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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>正海集團(tuán)與羅姆就成立合資公司達(dá)成協(xié)議,主營(yíng)以碳化硅為核心的功率模塊業(yè)務(wù)

正海集團(tuán)與羅姆就成立合資公司達(dá)成協(xié)議,主營(yíng)以碳化硅為核心的功率模塊業(yè)務(wù)

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碳化硅功率模塊及電控的設(shè)計(jì)、測(cè)試與系統(tǒng)評(píng)估

前言:臻驅(qū)科技(上海)有限公司(以下簡(jiǎn)稱臻驅(qū)科技)是一家以研發(fā)、生產(chǎn)和銷售新能源車動(dòng)力總成及其功率半導(dǎo)體模塊核心業(yè)務(wù)的高科技公司。2 019 年底,臻驅(qū)科技與日本羅姆半導(dǎo)體公司成立了聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室
2020-11-24 11:51:471754

碳化硅功率模塊核心,羅姆和正海集團(tuán)成立合資公司達(dá)協(xié)議

10月21日,正海集團(tuán)有限公司(以下簡(jiǎn)稱:正海集團(tuán))和全球領(lǐng)先的碳化硅芯片/模組供應(yīng)商ROHM Co., Ltd.(以下簡(jiǎn)稱:羅姆)在上海市閔行區(qū)召開(kāi)合資公司發(fā)布會(huì)。
2021-10-23 08:00:002526

車企自研碳化硅模塊,更有“性價(jià)比”的選擇

電氣設(shè)計(jì)專家和SiC功率模塊設(shè)計(jì)專家。 ? 這也意味著理想正在籌備自研碳化硅功率模塊,未來(lái)或可能建立功率模塊封測(cè)產(chǎn)線。 ? 電動(dòng)汽車時(shí)代,功率模塊碳化硅地位越來(lái)越高 ? 電動(dòng)汽車與燃油汽車的成本結(jié)構(gòu)產(chǎn)生了很大差異,在電動(dòng)汽車中,電池
2023-12-04 06:47:00820

600V碳化硅二極管SIC SBD選型

飛樂(lè)技術(shù)有限公司是一家快速恢復(fù)二極管(FRD)、快恢復(fù)模塊、超結(jié)MOSFET等新型功率半導(dǎo)體芯片及器件的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售為主營(yíng)業(yè)務(wù)的高科技企業(yè)。公司快恢復(fù)二極管/模塊產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于變頻空調(diào)
2019-10-24 14:25:15

650V/1200V碳化硅肖特基二極管如何選型

  碳化硅(SiC)具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、飽和電子漂移速度高、熱導(dǎo)率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)、化學(xué)穩(wěn)定性良好等特點(diǎn),被認(rèn)為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導(dǎo)體材料
2020-09-24 16:22:14

功率模塊中的完整碳化硅性能怎么樣?

0.5Ω,內(nèi)部柵極電阻0.5Ω?! ?b class="flag-6" style="color: red">功率模塊的整體熱性能也很重要。碳化硅芯片的功率密度高于硅器件。與具有相同標(biāo)稱電流的硅IGBT相比,SiC MOSFET通常表現(xiàn)出顯著較低的開(kāi)關(guān)損耗,尤其是在部分
2023-02-20 16:29:54

碳化硅(SiC)肖特基二極管的特點(diǎn)

)碳化硅器件減少功率器件體積和降低電路損耗作出了重要貢獻(xiàn)?! ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅的不足是:  碳化硅圓片的價(jià)格還較高,其缺陷也多?! ∪?、碳化硅肖特基二極管的特點(diǎn)  上面已談到硅肖特基二極管反向耐壓較低,約
2019-01-11 13:42:03

碳化硅MOSFET開(kāi)關(guān)頻率到100Hz為什么波形還變差了

碳化硅MOSFET開(kāi)關(guān)頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39

碳化硅MOSFET是如何制造的?如何驅(qū)動(dòng)碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管?

2020年初與門子公司SiCrystal就SiC晶圓供應(yīng)達(dá)成協(xié)議,僅舉出一些戰(zhàn)略舉措。這一戰(zhàn)略對(duì)意法半導(dǎo)體來(lái)說(shuō)非常有效,因此意法半導(dǎo)體成為快速增長(zhǎng)的SiC市場(chǎng)的關(guān)鍵參與者。為了不只流口水,現(xiàn)在讓我們
2023-02-24 15:03:59

碳化硅MOSFET的SCT怎么樣?

本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言,該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專門的實(shí)驗(yàn)室測(cè)量,并借助一個(gè)穩(wěn)健的有限元法物理模型來(lái)證實(shí)和比較測(cè)量值,對(duì)短路行為的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行深度評(píng)估。
2019-08-02 08:44:07

碳化硅SiC技術(shù)導(dǎo)入應(yīng)用的最大痛點(diǎn)

領(lǐng)域的創(chuàng)新步伐不斷加快,工程師們?cè)絹?lái)越多地在尋找新的解決方案,并對(duì)技術(shù)提出更多的要求,滿足消費(fèi)者和行業(yè)的需求。碳化硅半導(dǎo)體是滿足這些需求的優(yōu)選答案,其本身也在不斷改進(jìn),以期提供與舊技術(shù)相比更具成本
2023-02-27 14:28:47

碳化硅二極管選型表

應(yīng)用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請(qǐng)咨詢我司人員!附件是飛樂(lè)技術(shù)碳化硅二極管選型表,歡迎大家選購(gòu)!碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料(Si、Ge)和第二代化合物半導(dǎo)體材料(GaAs
2019-10-24 14:21:23

碳化硅半導(dǎo)體器件有哪些?

  由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能,碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種,主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等,因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開(kāi)關(guān)管
2020-06-28 17:30:27

碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

。碳化硅壓敏電阻的主要特點(diǎn)自我修復(fù)。用于空氣/油/SF6 環(huán)境??膳渲?b class="flag-6" style="color: red">為單個(gè)或模塊化組件。極高的載流量。高浪涌能量等級(jí)。100% 活性材料。可重復(fù)的非線性特性。耐高壓?;旧鲜菬o(wú)感的。碳化硅圓盤壓敏電阻每個(gè)
2024-03-08 08:37:49

碳化硅器件是如何組成逆變器的?

進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13

碳化硅器件的特點(diǎn)是什么

今天我們來(lái)聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04

碳化硅基板——三代半導(dǎo)體的領(lǐng)軍者

超過(guò)40%,其中碳化硅材料(SiC)代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì),2019年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)7562億元
2021-01-12 11:48:45

碳化硅基板——汽車電子發(fā)展新動(dòng)力

大量采用持續(xù)穩(wěn)定的線路板;在引擎室中,由于高溫環(huán)境和LED 燈源的散熱要求,現(xiàn)有的樹(shù)脂、金屬基材的電路板不符合使用要求,需要散熱性能更好碳化硅電路板,例如斯利通碳化硅基板;在高頻傳輸與無(wú)線雷達(dá)偵測(cè)
2020-12-16 11:31:13

碳化硅深層的特性

成熟,資源豐富,碳化硅的行業(yè)已經(jīng)具有集群化發(fā)展的趨勢(shì)了,但是行業(yè)規(guī)模很小,政策資金方面的風(fēng)險(xiǎn)能力很大,行業(yè)秩序也需要進(jìn)一步完善。碳化硅的用途也十分廣泛,越來(lái)越多的新行業(yè)也正在開(kāi)發(fā),線切割代表的新行業(yè)
2019-07-04 04:20:22

碳化硅的歷史與應(yīng)用介紹

硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC),俗稱金剛砂。SiC 在自然界中礦物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不過(guò),自1893 年以來(lái),粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52

碳化硅的應(yīng)用

碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料,為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39

碳化硅肖特基二極管技術(shù)演進(jìn)解析

  01  碳化硅材料特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì)  碳化硅作為寬禁帶半導(dǎo)體的代表性材料之一,其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優(yōu)勢(shì)。現(xiàn)階段最適合用于做功率半導(dǎo)體的4H型碳化硅材料例,其禁帶寬度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45

碳化硅肖特基二極管的基本特征分析

  碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(chǎng)(3×106V/cm)和高導(dǎo)熱系數(shù)(49W/mK)使功率半導(dǎo)體器件效率更高,運(yùn)行速度更快
2023-02-28 16:34:16

碳化硅陶瓷線路板,半導(dǎo)體功率器件的好幫手

已經(jīng)成為全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)國(guó),半導(dǎo)體消費(fèi)量占全球消費(fèi)量的比重超過(guò)40%,其中碳化硅材料(SiC)代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國(guó)
2021-03-25 14:09:37

CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片

哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片有幾款,型號(hào)是什么
2020-03-05 09:30:32

SIC碳化硅二極管

SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11

TGF2023-2-10碳化硅晶體管

科技有限公司TGF2023-2-10對(duì)碳化硅器件由DC至14 GHz的離散10毫米甘。在3 GHz的tgf2023-2-10通常提供47.4 dBm的功率增益19.8 dB的飽和輸出功率。最大功率附加效率
2018-06-12 10:22:42

TGF2023-2-10碳化硅晶體管銷售

TGF2023-2-10對(duì)碳化硅器件由DC至14 GHz的離散10毫米甘。在3 GHz的tgf2023-2-10通常提供47.4 dBm的功率增益19.8 dB的飽和輸出功率。功率附加效率69.5%,這使
2018-11-15 11:59:01

TGF2023-2-20碳化硅晶體管

附加效率70.5%,這使得tgf2023-2-20適合高效率的應(yīng)用.產(chǎn)品型號(hào):TGF2023-2-20產(chǎn)品名稱:碳化硅晶體管TGF2023-2-20產(chǎn)品特性頻率范圍:直流至14 GHz50.5
2018-06-22 11:09:47

TGF2954碳化硅晶體管銷售

TGF2954碳化硅晶體管產(chǎn)品介紹TGF2954報(bào)價(jià)TGF2954代理TGF2954TGF2954現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司TGF2954是離散的5.04毫米GaN-on-SiC
2018-11-15 14:01:58

TGF2955碳化硅晶體管銷售

TGF2955碳化硅晶體管產(chǎn)品介紹TGF2955報(bào)價(jià)TGF2955代理TGF2955TGF2955現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司TGF2955是離散的7.56毫米GaN-on-SiC
2018-11-15 14:06:57

TO-247封裝碳化硅MOSFET引入輔助源極管腳的必要性

通損耗一直是功率半導(dǎo)體行業(yè)的不懈追求?! ∠噍^于傳統(tǒng)的硅MOSFET和硅IGBT 產(chǎn)品,基于寬禁帶碳化硅材料設(shè)計(jì)的碳化硅 MOSFET 具有耐壓高、導(dǎo)通電阻低,開(kāi)關(guān)損耗小的特點(diǎn),可降低器件損耗、減小
2023-02-27 16:14:19

BD7682FJ-EVK-402試用體驗(yàn)連載】基于碳化硅功率器件的永磁同步電機(jī)先進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究

,利用SiC MOSFET來(lái)作為永磁同步電機(jī)控制系統(tǒng)中的功率器件,可以降低驅(qū)動(dòng)器損耗,提高開(kāi)關(guān)頻率,降低電流諧波和轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)。本項(xiàng)目中三相逆變器擬打算使用貴公司的SiC MOSFET,驗(yàn)證碳化硅功率器件
2020-04-21 16:04:04

【直播邀請(qǐng)】 SiC(碳化硅功率器件的活用

)------------------------------------------------------------------------------------------------會(huì)議主題: SiC(碳化硅功率器件的活用直播時(shí)間:2018
2018-07-27 17:20:31

為何碳化硅比氮化鎵更早用于耐高壓應(yīng)用呢?

生長(zhǎng)氮化鎵結(jié)晶,研發(fā)更高性能的縱型氮化鎵FET。制成的晶圓的電阻約為10-4Ωcm2,遠(yuǎn)低于碳化硅晶圓(10-3Ωcm2左右)、錯(cuò)位密度104/cm2、氮化鎵膜厚超過(guò)1毫米。研究人員獲得了一塊晶圓
2023-02-23 15:46:22

什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?

什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的?
2021-06-18 08:32:43

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多半仍以機(jī)械結(jié)構(gòu)為主,造價(jià)高昂,且產(chǎn)品相當(dāng)笨重,更需要經(jīng)常維修。為了改良這些缺點(diǎn),電力電子基礎(chǔ)的新一代大功率電力設(shè)備應(yīng)運(yùn)而生。碳化硅等新世代組件,則是在背后促成這股電力設(shè)備電子化不可或缺的功臣
2021-09-23 15:02:11

你知道飛機(jī)電源管理提供解決方案的碳化硅嗎?

,在這些環(huán)境中,傳統(tǒng)的硅基電子設(shè)備無(wú)法工作。碳化硅在高溫、高功率和高輻射條件下運(yùn)行的能力將提高各種系統(tǒng)和應(yīng)用的性能,包括飛機(jī)、車輛、通信設(shè)備和航天器。今天,SiC MOSFET是長(zhǎng)期可靠的功率器件。未來(lái),預(yù)計(jì)多芯片電源或混合模塊將在SiC領(lǐng)域發(fā)揮更重要的作用。
2022-06-13 11:27:24

創(chuàng)能動(dòng)力推出碳化硅二極管ACD06PS065G

,獲得華大半導(dǎo)體有限公司投資,創(chuàng)能動(dòng)力致力于開(kāi)發(fā)硅和碳化硅基材的功率電子器件、功率模塊,并商品化提供解決方案。碳化硅使用在氮化鎵電源中,可實(shí)現(xiàn)相比硅元器件更高的工作溫度,實(shí)現(xiàn)雙倍的功率密度,更小
2023-02-22 15:27:51

圖騰柱無(wú)橋PFC中混合碳化硅分立器件的應(yīng)用

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2023-02-28 16:48:24

在開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中充分利用碳化硅器件的性能優(yōu)勢(shì)

場(chǎng)效應(yīng)管(Si MOSFET)以前從未考慮過(guò)的應(yīng)用而變得更具有吸引力?! ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅MOSFET越來(lái)越多用于千瓦級(jí)功率水平應(yīng)用,涵蓋如通電源,和服務(wù)器電源,和快速增長(zhǎng)的電動(dòng)汽車電池充電器市場(chǎng)等領(lǐng)域。碳化硅
2023-03-14 14:05:02

如何用碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)一個(gè)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器?

碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)一個(gè)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器
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應(yīng)用于新能源汽車的碳化硅半橋MOSFET模塊

  采用溝槽型、低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列  產(chǎn)品型號(hào)  BMF600R12MCC4  BMF400R12MCC4  汽車級(jí)全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35

歸納碳化硅功率器件封裝的關(guān)鍵技術(shù)

,極大地提高模塊工作的可靠性。此外,鋁帶、銅帶連接工藝因其更大的截流能力、更好的功率循環(huán)以及散熱能力,也有望碳化硅提供更佳的解決方案。圖 11 所示分別為銅鍵合線、銅帶連接方式。錫片或錫膏常用于芯片
2023-02-22 16:06:08

新型電子封裝熱管理材料鋁碳化硅

新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問(wèn)題,解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問(wèn)題,如果你有類似的困惑,歡迎前來(lái)探討,鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢(shì)它有高導(dǎo)熱,高剛度,高耐磨,低膨脹,低密度,低成本,適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問(wèn)題及時(shí)交流,謝謝各位!
2016-10-19 10:45:41

來(lái)自北京清華大學(xué)和韓國(guó)延世大學(xué),掌握碳化硅功率器件的核心技術(shù)

一體的高科技企業(yè),產(chǎn)品研發(fā)骨干來(lái)自北京清華大學(xué)和韓國(guó)延世大學(xué),掌握碳化硅功率器件的核心技術(shù)。再加上薩科微總經(jīng)理宋仕強(qiáng)先生深耕華強(qiáng)北多年,深度了解華強(qiáng)北的商業(yè)模式,薩科微slkor的多年積累,現(xiàn)階段快速
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系列電源模塊,支持多種柵極輸出電壓,可靈活應(yīng)用于碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)。該電源模塊尺寸 19.5 X 9.8 X 12.5 mm, 設(shè)計(jì)緊湊, 通用性強(qiáng)。原作者:基本半導(dǎo)體
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電動(dòng)汽車的全新碳化硅功率模塊

面向電動(dòng)汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動(dòng)汽車應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能,特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中,它可提高逆變器的效率,從而延長(zhǎng)續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16

被稱為第三代半導(dǎo)體材料的碳化硅有著哪些特點(diǎn)

°C。系統(tǒng)可靠性大大增強(qiáng),穩(wěn)定的超快速本體二極管,因此無(wú)需外部續(xù)流二極管。三、碳化硅半導(dǎo)體廠商SiC電力電子器件的產(chǎn)業(yè)化主要以德國(guó)英飛凌、美國(guó)Cree公司、GE、ST意法半導(dǎo)體體和日本公司、豐田
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請(qǐng)教碳化硅刻蝕工藝

最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設(shè)備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒(méi)有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過(guò)程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50

降低碳化硅牽引逆變器的功率損耗和散熱

使用絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。但隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步,碳化硅 (SiC) 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 能夠比 IGBT 更高的頻率進(jìn)行開(kāi)關(guān),通過(guò)降低電阻和開(kāi)關(guān)損耗來(lái)提高效率
2022-11-02 12:02:05

107 應(yīng)用如此廣泛的碳化硅廠商名單來(lái)咯!應(yīng)用如此廣泛的碳化硅廠商名單來(lái)咯!

元器件碳化硅
車同軌,書(shū)同文,行同倫發(fā)布于 2022-08-04 15:48:57

Ameya360:碳化硅功率元器件介紹!#功率元器件

碳化硅
jf_81091981發(fā)布于 2023-02-02 16:05:49

AMEYA360:八英寸碳化硅成中外廠商必爭(zhēng)之地!#碳化硅

碳化硅
jf_81091981發(fā)布于 2023-07-13 11:39:58

碳化硅 SiC 可持續(xù)發(fā)展的未來(lái) #碳化硅 #SiC #MCU #電子愛(ài)好者

工業(yè)控制碳化硅
Asd666發(fā)布于 2023-08-10 22:08:03

羅姆下的SiCrystal公司與長(zhǎng)期客戶ST簽訂碳化硅晶圓長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議

意法半導(dǎo)體與羅姆集團(tuán)旗下的SiCrystal公司簽署一了份碳化硅(SiC)晶圓長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議。
2020-01-17 09:07:481306

基本半導(dǎo)體碳化硅功率模塊裝車測(cè)試發(fā)車儀式在深圳舉行

7月29日,基本半導(dǎo)體碳化硅功率模塊裝車測(cè)試發(fā)車儀式在深圳成功舉行,搭載自主研發(fā)碳化硅模塊的測(cè)試車輛正式啟程。
2021-07-30 15:55:331835

羅姆和正海集團(tuán)成立合資公司達(dá)協(xié)議碳化硅功率模塊核心

。 合資公司功率模塊主營(yíng)業(yè)務(wù),包括研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造和銷售。新公司的名字取正海集團(tuán)和羅姆的融合之意——上海海姆??瓢雽?dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱:海姆??疲?。根據(jù)海姆??瓶偨?jīng)理高崎 哲介紹稱,合資公司的出資比例為正海集團(tuán)出資80%,羅姆出資
2021-10-27 09:32:171985

國(guó)內(nèi)碳化硅“先鋒”,基本半導(dǎo)體的碳化硅新布局有哪些?

基本半導(dǎo)體是國(guó)內(nèi)比較早涉及第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件研發(fā)的企業(yè),率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件,為業(yè)界熟知,并得到廣泛應(yīng)用。在11月27日舉行的2021基本創(chuàng)新日活動(dòng)
2021-11-29 14:54:087839

國(guó)內(nèi)首條!基本半導(dǎo)體汽車級(jí)碳化硅功率模塊專用產(chǎn)線正式通線

12月30日,基本半導(dǎo)體位于無(wú)錫市新吳區(qū)的汽車級(jí)碳化硅功率模塊制造基地正式通線運(yùn)行,首批碳化硅模塊產(chǎn)品成功下線。這是目前國(guó)內(nèi)第一條汽車級(jí)碳化硅功率模塊專用產(chǎn)線,采用先進(jìn)碳化硅專用封裝工藝技術(shù),打造
2021-12-31 10:55:432795

車規(guī)級(jí)SiC供應(yīng)商桑德斯與世強(qiáng)硬創(chuàng)平臺(tái)達(dá)成協(xié)議

桑德斯微電子器件(南京)有限公司與世強(qiáng)硬創(chuàng)平臺(tái)達(dá)成協(xié)議,授權(quán)世強(qiáng)代理旗下碳化硅(SiC)、二級(jí)管等產(chǎn)品代理。
2022-02-24 16:14:141348

一家全新的碳化硅創(chuàng)新公司

%。新公司將合作開(kāi)發(fā)、設(shè)計(jì)、制造和銷售使用碳化硅(SiC)功率器件的功率模塊,旨在發(fā)展可用于牽引逆變器和其他新能源汽車的功率模塊業(yè)務(wù)。應(yīng)用程序。 “新公司將設(shè)計(jì)、量產(chǎn)和銷售使用 ROHM 的 SiC 半導(dǎo)體的功率模塊?!?在接受《電力電子報(bào)》采訪時(shí),羅
2022-08-03 15:50:24688

從硅到碳化硅(SiC) 有哪些好處和應(yīng)用?

Agarwal 的播客中,我們將發(fā)現(xiàn) SiC 的好處和應(yīng)用。 討論的文章: 改進(jìn)碳化硅晶圓工藝 碳化硅功率模塊建模 商用 1.2 kV 4H-SiC 功率 MOSFET 的柵極漏電流行為研究 商用 1.2
2022-08-03 17:07:351383

Wolfspeed WolfPACK碳化硅功率模塊產(chǎn)品介紹

本期Digi-Key Daily向大家推介兩款產(chǎn)品:TDK-Lambda CUS350MP-1000醫(yī)療和工業(yè)電源和Wolfspeed WolfPACK碳化硅功率模塊
2022-08-04 09:51:111458

英飛凌擴(kuò)展碳化硅晶圓供應(yīng)陣營(yíng),與美國(guó)高意集團(tuán)簽署供應(yīng)協(xié)議

【2022年9月19日,德國(guó)慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)與高意集團(tuán) (納斯達(dá)克代碼:IIVI)簽署了一份多年期碳化硅(SiC)晶圓供應(yīng)協(xié)議
2022-09-20 11:39:12591

碳化硅功率器件技術(shù)可靠性!

碳化硅器件總成本的50%,外延、晶圓和封裝測(cè)試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對(duì)最終器件的性能有著舉足輕重的意義,從產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)探究材料特性及缺陷產(chǎn)生的原因,與上下游企業(yè)協(xié)同合作提升碳化硅功率器件的可靠性。
2023-01-05 11:23:191191

碳化硅原理是什么

碳化硅原理是什么 碳化硅,是一種無(wú)機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物
2023-02-02 14:50:021979

汽車碳化硅技術(shù)原理圖

汽車碳化硅技術(shù)原理圖 相比硅基功率半導(dǎo)體,碳化硅功率半導(dǎo)體在開(kāi)關(guān)頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優(yōu)勢(shì),隨著特斯拉大規(guī)模量產(chǎn)碳化硅逆變器之后,更多的企業(yè)也開(kāi)始落地碳化硅產(chǎn)品。 功率半導(dǎo)體碳化硅
2023-02-02 15:10:00467

碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些

碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個(gè)新風(fēng)口,也是一個(gè)很大的挑戰(zhàn),那么我們來(lái)碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)壁壘是什么?碳化硅技術(shù)壁壘
2023-02-03 15:25:163637

碳化硅技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)_碳化硅工藝

碳化硅,是一種無(wú)機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:352997

意法半導(dǎo)體CEO:計(jì)劃2023年投資40億美元增加碳化硅產(chǎn)能

技術(shù)方面,意法半導(dǎo)體與Soitec就碳化硅晶圓制造技術(shù)合作達(dá)成協(xié)議。意法半導(dǎo)體希望通過(guò)此次合作,使其未來(lái)200mm晶圓生產(chǎn)可以采用Soitec的Smart碳化硅技術(shù)。
2023-02-06 16:25:17679

碳化硅模塊上車高濕測(cè)試

投建,我國(guó)初步形成了從襯底、外延片到器件、模塊較為完整的產(chǎn)品供應(yīng)鏈。 但記者在采訪中了解到,國(guó)內(nèi)碳化硅功率器件行業(yè)還呈現(xiàn)“小”“散”特征,未來(lái)五年將是整合期,車規(guī)級(jí)碳化硅功率器件與國(guó)外公司還有較大差距。此外,碳
2023-02-21 09:26:452

SiC碳化硅二極管和SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)鏈介紹

我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件:碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開(kāi)說(shuō)明。碳和硅進(jìn)過(guò)化合先合成碳化硅,然后碳化硅打磨成為粉末,碳化硅粉末經(jīng)過(guò)碳化硅單晶生長(zhǎng)成為碳化硅晶錠;碳化硅
2023-02-21 10:04:111693

SiC碳化硅二極管的特性和優(yōu)勢(shì)

什么是第三代半導(dǎo)體?我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統(tǒng)稱為第三代半導(dǎo)體,這個(gè)是相對(duì)以硅基為核心的第二代半導(dǎo)體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件,也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:472090

汽車碳化硅模塊是什么,作用和用途

  汽車碳化硅模塊是一種用于汽車電力傳動(dòng)系統(tǒng)的電子器件,由多個(gè)碳化硅芯片、散熱器、絕緣材料和連接件等組成。碳化硅芯片作為模塊核心部件,采用現(xiàn)代半導(dǎo)體技術(shù)制造而成,可以實(shí)現(xiàn)高功率、高效率、高頻率的控制和開(kāi)關(guān),適用于電動(dòng)車的逆變器、充電器、DC-DC轉(zhuǎn)換器等多種應(yīng)用。
2023-02-25 15:03:222180

意法半導(dǎo)體供應(yīng)超千萬(wàn)顆碳化硅器件

意法半導(dǎo)體(ST)宣布與采埃孚科技集團(tuán)公司(ZF)簽署碳化硅器件長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議。從 2025 年起,采埃孚將從意法半導(dǎo)體采購(gòu)碳化硅器件。
2023-04-26 10:18:51930

碳化硅功率模組有哪些

碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報(bào)深受眾多專業(yè)讀者喜愛(ài),本期為番外篇,前五期主要介紹了碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的上中下游,本篇將深入了解碳化硅功率器件的應(yīng)用市場(chǎng),以及未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì),感謝各位
2023-05-31 09:43:20390

?228億涌入國(guó)內(nèi)碳化硅賽道

三安光電近日宣布,將與國(guó)際功率半導(dǎo)體巨頭意法半導(dǎo)體合資一家8英寸碳化硅器件工廠。
2023-06-11 14:31:0385

瑞薩電子與Wolfspeed簽署10年碳化硅晶圓供應(yīng)協(xié)議

長(zhǎng)達(dá) 10 年的供應(yīng)協(xié)議要求 Wolfspeed 自 2025 年向瑞薩電子供應(yīng)規(guī)?;a(chǎn)的 150mm 碳化硅裸晶圓和外延片,這將強(qiáng)化公司致力于從硅向碳化硅半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型的愿景。
2023-07-06 10:36:37277

羅姆收購(gòu)Solar Frontier碳化硅工廠 計(jì)劃到2027碳化硅功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)達(dá)139億

%的份額。到2027財(cái)年,將碳化硅功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的銷售額提升到2700億日元(約人民幣139億)。 為此,羅姆在收購(gòu)端開(kāi)始發(fā)力,羅姆已與Solar Frontier達(dá)成協(xié)議,收購(gòu)Solar
2023-07-19 19:37:01724

車用碳化硅功率模塊的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展趨勢(shì)

當(dāng)前,全球碳化硅產(chǎn)業(yè)格局呈現(xiàn)美、歐、日三足鼎立態(tài)勢(shì),碳化硅材料七成以上來(lái)自美國(guó)公司,歐洲擁有完整的碳化硅襯底、外延、器件以及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)鏈,日本則在碳化硅芯片、模塊和應(yīng)用開(kāi)發(fā)方面占據(jù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。
2023-08-15 10:07:41260

碳化硅功率器件的基本原理及優(yōu)勢(shì)

? 隨著新能源汽車的快速發(fā)展,碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域中的應(yīng)用也越來(lái)越多。碳化硅功率器件相比傳統(tǒng)的硅功率器件具有更高的工作溫度、更高的能耗效率、更高的開(kāi)關(guān)速度和更小的尺寸等優(yōu)點(diǎn),因此在新能源
2023-09-05 09:04:421880

碳化硅功率器件的結(jié)構(gòu)和工作原理

碳化硅功率器件是一種利用碳化硅材料制作的功率半導(dǎo)體器件,具有高溫、高頻、高效等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于電力電子、新能源等領(lǐng)域。下面介紹一些碳化硅功率器件的基礎(chǔ)知識(shí)。
2023-09-28 18:19:571219

東風(fēng)首批自主碳化硅功率模塊下線

智新半導(dǎo)體有限公司是東風(fēng)公司與中國(guó)中車2019年在武漢成立的,智新半導(dǎo)體碳化硅模塊項(xiàng)目基于東風(fēng)集團(tuán)“馬赫動(dòng)力”新一代800V高壓平臺(tái),項(xiàng)目于2021年進(jìn)行前期先行開(kāi)發(fā),2022年12月正式立項(xiàng)為量產(chǎn)項(xiàng)目。
2023-11-03 16:48:16328

碳化硅功率器件的實(shí)用性不及硅基功率器件嗎

碳化硅功率器件的實(shí)用性不及硅基功率器件嗎? 碳化硅功率器件相較于傳統(tǒng)的硅基功率器件具有許多優(yōu)勢(shì),主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面:材料特性、功率密度、溫度特性和開(kāi)關(guān)速度等。盡管碳化硅功率器件還存在一些挑戰(zhàn)
2023-12-21 11:27:09286

碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)應(yīng)及發(fā)展趨勢(shì)

隨著科技的不斷進(jìn)步,碳化硅(SiC)作為一種新型的半導(dǎo)體材料,在功率器件領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。碳化硅功率器件在未來(lái)具有很大的發(fā)展?jié)摿?,將在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著的優(yōu)勢(shì)。本文將介紹未來(lái)碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)
2024-01-06 14:15:03353

碳化硅功率器件簡(jiǎn)介、優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用

碳化硅(SiC)是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn),因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢(shì)。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件,主要包括
2024-01-09 09:26:49379

平煤神馬集團(tuán)與乾晶半導(dǎo)體達(dá)成戰(zhàn)略合作,推進(jìn)半導(dǎo)體碳化硅材料研發(fā)

中宜創(chuàng)芯,即河南中宜創(chuàng)芯發(fā)展有限公司,成立于2023年,注冊(cè)資本金為3億。它由中國(guó)平煤神馬控股集團(tuán)和平頂山發(fā)展投資控股集團(tuán)聯(lián)合出資組建,主營(yíng)高品質(zhì)碳化硅材料的制造與運(yùn)營(yíng)。
2024-01-09 15:06:13476

碳化硅特色工藝模塊簡(jiǎn)介

材料的生長(zhǎng)和加工難度較大,其特色工藝模塊的研究和應(yīng)用成為了當(dāng)前碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵。 碳化硅特色工藝模塊主要包括以下幾個(gè)方面: 注入摻雜 在碳化硅中,碳硅鍵能較高,雜質(zhì)原子難以在其中擴(kuò)散。因此,在制備碳化硅器件時(shí)
2024-01-11 17:33:14292

英飛凌與碳化硅供應(yīng)商SK Siltron CSS達(dá)成協(xié)議

英飛凌與韓國(guó)SK Siltron子企業(yè)SK Siltron CSS最近達(dá)成了一項(xiàng)重要協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議,SK Siltron CSS將為英飛凌提供6英寸碳化硅(SiC)晶圓,以支持英飛凌在SiC半導(dǎo)體生產(chǎn)方面的需求。
2024-01-17 14:08:35228

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