Vishay具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。采用業(yè)內(nèi)最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規(guī)格尺寸
2012-11-29 16:37:31
1694 Vishay宣布推出新款60 V TrenchFET?第四代n溝道功率MOSFET---SiSS22DN，業(yè)內(nèi)首款適用于標準柵極驅(qū)動電路的器件，10 V條件下最大導(dǎo)通電阻降至4 m?，采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝。
2019-10-05 07:04:005406 `深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) 50N06 50A/60V TO-252 MOS管 HN50N06DA，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷HN50N06DA參數(shù)：60V 50A TO-252 N溝道 MOS管
2021-03-30 14:13:25
`深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) 50N06 60V/50A 馬達驅(qū)動MOS管 TO-252 HN50N06 ，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷HN50N06DA參數(shù)：60V 50A TO-252 N溝道 MOS管
2020-07-31 14:38:46
成國內(nèi)首條集晶體生長、晶體加工、薄膜外延于一體的氧化鎵完整產(chǎn)業(yè)線。行業(yè)分析人士表示，氧化鎵是
第四代半導(dǎo)體材料，在市場對性能好、損耗低、
功率密度高的
功率器件需求不斷釋放背景下，氧化鎵市場發(fā)展?jié)摿薮?/div>
2023-03-15 11:09:59
型號:HC080N06LS【06N06】絲?。篐C606參數(shù)：60V 6A 類型：N溝道場效應(yīng)管 溝槽型內(nèi)阻72mR低結(jié)電容435pF 封裝：SOT23-3低開啟電壓1.8V廣泛用于車燈照明、車載
2021-03-08 16:42:08
`60V 12A N溝道功率場效應(yīng)（MOS）管 單管 STD12NF06LT4物料鏈接：http://www.hqchip.com/app/1174_n100官網(wǎng)：www.hqchip.com領(lǐng)品牌紅包：hqchip.com/act/coupon`
2019-07-09 15:13:27
60V耐壓-50N06TO-252 60V50AN溝道汽車燈電源MOS管【惠海半導(dǎo)體直銷】品牌：惠海半導(dǎo)體型HC012N06L2VDS：60V IDS：50ARDS(on)Max：14mΩ封裝
2020-12-02 15:59:03
惠海半導(dǎo)體供應(yīng)50N06 60V 50ATO-252 N溝道 MOS管HC012N06L，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷品牌：惠海型號：HC012N06LVDS：60V IDS：50A封裝：TO-252溝道：N
2020-11-30 14:31:14
60V耐壓mos管50N06_低成本_原廠直銷_種類齊全型號：HC15N10 N溝道場效應(yīng)管 100V15A(15N10)TO-252封裝，內(nèi)阻68mR,可用于加濕器、車燈電源等
2020-12-01 16:18:08
MOSFET 切換高于5V 的電壓，則需要另一個晶體管（某種晶體管）來打開和關(guān)閉它。P 溝道場效應(yīng)管P溝道區(qū)域位于P溝道MOSFET的源極和漏極之間。它是一個四端子器件，具有以下端子：柵極、漏極、源極和主體
2023-02-02 16:26:45
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計的過程中，選擇N管還是P管，要針對實際的應(yīng)用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
應(yīng)用中使用的功率IGBT和MOSFET。 輸出級的高工作電壓范圍提供了柵極控制設(shè)備所需的驅(qū)動電壓。 該光電耦合器提供的電壓和電流使其非常適合直接驅(qū)動額定功率高達800 V / 50 A的IGBT。對于
2019-10-30 15:23:17
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標準并經(jīng) 100% Rg 和 UIS 測試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護典型值達
2019-07-09 17:30:39
柵極（Gate），漏極（Drain）和源極（Source）。功率MOSFET為電壓型控制器件，驅(qū)動電路簡單，驅(qū)動的功率小，而且開關(guān)速度快，具有高的工作頻率。常用的MOSFET的結(jié)構(gòu)有橫向雙擴散型
2016-10-10 10:58:30
第四代CSR8670開發(fā)板開發(fā)步驟Rev1.2
2017-09-30 09:06:52
在4月26日召開的第十三屆中國衛(wèi)星導(dǎo)航年會（CSNC2022）上，深圳華大北斗科技股份有限公司研發(fā)的第四代北斗芯片正式發(fā)布。
這是一款擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的國產(chǎn)基帶和射頻一體化SoC芯片，作為
2023-09-21 09:52:00
能用還是未知數(shù)。那么，4G網(wǎng)絡(luò)來襲，晶振的再次變革還會遠嗎?為此，松季電子提到4G網(wǎng)絡(luò)的到來，電子產(chǎn)品行業(yè)的再一次革新將就此展開，晶振行業(yè)也將迎來新的發(fā)展?！ ?G是第四代移動通信及其技術(shù)的簡稱。與傳統(tǒng)
2013-11-15 15:56:24
第四代移動通信技術(shù)是什么？有什么主要特點？第四代移動通信系統(tǒng)有哪些關(guān)鍵技術(shù)？
2021-05-26 07:07:28
）新推出的企業(yè)和數(shù)據(jù)中心固態(tài)硬盤外形尺寸（EDSFF） E1.S等行業(yè)標準，采用體積更小、且支持第四代PCIe的非易失性存儲器高速（NVMe）固態(tài)硬盤?！ ∵@些固態(tài)硬盤要求控制器具備體積小和低功耗的特點
2020-11-23 06:10:45
N8322 是一款可驅(qū)動高端和低端 N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動芯片，可用于同步降壓、升降壓和半橋拓撲中。LN8322 內(nèi)部集成欠壓鎖死電路可以確保 MOSFET 在較低的電源電壓下處于關(guān)斷狀態(tài)
2022-01-12 13:39:25
LT1160的典型應(yīng)用 - 半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動器。 LT 1160 / LT1162是經(jīng)濟高效的半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動器
2019-05-14 09:23:01
1.說明LT86102SXE是Lontium的第四代2端口HDMI / DVI分配器，可以將一個HDMI / DVI信號轉(zhuǎn)發(fā)到2個HDMI / DVI信號集，最多支持2個不同的HDMI / DVI
2022-03-05 11:59:06
MIMO-OFDM系統(tǒng)為什么能成為第四代移動通信領(lǐng)域研究的熱點和重點？
2021-05-27 06:39:06
。二者的有效結(jié)合可以克服多徑效應(yīng)和頻率選擇性衰落帶來的不良影響，實現(xiàn)信號傳輸?shù)母叨瓤煽啃?，還可以增加系統(tǒng)容量，提高頻譜利用率，是第四代移動通信的熱點技術(shù)。
2019-06-18 07:12:10
”搜索 ，深圳市三佛科技有限公司，咨詢客服購買。【***賴,0755-85279055】【60V MOS N/P溝道】HN2310: 60V3A SOT23N溝道 MOS管HN04P06
2020-10-28 16:05:32
MOSFET最常用作輸入電壓低于15VDC的降壓穩(wěn)壓器中的高側(cè)開關(guān)。根據(jù)應(yīng)用的不同，N溝道MOSFET也可用作降壓穩(wěn)壓器高側(cè)開關(guān)。這些應(yīng)用需要自舉電路或其它形式的高側(cè)驅(qū)動器。圖1：具有電平移位器的高側(cè)驅(qū)動
2018-03-03 13:58:23
`深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) SLD80N06T 80A/60V TO-252 N溝道 MOS，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷SLD80N06T 參數(shù)：60V80ATO-252 N溝道MOS管品牌：美浦森
2021-04-07 15:06:41
LT1336的典型應(yīng)用是具有成本效益的半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動器。浮動驅(qū)動器可以驅(qū)動頂部N溝道功率MOSFET工作在高達60V（絕對最大值）的高壓（HV）軌道上工作
2019-05-10 06:46:05
溝道MOSFET也可用作降壓穩(wěn)壓器高側(cè)開關(guān)。這些應(yīng)用需要自舉電路或其它形式的高側(cè)驅(qū)動器。圖1：具有電平移位器的高側(cè)驅(qū)動IC。圖2：用自舉電路對高側(cè)N溝道MOSFET進行柵控。極性決定了MOSFET的圖形
2021-04-09 09:20:10
，即可實現(xiàn) 6.5~30V 輸入電壓、多種輸出電壓、輸出功率高達 15W 的隔離電源。VPS8703 內(nèi)部集成兩個 N 溝道功率 MOSFET 和兩個 P 溝道功率 MOSFET，并組成橋式連接方式。芯片
2022-11-11 14:44:13
組合包括50多種解決方案，用于企業(yè)、數(shù)據(jù)通信、移動通信和顯示等應(yīng)用中的物理層一致性測試、特性分析和調(diào)試。同時適用于第三代標準和第四代標準的解決方案，提供自動測試設(shè)置和執(zhí)行、內(nèi)置報告選項、深入分析等多種
2016-06-08 15:02:10
接上篇橫掃第四代串行測試文章，隔得太久大家可能忘記前排文章的內(nèi)容了，這里就不重復(fù)敘述了，上篇直通車→橫掃第四代串行測試一 隨著各種重大行業(yè)規(guī)范不斷進化，如PCIe，我們的測試測量工具也必須保持同步
2016-07-07 17:28:56
本文通過對本田第四代混合動力系統(tǒng)IMA的工作特性與主要零部件的分析研究，揭示了其基本的設(shè)計思想和工作原理，對于國內(nèi)輕度混聯(lián)混合動力汽車的研發(fā)具有一定的借鑒作用。
2021-05-12 06:08:11
TrenchFET? IV是TrenchFET功率MOSFET家族中的最新一代產(chǎn)品。與TrenchFET III相比，TrenchFET IV的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))和柵極電荷(QG, QGD
2013-12-31 11:45:20
，從而在不改變封裝體積的情況下提高輸出功率。另一個普遍的希望是，能夠最終避免采用插件封裝的器件（比如TO220、TO247）。阻斷電壓為40V和60V的最新一代英飛凌MOSFET，如今可滿足設(shè)計工
2018-12-06 09:46:29
階段，可見未來5年工地對第四代強制式干混砂漿罐的需求會越來越大。 那么一款專業(yè)的工人專用空氣凈化施工產(chǎn)品應(yīng)當是怎樣的標準呢？ 第四代強制式干混砂漿罐的產(chǎn)品介紹： 攪拌機開機后，罐內(nèi)的砂漿通過手動蝶閥或
2017-06-16 11:00:57
ADI最新推出設(shè)計用于LTE(長期演進)和第四代(4G)蜂窩基站的高集成度RF IC(射頻集成電路)系列。LTE是UMTS(通用移動電信系統(tǒng))標準的增強版，它被視為邁向蜂窩網(wǎng)絡(luò)中第四代射頻技術(shù)的終極階段。
2019-09-30 07:18:19
本文從基本概念、接入系統(tǒng)、關(guān)鍵技術(shù)等幾個方面全面介紹了第四代移動通信系統(tǒng)，并簡單介紹了OFDM 技術(shù)在第四代移動通信中的應(yīng)用。
2009-11-28 11:46:59
42 摘要：介紹了一種用于功率MOSFET的諧振柵極驅(qū)動電路。該電路通過循環(huán)儲存在柵極電容中的能量來實現(xiàn)減少驅(qū)動功率損耗的目的，從而保證了此驅(qū)動電路可以在較高的頻率下工作。
2010-05-04 08:38:1253 Intel 第四代Xeon?可擴展處理器Intel第4代Xeon? 可擴展處理器設(shè)計旨在加速以下增長最快工作負載領(lǐng)域的性能：人工智能 (AI)、數(shù)據(jù)分析、網(wǎng)絡(luò)、存儲器和高性能計算 (HPC) 。這些
2024-02-27 12:19:48
Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET，采用TurboFET技術(shù)
日前，Vishay Intertechnology推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。這些器件首次采用 T
2008-12-08 11:55:09635 
日前，Vishay Intertechnology宣布推出業(yè)界首款采用 MICRO FOOT 芯片級封裝的 TrenchFET 功率 MOSFET --- Si8422DB，該器件具有背面絕緣的特點。
Si8422DB 針對手機、PDA、數(shù)碼相機、MP3 播放器
2009-01-26 23:24:221152 功率MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動電路
2009-04-02 23:36:182182 
小信號應(yīng)用60V功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出采用SOT-923封裝的60V N溝道功率MOSFET --- SiM400。該器件為業(yè)界最小的60V功率MOSFET，比SC-70和SC-90等封裝能節(jié)約更多
2009-12-31 09:59:441420 第四代iPhone細節(jié)曝光
北京時間2月9日早間消息，美國數(shù)碼產(chǎn)品維修網(wǎng)站iResQ今天刊文，曝光了蘋果第四代iPhone的更多細節(jié)及圖片，第四代iPhone要比當前的iPhone 3
2010-02-09 11:00:00746 第四代iPhone細節(jié)曝光
2010-02-22 10:25:18354 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的
2010-04-07 10:52:52777 P溝道TrenchFET功率MOSFET管Si8499DB
Vishay推出首款采用芯片級MICRO FOOT®封裝的P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占
2010-04-29 11:27:351550 采用芯片級MICRO FOOT封裝的P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用芯片級MICRO FOOT封裝的P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET -
2010-04-30 08:42:49898 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:571559 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAIR 6mmx3.7mm封裝和TrenchFET Gen III技術(shù)的非對稱雙通道TrenchFET功率MOSFET ---
2010-11-25 08:43:23923 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK SC-70封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達到的最低導(dǎo)通電阻。
2011-01-26 09:04:081505 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK SC-70封裝，
2011-03-02 10:19:301341 日前，Vishay Intertechnology, Inc.發(fā)布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V下導(dǎo)通的此類器件。
2011-08-18 09:42:40850 MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFET?功率
2011-10-21 08:53:05873 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過JAN認證的，分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351491 Vishay 推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541383 ? 1212-8S封裝的-30V---SiSS27DN器件，擴充其TrenchFET? Gen III P溝道功率MOSFET。
2013-07-15 11:32:40783 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
2013-12-02 09:49:211075 x 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT?封裝尺寸的-20V器件---Si8851EDB，擴展其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay
2013-12-05 10:30:05898 日前，Vishay宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 Vishay發(fā)布采用PowerPAIR? 3mm x 3mm封裝，使用TrenchFET? Gen IV技術(shù)的新款30V非對稱雙片TrenchFET 功率MOSFET
2014-02-10 15:16:51890 賓夕法尼亞、MALVERN — 2017 年 2 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出第四代600V E系列功率
2017-02-10 15:10:111667 TrenchFET? 第四代功率MOSFET---SiA468DJ，為移動設(shè)備、消費電子和電源提供了更高的功率密度和效率。
2017-04-25 15:58:551514 ，簡稱 ADI） 旗下凌力爾特公司 （Linear Technology Corporation） 推出高速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器 LTC7004，該器件用高達 60V 的電源電壓運行
2017-09-11 09:36:582795 
描述 DRV832x 系列器件是一款適用于三相 應(yīng)用的集成式柵極驅(qū)動器。此類器件具有三個半橋柵極驅(qū)動器，每個驅(qū)動器都能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè) N 溝道功率 MOSFET。DRV832x 使用集成
2018-09-11 17:18:45367 美光宣布，已經(jīng)完成第四代3D NAND閃存的首次流片，應(yīng)用了全新的替換柵極(RG)架構(gòu)，并計劃在明年投入量產(chǎn)。
2019-10-14 16:04:32790 DRV832x 系列器件是適用于三相 應(yīng)用的集成式柵極驅(qū)動器。這些器件具有三個半橋柵極驅(qū)動器，每個驅(qū)動器都能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè) N 溝道功率 MOSFET。 DRV832x 使用集成電荷泵
2020-03-05 08:00:000 MOSFET及其應(yīng)用優(yōu)勢，以幫助設(shè)計人員在許多工業(yè)應(yīng)用中選擇這些器件。 圖1 N溝道耗盡型功率MOSFET N溝道耗盡型功率MOSFET的電路符號在圖1中給出。端子標記為G（柵極），S（源極）和D（漏極）。IXYS耗盡型功率MOSFET具有稱為垂直雙擴散MOSFET或DMOSFET的結(jié)構(gòu)，與市場上的其
2021-05-27 12:18:587444 
日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出最新第四代600 V EF系列快速體二極管MOSFET 器件---SiHH070N60EF。
2020-12-23 14:24:541692 Vishay/Siliconix SiR186LDP N溝道60V （D-S） MOSFET采用TrenchFET? Gen IV功率MOSFET技術(shù)。
2021-04-21 17:50:211274 
新型 30 V n 溝道 TrenchFET?第五代功率 MOSFET，提升隔離和非隔離拓撲結(jié)構(gòu)功率密度和能效。 Vishay Siliconix?SiSS52DN?采用熱增強型 3.3 mm
2021-05-28 17:25:572153 適用于標準柵極驅(qū)動電路的MOSFET8月12日，Vishay推出新款60 V TrenchFET?第四代n溝道功率MOSFET——SiSS22DN，業(yè)內(nèi)首款適用于標準柵極驅(qū)動電路的器件，10
2021-12-05 10:21:115 wifi技術(shù)標準第四代是第四代移動通信技術(shù)的意思，第五代就是第五代移動通信技術(shù)，那么這兩代之間有什么區(qū)別呢？
2022-01-01 16:43:0032492 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出兩款n溝道TrenchFET? MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E，以提高通信和工業(yè)應(yīng)用功率密度、能效和板級可靠性。
2022-02-07 15:37:08916 
Vishay 推出最新第四代 600 V E 系列功率 MOSFET 器件。Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60E 導(dǎo)通電阻比前一代 600 V E 系列 MOSFET
2022-02-26 13:25:351341 Vishay Intertechnology， Inc.（紐約證券交易所代碼：VSH）??推出了其第四代 600 VE 系列功率 MOSFET 中的最新器件。
2022-03-28 11:54:142011 NP50P06D6(60V P溝道增強模式MOSFET)
2022-07-13 10:49:341560 
（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用薄型PowerPAK? 10 x 12封裝的新型第四代600 V EF系列快速體二極管MOSFET---SiHK045N60EF。Vishay
2022-10-12 15:44:14375 
Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60EF 導(dǎo)通電阻比前代器件降低 29 %，為通信、工業(yè)和計算應(yīng)用提供高效、高功率密度解決方案，同時柵極電荷下降 60 %，從而使器件導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中 600V MOSFET 的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）創(chuàng)業(yè)界新低。
2022-10-14 16:16:12817 南芯科技SC8886S 是南芯科技推出的第四代升降壓控制器芯片，可滿足1-4 節(jié)電池大功率充電。SC8886S 與SC8886 相比，增強了Driver 的驅(qū)動能力，增大了默認死區(qū)時間。因此，除對多管并聯(lián)應(yīng)用時，不對MOS 的輸入柵極電容Ciss、柵極電荷Qgs、柵漏電流Qgd 進行限制。
2022-10-27 15:03:184318 N 溝道 LFPAK 60 V、8 mΩ 標準電平 MOSFET-PSMN8R5-60YS
2023-02-23 18:46:320 60V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV230ENEA
2023-03-03 19:34:480 在本文中，我們將學(xué)習(xí)如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構(gòu)建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅(qū)動電路，該電路可用于制造電機、逆變器和許多不同的功率轉(zhuǎn)換器的高效驅(qū)動電路。
2023-04-29 09:35:005290 
Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進一步提高工業(yè)、計算機、消費電子和通信應(yīng)用的功率密度，增強熱性能。
2024-02-22 17:11:08355 
全球知名半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14104 
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