通過微細(xì)控制打破僵局,電池探索新思路
在智能手機(jī)領(lǐng)域,處理器、顯示器、RF電路無一不被要求兼顧低功耗和高性能。這些產(chǎn)品正設(shè)法通過“動(dòng)態(tài)電力控制”及“混合化”等打破目前的僵局。能量密度增長(zhǎng)空間有限的充電電池將開拓新的思路。
未來的智能手機(jī)要求應(yīng)用處理、無線通信處理以及畫面顯示等主要功能全部實(shí)現(xiàn)高性能化?!澳壳暗闹悄苁謾C(jī)在正常使用時(shí),應(yīng)用處理、通信處理和顯示所需耗電量大約各占了1/3”(某手機(jī)企業(yè)的技術(shù)人員)。只減小其中某一項(xiàng)的耗電量,是無法兼顧高性能和低耗電量的。因此需要在各項(xiàng)要素中徹底削減耗電量。
在電力的使用方法和存儲(chǔ)方法上雙管齊下
本篇將對(duì)執(zhí)行應(yīng)用處理等的處理器、顯示器以及執(zhí)行無線通信處理的RF電路今后的低耗電量化技術(shù)進(jìn)行分析。同時(shí)還會(huì)介紹旨在增加充電電池容量以及提高易用性的技術(shù)開發(fā)動(dòng)向。
處理器需要實(shí)現(xiàn)CPU和GPU的多核化并提高工作頻率,今后預(yù)計(jì)會(huì)通過半導(dǎo)體的微細(xì)化等繼續(xù)提高電力利用效率、徹底實(shí)施動(dòng)態(tài)電源切斷及電壓和頻率控制,以及推進(jìn)電路的混合化等。
不斷向大屏幕化和高精細(xì)化發(fā)展的顯示器,其關(guān)鍵在于提高液晶面板背照燈光的利用效率和提高有機(jī)EL面板的發(fā)光效率。另外,為支持新一代移動(dòng)通信規(guī)格而需要處理多頻帶無線信號(hào)的RF電路方面,根據(jù)發(fā)送電力的波形對(duì)電源電壓進(jìn)行微細(xì)控制的“包絡(luò)跟蹤(Envelope Tracking)”等技術(shù)備受關(guān)注。
鋰離子充電電池單位體積的能量密度增長(zhǎng)空間有限,目前正通過內(nèi)置電池組增加容積,以及通過快速充電功能減輕充電作業(yè)的負(fù)擔(dān)等嘗試。
電力使用部分和電力存儲(chǔ)部分,本系列將詳細(xì)報(bào)道各部分的技術(shù)革新動(dòng)態(tài)。
處理器——徹底提高效率與推進(jìn)動(dòng)態(tài)控制
執(zhí)行應(yīng)用處理任務(wù)的處理器會(huì)瞬間消耗最大1~2W的電力。在智能手機(jī)中,處理器是對(duì)電池耐久性和發(fā)熱影響最大的部件之一。針對(duì)無線通信的收發(fā)進(jìn)行信號(hào)處理的基帶處理LSI也會(huì)消耗較大的電力。
處理器的負(fù)荷在日益增加。美國(guó)谷歌公司2012年3月將“Android”應(yīng)用的容量限制由50MB提高到了4GB 注1)。今后亮相的應(yīng)用將處理更多的數(shù)據(jù),執(zhí)行更加復(fù)雜的處理工作。
注1) 雖然應(yīng)用APK文件的容量限制依然為50MB,不過最多可以使用2個(gè)最大2GB的擴(kuò)展文件。
“終端廠商要求‘在保持當(dāng)前耗電量不變的情況下提高性能’”(半導(dǎo)體廠商)。為此,處理器需要實(shí)現(xiàn)能夠輕松處理今后亮相的高級(jí)應(yīng)用,并最大限度降低耗電量。
處理器的低耗電量化有兩大方向(圖1)。一是提高單位電力的處理性能(電力效率)。另一個(gè)是盡量減少通常處理時(shí)無需消耗的電量。
圖1:在提高電路的電力效率以及進(jìn)行極其細(xì)微的電力控制兩方面努力
為降低應(yīng)用處理器和基帶處理LSI的耗電量,在兩個(gè)方向采取舉措。需要通過微細(xì)化和低電壓化等提高電路的電力效率,根據(jù)運(yùn)行情況徹底對(duì)電力進(jìn)行極其細(xì)微的控制。
最大限度提高電力效率
為提高處理器的電力效率,各半導(dǎo)體廠商紛紛致力于半導(dǎo)體的微細(xì)化、電路的低電壓化以及漏電的削減等。LSI的動(dòng)態(tài)耗電量與工作頻率、負(fù)荷容量以及電源電壓的平方乘積成正比。盡量削減這些要素就能以更少的耗電量執(zhí)行相同的處理任務(wù)。
半導(dǎo)體的微細(xì)化在2012年是具有里程碑意義的一年。預(yù)計(jì)采用32nm/28nm工藝技術(shù)制造的產(chǎn)品將配備于智能手機(jī)(表1)。雖然漏電功率容易增加,但由于電路負(fù)荷容量減小,因此可以相應(yīng)削減耗電量。數(shù)年后的22nm/20nm工藝的應(yīng)用也有望利用這一效應(yīng)。
技術(shù)壁壘較高的是低電壓化。雖然半導(dǎo)體芯片截至90nm工藝一直在隨著微細(xì)化順利降低電壓,但之后SRAM的誤動(dòng)作成為瓶頸,低電壓化越來越難以實(shí)現(xiàn)。目前的便攜終端用處理器的標(biāo)準(zhǔn)電壓只降到1.0~1.1V左右,最小驅(qū)動(dòng)電壓降到0.8~0.9V左右。因此需要從根本上改進(jìn)電路技術(shù)。
推進(jìn)這類研究的是美國(guó)英特爾。該公司試制出了電力效率在閾值電壓附近最高的x86處理器“Claremont”。這是通過開發(fā)能以0.28V的極低電源電壓正常運(yùn)行的電路群來實(shí)現(xiàn)的。以接近閾值電壓的0.45V電源電壓運(yùn)行時(shí),工作頻率為60MHz,電力效率最大為5830MIPS/W(整體耗電量為10mW)。以1.2V運(yùn)行時(shí),工作頻率最大為915MHz,電力效率為1240MIPS/W(整體耗電量為737mW)。
漏電功率對(duì)策也在推進(jìn)
要想提高電力效率,還必須削減漏電功率。韓國(guó)三星電子在“Exynos”處理器上采用32nm工藝制造技術(shù)時(shí),導(dǎo)入了high-k柵極絕緣膜/金屬柵極(即HKMG)。
與32nm工藝中未導(dǎo)入HKMG時(shí)相比,柵極漏電流降至約1/100,整體漏電流降至約1/10。另外,三星電子還首次采用了基板偏壓技術(shù)*。目的是根據(jù)裸片上的漏電功率和性能的監(jiān)控信息,減小制造偏差造成的性能下降和漏電功率。
*基板偏壓技術(shù)=在硅基板上加載偏壓以動(dòng)態(tài)控制閾值電壓的技術(shù)。通過加載負(fù)電壓提高閾值電壓以暫時(shí)抑制漏電流的后基板偏壓,或者通過加載正電壓降低閾值電壓以暫時(shí)提高速度的前基板偏壓。
為盡量削減正常處理時(shí)無需消耗的電力,而實(shí)施的對(duì)策是根據(jù)負(fù)荷改變工作頻率和電壓的DVFS*,以及以電路塊為單位的電源切斷和時(shí)鐘切斷操作。處理器本來就導(dǎo)入了以動(dòng)態(tài)控制電力為目的的技術(shù)。通過將這些技術(shù)用于細(xì)微之處,使負(fù)荷和耗電量走勢(shì)基本上呈現(xiàn)同樣的曲線走勢(shì)。
*DVFS(dynamic voltage and frequency scaling)=在LSI中,通過根據(jù)處理負(fù)荷等動(dòng)態(tài)控制電源電壓和工作頻率,從而削減耗電量的方法。以LSI根據(jù)軟件指示變更設(shè)定的形態(tài)運(yùn)行。
從細(xì)微之處入手,瑞薩移動(dòng)的做法可謂典型。該公司的母公司瑞薩電子在用于傳統(tǒng)手機(jī)的應(yīng)用處理及基帶處理整合型處理器“SH-Mobile G”系列中,將DVFS應(yīng)用到了CPU內(nèi)核中,并對(duì)電源域和時(shí)鐘系統(tǒng)進(jìn)行了細(xì)分化。
而瑞薩移動(dòng)面向智能手機(jī)開發(fā)的“MP5232”則對(duì)CPU內(nèi)核的工作頻率設(shè)定以及電源域和時(shí)鐘系統(tǒng)則進(jìn)行了更加細(xì)致的劃分(圖2)?!坝捎诒仨毰渲?a target="_blank">電源開關(guān),因此并不是只要細(xì)分就完事了。我們?cè)O(shè)想了智能手機(jī)的使用情況,找到了最佳劃分點(diǎn)”(瑞薩移動(dòng)移動(dòng)多媒體事業(yè)本部SoC事業(yè)部事業(yè)部長(zhǎng)服部俊洋)。
圖2:根據(jù)利用情況對(duì)電力進(jìn)行極其細(xì)微的控制
瑞薩移動(dòng)面向智能手機(jī)開發(fā)的“MP5232”與用于傳統(tǒng)手機(jī)的處理器相比,可以根據(jù)利用情況對(duì)電力進(jìn)行極其細(xì)微的控制。CPU內(nèi)核的工作頻率設(shè)定、電源域的數(shù)量以及時(shí)鐘系統(tǒng)的數(shù)量均大幅增加。
對(duì)每個(gè)CPU內(nèi)核控制頻率
美國(guó)高通的“Snapdragon”系列采用根據(jù)多個(gè)CPU內(nèi)核進(jìn)行DVFS的方式。向一個(gè)內(nèi)核施加較大負(fù)荷時(shí),如果其他內(nèi)核的負(fù)荷較小,則會(huì)削減負(fù)載較小的內(nèi)核的工作頻率(圖3)。其他半導(dǎo)體廠商則采用對(duì)內(nèi)核群統(tǒng)一進(jìn)行DVFS的方法,即根據(jù)處理負(fù)荷統(tǒng)一改變多個(gè)CPU內(nèi)核的工作頻率。
圖3:按照多個(gè)CPU內(nèi)核進(jìn)行DVFS
高通在“Snapdragon”系列的多核產(chǎn)品中,按照各CPU內(nèi)核進(jìn)行了動(dòng)態(tài)控制電壓和頻率的DVFS。通過向各CPU內(nèi)核供給其他系統(tǒng)的電力和時(shí)鐘,提高了對(duì)處理負(fù)荷的追隨性。
按內(nèi)核進(jìn)行DVFS的方法存在電源電路部件增加的問題,不過“該方式能防止當(dāng)單線程的處理負(fù)荷較大時(shí),其他內(nèi)核以不必要的高頻率運(yùn)行狀態(tài),我們判斷這樣做的優(yōu)勢(shì)更大一些”(高通日本CDMA技術(shù)營(yíng)銷及業(yè)務(wù)開發(fā)統(tǒng)括部長(zhǎng)須永順子)。除了雙核產(chǎn)品外,四核產(chǎn)品也采用相同的方式。
DVFS和電源切斷的徹底實(shí)施在基帶處理LSI方面也得到了推進(jìn)。尤其是“在整合型處理器中,基帶處理部也容易細(xì)微地控制電力”(高通日本的須永)。不僅是成本和安裝面積,耗電量也可能成為選擇整合型處理器的理由。
適當(dāng)使用效率各異的CPU
今后,處理器將導(dǎo)入的新低耗電量化舉措之一是電路的“混合”化。在智能手機(jī)中,“所要求的處理動(dòng)態(tài)范圍比傳統(tǒng)手機(jī)大幅擴(kuò)大。今后還會(huì)進(jìn)一步擴(kuò)大”(瑞薩移動(dòng)的服部)。在處理負(fù)荷非常小時(shí)和非常大時(shí)區(qū)分使用最佳電力效率的電路——這類對(duì)策將得到推進(jìn)。
混合化從耗電量尤其大的CPU部分開始。最先得到應(yīng)用的是美國(guó)英偉達(dá)在“Tegra 3”中采用的“4-PLUS-1”技術(shù)。這是在同一枚裸片上混載采用LP(低電力)工藝的低電力CPU內(nèi)核和采用G(普通)工藝的主CPU內(nèi)核群的做法,可根據(jù)負(fù)荷切換使用(圖4)。CPU內(nèi)核采用相同的微架構(gòu)。
圖4:利用不同的制造工藝安裝
區(qū)分使用CPU的英偉達(dá)在“Tegra3”中導(dǎo)入了可以區(qū)分使用以低電力工藝制造的CPU內(nèi)核以及以普通工藝制造的CPU內(nèi)核的“4-PLUS-1”技術(shù)。為了不使切換點(diǎn)附近頻繁發(fā)生切換,采取了預(yù)防措施。
“從決定切換到完成切換所需時(shí)間不到2ms,用戶應(yīng)該注意不到”(英偉達(dá)日本技術(shù)營(yíng)銷工程師Steven Zhang)。不過,如果負(fù)荷剛好在切換邊界附近變化,可能會(huì)頻繁進(jìn)行切換處理,因此配備了在重復(fù)切換點(diǎn)的基礎(chǔ)上,根據(jù)實(shí)際切換次數(shù)調(diào)整切換點(diǎn)的學(xué)習(xí)功能。
通過微細(xì)化獲得可行對(duì)策
2013年前后有望實(shí)現(xiàn)實(shí)用化的,是切換不同微架構(gòu)CPU內(nèi)核的方法。英國(guó)ARM公司發(fā)布了可以切換使用相同指令集架構(gòu)CPU內(nèi)核群的“big.LITTLE”技術(shù)(圖5)。通過混合使用為提高最高性能而開發(fā)的A15內(nèi)核,以及為優(yōu)先提高電力效率而開發(fā)的A7內(nèi)核,兼顧了負(fù)荷較小時(shí)的低電力運(yùn)行和負(fù)荷較大時(shí)的高性能運(yùn)行 注2)。兩種內(nèi)核在寄存器范圍等方面存在差異,不過這種差異可以利用二者配備的虛擬支援機(jī)構(gòu)吸收。“在同一枚裸片上混載制造工藝各異的電路可能會(huì)增加掩模費(fèi)用。將來采用閾值較少的big.LITTLE的廠商應(yīng)該會(huì)增加”(某半導(dǎo)體廠商的技術(shù)人員)。
圖5:在不同架構(gòu)的CPU中切換使用的“big.LITTLE”
ARM公司正在開發(fā)可以切換使用指令集兼容的Cortex-A15內(nèi)核群和Cortex-A7內(nèi)核群的“big.LITTLE”技術(shù)。處理負(fù)荷較低時(shí)利用電力效率較高的A7內(nèi)核群,負(fù)荷較高時(shí)利用單位頻率的處理性能較高的A15內(nèi)核。
注2) big.LITTLE技術(shù)有切換使用A15內(nèi)核和A7內(nèi)核的“Task Migration”模式,以及同時(shí)運(yùn)行A15內(nèi)核和A7內(nèi)核的“MP”模式。MP模式需要擴(kuò)展OS的調(diào)度器(Scheduler),ARM公司正面向big.LITLLE的實(shí)用化時(shí)間進(jìn)行開發(fā)。
混合化得以推進(jìn)的背景在于,CPU內(nèi)核在處理器上所占的面積比例減小。在目前的雙核產(chǎn)品中,CPU內(nèi)核的面積只占整體的1~2成。今后,如果電路面積也隨著半導(dǎo)體的進(jìn)一步微細(xì)化而出現(xiàn)充裕空間,GPU內(nèi)核等其他電路也有望采用混合構(gòu)造。
顯示器——大屏幕和高精細(xì)化不斷增加功耗,液晶及有機(jī)EL均瞄準(zhǔn)耗電量減半
智能手機(jī)配備了比普通手機(jī)尺寸大且高精細(xì)的顯示面板,顯示面板的耗電量也隨之增加。現(xiàn)有智能手機(jī)配備的顯示面板,無論液晶面板還是有機(jī)EL面板,其耗電量均超過了600mW(圖1)。有機(jī)EL面板在全白顯示時(shí)的耗電量甚至達(dá)到了約1800mW。
圖1:耗電量高的智能手機(jī)用面板
智能手機(jī)配備的液晶面板或有機(jī)EL面板的耗電量超過了600mW。圖中為各終端廠商通過實(shí)施圖像處理等降低耗電量的情況。(圖中的面板耗電量為L(zhǎng)G顯示器的數(shù)據(jù))
加之智能手機(jī)不以語音通話為主,而主要是用于Web網(wǎng)站瀏覽和郵件收發(fā),這種用法的改變,使得顯示面板會(huì)一直保持點(diǎn)亮狀態(tài)??梢哉f,一直消耗著600mW以上電力的顯示面板是令智能手機(jī)電池耐久性惡化的主要原因。
目前是以圖像處理來降低耗電量
如果只單純配備耗電量超過600mW的顯示面板,智能手機(jī)是無法避免電池驅(qū)動(dòng)時(shí)間太短的問題的。各終端廠商現(xiàn)在是通過實(shí)施諸如相對(duì)于輸入影像信號(hào)及周圍亮度的伽瑪校正以及畫面亮度控制等圖像處理,來降低顯示面板耗電量的。
由圖像處理降低顯示面板耗電量的方法“在普通手機(jī)上從2008年前后開始導(dǎo)入,隨著顯示面板的大屏幕化和高精細(xì)化,能夠更加精細(xì)地進(jìn)行控制”(NEC卡西歐移動(dòng)的并木)。
配備有機(jī)EL面板的智能手機(jī)除圖像處理外,還在顯示內(nèi)容方面下了工夫。通過在菜單畫面等上以黑色顯示背景,以白色顯示文字,減小了白顯示在畫面整體所占的面積??梢哉f這是全白顯示時(shí)的耗電量高的“有機(jī)EL面板機(jī)型必須要做的處理”(NEC卡西歐移動(dòng)的并木)。
高精細(xì)化變成瓶頸
盡管終端廠商采取了措施,但據(jù)稱在瀏覽Web網(wǎng)站時(shí)顯示面板的耗電量“仍占智能手機(jī)整體的約3成”(多家終端廠商)。要想從根本上解決問題,需要降低顯示面板自身的耗電量。
但從面板廠商的開發(fā)動(dòng)向來看,智能手機(jī)用顯示面板的耗電量今后還可能進(jìn)一步增加。因?yàn)橐壕姘宓染诓粩嗤七M(jìn)大屏幕化和高精細(xì)化。
目前,各終端廠商的高端機(jī)型開始普遍采用分辨率在300ppi以上的顯示面板(圖2)。在2012年底~2013年,分辨率有可能會(huì)提高到近500ppi。精細(xì)度提高,單位像素的開口率就會(huì)降低,耗電量就會(huì)進(jìn)一步增加。
圖2:精細(xì)度的提高,會(huì)使面板開口率降低
智能手機(jī)配備的液晶面板不斷推進(jìn)大屏幕化和高精細(xì)化。隨著分辨率的提高,面板開口率逐漸降低。
各面板廠商需要開發(fā)兼顧高精細(xì)化和低耗電量化的面板。雖然進(jìn)展緩慢,但液晶面板和有機(jī)EL面板均已開始采取旨在大幅削減耗電量的措施。
已采用了多種技術(shù)
液晶面板通過控制液晶分子的電壓部分遮蔽背照燈光來表現(xiàn)灰階。降低耗電量的對(duì)策有增加面板開口率、降低驅(qū)動(dòng)電壓、提高背照燈光源——白色LED的發(fā)光效率,以及提高光學(xué)材料性能等。耗電量的降低,正是這些措施“一點(diǎn)點(diǎn)積累的結(jié)果”(日立顯示器)注1)。
注1)東芝移動(dòng)顯示器、索尼移動(dòng)顯示器和日立顯示器三家公司2012年4月合并成了日本顯示器,本文中使用的是原公司名稱。
現(xiàn)有智能手機(jī)用液晶面板已經(jīng)采用了多種低耗電量化技術(shù)(圖3)。顯示模式采用可提高開口率的“FFS(fringe field switching)”方式*,驅(qū)動(dòng)元件采用載流子遷移率高、可小型化的低溫多晶硅(LTPS)TFT。光學(xué)部材使用了多片可提高亮度的薄膜。
*FFS方式=與IPS方式一樣是橫向電場(chǎng)控制用顯示技術(shù)。與IPS方式不同的是,像素電極和通用電極配置在上下方向。中小型液晶面板大部分都采用FFS方式,但稱為IPS方式。
圖3:配備8個(gè)白色LED
分辨率超過300ppi的液晶面板最多可配備8個(gè)白色LED。為提高背照燈光的利用效率,采用了旨在提高開口率的面板技術(shù)和光學(xué)部材。(圖為富士通的“Arrows X LTE”配備的4.3英寸、1280×720像素的液晶面板。Fomalhaut Technology Solutions協(xié)助拆解)
盡管如此,現(xiàn)有智能手機(jī)的液晶面板仍必須使用最多8個(gè)白色LED來確保亮度。雖然白色LED的發(fā)光效率“有望以年均5~10%左右的幅度提高”(日亞化學(xué)工業(yè)),但隨著高精細(xì)化的發(fā)展,發(fā)光效率提高的部分可能會(huì)被抵消掉。僅改良現(xiàn)有技術(shù)只能提高數(shù)%左右,難以從根本上解決問題。
從像素構(gòu)成入手
在大幅削減耗電量上備受關(guān)注的液晶技術(shù),也就是子像素排列的變更。具體為,在R(紅)G(綠)B(藍(lán))3色的子像素中添加未配備彩色濾光片(CF)的W(白)來提高面板透射率,從而降低耗電量。雖然這是原來就有的技術(shù),但目前將其應(yīng)用于高精細(xì)面板中的討論在加速。
通過變更子像素的排列降低了液晶面板耗電量的終端已經(jīng)面世。那就是英國(guó)索尼移動(dòng)通信(Sony Mobile Communications)2012年2月發(fā)布的智能手機(jī)“Xperia P”。該機(jī)型配備了索尼開發(fā)的“WhiteMagic”液晶面板(圖4)。
圖4:采用RGBW方式的WhiteMagic
索尼移動(dòng)通信在該公司的智能手機(jī)“Xperia P”上采用了索尼開發(fā)的液晶面板“WhiteMagic”(a)。通過采用在RGB中追加W的4色子像素,與原產(chǎn)品相比不但將耗電量削減約50%,還可將亮度提高至約2倍(b)。
WhiteMagic在一個(gè)像素上配置了RGBW四色的子像素。即使背照燈亮度減半,面板畫面仍可實(shí)現(xiàn)與此前產(chǎn)品相同的亮度。其特點(diǎn)是,如果背照燈亮度與原產(chǎn)品相同,則畫面亮度可提高至2倍左右。
索尼移動(dòng)采用WhiteMagic時(shí),調(diào)整了對(duì)輸入影像的圖像處理。這是因?yàn)?,如果只單純追加W,影像的對(duì)比度感會(huì)降低。索尼移動(dòng)與索尼共同反復(fù)調(diào)整了將RGB影像信號(hào)轉(zhuǎn)換成RGBW時(shí)的圖像處理參數(shù)。由此,“實(shí)現(xiàn)了在室內(nèi)使用時(shí)可削減耗電量,在戶外時(shí)畫面明亮容易看清的效果”(索尼移動(dòng))。
將RGBW分配給兩個(gè)像素
韓國(guó)三星電子正在研究同樣采用RGBW四色子像素,但將其分配給兩個(gè)像素的“Pentile”方式。由于將一個(gè)像素的子像素?cái)?shù)從以往的3個(gè)減為2個(gè),因此更方便提高面板透射率。雖然因像素減少而被指畫質(zhì)劣化,但不失為削減耗電量的有效手段。
三星采用Pentile方式試制的10.1英寸、2560×1600像素的液晶面板,驅(qū)動(dòng)元件采用遷移率低、TFT難以小型化的非晶硅TFT,但卻可實(shí)現(xiàn)299ppi的高分辨率(圖5)。耗電量最大為3.4W,與采用RGB三色CF的10.1英寸1280×800像素產(chǎn)品相同。“最早預(yù)定在2012年內(nèi)開始量產(chǎn)”(三星)。
圖5:以Pentile方式降低耗電量
三星電子正探討在高精細(xì)面板中導(dǎo)入將RGBW四色子像素分配給兩個(gè)像素的“Pentile”方式。據(jù)稱在10.1英寸產(chǎn)品的比較中,導(dǎo)入該方式的2560×1600像素產(chǎn)品的耗電量與采用RGB三色子像素的1280×800像素產(chǎn)品為同等水平。
關(guān)鍵在于提高發(fā)光元件的性能
有機(jī)EL面板屬于自發(fā)光型器件,與液晶面板相比構(gòu)成部材較少。用于智能手機(jī)的有機(jī)EL面板采用在TFT基板相反的一側(cè)提取光的頂部發(fā)光構(gòu)造,因此不會(huì)被TFT遮擋住光線。要降低耗電量,需要提高有機(jī)EL元件的內(nèi)部量子效率和光提取效率。
要提高有機(jī)EL元件的內(nèi)部量子效率,最有效的方法莫過于采用磷光材料。三重態(tài)激勵(lì)發(fā)光的磷光材料與從單重態(tài)激勵(lì)發(fā)光的螢光材料相比,在理論上內(nèi)部量子效率更高。目前的狀況是,在智能手機(jī)用有機(jī)EL面板上,R發(fā)光材料已經(jīng)實(shí)用化,G發(fā)光材料即將得到采用。但B的磷光材料由于色純度和壽命較低,實(shí)用化尚需時(shí)日 注2)。
注2) 為使磷光材料從三重態(tài)發(fā)光,而要采用Ir(銥)和Pt(白金)等昂貴的金屬。因此存在成本高的課題。九州大學(xué)以數(shù)年后實(shí)現(xiàn)實(shí)用化為目標(biāo),正在開發(fā)不含Ir和Pt的發(fā)光材料。通過將單重態(tài)和三重態(tài)激發(fā)狀態(tài)的能量順序之差降到50meV,而在將能量向單重態(tài)轉(zhuǎn)換。據(jù)2012年3月發(fā)布的開發(fā)成果,已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了86.5%的高轉(zhuǎn)換效率。
出光興產(chǎn)采用現(xiàn)有的B螢光材料提高了內(nèi)部量子效率(圖6)。該公司通過在電子輸送層和發(fā)光層之間設(shè)置“EEL(efficiency enhancement layer)”層,開發(fā)出了超過螢光材料理論界限的B發(fā)光元件?!癊EL通過使三重態(tài)激子在發(fā)光元件內(nèi)保留一定的時(shí)間,使激子之間發(fā)生碰撞,從而將能量向單重態(tài)轉(zhuǎn)移”(出光興產(chǎn)電子材料部電子材料中心主任研究員熊均)。由此提高了內(nèi)部量子效率。
圖6:耗電量降至1/2以下
出光興產(chǎn)通過追加高效率層提高了B螢光材料的內(nèi)部量子效率,并通過追加覆蓋層改善了光提取效率(a,b)。取得了4英寸的800×480像素產(chǎn)品的耗電量在全白顯示時(shí)為644mW,平均為143mW的模擬結(jié)果(c)。(圖由本刊根據(jù)出光興產(chǎn)的資料制作)
出光興產(chǎn)還設(shè)法提高了有機(jī)EL元件的光提取效率。通過在發(fā)光元件的負(fù)極上設(shè)置折射率較高的有機(jī)物覆蓋層,“抑制了表面離子體在負(fù)極表面上造成的消光現(xiàn)象”(熊均)。該公司采用B螢光材料以及R和G磷光材料試制出了設(shè)置有EEL和覆蓋層的有機(jī)EL元件。將其用于800×480像素的4英寸品時(shí),預(yù)計(jì)耗電量在全白顯示時(shí)為644mW,平均為143mW,可降至目前的1/2以下。
還可能有第三種顯示元件
除了液晶面板和有機(jī)EL面板外,還有其他降低了耗電量的顯示器技術(shù)。其中之一就是美國(guó)風(fēng)險(xiǎn)企業(yè)Pixtronix開發(fā)的MEMS顯示器(圖7)。
圖7:以MEMS快門顯示
CMI和日立顯示器等試制了采用Pixtronix公司自主技術(shù)的MEMS顯示器(a,b)。與液晶面板相比,光的利用效率比較高(c)。(圖根據(jù)Pixtronix公司的資料制作)
Pixtronix開發(fā)的MEMS顯示器技術(shù)由MEMS快門、采用RGB三色LED的背照燈、TFT、反射板及玻璃基板等構(gòu)成。通過高速開關(guān)MEMS快門,控制LED背照燈的透射光和自然光量來顯示灰階。透射模式通過依次驅(qū)動(dòng)RGB三色LED背照燈來顯示彩色。由于無需像液晶面板那樣使用偏光板和CF,因此光利用效率可提高至60~80%左右,比液晶面板的6~8%有大幅提升。
Pixtronix已在向奇美電子(CMI)、日立顯示器以及三星等知名面板廠商提供技術(shù)授權(quán)。CMI已公開了5.14英寸的640×480像素試制品,日立顯示器也公開了2.5英寸的320×240像素試制品。CMI的試制品耗電量為550mW,“是相同性能參數(shù)液晶面板的2/3左右”(CMI)。
評(píng)論
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