美國(guó)Cree公司、GE、ST意法半導(dǎo)體體和日本羅姆公司、豐田
2023-02-20 15:15:50
可提供從650V到1700V不等的諸多產(chǎn)品，目前這類產(chǎn)品都是基于第三代碳化硅技術(shù)，并且都與未來(lái)能效相關(guān)的，能夠節(jié)省高達(dá)50%的損耗，提高開(kāi)關(guān)頻率，降低使用成本。 圖4：ST氮化鎵產(chǎn)品戰(zhàn)略 另一方面，ST
2022-07-01 10:28:37
5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動(dòng)化的趨勢(shì)，將帶動(dòng)第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計(jì)，2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8億美元，而GaN基板產(chǎn)值僅約3百萬(wàn)美元。
2018-03-29 14:56:1235825 
第三代半導(dǎo)體，又稱寬禁帶半導(dǎo)體，是以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的半導(dǎo)體材料，具備高壓、高溫、高頻大功率等特性。
2019-06-21 10:29:317739 華為為5G鋪路，布局碳化硅半導(dǎo)體，打破國(guó)外第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)壟斷
2019-08-27 11:19:034989 5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動(dòng)化的趨勢(shì)，將帶動(dòng)第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8億美元，而GaN基板產(chǎn)值
2020-03-15 09:56:574129 碳化硅，作為發(fā)展的最成熟的第三代半導(dǎo)體材料，其寬禁帶，高臨界擊穿電場(chǎng)等優(yōu)勢(shì)，是制造高壓高溫功率半導(dǎo)體器件的優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體材料。
2020-09-02 11:56:351469 7月20日，長(zhǎng)沙三安第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目開(kāi)工活動(dòng)在長(zhǎng)沙高新區(qū)舉行。 當(dāng)前，第三代半導(dǎo)體材料及器件已成為全球半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的前沿和制高點(diǎn)之一。以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體成熟商用材料，在新能源汽車
2020-09-12 09:28:092819 碳化硅（SiC）半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導(dǎo)體材料（GaAs、GaP、InP等）之后發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體材料。
2020-10-02 18:20:0012090 
來(lái)源：羅姆半導(dǎo)體社區(qū)? 作為第三代半導(dǎo)體中的明星，碳化硅因?yàn)槠洫?dú)有的特性和優(yōu)勢(shì)受到各方青睞。尤其是時(shí)下電動(dòng)汽車市場(chǎng)的火爆，助推了碳化硅器件的發(fā)展與應(yīng)用。不過(guò)，作為新興事物，碳化硅器件的產(chǎn)品良率及價(jià)格
2022-12-27 18:08:19853 呢？為什么說(shuō)第三代半導(dǎo)體有望成為國(guó)產(chǎn)替代希望？ 第三代半導(dǎo)體也被稱為寬帶隙半導(dǎo)體，主要是以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的寬帶隙半導(dǎo)體材料，其帶隙寬度大于2.2eV，是5G、人工智能、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等多個(gè)新基建產(chǎn)業(yè)的重要材料，同時(shí)也是
2020-10-29 18:26:404897 
。 什么是第三代半導(dǎo)體？ 第三代半導(dǎo)體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。 一、二、三代半導(dǎo)體什么區(qū)別？ 一、材料 第一代半導(dǎo)體材料，發(fā)
2020-11-04 15:12:374305 近年來(lái)，隨著半導(dǎo)體市場(chǎng)的飛速發(fā)展，第三代半導(dǎo)體材料也成為人們關(guān)注的重點(diǎn)。第三代半導(dǎo)體材料指的是碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石（C）、氮化鋁（AlN）等新興材料。而這
2020-11-09 17:22:052755 中國(guó)第三代半導(dǎo)體正迎來(lái)發(fā)展的窗口期。第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長(zhǎng)吳玲11月24日在2020國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇上透露，雙循環(huán)模式推動(dòng)國(guó)產(chǎn)化替代，2020年中國(guó)SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）電力電子和微波射頻產(chǎn)值預(yù)計(jì)將約為70億元。
2020-11-26 10:15:082148 在5G和新能源汽車等新市場(chǎng)需求的驅(qū)動(dòng)下，第三代半導(dǎo)體材料有望迎來(lái)加速發(fā)展。硅基半導(dǎo)體的性能已無(wú)法完全滿足5G和新能源汽車的需求，碳化硅和氮化鎵等第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)被放大。
2020-11-29 10:48:1287781 今年年初，小米公司推出的氮化鎵（GaN）快速充電器引爆了第三代半導(dǎo)體概念。實(shí)際上，除了在消費(fèi)電子領(lǐng)域備受期待的氮化鎵之外，第三代半導(dǎo)體的另一個(gè)重要產(chǎn)品碳化硅（SiC）有著更為廣闊的應(yīng)用空間。受益于新能源汽車行業(yè)的快速發(fā)展，氮化鎵產(chǎn)品應(yīng)用即將迎來(lái)大爆發(fā)。
2020-12-14 11:46:514055 碳化硅（SiC）又名碳硅石、金剛砂，是第三代半導(dǎo)體材料的代表之一，SiC主要用于電力電子器件的制造。受新能源汽車、工業(yè)電源等應(yīng)用的推動(dòng)，全球電力電子碳化硅的市場(chǎng)規(guī)模不斷增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)2020年的市場(chǎng)規(guī)模
2020-12-30 15:52:097765 日前，阿里巴巴達(dá)摩院預(yù)測(cè)了2021年科技趨勢(shì)，其中位列第一的是以氮化鎵和碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體將迎來(lái)應(yīng)用大爆發(fā)。第三代半導(dǎo)體與前兩代有什么不同？為何這兩年會(huì)成為爆發(fā)的節(jié)點(diǎn)？第三代半導(dǎo)體之后
2021-01-07 14:19:483427 ? 第三代半導(dǎo)體主要指以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，它具有寬禁帶、耐高壓、耐高溫、大電流、導(dǎo)熱好、高頻率等獨(dú)特性能和優(yōu)勢(shì)。第三代半導(dǎo)體目前主要應(yīng)用于電力電子器件、光電子器件、射頻電子器件
2021-02-01 09:23:113265 半導(dǎo)體的觸角已延伸至數(shù)據(jù)中心、新能源汽車等多個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域，整個(gè)行業(yè)漸入佳境，未來(lái)可期。 第三代半導(dǎo)體可提升能源轉(zhuǎn)換效率 以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體具備耐高溫、耐高壓、高頻率、大功率等優(yōu)勢(shì)，相比硅器件
2021-03-25 15:19:163618 
新產(chǎn)品，在新的賽道上邁出了堅(jiān)實(shí)的步伐。 01 新賽道 開(kāi)新局 第三代半導(dǎo)體是國(guó)家2030計(jì)劃和“十四五”國(guó)家研發(fā)計(jì)劃的重要發(fā)展方向。與傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體相比，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導(dǎo)體除了具備較大的禁帶寬度之外，還具有高導(dǎo)熱
2021-04-22 11:47:102719 碳化硅器件在電動(dòng)汽車中的應(yīng)用介紹說(shuō)明。
2021-06-10 10:51:08
72 中，基本半導(dǎo)體總經(jīng)理和巍巍博士發(fā)布了汽車級(jí)全碳化硅模塊、第三代碳化硅肖特基二極管、混合碳化硅分立器件三大系列碳化硅新品。至此基本半導(dǎo)體產(chǎn)品布局進(jìn)一步完善，產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力再度提升，將助力國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)一步發(fā)展。基本半導(dǎo)體的碳化硅
2021-11-29 14:54:087839 
意法半導(dǎo)體最新一代碳化硅(SiC)功率器件，提升了產(chǎn)品性能和可靠性，保持慣有領(lǐng)先地位，更加適合電動(dòng)汽車和高能效工業(yè)應(yīng)用
2021-12-17 17:23:252461 意法半導(dǎo)體最新一代碳化硅(SiC)功率器件，提升了產(chǎn)品性能和可靠性，保持慣有領(lǐng)先地位，更加適合電動(dòng)汽車和高能效工業(yè)應(yīng)用
2022-01-17 14:13:293382 意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）推出第三代STPOWER碳化硅 （SiC） MOSFET晶體管 ，推進(jìn)在電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)功率設(shè)備的前沿應(yīng)用，及在其他以高功率密度、高能效、高可靠性為重要目標(biāo)的場(chǎng)景應(yīng)用。
2022-03-14 10:25:521278 意法半導(dǎo)體最近推出了第三代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET，針對(duì)先進(jìn)的功率應(yīng)用（例如 EV 動(dòng)力系統(tǒng)）和其他功率密度、能效和可靠性是相關(guān)關(guān)鍵因素的應(yīng)用。 向電動(dòng)汽車的過(guò)渡和內(nèi)燃機(jī)
2022-07-29 18:09:27647 
。 碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性，突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制，是第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅較寬的禁帶寬度保證了其可擊穿更高的電場(chǎng)強(qiáng)度，適合制備耐高壓、高頻的功率器件，是電動(dòng)汽車、5G 基站、衛(wèi)星等新興領(lǐng)域的
2022-11-28 16:51:24498 SiC（碳化硅）器件作為第三代半導(dǎo)體，具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、電子飽和遷移速率高和擊穿電場(chǎng)高等特性，碳化硅器件在高溫、高壓、高頻、大功率電子器件領(lǐng)域和新能源汽車、光伏、航天、軍工等環(huán)境應(yīng)用領(lǐng)域有著不可替代的優(yōu)勢(shì)...以下針對(duì)SiC器件進(jìn)行深度分析：
2022-12-09 11:31:261087 ST碳化硅解決方案讓主要的汽車OEM廠商能夠領(lǐng)跑電動(dòng)汽車開(kāi)發(fā)競(jìng)賽，我們的第三代 SiC 技術(shù)確保功率晶體管達(dá)到理想的功率密度和能效，讓汽車實(shí)現(xiàn)出色的性能、續(xù)航里程和充電時(shí)間。
2022-12-15 11:51:171494 對(duì)新材料探索的腳步便從未停止。碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，屬于第三代半導(dǎo)體材料，其禁帶寬度高達(dá)3.0eV，相比第一代半導(dǎo)體材料硅，碳化硅的禁帶寬度是硅的3倍；導(dǎo)熱率為硅的4-5倍；擊穿電壓為硅的8倍；電子飽和漂移速率為硅
2023-02-02 17:39:092602 第三代半導(dǎo)體材料有哪些 第三代半導(dǎo)體材料: 氨化家、碳化硅、氧化鋅、氧化鋁和金剛石。 從半導(dǎo)體材料的三項(xiàng)重要參數(shù)看，第三代半導(dǎo)體材料在電子遷移率、飽和漂移速率、禁帶寬度三項(xiàng)指標(biāo)上均有著優(yōu)異的表現(xiàn)
2023-02-07 14:06:164200 碳化硅二極管是用碳化硅為原料制作而成的二極管。碳化硅二極管，號(hào)稱反向恢復(fù)時(shí)間為零，是高效PFC boost電路的專用升壓二極管。以碳化硅二極管為代表的第三代半導(dǎo)體材料的發(fā)展開(kāi)始受到重視，并在智能
2023-02-10 17:45:171729 碳化硅是目前應(yīng)用最為廣泛的第三代半導(dǎo)體材料，由于第三代半導(dǎo)體材料的禁帶寬度大于2eV，因此一般也會(huì)被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料，除了寬禁帶的特點(diǎn)外，碳化硅半導(dǎo)體材料還具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高飽和電子
2023-02-12 15:12:32933 采用其他材料來(lái)代替。 而以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體，與單晶硅和砷化鎵等傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料相比，具有明顯的優(yōu)勢(shì)： （1）碳化硅具有高熱導(dǎo)率（達(dá)到4.9W/cm？ K），是硅的3.3倍。 因此，碳化硅材料散熱效果好，理論上，碳化硅功率
2023-02-12 16:10:25770 第一代半導(dǎo)體材料大部分為目前廣泛使用的高純度硅；第二代化合物半導(dǎo)體材料包括砷化鎵、磷化銦；第三代化合物半導(dǎo)體材料以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表。
2023-02-20 14:10:34509 ，將會(huì)通過(guò)系列報(bào)告形式對(duì)其進(jìn)行完整梳理。
第三代半導(dǎo)體性能優(yōu)越，應(yīng)用場(chǎng)景更廣。半導(dǎo)體材料作為電子信息 技術(shù)發(fā)展的基礎(chǔ)，經(jīng)歷了數(shù)代的更迭。隨著應(yīng)用場(chǎng)景提出更高的要 求，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料逐
2023-02-21 09:29:162 什么是第三代半導(dǎo)體？我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統(tǒng)稱為第三代半導(dǎo)體，這個(gè)是相對(duì)以硅基為核心的第二代半導(dǎo)體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:472090 隨著高壓、高頻及高溫領(lǐng)域應(yīng)用的逐漸提高，第三代半導(dǎo)體技術(shù)高頻化和可靠性等性能的要求已是必須。 第三代半導(dǎo)體材料通常是指氮化鎵、碳化硅、氧化鋅、金剛石等，其中氮化鎵、碳化硅為主要代表。在禁帶寬
2023-03-09 14:56:53497 
按照電學(xué)性能的不同，碳化硅材料制成的器件分為導(dǎo)電型碳化硅功率器件和半絕緣型碳化硅射頻器件，兩種類型碳化硅器件的終端應(yīng)用領(lǐng)域不同。導(dǎo)電型碳化硅功率器件是通過(guò)在低電阻率的導(dǎo)電型襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層后進(jìn)一步加工制成
2023-04-21 14:14:372437 又以碳化硅和氮化鎵材料技術(shù)的發(fā)展最為成熟。與第一代、第二代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料通常具備更寬的禁帶寬度、更高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)、更高的熱導(dǎo)率，電子飽和速率和抗輻射能力也更勝一籌，在高溫、高壓、高頻、高功率等嚴(yán)苛環(huán)境下，依然能夠保證性能穩(wěn)定。
2023-05-18 10:57:361018 第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）是近幾年新興的功率半導(dǎo)體，相比于傳統(tǒng)的硅（Si）基功率半導(dǎo)體，氮化鎵和碳化硅具有更大的禁帶寬度，更高的臨界場(chǎng)強(qiáng)，使得基于這兩種材料制作的功率半導(dǎo)體具有
2023-03-13 17:42:58495 
半導(dǎo)體是當(dāng)今世界的基石，幾乎每一項(xiàng)科技創(chuàng)新都離不開(kāi)半導(dǎo)體的貢獻(xiàn)。過(guò)去幾十年，硅一直是半導(dǎo)體行業(yè)的主流材料。然而，隨著科技的發(fā)展和應(yīng)用需求的增加，硅材料在一些方面已經(jīng)無(wú)法滿足需求，這促使第三代半導(dǎo)體
2023-07-05 10:26:131322 
如今砷化鎵、磷化銦等作為第二代化半導(dǎo)體因其高頻性能效好主要是用于射頻領(lǐng)域，碳化硅、和氮化鎵等作為第三代半導(dǎo)體因禁帶寬度和擊穿電壓高的特性。
2023-07-25 10:52:23405 第三代半導(dǎo)體以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，用于高壓、高溫、高頻場(chǎng)景。廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、工控等領(lǐng)域。因此第三代半導(dǎo)體研究主要是集中在材料特征研究，本文主要是研究碳化硅的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。
2023-08-11 10:17:54915 
碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性，突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制，是第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、國(guó)防軍工、新能源汽車和新能源光伏等領(lǐng)域的發(fā)展，碳化硅需求增速可觀。
2023-08-19 11:45:221041 能與成本?未來(lái)有何發(fā)展目標(biāo)?...... 前言： 憑借功率密度高、開(kāi)關(guān)速度快、抗輻照性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體材料被廣泛應(yīng)用于電力電子、光電子學(xué)和無(wú)線通信等領(lǐng)域，以提高設(shè)備性能和效率，并成為當(dāng)前半導(dǎo)
2023-09-18 16:48:02365 碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性，它突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制，成為第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料性能優(yōu)勢(shì)引領(lǐng)功率器件新變革。
2023-09-19 15:55:20893 
SiC器件是一種新型的硅基MOSFET，特別是SiC功率器件具有更高的開(kāi)關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結(jié)組成。
在眾多的半導(dǎo)體器件中，碳化硅材料具有低熱導(dǎo)率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342 
近年來(lái)，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三代半導(dǎo)體材料成為全球半導(dǎo)體市場(chǎng)熱點(diǎn)之一。
2023-10-16 14:45:06694 第三代半導(dǎo)體技術(shù)以及碳化硅(SiC)材料，正迅速崛起并且在科技產(chǎn)業(yè)中引起廣泛關(guān)注，這兩個(gè)領(lǐng)域的結(jié)合，為我們帶來(lái)了前所未有的機(jī)會(huì)和挑戰(zhàn)，將深刻改變我們的生活方式、產(chǎn)業(yè)發(fā)展，甚至全球經(jīng)濟(jì)格局。
2023-11-08 14:59:01512 
半導(dǎo)體材料目前已經(jīng)發(fā)展至第三代。傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體由于自身物理性能不足以及受限于摩爾定律，逐漸不適應(yīng)于半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展需求，砷化鎵、碳化硅、氮化鎵等化合物半導(dǎo)體也因而誕生。
2023-12-21 15:12:20820 
第三代半導(dǎo)體性能優(yōu)越，應(yīng)用場(chǎng)景更廣。半導(dǎo)體材料作為電子信息技術(shù)發(fā)展的 基礎(chǔ)，經(jīng)歷了數(shù)代的更迭。隨著應(yīng)用場(chǎng)景提出更高的要求，以碳化硅、氮化鎵為代 表的第三代半導(dǎo)體材料逐漸進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化加速放量階段。相較
2024-01-16 10:48:49314 
碳化硅在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)（尤其是電動(dòng)汽車）中越來(lái)越受歡迎，但對(duì)于許多應(yīng)用來(lái)說(shuō)仍然過(guò)于昂貴。
2024-01-29 14:46:112888 
2月27日，第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)基地在寶安區(qū)啟用，由深圳市重投天科半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱“重投天科”）建設(shè)運(yùn)營(yíng)，預(yù)計(jì)今年襯底和外延產(chǎn)能達(dá)25萬(wàn)片
2024-02-29 14:09:14235
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論