閃存存儲解決方案，分立器件，定制SoC / ASIC，數(shù)字多媒體和成像產(chǎn)品，微控制器（MCU）和無線組件的全球領(lǐng)導(dǎo)者.Toshiba產(chǎn)品是汽車的理想選擇 ，成像，LED照明，移動，多媒體和無線
2018-07-24 18:05:11
晶體管，還是MOS管？哪個漏電流??？一般常用哪些型號？
2019-10-23 07:52:32
?！ ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管中的每個層都附有引線。由此產(chǎn)生的端子稱為發(fā)射極、基極和集電極。底座始終是中間層?！ 」ぷ髟怼 ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管基本上是一個電子開關(guān)。電源電壓和負(fù)載通過集電極和發(fā)射極端子接線。在沒有對基極端子施加電壓
2023-02-16 18:22:30
DC/DC 開關(guān)控制器的 MOSFET 選擇是一個復(fù)雜的過程。僅僅考慮 MOSFET 的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的 MOSFET。要想讓 MOSFET 維持在規(guī)定范圍以內(nèi)，必須在低柵極電荷
2019-11-30 18:41:39
晶體管開關(guān)DC-DC電源的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)圖
2019-04-28 13:52:56
一、晶體管開關(guān)電路：是一種計數(shù)地接通-斷開晶體管的集電極-發(fā)射極間的電流作為開關(guān)使用的電路，此時的晶體管工作在截止區(qū)和飽和區(qū)。當(dāng)需要輸出大的負(fù)載電流時，由于集電極電流(負(fù)載電流)是放大基極電流而來
2021-10-29 09:25:31
，將其與LY62L5128連接，搭建存儲器編程開發(fā)環(huán)境，如圖： 按鈕SW-PB：S1，S2，S3，分別通過MOS晶體管開關(guān)電路，連接到LY62L5128的控制引腳WE#，OE#，CE#。 因為MOS
2016-08-30 04:32:10
晶體管并聯(lián)時，當(dāng)需要非常大的電流時，可以將幾個晶體管并聯(lián)使用。因為存在VBE擴(kuò)散現(xiàn)象，有必要在每一個晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個小電阻。電阻R用以保證流過每個晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據(jù)
2024-01-26 23:07:21
工作頻率可分為低頻晶體管、高頻晶體管和超高頻晶體管等?！ “捶庋b結(jié)構(gòu)分類 晶體管按封裝結(jié)構(gòu)可分為金屬封裝（簡稱金封）晶體管、塑料封裝（簡稱塑封）晶體管、玻璃殼封裝（簡稱玻封）晶體管、表面封裝（片狀
2010-08-12 13:59:33
晶體管的電流方向相反。如果使晶體管以開關(guān)方式工作，需要加大基極電流晶體管VCE的飽和狀態(tài)當(dāng)晶體管處于開關(guān)工作方式時，因為電源電壓和集電極電阻的限制，集電極IC不足以提供hFEIB大小的電流。因此
2017-03-28 15:54:24
、電壓／電流反饋放大電路、晶體管／FET開關(guān)電路、模擬開關(guān)電路、開關(guān)電源、振蕩電路等。上冊則主要介紹放大電路的工作、增強(qiáng)輸出的電路、功率放大器的設(shè)計與制作、拓寬頻率特性等。`
2019-03-06 17:29:48
太多，可靠性較差，運(yùn)算速度不快，價格昂貴，體積龐大，這些都使計算機(jī)發(fā)展受到限制。于是，晶體管開始被用來作計算機(jī)的元件。晶體管利用電訊號來控制自身的開合，而且開關(guān)速度可以非常快，實驗室中的切換速度可達(dá)
2021-01-13 16:23:43
時，先將hFE/ICEO選擇開關(guān)置于ICEO檔，選擇晶體管的極性，將被測晶體管的三個引腳插個測試孔，然后按下ICEO鍵，從表中讀出反向擊穿電流值即可。2．放大能力的檢測 晶體管的放大能力可以用萬用表
2012-04-26 17:06:32
供應(yīng)晶圓芯片，型號有： 可控硅， 中、大功率晶體管，13000系列晶體管，達(dá)林頓晶體管，高頻小信號晶體管，開關(guān)二極管，肖特基二極管，穩(wěn)壓二極管等。有意都請聯(lián)系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
晶體管測量模塊的基本特性有哪些？晶體管測量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
從事電子設(shè)計7年了，發(fā)覺這兩本書挺好的，發(fā)上來給大家分享一下附件晶體管電路設(shè)計（上）放大電路技術(shù)的實驗解析.pdf42.5 MB晶體管電路設(shè)計（下）FET_功率MOS_開關(guān)電路的實驗解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
的設(shè)計，運(yùn)算放大電路的設(shè)計與制作。下冊則共分15章，主要介紹FET、功率MOS、開關(guān)電源電路等。本書面向?qū)嶋H需要，理論聯(lián)系實際，通過大量具體的實驗，通俗易懂地介紹晶體管電路設(shè)計的基礎(chǔ)知識。1．1 學(xué)習(xí)晶體管電路
2009-11-20 09:41:18
控制大功率現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率，使用功率晶體管作為開關(guān)有很多優(yōu)點(diǎn)，主要是；(1)容易關(guān)斷，所需要的輔助元器件少，(2)開關(guān)迅速，能在很高的頻率下工作，(3)可得到的器件耐壓范圍從
2018-10-25 16:01:51
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
（電阻器）組成。構(gòu)成晶體管的硅是形成地球的巖石中大量含有的物質(zhì)。因此，晶體管也俗稱"石"，設(shè)計者常用"…之石"的叫法3. 按集成度分類為滿足客戶需求，ROHM在分立式
2019-04-10 06:20:24
的電流、電壓和應(yīng)用進(jìn)行分類。 下面以“功率元器件”為主題，從眾多晶體管中選取功率類元器件展開說明。其中，將以近年來控制大功率的應(yīng)用中廣為采用的MOSFET為主來展開。 先來看一下晶體管的分類與特征
2020-06-09 07:34:33
題，從眾多晶體管中選取功率類元器件展開說明。其中，將以近年來控制大功率的應(yīng)用中廣為采用的MOSFET為主來展開。首先是基礎(chǔ)性的內(nèi)容，來看一下晶體管的分類與特征。Si晶體管的分類Si晶體管的分類根據(jù)
2018-11-28 14:29:28
是"增幅"和"開關(guān)"。比如收音機(jī)。放大空中傳播的極微弱信號，使音箱共鳴。這一作用便是晶體管的增幅作用。不改變輸入信號的波形，只放大電壓或電流。這是模擬信號的情況，但是
2019-07-23 00:07:18
是"增幅"和"開關(guān)"。比如收音機(jī)。放大空中傳播的極微弱信號，使音箱共鳴。這一作用便是晶體管的增幅作用。不改變輸入信號的波形，只放大電壓或電流。這是模擬信號的情況，但是
2019-05-05 00:52:40
晶體管的發(fā)射極箭頭朝內(nèi)，NPN型晶體管的發(fā)射極箭頭朝外。2．三極管各個電極的作用及電流分配晶體管三個電極的電極的作用如下：發(fā)射極（E極）用來發(fā)射電子；基極（B極）用來控制E極發(fā)射電子的數(shù)量；集電極（C極
2013-08-17 14:24:32
、2SD1431、2SD1553、2SD1541等型號的高反壓大功率開關(guān)晶體管。 6．達(dá)林頓管的選用達(dá)林頓管廣泛應(yīng)用于音頻功率輸出、開關(guān)控制、電源調(diào)整、繼電器驅(qū)動、高增益放大等電路中。 繼電器驅(qū)動電路與高增益
2012-01-28 11:27:38
;nbsp; 晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為
2010-08-12 13:57:39
`一、場效應(yīng)晶體管選擇的重要性隨著電子產(chǎn)品更新?lián)Q代的速度，我們對電子產(chǎn)品性能的要求也越來越高，在一些電子產(chǎn)品的電路設(shè)計與研發(fā)中，不光是開關(guān)電源電路中，還有在便攜式電子產(chǎn)品的電路中都會用到場效應(yīng)晶體管
2019-04-02 11:32:36
系統(tǒng)AM81214-030產(chǎn)品詳情ASI為UHF，航空電子，雷達(dá)和微波應(yīng)用生產(chǎn)全系列AM晶體管。 這些AM晶體管最初由Microwave Semiconductor Corp.和S.T.制造。 ASI
2018-07-17 15:08:03
描述概述了ATMEGA644PA微控制器上自制的晶體管測試儀，采用晶體管測試儀的標(biāo)準(zhǔn)電路（非擴(kuò)展電路）組裝。
2022-07-25 06:29:13
至少800W的峰值脈沖功率。 該雙極晶體管利用金金屬化系統(tǒng)來實現(xiàn)最大的可靠性。 發(fā)射極鎮(zhèn)流電阻集成在有源電池中，可實現(xiàn)最佳的熱分布和最大的可靠性。 所有設(shè)備都針對大信號RF參數(shù)進(jìn)行了100％篩選。硅雙
2021-04-01 10:11:46
`產(chǎn)品型號：IB3042-5產(chǎn)品名稱：晶體管Integra于1997年由一些企業(yè)工程師發(fā)起，他們相信他們可以為新一代雷達(dá)系統(tǒng)設(shè)計人員提供創(chuàng)新的高性能RF功率晶體管解決方案。我們推向市場的款產(chǎn)品是采用
2019-04-15 15:12:37
：IB3042-5產(chǎn)品名稱：晶體管Integra于1997年由一些企業(yè)工程師發(fā)起，他們相信他們可以為新一代雷達(dá)系統(tǒng)設(shè)計人員提供創(chuàng)新的高性能RF功率晶體管解決方案。我們推向市場的款產(chǎn)品是采用我們獲得的新半導(dǎo)體
2019-05-14 11:00:13
電壓（與功率MOSFET的低導(dǎo)通電阻相當(dāng)）和較快的開關(guān)特性的晶體管。盡管其具有較快的開關(guān)特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點(diǎn)?！竟β试骷幕窘Y(jié)構(gòu)與特點(diǎn)
2019-05-06 05:00:17
電壓（與功率MOSFET的低導(dǎo)通電阻相當(dāng)）和較快的開關(guān)特性的晶體管。盡管其具有較快的開關(guān)特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點(diǎn)。【功率元器件的基本結(jié)構(gòu)與特點(diǎn)
2019-03-27 06:20:04
，可提供至少250 W的峰值輸出功率，通常具有> 24 dB的增益和75％的效率。它通過50 V電源電壓工作。 為了獲得最佳的熱效率，該晶體管封裝在帶有環(huán)氧密封陶瓷蓋的金屬基封裝中。特征
2021-04-01 10:35:32
IGN1090M800雷達(dá)晶體管產(chǎn)品介紹IGN1090M800報價IGN1090M800代理IGN1090M800IGN1090M800現(xiàn)貨,李先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司,Integra
2019-05-20 09:16:24
本帖最后由 射頻技術(shù) 于 2018-11-12 10:27 編輯
IGT2731L120雷達(dá)晶體管產(chǎn)品介紹IGT2731L120報價IGT2731L120代理
2018-11-12 10:26:20
金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路
2018-12-28 15:44:03
的，因此在發(fā)射極E上使用箭頭來指示電流方向。晶體管的放大功能是：集電極電流由基極電流控制（假設(shè)電源可以為集電極提供足夠大的電流），基極電流的微小變化會引起集電極電流的較大變化：集電極電流的變化是基極電流
2023-02-08 15:19:23
低功耗設(shè)計中，晶體管控制電路會對電路產(chǎn)生一定的影響。無論是NPN還是PNP，晶體管的PN結(jié)都會有漏電流。當(dāng)I/O控制基極電壓時，為了穩(wěn)定基極電壓，一般在NPN開關(guān)電路的基極上加一個下拉電阻。在PNP開關(guān)電路的設(shè)計中，基極增加了一個下拉電阻。上拉和下拉電阻根據(jù)控制芯片、晶體管和電路電壓進(jìn)行選擇。
2023-02-15 18:13:01
型摻雜半導(dǎo)體材料隔開。PNP晶體管中的大多數(shù)電流載流子是空穴s，而電子是少數(shù)電流載流子。施加到PNP晶體管的所有電源電壓的極性都是反轉(zhuǎn)的。電流在PNP中吸收到基極，由于PNP是電流控制器件，適度的基極
2023-02-03 09:44:48
。晶體管作為一種可變開關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關(guān)，和一般機(jī)械開關(guān)（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號來控制，而且開關(guān)速度可以非常之快，在實驗室中
2010-08-13 11:36:51
晶體管開關(guān)的作用控制大功率 現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率，使用功率晶體管作為開關(guān)有很多優(yōu)點(diǎn)，主要是； (1)容易關(guān)斷，所需要的輔助元器件少， (2)開關(guān)迅速，能在很高的頻率下工
2010-08-13 11:38:59
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個晶體管來代替，MFR151管子能用哪個來代替？或是誰有這兩個高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
放大電路的設(shè)計與制作，下冊則共分15章，主要介紹FET、功率MOS、開關(guān)電源電路等?！?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設(shè)計》(上)面向?qū)嶋H需要，理論聯(lián)系實際，通過大量具體的實驗，通俗易懂地介紹晶體管電路設(shè)計的基礎(chǔ)知識
2017-07-25 15:29:55
,和場效應(yīng)晶體管一樣，具有放大作用和開關(guān)特性的，是電子設(shè)備中的核心器件之- -，應(yīng)用十分廣泛。三極管和場效應(yīng)晶體管雖然特性，外形相同，但是工作原理卻大不-樣，普通三極管是電流控制器件，二場效應(yīng)晶體管是電壓
2019-04-09 11:37:36
、開關(guān)等。這是一種電壓控制器件，不使用任何偏置電流。一旦在柵極和源極端子之間施加電壓，它就會控制 JFET 晶體管的源極和漏極之間的電流。
結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JUGFET 或 JFET）沒有 PN 結(jié)，但
2023-08-02 12:26:53
互補(bǔ)晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
晶體管是通常用于放大器或電控開關(guān)的半導(dǎo)體器件。晶體管是調(diào)節(jié)計算機(jī)、移動電話和所有其他現(xiàn)代電子電路運(yùn)行的基本構(gòu)件。由于其高響應(yīng)和高精度，晶體管可用于各種數(shù)字和模擬功能，包括放大器、開關(guān)、穩(wěn)壓器、信號
2023-02-03 09:36:05
帶來麻煩。眾所周知，PNP 和 NPN傳感器都配有正負(fù)電源線，然后輸出信號以表示“開啟”狀態(tài)。在“開啟”狀態(tài)下，PNP 傳感器向工業(yè)控制輸入產(chǎn)生正信號，而 NPN傳感器產(chǎn)生負(fù)信號。如果您在學(xué)習(xí)晶體管之前
2023-02-03 09:50:59
。達(dá)林頓通常用于需要低頻高增益的地方。常見應(yīng)用包括音頻放大器輸出級、功率調(diào)節(jié)器、電機(jī)控制器和顯示驅(qū)動器?！ ∵_(dá)林頓晶體管也被稱為達(dá)林頓對，由貝爾實驗室的西德尼達(dá)林頓于 1953 年發(fā)明。在 1950
2023-02-16 18:19:11
鰭式場效應(yīng)晶體管優(yōu)勢 更好地控制通道 抑制短通道效應(yīng) 更低的靜態(tài)漏電流 更快的開關(guān)速度 更高的漏極電流（每個封裝的驅(qū)動電流更大） 更低的開關(guān)電壓 低功耗 鰭式場效應(yīng)晶體管缺點(diǎn) 難以
2023-02-24 15:25:29
的基礎(chǔ)知識和基本實驗，內(nèi)容包括FET放大電路、源極跟隨器電路、功率放大器、電壓／電流反饋放大電路、晶體管／FET開關(guān)電路、模擬開關(guān)電路、開關(guān)電源、振蕩電路等。上冊則主要介紹放大電路的工作、增強(qiáng)輸出的電路
2017-06-22 18:05:03
晶體管，基極上的電壓必須低于發(fā)射極上的電壓。像這樣的基本電路通常將發(fā)射器連接到電源的加號。通過這種方式，您可以判斷發(fā)射極上的電壓。PNP 晶體管如何開啟？PNP 和 NPN 晶體管的端子電阻值然后，我們
2023-02-03 09:45:56
場效應(yīng)晶體管在芯片中的作用講起：開關(guān)電源芯片就是利用電子開關(guān)器件如晶體管、場效應(yīng)晶體管、閘流管等，通過控制電路，使電子開關(guān)器件不停地“接通”和“關(guān)斷”，讓電子開關(guān)器件對輸入電壓進(jìn)行脈沖調(diào)制，維持穩(wěn)定輸出電壓
2019-04-01 11:54:28
做了一個單結(jié)晶體管仿真（電力電子技術(shù)的初學(xué)者）。有個問題請教于各位高手。1：開關(guān)初始時刻是閉合的時候，點(diǎn)擊仿真，發(fā)光二極管不亮 。:2：初始時刻，開關(guān)打開，點(diǎn)擊仿真后，點(diǎn)擊開關(guān)閉合，二極管開始閃爍。按照道理來說。情境1與情境2不應(yīng)該是一樣的嗎，為什么會有差別啊。
2017-03-07 21:07:45
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請問誰有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
IRF7480MTRPBF晶體管場效應(yīng)MOS管DSPIC33EP64GS504-I/ML 微控制器
2020-11-11 06:08:53
“晶體管開關(guān)”，是使用晶體管控制電路通斷的開關(guān)。根據(jù)實際應(yīng)用場景，也稱“模擬開關(guān)（Analog Switch）”或“邏輯開關(guān)（Logic Switch）”。它或許是一些電子發(fā)燒友們DIY時遇到
2016-08-30 01:01:44
音頻放大器的差分輸入電路及調(diào)制、較大、阻抗變換、穩(wěn)流、限流、自動保護(hù)等電路，可選用結(jié)型場效應(yīng)晶體管。音頻功率放大、開關(guān)電源、逆變器、電源轉(zhuǎn)換器、鎮(zhèn)流器、充電器、電動機(jī)驅(qū)動、繼電器驅(qū)動等電路，可選
2021-05-13 07:10:20
的目的。圖2給出了一種利用場效應(yīng)管實現(xiàn)的電源開關(guān)的控 制結(jié)構(gòu)，當(dāng)然，可以根據(jù)系統(tǒng)的需求設(shè)計不同的電源開關(guān)結(jié) 構(gòu)。2、金升陽AD-DC電源模塊：本設(shè)計選擇金升陽AD-DC 電源模塊（例如LS03系列
2018-10-12 17:04:35
）需要幾毫安才能上電，并且可以由邏輯門輸出驅(qū)動。然而，螺線管、燈和電機(jī)等大功率電子設(shè)備比邏輯門電源需要更多的電力。輸入晶體管開關(guān)?！ ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管開關(guān)操作和操作區(qū)域 圖 1 中圖表上的藍(lán)色陰影區(qū)域表示飽和
2023-02-20 16:35:09
輸出級的器件應(yīng)該是具有飽和輸出電流的伏安特性。這可以采用工作于輸出電流飽和狀態(tài)的雙極結(jié)型晶體管或者金氧半場效晶體管來實現(xiàn)。為了保證輸出晶體管的電流穩(wěn)定，就必須要滿足兩個條件：其輸入電壓要穩(wěn)定——輸入級需要是恒壓源； 輸出晶體管的輸出電阻盡量大——輸出級需要是恒流源。四種恒流源...
2021-12-30 07:46:38
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
為了改善晶體管的開關(guān)特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅(qū)動電路的設(shè)計上會采取一些加速措施。如下： 加速電路一 在加速電路一中，并聯(lián)在RB兩端的電容CB稱為加速電容，數(shù)值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
圖1：灌電流網(wǎng)絡(luò)最終MOSFET（金氧半場效晶體管）源電壓VS以及RSET電阻決定著各柱上的灌電流（sink current）；通過去除來自外部電流沉柱的反饋(即所有N>1)，已失去對VSN
2022-11-17 07:20:07
晶體管的開關(guān)速度即由其開關(guān)時間來表征，開關(guān)時間越短，開關(guān)速度就越快。BJT的開關(guān)過程包含有開啟和關(guān)斷兩個過程，相應(yīng)地就有開啟時間ton和關(guān)斷時間toff，晶體管的總開關(guān)時間就是ton與toff之和
2019-09-22 08:00:00
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們在型號上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設(shè)計》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）。現(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計中最常用的型號是哪些？
2017-10-11 23:53:40
晶體管的開關(guān)速度即由其開關(guān)時間來表征，開關(guān)時間越短，開關(guān)速度就越快。BJT的開關(guān)過程包含有開啟和關(guān)斷兩個過程，相應(yīng)地就有開啟時間ton和關(guān)斷時間toff，晶體管的總開關(guān)時間就是ton與toff之和
2019-08-19 04:00:00
% R2的最小值-20% VBE的最大值0.75V這一組最差數(shù)值代入式子②計算。根據(jù)下面的式子選擇數(shù)字晶體管的電阻R1、R2，使數(shù)字晶體管的IC比使用設(shè)備上的最大輸出電流Iomax大?！?Iomax
2019-04-22 05:39:52
。②開關(guān)動作圖2晶體管的動作有增幅作用和開關(guān)作用。在增幅作用中，通過注入基極電流IB，能夠通過增幅hFE倍的集電極IC。在活性領(lǐng)域中，通過輸入信號持續(xù)控制集電極電流，可以得到輸出電流。在開關(guān)作用中，在
2019-04-09 21:49:36
電容在波形上升、下降時基極電流變大，加速開關(guān)過程。在實際當(dāng)中晶體管由截止?fàn)顟B(tài)到導(dǎo)通狀態(tài)的時間也縮短了，仿真的結(jié)果稍有偏差。在實際應(yīng)用中，加速電容的值要通過觀察開關(guān)波形來決定。加速電容是一種與減小R1值
2023-02-09 15:48:33
有沒有關(guān)于晶體管開關(guān)的電路分享?
2021-03-11 06:23:27
（電阻器）組成。構(gòu)成晶體管的硅是形成地球的巖石中大量含有的物質(zhì)。因此，晶體管也俗稱"石"，設(shè)計者常用"…之石"的叫法3. 按集成度分類為滿足客戶需求，ROHM在分立式
2019-05-05 01:31:57
的X-GaN柵極驅(qū)動器。X-GaN驅(qū)動器IC針對高達(dá)2 MHz的高開關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化，并提供了解鎖晶體管全部性能的簡便方法。除了優(yōu)化的柵極控制端子外，還提供了額外的集成功能 - 例如用于（可選）產(chǎn)生負(fù)
2023-02-27 15:53:50
輸出LLC轉(zhuǎn)換器，以進(jìn)行效率和功率密度比較。初級晶體管選擇LLC具有多種優(yōu)勢，因為它具有完全諧振行為，允許在整個范圍內(nèi)進(jìn)行軟開關(guān)導(dǎo)通，這本質(zhì)上有助于最大限度地減少功率晶體管和磁性元件的損耗。在圖2中
2023-02-27 09:37:29
求一個晶體管開關(guān)時間的測試搭建電路，有脈沖發(fā)生器，直流電源，示波器。
2020-03-05 22:57:43
一、簡介MOS管，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect
2021-11-11 06:28:29
其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關(guān)，和一般機(jī)械開關(guān)不同處在于晶體管是利用電訊號來控制，而且開關(guān)速度可以非常之快，在實驗室中的切換速度可達(dá)
2016-01-26 16:52:08
`晶體三極管簡稱三極管，和場效應(yīng)晶體管一樣，具有放大作用和開關(guān)特性的，是電子設(shè)備中的核心器件之一，應(yīng)用十分廣泛。三極管和場效應(yīng)晶體管雖然特性，外形相同，但是工作原理卻大不一樣，普通三極管是電流控制器
2019-03-27 11:36:30
）輸出分別實現(xiàn)晶體管的導(dǎo)通和關(guān)斷。當(dāng)使用12V隔離電源作為柵極驅(qū)動器供電時，EiceDRIVER?內(nèi)部會將其分為正向驅(qū)動電壓和-2.5V反向關(guān)斷電壓這樣可確保驅(qū)動電壓不超過晶體管柵極閾值，并大限度減小反向
2021-01-19 16:48:15
受益于集成器件保護(hù)，直接驅(qū)動GaN器件可實現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關(guān)特性可實現(xiàn)提高開關(guān)模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
組合的結(jié)果是，“ IGBT 晶體管”具有雙極性晶體管晶體管的輸出開關(guān)和導(dǎo)通特性，但像 MOSFET 一樣是電壓控制的。Igbt 主要應(yīng)用于電力電子應(yīng)用領(lǐng)域，如逆變器、變換器和電源等，但功率雙極器件和功率
2022-04-29 10:55:25
回波，從而對遙遠(yuǎn)目標(biāo)進(jìn)行探測成像。在這種要求苛刻的應(yīng)用中，這些脈沖系統(tǒng)電源采用的晶體管必須具備很高的能效，并能在各種工作條件下驅(qū)動穩(wěn)定的信號。高能效帶來低熱量輸出，而高可靠性使得可以在700瓦輸出功率下
2018-11-29 11:38:26
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2018-12-12 09:07:55
這個晶體管為什么是開關(guān)管的作用，還有電流方向是怎樣的？
2018-12-28 15:41:49
采用雙極性晶體管的基準(zhǔn)電源電路
2019-09-10 10:43:51
所示。為了方便仿真，控制端直接接到了負(fù)載電源24V的電壓上，也就是一上電壓負(fù)載就應(yīng)該導(dǎo)通。圖中使用的晶體管只是LTspice仿真模型庫當(dāng)中現(xiàn)成的模型，沒有什么特殊的型號要求，并用一個PNP晶體管替代了圖
2016-06-03 18:29:59
工作于開關(guān)狀態(tài)的晶體管由于電流變化率di/dt和電壓變化率dv/dt而產(chǎn)生瞬態(tài)過電流和瞬態(tài)過電壓，這種現(xiàn)象稱為電應(yīng)力。電應(yīng)力的本質(zhì)是瞬時功耗的集中。這種電壓和電流過沖形成的尖峰和毛刺，很容易
2020-11-26 17:26:39
晶體管的開關(guān)作用
(一)控制大功率
現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率，使用功率晶體管作為開關(guān)有很多優(yōu)點(diǎn)，主要是；
2009-11-06 16:58:42
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