元器件PIP（堆疊封裝）和PoP（堆疊組裝）的比較
1． PiP （Package In Package,堆疊封裝）
PiP一般稱堆疊封
2009-11-20 15:47:28
6428 技術(shù)成為實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)性能、帶寬和功耗等方面指標(biāo)提升的重要備選方案之一。對目前已有的晶圓級多層堆疊技術(shù)及其封裝過程進(jìn)行了詳細(xì)介紹; 并對封裝過程中的兩項(xiàng)關(guān)鍵工藝，硅通孔工藝和晶圓鍵合與解鍵合工藝進(jìn)行了分析
2022-09-13 11:13:053505 新系列μPOL?電源解決方案，以更高性能、最小尺寸、易于使用性和簡化集成，開創(chuàng)了“電源管理解決方案的新時(shí)代”。
2019-03-23 10:14:501817 電感應(yīng)該怎么選，鑒于功率電感選型的復(fù)雜性，我們盡量將這個(gè)相關(guān)的問題簡單化表述。如果從功率電感性能參數(shù)方面看分析選型，通常情況下考慮的參數(shù)有：封裝尺寸、電感感值、飽和電流、溫升電感、直流電阻等：（1）封裝
2023-03-02 21:48:40
`描述PMP8411 將兩個(gè)緊湊的兩相 45A 轉(zhuǎn)換器堆疊到一個(gè)四相 90A POL 解決方案中。它適用于電信基礎(chǔ)設(shè)施中的 ASIC 處理器、工業(yè)和電信應(yīng)用中的 FPGA、通用高電流 POL 或采用
2015-05-08 15:05:28
由于更高的集成度、更快的處理器運(yùn)行速度以及更小的特征尺寸，內(nèi)核及I/O電壓的負(fù)載點(diǎn)(POL)處理器電源設(shè)計(jì)變得越來越具挑戰(zhàn)性。處理器技術(shù)的發(fā)展必須和POL電源設(shè)計(jì)技術(shù)相匹配。5年或10年以前
2011-09-05 15:36:30
為了滿足更小的方案尺寸以降低系統(tǒng)成本，小型化和高功率密度成為了近年來DCDC和LDO的發(fā)展趨勢，這也對方案的散熱性能提出了更高的要求。本文借助業(yè)界比較成功的中壓DCDC TPS543820，闡述板上
2022-11-03 06:34:11
可以使PCB面積減小40-50%，或者說，對于相同的封裝尺寸，輸出電流可以增加到35A。 本文將證明在采用數(shù)字控制技術(shù)時(shí)，這些估計(jì)實(shí)際上還太過保守，甚至有可能實(shí)現(xiàn)更高的功率和電流密度。??除了考慮POL
2021-10-09 06:30:00
介紹一種便攜式系統(tǒng)音頻功率放大器的解決方案
2021-06-04 07:11:49
微電子三級封裝是什么？新型微電子封裝技術(shù)介紹
2021-04-23 06:01:30
論壇里好像沒有關(guān)于超薄封裝的問題~有沒有大神來介紹一下超薄封裝的工藝流程、前景、用途、材料等。如果能有有關(guān)的文獻(xiàn)就更好了~謝謝
2012-02-29 16:28:39
堆疊類功率放大器的輸出阻抗怎么求呢？是要用S參數(shù)的S22仿真嗎？還是要用loadpull求呢？如果想知道在加入扼流圈電感之前的堆疊PA的輸出阻抗，這又怎么求呢？
2021-06-25 07:51:41
圖1：T0-220形狀因子的高效5V，1A開關(guān)電源設(shè)計(jì) “積少成多”——這是我們一貫堅(jiān)持的目標(biāo)，對于電器功耗來說尤其如此。作為設(shè)計(jì)師，您的目標(biāo)是獲得更多的電流為更多的子系統(tǒng)供電，同時(shí)降低總體功耗。為
2019-03-06 06:45:02
MOSFET的新一代MOSFET，在給定的硅面積中具有更低電阻率（R DS(on)），以實(shí)現(xiàn)更高的電流容量。我們的PowerStack?封裝技術(shù)將集成電路（IC）和MOSFET相互堆疊（見圖1），以提供能夠供應(yīng)
2019-07-31 04:45:11
為TO-220封裝，D2-Pak 或 TO-220經(jīng)?？商鎿Q為SuperSO8。最終的結(jié)果是，確保開發(fā)出極其緊湊、節(jié)省板卡空間的解決方案，大幅改善開關(guān)性能。另一個(gè)重要問題是并聯(lián)，尤其是對于電機(jī)控制裝置等大電流
2018-12-07 10:21:41
前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進(jìn)行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)
2018-11-29 14:35:23
在電路板上具有戰(zhàn)略意義的位置靈活部署轉(zhuǎn)換器的能力也很重要 —— 以大電流負(fù)載點(diǎn)（POL）模塊為例，處于鄰近負(fù)載的最佳位置可降低導(dǎo)通壓降并改善負(fù)載瞬態(tài)性能。 請細(xì)看圖1中外形微縮的降壓型轉(zhuǎn)換器的功率級
2022-11-18 06:02:21
小型的POL解決方案，適用于為高耗電CPU、SoC、FPGA供電的高電流電源系統(tǒng)。其尺寸很小，并可優(yōu)化功率效率，導(dǎo)致自發(fā)熱很低，因而其可以非常靠近負(fù)載。它可以輕松并聯(lián)，在多相解決方案中使用多個(gè)
2021-12-01 09:38:22
1、什么是堆疊設(shè)計(jì)也稱作系統(tǒng)設(shè)計(jì)，根據(jù)產(chǎn)品規(guī)劃，產(chǎn)品定義的要求，為實(shí)現(xiàn)一定的功能，設(shè)計(jì)出合理可靠的具備可量產(chǎn)性的PCB及其周邊元器件擺放的一種方案。2、堆疊工程師一般由結(jié)構(gòu)工程師進(jìn)行堆疊，有些公司
2021-11-12 08:17:17
熱性能。
采用裸露堆疊式電感的3D封裝：保持較小的占位面積，提高功率，完善散熱
較小的PCB占位面積、更高的功率和更好的散熱性能——有了3D封裝（一種新型POL調(diào)節(jié)器構(gòu)造方法，見圖1），可以同時(shí)實(shí)現(xiàn)
2019-07-22 06:43:05
元器件內(nèi)芯片的堆疊大部分是采用金線鍵合的方式（Wire Bonding），堆疊層數(shù)可以從2～8層）。 STMICRO聲稱，誨今厚度到40μm的芯片可以從2個(gè)堆疊到8個(gè)（SRAM，Hash
+/-1.5% 范圍內(nèi)的支持 DCAP3 的快速瞬態(tài)響應(yīng)PMBus 控制的輸出電壓調(diào)節(jié)、軟啟動(dòng)、通電延遲、開關(guān)頻率、UVLO 和故障報(bào)告PowerStack 封裝，便于對內(nèi)部 PCB GND 層進(jìn)行散熱，并獲得出色的熱力性能
2018-11-12 15:17:27
描述PMP9559 參考設(shè)計(jì)是一種具有 PMBus 的小型雙 5.5A POL 解決方案，其尺寸為 0.65 英寸 x 0.90 英寸。它展現(xiàn)了 CSD87381P 電源塊 II 的高效率和優(yōu)秀熱性
2018-12-20 15:11:40
描述PMP6924 參考設(shè)計(jì)是一種具有 PMBus 的小型單路 60A POL 解決方案，其尺寸為 0.7" x 0.95" (17.8mm x 24.1mm
2022-09-26 06:17:42
描述PMP8553 參考設(shè)計(jì)是一種具有 PMBus 的小型雙路 10A POL 解決方案，其尺寸為 0.75" x 0.975" (19mm x 24.8mm
2022-09-16 08:17:22
描述PMP7466 參考設(shè)計(jì)是一種具有 PMBus 的小型雙路 30A POL 解決方案，其尺寸為 1" x 1.075" (25.4mm x 27.3mm)。它展示了高密度
2018-10-30 10:58:07
描述PMP8342 是尺寸為 0.72 英寸 x 1.20 英寸的緊湊型 45A POL 解決方案，采用適合 45A 單軌或 23A 雙軌的靈活配置。它適用于電信基礎(chǔ)設(shè)施中的 ASIC 處理器、工業(yè)
2018-08-15 06:40:34
的高性能電源解決方案。通過自動(dòng)電流共享和相交差允許6個(gè)模塊并連輸出能力可達(dá)180A，輸出電壓精度為1.5%，差動(dòng)遠(yuǎn)程電壓傳感和快速瞬態(tài)響應(yīng)實(shí)現(xiàn)高性能的功率系統(tǒng)。為增強(qiáng)系統(tǒng)的可靠性，內(nèi)建過壓、過流和過溫
2018-09-30 16:22:15
，從而形成可靠的解決方案來提供 100 A 或更高的負(fù)載電流。主要特色有助于在 100 A 或更高的極高直流電流下提供低電源電壓較少的外部組件數(shù)在小型封裝中實(shí)現(xiàn)高功率密度高電流設(shè)計(jì)，采用經(jīng)過全面測試和合格的電源模塊
2018-08-22 07:51:17
工作模式可減小輸入和輸出波紋斷續(xù)電流限制及自動(dòng)恢復(fù)可與外部時(shí)鐘同步可堆疊，以實(shí)現(xiàn)更高的電流均流準(zhǔn)確度達(dá) +/- 10%可編程輸入欠壓鎖定
2018-11-13 11:49:44
，實(shí)現(xiàn)了更高的開關(guān)頻率，減少甚至去除了散熱器。圖2顯示了GaN和硅FET之間48V至POL的效率比較。 圖 2：不同負(fù)載電流下GaN與硅直流/直流轉(zhuǎn)換器的48V至POL效率 TI的新型48V至POL
2019-07-29 04:45:02
描述PMP8411 將兩個(gè)緊湊的兩相 45A 轉(zhuǎn)換器堆疊到一個(gè)四相 90A POL 解決方案中。它適用于電信基礎(chǔ)設(shè)施中的 ASIC 處理器、工業(yè)和電信應(yīng)用中的 FPGA、通用高電流 POL 或采用雙
2018-08-16 07:42:58
這款昂貴的穩(wěn)壓器必須降額到很低的輸出電流值，那么會(huì)不會(huì)因輸出功率能力減弱而使該器件的高價(jià)格不再合理?最后一個(gè)需要考慮的因素是這款 POL 穩(wěn)壓器是否易于冷卻。數(shù)據(jù)表中提供的封裝熱阻值是仿真和計(jì)算該器件
2018-10-16 06:10:07
描述PMP8553 參考設(shè)計(jì)是一種具有 PMBus 的小型雙路 10A POL 解決方案，其尺寸為 0.75" x 0.975" (19mm x 24.8mm)。它展示了高密度
2018-10-08 08:57:23
描述 PMP8411 將兩個(gè)緊湊的兩相 45A 轉(zhuǎn)換器堆疊到一個(gè)四相 90A POL 解決方案中。它適用于電信基礎(chǔ)設(shè)施中的 ASIC 處理器、工業(yè)和電信應(yīng)用中的 FPGA、通用高電流 POL 或采用
2022-09-16 06:27:46
：出色的熱傳導(dǎo)
具裸露疊置電感器的 3D 封裝：占板面積很小、功率提高、散熱性能改善
采用 3D 封裝這種構(gòu)造 POL 穩(wěn)壓器的新方法，可以同時(shí)獲得 PCB占板面積很小、功率更大、熱性能更高這 3 個(gè)
2018-10-16 06:31:24
怎樣選擇低溫運(yùn)行、大功率、可擴(kuò)展的POL穩(wěn)壓器并節(jié)省電路板空間如何減少PCB上DC/DC轉(zhuǎn)換器封裝的熱量？
2021-03-10 06:45:29
的PCB面積，又能改善熱性能。采用裸露堆疊式電感的3D封裝：保持較小的占位面積，提高功率，完善散熱較小的PCB占位面積、更高的功率和更好的散熱性能——有了3D封裝（一種新型POL調(diào)節(jié)器構(gòu)造方法，見圖1
2018-10-24 09:54:43
能。采用裸露堆疊式電感的3D封裝：保持較小的占位面積，提高功率，完善散熱較小的PCB占位面積、更高的功率和更好的散熱性能——有了3D封裝（一種新型POL調(diào)節(jié)器構(gòu)造方法，見圖1），可以同時(shí)實(shí)現(xiàn)這三個(gè)目標(biāo)
2018-10-24 10:38:26
尺寸，應(yīng)用通常極其受到空間限制（參見圖2）。需要更高功率密度的解決方案，換句話講，需要可在更小空間中處理更多電流的FET。[url=http://www.deyisupport.com
2017-08-21 14:21:03
MS系列功率電感有何特征？常用電感封裝與電流有何關(guān)系？
2021-10-09 07:41:54
你好，我希望產(chǎn)生更高的時(shí)鐘頻率。我們使用PLL來獲得更高的電平，但接收的輸出數(shù)據(jù)位移位一位。使用內(nèi)部時(shí)鐘時(shí)，按正確的順序接收該位，同時(shí)使用PLL（并將乘法器和除法器常數(shù)保持為1 - 有效地在輸出端
2020-03-24 06:08:42
（諸如德州儀器的NexFET™ 電源MOSFET）具有較低的電阻率（Rdson），可提高電流能力。PowerStack™封裝技術(shù)可堆疊集成電路和MOSFET，多層
2018-08-31 08:44:53
形成可靠的解決方案來提供 100 A 或更高的負(fù)載電流。特性 有助于在 100 A 或更高的極高直流電流下提供低電源電壓較少的外部組件數(shù)在小型封裝中實(shí)現(xiàn)高功率密度高電流設(shè)計(jì)，采用經(jīng)過全面測試和合格的電源模塊
2022-09-21 06:38:43
求大神詳細(xì)介紹一下關(guān)于類的封裝與繼承
2021-04-28 06:40:35
隨著集成電路設(shè)計(jì)師將更復(fù)雜的功能嵌入更狹小的空間，異構(gòu)集成包括器件的3D堆疊已成為混合與連接各種功能技術(shù)的一種更為實(shí)用且經(jīng)濟(jì)的方式。作為異構(gòu)集成平臺之一，高密度扇出型晶圓級封裝技術(shù)正獲得越來越多
2020-07-07 11:04:42
這個(gè)功能。在非連續(xù)反向結(jié)構(gòu)中，為峰值電流設(shè)置限制可最終限制電源從輸入源獲得的功率。但是，限制輸入功率不會(huì)限制電源的輸出電流。如果出現(xiàn)過載故障時(shí)輸入功率保持不變，則隨著輸出電壓下降，輸出電流增加（P=V
2019-07-17 08:06:23
系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員被要求生產(chǎn)更小、效率更高的電源解決方案，以滿足所有行業(yè)SoC和FPGA的高耗電需求。在先進(jìn)的電子系統(tǒng)中，因?yàn)殡娫幢仨毞旁赟oC或其外圍設(shè)備（如DRAM或I/O設(shè)備）附近，因此電源封裝的可占用空間至關(guān)重要。在便攜式儀器中，如手持條碼掃描儀或醫(yī)療數(shù)據(jù)記錄儀系統(tǒng)，空間更為緊湊。
2019-07-31 07:15:59
電動(dòng)工具中直流電機(jī)的配置已從有刷直流大幅轉(zhuǎn)向更可靠、更高效的無刷直流（BLDC）解決方案轉(zhuǎn)變。斬波器配置等典型有刷直流拓?fù)渫ǔ８鶕?jù)雙向開關(guān)的使用與否實(shí)現(xiàn)一個(gè)或兩個(gè)功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管
2019-08-01 08:16:08
提供小電流時(shí)能夠獲得低靜態(tài)電流。通常情況下靜態(tài)電流在幾十 uA 范圍內(nèi)。用于嵌入式系統(tǒng)的方案與用于電池供電的手持式設(shè)備的方案沒有太大不同，可能的例外是，很多便攜式應(yīng)用對組件高度有嚴(yán)格限制。這可能成為電源
2019-05-13 14:11:41
芯片堆疊技術(shù)在SiP中應(yīng)用的非常普遍，通過芯片堆疊可以有效降低SiP基板的面積，縮小封裝體積。 芯片堆疊的主要形式有四種： 金字塔型堆疊 懸臂型堆疊 并排型堆疊 硅通孔TSV型堆疊
2020-11-27 16:39:05
描述PMP8962 是一種尺寸為 0.63 英寸 x 0.74 英寸的緊湊型雙 5.5A POL 解決方案。它展現(xiàn)了 CSD87381P 電源塊 II 的高效率和優(yōu)秀熱性能。它具有可編程頻率、軟啟動(dòng)
2018-08-22 08:51:58
(ATSP)。圖1 是用于補(bǔ)充模擬型 POL DC/DC 解決方案的 LM10011，其包含高精度數(shù)字可編程電流數(shù)模轉(zhuǎn)換器 (IDAC)，支持模式可選 4 位及 6 位 VID 接口。IDAC_OUT
2018-09-20 15:13:03
（POL，大約 1-5V），這對于下一代服務(wù)器功率傳輸將大有裨益。方案隨著用戶對數(shù)據(jù)中心的需求越來越大，提高數(shù)據(jù)中心尺寸和密度也變得迫在眉睫。其中關(guān)鍵制約因素是服務(wù)器每個(gè)機(jī)架的功率限制大約只有20kW
2021-05-26 19:13:52
、麥克斯韋方程組以及極點(diǎn)和零點(diǎn)的深入理解，他們可以打造出優(yōu)雅的DC-DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。然而，IC設(shè)計(jì)師通常會(huì)回避棘手的散熱問題——這項(xiàng)工作通常屬于封裝工程師的職責(zé)范圍。在負(fù)載點(diǎn)(POL)轉(zhuǎn)換器中，專用IC之間
2019-07-23 07:58:25
的更高帶寬控制。PMP20489 參考設(shè)計(jì)展示了一種大電流五相 + 兩相應(yīng)用以及兩個(gè)板載動(dòng)態(tài)負(fù)載。測試報(bào)告重點(diǎn)介紹了熱性能、動(dòng)態(tài)響應(yīng)和效率。主要特色用于 POL 應(yīng)用并具有高速控制功能的完整大電流五相
2018-10-10 09:34:06
？ 答案說起來非常簡單：提高效率并同時(shí)提高開關(guān)頻率。而實(shí)際上，這卻是一個(gè)很難解決的問題，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">更高的效率和更高開關(guān)頻率是互相排斥的。盡管如此，IR公司IR3847大電流負(fù)載點(diǎn)（POL ）集成穩(wěn)壓器的設(shè)計(jì)者
2018-09-26 15:51:48
太陽能電池、電源管理器件、高亮度LED和RF功率晶體管的特性分析等高功率測試應(yīng)用經(jīng)常需要高電流，有時(shí)需要高達(dá)40A甚至更高的功率，MOSFET和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）將需要100A
2010-08-06 17:09:531287 
芯片堆疊封裝是提高存儲(chǔ)卡類產(chǎn)品存儲(chǔ)容量的主流技術(shù)之一，采用不同的芯片堆疊方案，可能會(huì)產(chǎn)生不同的堆疊效果。針對三種芯片堆疊的初始設(shè)計(jì)方案進(jìn)行了分析，指出了堆疊方案失
2012-01-09 16:14:14
42 交換機(jī)堆疊和級聯(lián)的介紹與區(qū)別。
2015-10-27 17:25:5829 電壓穩(wěn)壓器，特別是集成MOSFET的直流/直流轉(zhuǎn)換器，已從由輸入電壓、輸出電壓和電流限定的簡易、低功耗電壓調(diào)節(jié)器，發(fā)展到現(xiàn)在能夠提供更高功率、監(jiān)控操作環(huán)境且能相應(yīng)地適應(yīng)所處環(huán)境。
2016-12-12 13:53:332278 疊層放置MOSFET 的好處 為了克服分立方案的不足，TI 發(fā)明了Powerstack封裝技術(shù)。不局限于兩個(gè)維度，Powerstack封裝方案利用三個(gè)維度，把MOSFET 堆疊在一個(gè)創(chuàng)新的封裝
2017-06-07 09:37:547 非隔離降壓或降壓直流/直流轉(zhuǎn)換器所需要的負(fù)載點(diǎn)（POL）監(jiān)管機(jī)構(gòu)的功率器件如微處理器、ASIC、FPGA、和其他半導(dǎo)體負(fù)載對系統(tǒng)板在電信、數(shù)據(jù)通信和工業(yè)應(yīng)用。由于在工藝技術(shù)、包裝、進(jìn)展和磁力，Buck變換器的解決方案已經(jīng)開發(fā)包中提供完整的電源（PSIP）。
2017-06-21 09:06:4935 本白皮書描述了一個(gè)執(zhí)行許多系統(tǒng)要求的前端AC-DC轉(zhuǎn)換的功率元件新的PFM如何實(shí)現(xiàn)Vicor的從AC到負(fù)載點(diǎn)（PoL）功率元件設(shè)計(jì)方法的應(yīng)用。文章還介紹了元件的性能，強(qiáng)調(diào)了VIA PFM如何有助于提供卓越靈活性、密度和效率的電源系統(tǒng)開發(fā)。
2017-09-15 17:03:017 POL穩(wěn)壓器之所以產(chǎn)生熱量，是因?yàn)闆]有電壓轉(zhuǎn)換效率能夠達(dá)到100%，封裝的熱阻不僅提高POL穩(wěn)壓器的溫度，還提高PCB及周圍組件的溫度，并使得系統(tǒng)散熱設(shè)計(jì)更加復(fù)雜。
2017-09-18 19:02:2011 醫(yī)療領(lǐng)域的許多全新技術(shù)開發(fā)都需要使用可控射頻功率來提供多種高級治療。微波消融（破壞腫瘤）、電外科（切除、凝結(jié)、脫水和電灼組織）、透熱法（治療類風(fēng)濕關(guān)節(jié)炎）和熱瑪吉（緊致皮膚）等手術(shù)中使用了不同頻率下不同大小的射頻功率。本次會(huì)議將介紹恩智浦針對這些應(yīng)用開發(fā)的創(chuàng)新射頻功率解決方案。
2018-06-29 09:13:002563 POL 穩(wěn)壓器之所以產(chǎn)生熱量，是因?yàn)闆]有電壓轉(zhuǎn)換效率能夠達(dá)到 100%。這樣一來就產(chǎn)生了一個(gè)問題，由封裝結(jié)構(gòu)、布局和熱阻導(dǎo)致的熱量會(huì)有多大？ 封裝的熱阻不僅提高 POL 穩(wěn)壓器的溫度，還提高 PCB 及周圍組件的溫度，并使得系統(tǒng)散熱設(shè)計(jì)更加復(fù)雜。
2018-08-13 15:37:591495 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是翻譯機(jī)堆疊方案詳細(xì)資料免費(fèi)下載整機(jī)結(jié)構(gòu)3D
2018-11-07 08:00:000 據(jù)了解，開放型POL企業(yè)園區(qū)網(wǎng)方案，就是在PON網(wǎng)絡(luò)中集成計(jì)算能力，按需將獨(dú)立物理設(shè)備，如安全防火墻、無線控制器等設(shè)備，采用軟件方式（VNF）安裝到PON網(wǎng)絡(luò)中，形成一個(gè)簡單、易升級、易修改、易增加新功能的開放型網(wǎng)絡(luò)。
2019-09-09 10:11:331783 近年來，在園區(qū)網(wǎng)絡(luò)建設(shè)中，POL（Passive Optical LAN）方案日益成為客戶的首選，建設(shè)全光園區(qū)網(wǎng)已成為業(yè)界的統(tǒng)一認(rèn)識。相比傳統(tǒng)的以太網(wǎng)局域網(wǎng)，POL具有高安全、低能耗、長距離、長壽命
2020-01-29 17:10:006044 
Durendal?工藝提供了一種經(jīng)濟(jì)高效的方式進(jìn)行單個(gè)晶片堆疊，并能產(chǎn)出高良率以及穩(wěn)固可靠的連接。在未來，我們期待Durendal?工藝能促進(jìn)扇出型晶圓級封裝在單個(gè)晶片堆疊中得到更廣泛的應(yīng)用。
2020-12-24 17:39:43550 PMP8411 將兩個(gè)緊湊的兩相 45A 轉(zhuǎn)換器堆疊到一個(gè)四相 90A POL 解決方案中。它適用于電信基礎(chǔ)設(shè)施中的 ASIC 處理器、工業(yè)和電信應(yīng)用中的 FPGA、通用高電流 POL 或采用雙輸出
2021-01-22 12:13:008 TI的Powerstack?封裝技術(shù)是一種簡單且獨(dú)特的3D封裝方案，它在許多應(yīng)用和系統(tǒng)里提升了電源管理器件的性能參數(shù)。本文會(huì)著重介紹Powerstack?技術(shù)的優(yōu)勢，實(shí)際應(yīng)用結(jié)果以及在未來的發(fā)展前景。
2021-04-16 16:43:367 在芯片成品制造環(huán)節(jié)中，市場對于傳統(tǒng)打線封裝的依賴仍居高不下。市場對于使用多芯片堆疊技術(shù)、來實(shí)現(xiàn)同尺寸器件中的高存儲(chǔ)密度的需求也日益增長。這類需求給半導(dǎo)體封裝工藝帶來的不僅僅是工藝能力上的挑戰(zhàn)，也對工藝的管控能力提出了更高的要求。
2022-08-07 11:43:223393 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PMP8411將兩相45A轉(zhuǎn)換器堆疊到四相90A POL解決方案.zip》資料免費(fèi)下載
2022-09-05 11:43:330 關(guān)于如何將函數(shù)封裝成庫使用的方法介紹
2022-10-28 12:00:211 堆疊 PowerStack 封裝電流獲得更高功率 POL
2022-11-02 08:16:090 為你的應(yīng)用選擇合適的PMBus負(fù)載點(diǎn) (POL) 解決方案
2022-11-04 09:51:452 為人口稠密的系統(tǒng)選擇 POL 穩(wěn)壓器需要對器件的電壓和安培額定值進(jìn)行審查。評估其封裝的熱特性至關(guān)重要，因?yàn)樗鼪Q定了冷卻成本、PCB 成本和最終產(chǎn)品尺寸。3D（也稱為堆疊式垂直CoP）的進(jìn)步使高功率POL模塊穩(wěn)壓器能夠適應(yīng)較小的PCB尺寸，但更重要的是，可實(shí)現(xiàn)高效冷卻。
2023-01-03 15:49:021008 
關(guān)于直流測試電源恒流恒壓恒功率介紹 雙通道直流測試電源包括恒流、恒壓和恒功率工作模式。電源的恒流、恒壓和恒功率模式取決于指示的電壓、電流和功率值以及負(fù)載的大小。 根據(jù)負(fù)載所需的電壓值，設(shè)置電源的輸出
2023-01-05 17:27:59880 
的79dB PSRR（1MHz）。一些客戶要求將電流提高到200mA以上，同時(shí)仍保持低噪聲和高PSRR。本文探討了獲得更高輸出電流的三種方法，并提供了實(shí)用的輸入，以幫助您確定哪種方法最適合您的電路條件。這三種方式是：
2023-01-08 15:32:024178 
為什么芯片可以進(jìn)行堆疊呢？這里面我們講的主要是未經(jīng)過封裝的裸芯片。曾經(jīng)有用戶問我，封裝好的芯片可不可以進(jìn)行堆疊呢？一般來說是不可以的，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">封裝好的芯片引腳在下表面直接焊接到基板上，而裸芯片的引腳一般在芯片上表面，通過鍵合的方式連接到基板。
2023-02-11 09:44:181595 為了滿足更小的方案尺寸以降低系統(tǒng)成本，小型化和高功率密度成為了近年來DCDC和LDO的發(fā)展趨勢，這也對方案的散熱性能提出了更高的要求。本文借助業(yè)界比較成功的中壓DCDC TPS543820，闡述板上POL的熱阻測量方法及SOA評估方法。
2023-03-15 10:14:47550 
諸如網(wǎng)絡(luò)路由器、交換機(jī)、企業(yè)服務(wù)器和嵌入式工業(yè)系統(tǒng)等應(yīng)用的耗電量越來越高，需要30A、40A、60A或更高電流以用于它們的負(fù)載點(diǎn)（POL）設(shè)計(jì)。當(dāng)適應(yīng)控制器和外部MOSFET時(shí)，這些應(yīng)用極大地限制了主板空間。
2023-04-10 09:23:58657 
據(jù)漢思化學(xué)了解，隨著封裝尺寸的減小，3c行業(yè)移動(dòng)電子產(chǎn)品的性能不斷得到擴(kuò)展，從而使堆疊封裝(PoP)器件在當(dāng)今的消費(fèi)類產(chǎn)品中獲得了日益廣泛的應(yīng)用。為了使封裝獲得更高的機(jī)械可靠性，需要對多層堆疊封裝
2023-07-24 16:14:45544 
，扮演著非常重要的角色。 POL模塊電源一般指電源系統(tǒng)中位置固定，功率輸出相對固定的集成化電源模塊。其可以在半導(dǎo)體器件的條件下，通過輸出調(diào)節(jié)器件（DC-DC變換器）將直流電壓變換為目標(biāo)電源所需的電壓、電流輸出，使得電子器件得以
2023-09-14 10:53:31446 PoP一般稱堆疊組裝，又稱封裝上的封裝，還稱元件堆疊裝配。在底部元器件上面再放置元器件，邏輯＋存 儲(chǔ)通常為2～4層，存儲(chǔ)型PoP可達(dá)8層
2023-09-27 15:26:431144 
。很多人分辨不清什么樣的情況下才需要特別定制大電流功率電感。本篇我們就來簡單探討一下關(guān)于大電流功率電感定制的問題。
2023-10-19 17:01:180 對于評估低電壓大電流電源的輸出特性時(shí)，應(yīng)該準(zhǔn)備什么樣的電子負(fù)載裝置？另外，當(dāng)POL電源變?yōu)榈碗妷?，超出電子?fù)載裝置的電壓工作范圍時(shí)，又該如何應(yīng)對呢？
2023-11-15 16:42:381362 
什么是交換機(jī)堆疊？有哪些設(shè)備可以堆疊？如何建立堆疊？ 交換機(jī)堆疊是指將多個(gè)交換機(jī)通過特定的方法連接在一起，形成一個(gè)邏輯上的單一設(shè)備。堆疊可以實(shí)現(xiàn)多交換機(jī)的集中管理和統(tǒng)一配置，提供更高的可靠性和性能
2024-02-04 11:21:47378
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