埃賦隆半導體宣布推出一款高效率750W射頻功率晶體管BLF0910H9LS750P。
2019-04-09 08:48:22
1586 `恩智浦半導體在眾多半導體產(chǎn)品市場長期位于領(lǐng)先的位置，恩智浦半導體具有非常豐富的通用MICR產(chǎn)品系列，從經(jīng)典的8位/16位，數(shù)字信號控制器（DSC）,Arm7,Arm9到Arm Cortex-M
2018-06-20 17:26:44
是一種半導體器件，通過將一層半導體材料放置在兩層極性相反的材料之間而創(chuàng)建。NPN晶體管（如8050）通常在兩層負極材料之間有一層正極材料。相比之下，正負正（PNP）晶體管在兩個正極之間有一個負層
2023-02-16 18:22:30
915MHz頻段是RFID常用的頻段之一，本文設(shè)計了一款該頻段下工作的RFID天線，并借助ANSOFT HFSS計算軟件對天線系統(tǒng)進行了仿真分析，通過對貼片以及接地板開槽，使天線在保持高增益的情況下，在更寬的頻帶上具有更好的穩(wěn)定性，同時也減小了天線的尺寸，使天線整體性能更加完善。
2019-08-27 06:34:54
`本書主要針對的是半導體使用客戶，并把基礎(chǔ)理論作了簡單的闡述歸納總結(jié)。本手冊站在用戶的角度上，去了解IGBT、MOSFET功率模塊以及零散或集成的二極管和晶閘管(可控硅)。詳細介紹了它們的基本數(shù)
2018-09-06 16:30:02
功率半導體器件以功率金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管(功率MOSFET，常簡寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關(guān)時間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點，阻礙它的進一步發(fā)展?！?、結(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-15 11:59:52
半導體基礎(chǔ)知識與晶體管工藝原理
2012-08-20 08:37:00
上次我們學習了無源元件，今天我們接著來復習一下半導體以及使用了半導體的有源元件-二極管、晶體管、FET。
2021-03-03 08:36:01
半導體泵浦固體激光器的種類很多，可以是連續(xù)的、脈沖的、調(diào)Q的，以及加倍頻混頻等非線性轉(zhuǎn)換的。工作物質(zhì)的形狀有圓柱和板條狀的。
2020-03-10 09:03:12
，半導體的重要性都是非常巨大的。大部分的電子產(chǎn)品，如計算機、移動電話或是數(shù)字錄音機當中的核心單元都和半導體有著極為密切的關(guān)聯(lián)。集成電路是一種微型電子器件或部件，采用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管
2021-09-15 07:24:56
大家好，我是痞子衡，是正經(jīng)搞技術(shù)的痞子。今天痞子衡給大家介紹的是恩智浦i.MX RTxxx系列MCU的基本特性?！ ?b class="flag-6" style="color: red">恩智浦半導體于2017年開始推出的i.MX RT系列重新定義了MCU，其第一款
2021-11-04 07:08:30
恩智浦半導體（NXP Semiconductors）近日為時尚、零售和電子市場推出了其最新的UHF解決方案?；诮Y(jié)構(gòu)簡單、經(jīng)濟高效的單天線解決方案，UCODE G2iL和G2iL+不僅實現(xiàn)了行業(yè)領(lǐng)先
2019-08-01 08:28:10
晶體管分類 按半導體材料和極性分類 按晶體管使用的半導體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管?！ “唇Y(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33
？
再者在場效應(yīng)管這種單極性導電半導體中，為什么只是有一種離子導電，而非兩種離子，不像晶體管那種兩種離子導電，請問這是為什么？同樣對于場效應(yīng)管也有上面的問題？
2024-02-21 21:39:24
的設(shè)計，運算放大電路的設(shè)計與制作。下冊則共分15章，主要介紹FET、功率MOS、開關(guān)電源電路等。本書面向實際需要，理論聯(lián)系實際，通過大量具體的實驗，通俗易懂地介紹晶體管電路設(shè)計的基礎(chǔ)知識。1．1 學習晶體管電路
2009-11-20 09:41:18
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
晶體管的半導體的電流由空穴（正極性）和電子（負極性）產(chǎn)生。一般而言的晶體管是指這種由硅構(gòu)成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡稱，是指場效應(yīng)晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-04-10 06:20:24
本篇開始將為大家介紹“Si晶體管”。雖然統(tǒng)稱為“Si晶體管”，不過根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu)，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根據(jù)處理的電流、電壓和應(yīng)用進行分類。下面以“功率元器件”為主
2018-11-28 14:29:28
的電流、電壓和應(yīng)用進行分類。 下面以“功率元器件”為主題，從眾多晶體管中選取功率類元器件展開說明。其中，將以近年來控制大功率的應(yīng)用中廣為采用的MOSFET為主來展開。 先來看一下晶體管的分類與特征
2020-06-09 07:34:33
現(xiàn)代社會帶來了巨大的影響。2. 從鍺到硅最初，晶體管是由鍺（半導體）做成的。但是，鍺具有在80°C左右時發(fā)生損壞的缺點，因此現(xiàn)在幾乎都使用硅。硅是可以耐180°C左右熱度的物質(zhì)。3. 晶體管的作用
2019-05-05 00:52:40
）用業(yè)收集電子。晶體管的發(fā)射極電流IE與基極電流IB、集電極電流IC之間的關(guān)系如下：IE=IB+IC3．晶體管的工作條件晶體管屬于電流控制型半導體器件，其放大特性主要是指電流放大能力。所謂放大，是指當
2013-08-17 14:24:32
功率、集電極最大電流、最大反向電壓、電流放大系數(shù)等參數(shù)及外地人形尺寸等是否符合應(yīng)用電路的要求。 2．末級視放輸出管的選用彩色電視機中使用的末級視放輸出管，應(yīng)選用特征頻率高于80MHZ的高頻晶體管
2012-01-28 11:27:38
;nbsp; 晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為
2010-08-12 13:57:39
電子，雷達和微波應(yīng)用生產(chǎn)全系列AM晶體管。 這些AM晶體管最初由Microwave Semiconductor Corp.和S.T.制造。 ASI的AM晶體管覆蓋60 MHz至3.0 GHz的范圍，功率
2018-07-17 15:08:03
相比較，GaN具有更加優(yōu)異的性能；包含更高的擊穿場強；更高的飽和電子漂移效率和更高的導熱系數(shù)。與GaAs晶體管相比較，GaN HEMT還推出更高的功率密度和更寬的帶寬。CGHV96050F1使用金屬/陶瓷
2024-01-19 09:27:13
脈沖功率。 在沒有外部調(diào)諧的情況下，所有設(shè)備都在寬帶RF測試夾具中100％屏蔽了大信號RF參數(shù)。硅雙極匹配50歐姆210W輸出功率經(jīng)過100％大功率射頻測試C級操作IB0607S10功率晶體管
2021-04-01 10:07:29
我們獲得的新半導體材料生長和加工技術(shù)的S波段RF功率晶體管。今天仍然可以在美國和英國的每個機場部署先進的空中交通管制雷達系統(tǒng)。從那時起，我們每年都有這種經(jīng)驗，而今天，Integra為雷達應(yīng)用提供廣泛
2019-04-15 15:12:37
：IB3042-5產(chǎn)品名稱：晶體管Integra于1997年由一些企業(yè)工程師發(fā)起，他們相信他們可以為新一代雷達系統(tǒng)設(shè)計人員提供創(chuàng)新的高性能RF功率晶體管解決方案。我們推向市場的款產(chǎn)品是采用我們獲得的新半導體
2019-05-14 11:00:13
半導體元器件晶體管領(lǐng)域。功率半導體元器件的特點除了IGBT外，功率半導體元器件（晶體管領(lǐng)域）的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導體開關(guān)。根據(jù)其分別可支持的開關(guān)速度
2019-05-06 05:00:17
半導體元器件晶體管領(lǐng)域。功率半導體元器件的特點除了IGBT外，功率半導體元器件（晶體管領(lǐng)域）的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導體開關(guān)。根據(jù)其分別可支持的開關(guān)速度
2019-03-27 06:20:04
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管，旨在滿足P波段雷達系統(tǒng)的獨特需求。它在整個420-450 MHz頻率范圍內(nèi)運行。 在100毫秒以下，10％占空比脈沖條件
2021-04-01 10:35:32
MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor）是金屬-氧化物-半導體場效應(yīng)晶體管的縮寫，也叫場效應(yīng)管，是一種由運算器的基礎(chǔ)構(gòu)成
2023-03-08 14:13:33
兩個N型半導體和一個P型半導體組成。通常，NPN晶體管將一塊P型硅（基極）夾在兩塊N型（集電極和發(fā)射極）之間。排列如圖1所示。NPN晶體管如何工作？以下是說明NPN晶體管的基本原理和功能的主要描述。1
2023-02-08 15:19:23
一、引言PNP 晶體管是雙極結(jié)型晶體管（BJT）。PNP晶體管具有與NPN晶體管完全不同的結(jié)構(gòu)。在PNP晶體管結(jié)構(gòu)中，兩個PN結(jié)二極管相對于NPN晶體管反轉(zhuǎn)，使得兩個P型摻雜半導體材料被一層薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
眾所周知，像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導體單元因短路或負載失配等原因損壞時繼續(xù)工作。因此，將一個器件定義為“耐用晶體管”可能沒有清晰的界限。對硅LDMOS晶體管的耐用性測試通常是指器件
2019-06-26 07:11:37
晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能
2010-08-13 11:36:51
的金屬間距，從而實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)最高的晶體管密度。披露10納米制程的功耗和性能最新進展英特爾高級院士馬博（Mark Bohr）介紹了英特爾10納米制程工藝的最新細節(jié)，展現(xiàn)了英特爾的技術(shù)領(lǐng)先性。在晶體管密度
2017-09-22 11:08:53
放大電路的設(shè)計與制作，下冊則共分15章，主要介紹FET、功率MOS、開關(guān)電源電路等。《晶體管電路設(shè)計》(上)面向實際需要，理論聯(lián)系實際，通過大量具體的實驗，通俗易懂地介紹晶體管電路設(shè)計的基礎(chǔ)知識
2017-07-25 15:29:55
晶閘管）、IGCT（集成門極換流晶閘管）、IEGT（電子注入增強柵晶體管）、IPEM（集成電力電子模塊）、PEBB（電力電子積木）等。圖表2 功率半導體器件分類方式及代表類型（來源：電力電子技術(shù)
2019-02-26 17:04:37
??所謂晶體管是指用硅和鍺材料做成的半導體元器件，研制人員在為這種器件命名時，想到它的電阻變換特性，于是取名為trans-resister(轉(zhuǎn)換電阻)，后來縮寫為transistor，中文譯名就是
2019-12-16 13:33:31
的制造商生產(chǎn)半導體（晶體管是該設(shè)備家族的成員），因此有數(shù)千種不同的類型。有低功率、中功率和高功率晶體管，用于高頻和低頻工作，用于非常高電流和/或高電壓工作。本文概述了什么是晶體管、不同類型的晶體管
2023-08-02 12:26:53
用于高頻電路。砷化鎵組件在高頻、高功率、高效率、低噪聲指數(shù)的電氣特性均遠超過硅組件，空乏型砷化鎵場效晶體管(MESFET)或高電子遷移率晶體管(HEMT/PHEMT)，在3 V 電壓操作下可以有80
2019-07-29 07:16:49
功率管;根據(jù)半導體材料，有硅和鍺管等。放大器電路由共發(fā)射極、共基極和共集電極組成。》場效應(yīng)晶體管“場效應(yīng)”的含義是晶體管的原理是基于半導體的電場效應(yīng)。場效應(yīng)晶體管是根據(jù)場效應(yīng)原理工作的晶體管。場效應(yīng)管
2023-02-03 09:36:05
晶體管中半導體材料的排列有關(guān)。晶體管之間的連接稱為基極、集電極和發(fā)射極。幸運的是，工業(yè)自動化不需要了解半導體物理。PNP 與 NPN 切換由于固態(tài)設(shè)備是有源而非無源的，因此它們通常需要最少的工作功率
2023-02-03 09:50:59
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
對市場驅(qū)動因素的分析表明，加速WBG設(shè)備實現(xiàn)的更有效方法的商業(yè)采用需要降低組件的成本。這導致了圍繞用于控制高效系統(tǒng)的廉價WBG晶體管策略的大量研究。提高轉(zhuǎn)換器工作頻率可以減小儲能元件的尺寸，這
2023-02-21 16:01:16
。達林頓通常用于需要低頻高增益的地方。常見應(yīng)用包括音頻放大器輸出級、功率調(diào)節(jié)器、電機控制器和顯示驅(qū)動器?！ ∵_林頓晶體管也被稱為達林頓對，由貝爾實驗室的西德尼達林頓于 1953 年發(fā)明。在 1950
2023-02-16 18:19:11
的規(guī)則，則可以互換使用NPN和PNP晶體管。雙極晶體管實際上是兩個背靠背連接的二極管，基極用作公共連接。PNP 結(jié)點如何工作？PNP晶體管是由夾在兩個P型半導體之間的N型半導體組成的雙極結(jié)型晶體管
2023-02-03 09:45:56
常用的半導體元件還有利用一個PN結(jié)構(gòu)成的具有負阻特性的器件一單結(jié)晶體管，請問這個單結(jié)晶體管是什么？能夠?qū)崿F(xiàn)負阻特性？
2024-01-21 13:25:27
的作用相當于一個二極管D。國產(chǎn)單結(jié)晶體管的型號有BT31、BT32、BT33、BT35等多種。其中B表示半導體，T表示特種管，3表示電極數(shù)，第四個數(shù)表示耗散功率（分別代表100、200、300和500mW）。 購線網(wǎng) gooxian.com專業(yè)定制各類測試線（同軸線、香蕉頭測試線，低噪線等）
2018-01-09 11:39:27
支持更小的體積、更高的集成度、更少的外圍器件。友恩將從半導體晶圓高低壓集成器件工藝技術(shù)和高功率密度封裝技術(shù)兩大方向協(xié)同推進新一.代更高集成度的開關(guān)電源芯片及其解決方案的研發(fā)。針對 GaN 晶體管的高頻
2020-10-30 09:39:44
僅是由多數(shù)載流子參與導電,它與雙極型相反,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
2021-05-24 06:27:18
同國產(chǎn)管的第三位基本相同。 晶體管是內(nèi)部含有兩個PN結(jié)，外部通常為三個引出電極的半導體器件。它對電信號有放大和開關(guān)等作用，應(yīng)用十分廣泛。二、晶體管的種類晶體管有多種分類方法。（一）按半導體材料和極性
2012-07-11 11:36:52
）需要幾毫安才能上電，并且可以由邏輯門輸出驅(qū)動。然而，螺線管、燈和電機等大功率電子設(shè)備比邏輯門電源需要更多的電力。輸入晶體管開關(guān)。 晶體管開關(guān)操作和操作區(qū)域 圖 1 中圖表上的藍色陰影區(qū)域表示飽和
2023-02-20 16:35:09
德國PHOTONTEC公司生產(chǎn)的大功率半導體激光器PHOTONTEC能為您解決在泵浦、激光醫(yī)療、激光加工等應(yīng)用領(lǐng)域的需求。PHOTONTEC公司能為您提供量身定制的解決方案
2009-12-08 09:34:25
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
客戶需要在電源管理、開關(guān)和保護應(yīng)用中采用更小的二極管和晶體管，以便在其便攜式產(chǎn)品中集成更多特性——而不會增大其終端產(chǎn)品的尺寸或降低電源效率。推出微型SOD-723封裝的六種最常用分立元件是安森美半導體
2008-06-12 10:01:54
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
，掌握它們的特性和參數(shù)。本章從討論半導體的導電特性和PN 結(jié)的單向?qū)щ娦蚤_始，分別介紹二極管、雙極型晶體管、絕緣柵場效應(yīng)晶體管和半導體光電器件等常用的半導體元器件。喜歡的頂一頂，介紹的非常詳細哦。。。。[此貼子已經(jīng)被作者于2008-5-24 11:05:21編輯過]
2008-05-24 10:29:38
位功能，可用于各種開關(guān)拓撲控制碳化硅（SiC）或硅MOSFET和IGBT功率晶體管。STGAP2SCM配備一個有源米勒鉗位專用引腳，為設(shè)計人員防止半橋配置晶體管意外導通提供一個簡便的解決方案。在
2018-08-06 14:37:25
抗飽和晶體管的作用 羅姆應(yīng)用筆記 前些天我出差到杭州臨安節(jié)能燈市場，在銷售員的帶領(lǐng)下走了幾家節(jié)能燈制造廠，我發(fā)現(xiàn)市場上對深愛半導體公司生產(chǎn)的節(jié)能燈用晶體管比較歡迎。雖然客戶跟我說了原因，但我認為
2009-12-17 10:27:07
晶體管的半導體的電流由空穴（正極性）和電子（負極性）產(chǎn)生。一般而言的晶體管是指這種由硅構(gòu)成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡稱，是指場效應(yīng)晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-05-05 01:31:57
本文討論了商用氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管相比在軟開關(guān)LLC諧振轉(zhuǎn)換器方面的優(yōu)勢。介紹隨著更高功率、更小尺寸和更高效率的明顯趨勢，高頻 LLC 諧振轉(zhuǎn)換器是業(yè)內(nèi)隔離式
2023-02-27 09:37:29
幾十年來，電子設(shè)備變得越來越小，科學家們現(xiàn)已能將數(shù)百萬個
半導體集成在單個硅芯片上。天一通訊科技，變號軟件，該研究的領(lǐng)導者、密歇根理工大學的物理學家葉躍進（音譯）表示：“以目前的技術(shù)發(fā)展形勢看，10年到20年間，這種
晶體管不可能變得更小。
半導體還有另一個先天不足，即會以熱的形式浪費大量能源?！?/div>
2013-07-03 10:44:31
(MicrosemiCorporation)擴展其基于碳化硅襯底氮化鎵(GaNonSiC)技術(shù)的射頻(RF)晶體管系列，推出新型S波段500WRF器件2729GN-500，新器件瞄準大功率空中交通控制機場監(jiān)視雷達(ASR
2012-12-06 17:09:16
和頻率電子應(yīng)用中實現(xiàn)更高的效率而制造的。ST’s vipergan50高電壓轉(zhuǎn)換器我們首先要宣布的是來自意法半導體的消息。最近，它推出了 VIPERGAN50，一種基于 GaN 晶體管的功率轉(zhuǎn)換器，為
2022-06-15 11:43:25
。由于成本下降，可再生能源系統(tǒng)的使用正在世界范圍內(nèi)擴大。這些系統(tǒng)需要將直流電源轉(zhuǎn)換為電網(wǎng)同步的交流電源。目前，實現(xiàn)這項任務(wù)的逆變器是用分立晶體管設(shè)計制造的。TowerJazz半導體公司
2021-11-11 09:29:38
電子產(chǎn)品中，近年來逐漸被晶體管和集成電路所取代，但目前在一些高保真音響器材中，仍然使用電子管作為音頻功率放大器件?！ 《?b class="flag-6" style="color: red">晶體管是一種固體半導體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多
2016-01-26 16:52:08
導讀：近日，英飛凌宣布推出700瓦L波段射頻功率晶體管。該晶體管具備業(yè)界最高的L波段輸出功率（700瓦），適用于工作頻率范圍為1200 MHz~1400 MHz的雷達系統(tǒng)。這種新型器件可通過減少
2018-11-29 11:38:26
沒事看看了電力電子，看到這個原理圖，有點迷糊了，按圖所示，如果集電極C處為N型半導體，按照圖中來C極應(yīng)該接負極才對呀？為什么還接正極？這樣如何導通？有沒有大神指導下GTR的雙晶體管模型是什么樣的？
2020-06-11 09:03:42
協(xié)議棧呢？請問TI是否有支持868/915Mhz的zigbee網(wǎng)絡(luò)解決方案？謝謝！/* Default channel is Channel 11 - 0x0B */// Channels
2018-08-13 08:07:03
有的話，硬件方案和軟件方案分別是什么呢？用了2.4GHZ的Zstack，但是查915MHZ的沒找到。
2018-08-13 08:11:08
e絡(luò)盟日前宣布推出新型恩智浦FRDM-K82F開發(fā)板，進一步豐富其面向基于ARM Cortex-M4內(nèi)核的Kinetis K82、K81及K80 MCU系列高性能、低功耗及安全微控制器
2018-09-17 17:41:34
、上位機等，給新手綜合學習的平臺，給老司機交流的平臺。所有文章來源于項目實戰(zhàn)，屬于原創(chuàng)。一、原理介紹晶體三極管中有兩種帶有不同極性電荷的載流子參與導電，故稱之為雙極性晶體管(BJT),又稱半導體三...
2021-07-21 06:31:06
915MHZ無線收發(fā)器nRF905:nRF905 單片無線收發(fā)器工作在433/868/915MHZ 的ISM 頻段。由一個完全集成的頻率調(diào)制器，一個帶解調(diào)器的接收器，一個功率放大器，一個晶體震蕩器和一個調(diào)節(jié)器組
2009-09-02 15:38:48
98 恩智浦半導體NXP Semiconductors今天宣布推出廣播發(fā)射機和工業(yè)用600W LDMOS超高頻(UHF)射頻功率晶體管BLF888A。恩智浦
2010-09-30 09:28:38849 飛思卡爾半導體公司以合理的性價比點，面向OEM(原始設(shè)備制造商)推出三款先進的工業(yè)RF功率晶體管。 增強的耐用性與領(lǐng)先的RF性能結(jié)合，使OEM廠商能夠大幅縮減在工業(yè)和商用
2010-11-23 09:31:271045 2011年9月9日，德克薩斯州奧斯汀市 – 飛思卡爾半導體 (NYSE:FSL)宣布推出高功率射頻LDMOS晶體管，該產(chǎn)品結(jié)合了業(yè)界最高的輸出功率、效率和其同類競爭器件中最強的耐用性，專門面向U
2011-09-13 18:25:061179 恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ：NXPI) 近日發(fā)布業(yè)內(nèi)首款采用2-mm x 2-mm 3管腳無引腳DFN封裝的中功率晶體管BC69PA
2011-11-30 16:20:222160 意法半導體推出打破高壓功率MOSFET晶體管世界記錄的MDmesh V功率MOSFET晶體管，MDmesh V系列已是市場上性能最高的功率MOSFET晶體管，擁有最低的單位面積通態(tài)電阻
2011-12-27 17:29:101277 
915nm158W高功率半導體激光器
2017-01-14 00:46:330 全球最大的射頻功率晶體管供應(yīng)商恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)今日宣布推出業(yè)內(nèi)面向915MHz應(yīng)用的最高功率晶體管。MRF13750H晶體管提供750W連續(xù)波(CW
2017-07-05 11:41:11296 埃賦隆半導體（Ampleon）今天宣布推出大功率堅固型BLF189XRA RF功率晶體管，用于88-108MHz頻率范圍內(nèi)的廣播FM無線電應(yīng)用。
2018-09-30 16:41:002731 荷蘭奈梅亨 – 埃賦隆半導體（Ampleon）今天宣布推出一款高效率750W射頻功率晶體管BLF0910H9LS750P。它在915MHz時效率為72.5%，為同類最佳，其堅固耐用型設(shè)計也使其成為了工業(yè)和專業(yè)射頻能源應(yīng)用的理想選擇。
2019-04-10 15:13:06965 埃賦隆半導體（Ampleon）近日宣布推出一款高效率750W射頻功率晶體管BLF0910H9LS750P。它在915MHz時效率為72.5%，為同類最佳，其堅固耐用型設(shè)計也使其成為了工業(yè)和專業(yè)射頻能源應(yīng)用的理想選擇。
2019-05-16 14:15:172639 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《CC1120EM 868/915MHz參考設(shè)計.zip》資料免費下載
2022-09-05 14:16:082 意法半導體(簡稱ST)推出了100W無線充電接收器芯片，這是業(yè)內(nèi)額定功率最高的無線充電接收芯片，面向當前市場上最快的無線充電。使用意法半導體的新芯片STWLC99，不到30分鐘即可將一部電池容量最大的高端智能手機充滿電。
2022-12-08 10:17:04818 意法半導體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設(shè)計余量、耐變性能和更長久的可靠性。
2023-09-12 10:38:00483 已全部加載完成
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