附件基準(zhǔn)電壓源 電流檢測(cè)和電流源.rar1.0 MB
2018-10-17 15:23:22
7 顯示 ADR4312.5 V 基準(zhǔn)電壓源的典型噪聲與頻率關(guān)系曲線圖。 圖 7. 帶補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)的 ADR431 噪聲曲線 ADR435 補(bǔ)償其內(nèi)部運(yùn)算放大器，驅(qū)動(dòng)大容性負(fù)載并避免噪聲峰化，使其非常
2020-04-14 07:00:00
本帖最后由 laisheng 于 2016-1-25 11:14 編輯
雖然每種模擬IC類型都有必須優(yōu)化的特定參數(shù)，但這里將探討基準(zhǔn)電壓源——可產(chǎn)生穩(wěn)定、精確直流電壓的器件，該器件決定了
2016-01-25 10:58:27
概述：REF191是一款精密帶隙基準(zhǔn)電壓源芯片，它采用專利的溫度漂移曲率校正電路，激光微調(diào)高度穩(wěn)定的薄膜電阻，以實(shí)現(xiàn)非常低的溫度系數(shù)和較高的初始精度。REF191采用SOIC、TSSOP及DIP8腳封裝工藝；...
2021-04-13 06:00:16
概述：REF198是一款精密帶隙基準(zhǔn)電壓源芯片，它采用專利的溫度漂移曲率校正電路，激光微調(diào)高度穩(wěn)定的薄膜電阻，以實(shí)現(xiàn)非常低的溫度系數(shù)和較高的初始精度。REF198采用SOIC、TSSOP及DIP8腳封裝工藝；...
2021-04-14 07:34:35
帶隙基準(zhǔn)是什么？帶隙基準(zhǔn)的功能工作原理是什么？帶隙基準(zhǔn)的結(jié)構(gòu)是由哪些部分組成的？
2021-06-22 08:14:04
這是帶隙基準(zhǔn)仿真波形。這款帶隙基準(zhǔn)用于RFID芯片中，當(dāng)整流出來為周期性波動(dòng)電壓時(shí)，供給帶隙后，帶隙輸出也會(huì)發(fā)生周期性抖動(dòng)。在單仿帶隙時(shí)，DC仿真和瞬態(tài)仿真都沒有問題，可以穩(wěn)定輸出。但是如果瞬態(tài)加
2021-06-25 07:27:47
標(biāo)準(zhǔn)的帶隙基準(zhǔn)，輸出電壓約為1.2V，10ppm左右。設(shè)計(jì)好，接入電路中，瞬態(tài)仿真，輸出電壓波形為以1.2V為直流，類似100MHz頻率的20mv峰值正弦波做周期等幅振蕩，可能的原因是什么。
2011-12-07 14:43:44
基準(zhǔn)電壓源是工藝、電源電壓、溫度變化時(shí)能夠提供穩(wěn)定輸出電壓的電路。基準(zhǔn)電壓源廣泛應(yīng)用于數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器、智能傳感器、電源轉(zhuǎn)換器等電路。
基準(zhǔn)電壓源設(shè)計(jì)的要點(diǎn)是精度高，溫度漂移小，帶隙基準(zhǔn)電壓源利用硅的帶隙
2023-09-08 17:56:48
本帖最后由 萆嶶锝承鍩じ☆ve 于 2018-4-8 18:13 編輯
電壓基準(zhǔn)芯片的分類 根據(jù)內(nèi)部基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生結(jié)構(gòu)不同，電壓基準(zhǔn)分為：帶隙電壓基準(zhǔn)和穩(wěn)壓管電壓基準(zhǔn)兩類。穩(wěn)壓管電壓基準(zhǔn)的基準(zhǔn)
2018-04-08 17:19:22
你知道么，LT1461 和 LT1790 微功率低壓降帶隙電壓基準(zhǔn)的過人之處不僅在于溫度系數(shù) (TC) 和準(zhǔn)確度，還在于長(zhǎng)期漂移和遲滯（因?yàn)闇囟鹊闹芷谛宰兓鸬妮敵?b class="flag-6" style="color: red">電壓漂移）。有時(shí)被其他制造商所
2019-08-02 06:36:09
操作理論 AD1580使用帶隙概念來產(chǎn)生一個(gè)穩(wěn)定的、低溫度系數(shù)的電壓基準(zhǔn)，適用于高精度數(shù)據(jù)采集組件和系統(tǒng)。該器件利用了硅晶體管基極發(fā)射極電壓在正向偏置工作區(qū)的基本物理特性。所有此類晶體管的溫度系數(shù)
2020-07-15 10:06:46
1. 看了V1.04的芯片手冊(cè),但是沒看到 芯片內(nèi)部帶隙電壓的出廠校準(zhǔn)值 的存儲(chǔ)地址, 請(qǐng)問如何讀出帶隙電壓值？
2. 我將芯片內(nèi)存存儲(chǔ)器都用作APROM區(qū)，請(qǐng)問我將最后1K區(qū)域當(dāng)做EEPROM來存儲(chǔ)參數(shù)，要如何操作？ 這個(gè)內(nèi)部APROM區(qū)域大概可以重復(fù)寫入多少次內(nèi)？
2023-06-27 06:20:00
最近diy制作一個(gè)USB電源電流表，使用的N76E003單片機(jī)，液晶屏顯示部分程序，也弄好了，就差adc采樣了，想利用內(nèi)部帶隙電壓計(jì)算外部電壓值，不知道怎么計(jì)算，讀取UID最后兩個(gè)字，值為1663
2023-06-16 07:32:22
、低漂移內(nèi) 部帶隙基準(zhǔn)，也可采用外部差分基準(zhǔn)電壓。其片內(nèi)還集成可編程 激勵(lì)電流源、burnout 電流源和偏置電壓發(fā)生器。偏置電壓發(fā)生 器可將通道的共模電壓設(shè)置為 0.5*AVDD。 此芯片采用外部時(shí)鐘
2022-05-12 18:33:00
穩(wěn)壓器、射頻電路、高精度A／D和D／A轉(zhuǎn)換器等多種集成電路中。隨著大規(guī)模集成電路的日益復(fù)雜和精密，亦對(duì)帶隙基準(zhǔn)電壓的溫度穩(wěn)定性提出了更高的要求。傳統(tǒng)的帶系基準(zhǔn)電壓源只能產(chǎn)生固定的近似1．2 V的電壓
2019-07-12 07:36:42
基準(zhǔn)電壓源有很多形式并提供不同的特性，但歸根結(jié)底，精度和穩(wěn)定性是基準(zhǔn)電壓源最重要的特性，因?yàn)槠渲饕饔檬翘峁┮粋€(gè)已知輸出電壓。相對(duì)于該已知值的變化是誤差。為什么需要基準(zhǔn)電壓源？
2019-07-30 07:40:43
什么是基準(zhǔn)電壓源？看到了論壇有電壓源的貼子，想問下什么是基準(zhǔn)電壓源？求大蝦指教啊
2011-12-27 13:48:15
部集成了輸 入緩沖器、儀表放大器，當(dāng)增益設(shè)置為 64，更新速率為 4.17Hz 時(shí)，均方根噪聲為 25nV。集成了精密低噪聲、低漂移內(nèi)部帶隙 基準(zhǔn)，也可采用外部差分基準(zhǔn)電壓。片內(nèi)還集成可編程激勵(lì)電流 源
2022-05-11 17:48:31
傳統(tǒng)帶隙基準(zhǔn)源有哪些基本原理？什么樣的基準(zhǔn)源電壓才能滿足普通應(yīng)用要求？
2021-04-07 06:52:08
看了關(guān)于能帶隙基準(zhǔn)源的的介紹，其原理是利用了正溫度系數(shù)的電壓產(chǎn)生器和具有負(fù)溫度系數(shù)的電壓，從而得到具有零溫度系數(shù)的基準(zhǔn)電壓。
第一張圖是基本原理圖，用左邊電流控制右邊電流，但是書上說左右兩個(gè)晶體管
2024-01-27 11:56:26
使用具有1.2外部帶隙基準(zhǔn)的TC7116模數(shù)轉(zhuǎn)換器的典型應(yīng)用（VIN- 與通用相連）
2019-07-26 08:35:49
具有低漂移滿量程調(diào)整的LT1021BCH-5 CMOS DAC參考的典型應(yīng)用。 LT1021是一款精密基準(zhǔn)電壓源，具有超低漂移和低噪聲特性，極佳的長(zhǎng)期穩(wěn)定性以及對(duì)輸入電壓變化的幾乎完全抗擾度。參考輸出的源電流和吸收電流均高達(dá)10mA
2020-04-02 10:00:45
M0518 ADC的內(nèi)部帶隙電壓是指什么？
2018-10-16 09:53:21
大家好，我有一個(gè)問題，配置PIC18F85 J94ADC。在第22.3.2頁中，從PIC18F97 J95家庭數(shù)據(jù)表中得知，內(nèi)部帶隙基準(zhǔn)電壓可用于ADC正基準(zhǔn)電壓。然而，在寄存器描述中沒有提到這樣
2019-01-29 06:04:01
/℃，而且基準(zhǔn)電壓輸出精度高于5‰，是一種低溫度系數(shù)高精度的CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源。本文給出的帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計(jì)方案符合LDO穩(wěn)壓器對(duì)高精度電壓的所需。
2018-10-09 14:42:54
一個(gè)可行的方法實(shí)現(xiàn)與溫度無關(guān)的電壓基準(zhǔn)可調(diào)帶隙基準(zhǔn)電壓電路分析及仿真
2021-04-08 06:59:00
帶曲率補(bǔ)償?shù)?b class="flag-6" style="color: red">帶隙基準(zhǔn)源的原理是什么？它與傳統(tǒng)帶隙基準(zhǔn)源相比有何不同？
2021-04-09 06:35:43
如果我們可以確定帶隙電壓和對(duì)應(yīng)的ADC原始數(shù)據(jù)那么我們就可以通過比例運(yùn)算知道VCC，因?yàn)闈M量程對(duì)應(yīng)的就是VCC，也就是0x0FFF對(duì)應(yīng)VCC
即VCC:0xFFF=帶隙電壓：帶隙電壓ADC
2023-06-25 08:18:31
如何去選擇基準(zhǔn)電壓源？為什么參數(shù)差的基準(zhǔn)反而可能更好？
2021-05-08 07:39:12
最近在做帶隙基準(zhǔn)源，用到AMP鉗位電壓，使倆點(diǎn)電壓一致，拉雜為沒講用到的AMP要有什么要求？但看到資料的電路基本都是單級(jí)AMP，想問下大大們，這個(gè)AMP鉗位電壓原理就是虛短虛斷么？（如果是要求增益應(yīng)該很大啊），還有那些要求？第一次發(fā)帖，小弟先謝了。
2022-06-15 10:26:32
帶隙基準(zhǔn)源原理是什么？雙極帶隙基準(zhǔn)電路的實(shí)際電路結(jié)構(gòu)是怎樣構(gòu)成的？怎樣對(duì)雙極帶隙基準(zhǔn)電路進(jìn)行仿真測(cè)試？
2021-04-21 06:20:19
帶隙基準(zhǔn)電壓源工作原理是什么？一種低溫漂輸出可調(diào)帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計(jì)
2021-05-08 06:38:57
1，通過MS51FB9AE帶隙電壓（Band-gap）能反推出電源電壓，2，MS51FB9AE帶隙電壓（Band-gap）比較低，1.17V ~ 1.27內(nèi)3，如果我要偵測(cè)比較低的電壓（如50mV
2022-05-11 14:31:55
本文對(duì)電壓基準(zhǔn)源引起的ADC系統(tǒng)的DNL誤差進(jìn)行了建模分析，提出了一種采用二階曲率補(bǔ)償技術(shù)的電壓基準(zhǔn)源電路，該電路運(yùn)用低噪聲兩級(jí)運(yùn)放進(jìn)行箝位，同時(shí)在采用共源共柵電流鏡技術(shù)的基礎(chǔ)上加入了PSR提高電路。
2021-04-20 06:51:42
電源電壓變化時(shí)，帶隙基準(zhǔn)的輸出發(fā)生跳變，怎么減小帶隙基準(zhǔn)的過沖？謝謝
2021-06-24 06:46:07
問題。設(shè)計(jì)了兩款電路：一款是高精度CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源電路；另一款為采用頻率抖動(dòng)技術(shù)的RC振蕩器電路?；靥咎榭措[藏下載地址：[hide][/hide]
2022-07-04 14:58:24
精密基準(zhǔn)電壓源芯片中的“初始電壓精度”是什么意思？例如ADR06的初始精度：±0.1%
2023-11-23 06:13:31
噪聲貢獻(xiàn)。圖7顯示ADR431 2.5 V基準(zhǔn)電壓源的典型噪聲與頻率關(guān)系曲線圖?！ D7. 帶補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)的ADR431噪聲曲線 ADR435補(bǔ)償其內(nèi)部運(yùn)算放大器，驅(qū)動(dòng)大容性負(fù)載并避免噪聲峰化，使其
2018-09-27 10:57:26
電路的總噪聲貢獻(xiàn)。圖7顯示ADR431 2.5 V基準(zhǔn)電壓源的典型噪聲與頻率關(guān)系曲線圖。 圖7. 帶補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)的ADR431噪聲曲線 ADR435補(bǔ)償其內(nèi)部運(yùn)算放大器，驅(qū)動(dòng)大容性負(fù)載并避免噪聲峰化
2018-09-27 10:29:41
各位親，這種型號(hào)基準(zhǔn)源的精度和溫漂屬于什么層次的？這個(gè)+-%0.2屬于很小或者說最小的嗎？ 自己用分立器件比如說穩(wěn)壓二極管或者TL431能搭建出這種等級(jí)的基準(zhǔn)源嗎？ 我是菜鳥，大家給我科普一下吧 謝謝啦
2018-11-06 17:40:48
最近diy制作一個(gè)USB電源電流表，使用的N76E003單片機(jī)，液晶屏顯示部分程序，也弄好了，就差adc采樣了，想利用內(nèi)部帶隙電壓計(jì)算外部電壓值，不知道怎么計(jì)算，讀取UID最后兩個(gè)字，值為1663
2023-08-30 06:43:07
什么是帶隙電壓？
2020-12-23 07:27:58
請(qǐng)問仿真一個(gè)運(yùn)放的輸入失調(diào)電壓是不是要做MC分析啊用在帶隙基準(zhǔn)中的運(yùn)放，對(duì)于帶隙基準(zhǔn)的性能要求：-40~130溫度掃描，輸出電壓偏離小于3mv，電壓精度小于1mv，這樣的性能要求輸入失調(diào)電壓為多少？幾mv嗎，還是小于1mv？
2021-06-24 06:28:08
如何實(shí)現(xiàn)低電壓帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計(jì)？傳統(tǒng)帶隙基準(zhǔn)電壓源的工作原理是什么？低電源帶隙基準(zhǔn)電壓源的工作原理是什么？
2021-04-20 06:12:32
如何讀取實(shí)際N76E003帶隙電壓？
2020-12-22 06:30:34
帶隙放大器電路作為運(yùn)放使用，請(qǐng)問該運(yùn)放的輸出阻抗與跨導(dǎo)怎么分析，有沒有相關(guān)的資料？
2021-06-23 07:51:30
各位大神，請(qǐng)問有沒有做過cadence的CMOS帶隙基準(zhǔn)電路設(shè)計(jì)，或者CMOS四運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)（LM324），求各位幫幫忙，我快山窮水盡了
2020-05-17 23:32:07
選擇最佳的電壓基準(zhǔn)源
2012-08-14 15:02:51
公司用LM4040C25做模擬電壓采集基準(zhǔn)源（電壓采集電路如下），在按DO-160G做CS/RS時(shí)，在200-300MHz時(shí)，電壓采集值跳動(dòng)比較厲害（試驗(yàn)時(shí)已測(cè)基準(zhǔn)電源確實(shí)跳動(dòng)了）。能不能換一個(gè)基準(zhǔn)源，但換一個(gè)電壓基準(zhǔn)源，會(huì)不會(huì)產(chǎn)生同樣的問題，請(qǐng)問大俠們有什么解決方案？
2016-12-15 14:37:00
本文通過結(jié)合LDO與Brokaw基準(zhǔn)核心，設(shè)計(jì)出了高PSR的帶隙基準(zhǔn)，此帶隙基準(zhǔn)輸出的1.186 V電壓的低頻PSR為-145 dB，最高PSR為-36 dB，溫漂可以達(dá)到7.5 ppm，適用于
2018-10-10 16:52:05
，溫度穩(wěn)定性和精度之間關(guān)系到整個(gè)電路的精確度和性能?！ ‘?dāng)今設(shè)計(jì)的基準(zhǔn)電壓源大多數(shù)采用BJT帶隙基準(zhǔn)電壓源結(jié)構(gòu)，以及利用MOS晶體管的亞閾特性產(chǎn)生基準(zhǔn)電壓源；然而，隨著深亞微米CMOS工藝的發(fā)展，尺寸按
2018-11-30 16:38:24
），沒有加電容，就參照上面的電路設(shè)計(jì)了。讓我們?cè)龠M(jìn)一步的看一下REF50XX系列bandgap基準(zhǔn)源的內(nèi)部，如下圖，芯片內(nèi)部有一個(gè)1.2V的帶隙基準(zhǔn)，和一個(gè)用于設(shè)置精確輸出電壓的放大器。這兩個(gè)就是基準(zhǔn)
2019-06-11 06:59:08
一種抵消曲率系數(shù)的高精度低溫漂CMOS帶隙基準(zhǔn)的設(shè)計(jì):傳統(tǒng)的帶隙基準(zhǔn)使用PTAT電壓對(duì)三極管Vbe的溫度系數(shù)進(jìn)行線性補(bǔ)償來得到與溫度無關(guān)的基準(zhǔn)電壓，但由于忽略了Vbe的曲率系數(shù)
2009-12-21 10:15:46
20 本文提出了一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單高電源抑制比的CMOS 帶隙基準(zhǔn)電壓源，供電電源3.3V。采用CSMC 0.5um CMOS 工藝。Spectre 仿真結(jié)果表明，基準(zhǔn)輸出電壓在溫度為-40～+80℃時(shí)，溫度系數(shù)為45.53×10-6/
2010-01-11 14:20:4327 ADR360/ADR361/ADR363/ADR364/ADR365/ADR366分別是2.048 V、2.5 V、3.0 V、4.096 V、5.0 V和3.3 V精密帶隙基準(zhǔn)電壓源，具有低功耗
2023-06-25 14:26:34
ADR363是2.048 V、2.500 V、3.000 V、4.096 V、5.000 V和3.300 V精密帶隙基準(zhǔn)電壓源，具有低功耗和高精度，采用緊湊的TSOT封裝。ADR360/ADR361
2023-06-25 14:40:40
ADR364分別是2.048 V、2.500 V、3.000 V、4.096 V、5.000 V和3.300 V精密帶隙基準(zhǔn)電壓源，具有低功耗和高精度，采用緊湊的TSOT封裝。ADR360
2023-06-25 14:47:50
ADR365分別是2.048 V、2.500 V、3.000 V、4.096 V、5.000 V和3.300 V精密帶隙基準(zhǔn)電壓源，具有低功耗和高精度，采用緊湊的TSOT封裝。ADR360
2023-06-25 14:50:33
ADR366分別是2.048 V、2.500 V、3.000 V、4.096 V、5.000 V和3.300 V精密帶隙基準(zhǔn)電壓源，具有低功耗和高精度，采用緊湊的TSOT封裝。ADR360
2023-06-25 14:53:55
ADR390/ADR391/ADR392/ADR395分別是2.048 V、2.5 V、4.096 V和5 V精密帶隙基準(zhǔn)電壓源，具有低功耗、高精度和小尺寸特性。該系列基準(zhǔn)電壓源利用ADI的溫度漂移
2023-06-26 09:51:29
ADR391/ADR392/ADR395分別是2.5 V\4.096 V和5 V精密帶隙基準(zhǔn)電壓源，具有低功耗、高精度和小尺寸特性。該系列基準(zhǔn)電壓源利用Analog Devices, Inc.（簡(jiǎn)稱
2023-06-26 14:54:46
ADR291和ADR292均為低噪聲、微功耗、精密基準(zhǔn)電壓源，采用XFET?基準(zhǔn)電壓源電路。與傳統(tǒng)的帶隙和嵌入式齊納二極管基準(zhǔn)電壓源相比，全新的XFET架構(gòu)在性能方面有明顯改進(jìn)。具體包括：工作電流
2023-06-26 15:29:55
ADR291和ADR292均為低噪聲、微功耗、精密基準(zhǔn)電壓源，采用XFET?基準(zhǔn)電壓源電路。與傳統(tǒng)的帶隙和嵌入式齊納二極管基準(zhǔn)電壓源相比，全新的XFET架構(gòu)在性能方面有明顯改進(jìn)。具體包括
2023-06-26 15:33:05
MAX6033超高精度、串聯(lián)型電壓基準(zhǔn)具有7ppm/°C (最大值)的低溫漂系數(shù)和低壓差(200mV，最大值)特性。低溫度漂移和低噪聲使MAX6033非常適合配合高分辨率ADC或DAC工作。這款器件
2023-06-27 10:03:29
本文提出了一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單高電源抑制比的CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源，供電電源3.3V。采用CSMC 0.5um CMOS工藝。Spectre仿真結(jié)果表明，基準(zhǔn)輸出電壓在溫度為-40～+80℃時(shí)，溫度系數(shù)為45.53×10-6/℃
2010-07-14 16:14:3641 基于工作在亞閾值區(qū)的MOS器件，運(yùn)用CMOS電流模基準(zhǔn)對(duì)CATA和PTAT電流求和的思想，提出一種具有低溫漂系數(shù)、高電源抑制比（PSRR）的CMOS電壓基準(zhǔn)源，該電路可同時(shí)提供多個(gè)輸出基準(zhǔn)電
2010-12-30 10:25:5326 結(jié)合工作在亞閾值區(qū)、飽和區(qū)和線性區(qū)的MOS管，提出一種純MOS結(jié)構(gòu)的基準(zhǔn)電壓源，其結(jié)構(gòu)能有效補(bǔ)償MOS管的載流子遷移率和亞閾值斜率的溫度系數(shù)。基于SMIC0.13μm的CMOS工藝的仿真結(jié)
2011-01-04 16:17:3127 低電壓高精度CMOS基準(zhǔn)電流源設(shè)計(jì)
2011-01-24 15:10:1795 基準(zhǔn)電壓源是集成電路系統(tǒng)中一個(gè)非常重要的構(gòu)成單元。結(jié)合近年來的設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn),首先給出了帶隙基準(zhǔn)源曲率產(chǎn)生的主要原因,而后介紹了在高性能CMOS 帶隙基準(zhǔn)電壓源中所廣泛采用的幾種
2011-05-25 14:52:4434 基準(zhǔn)電壓源電路作為模擬集成電路不可缺少的模塊，對(duì)其進(jìn)行分析和研究具有重要意義。本文通過Hspice對(duì)四種MOS管基準(zhǔn)電壓源電路進(jìn)行仿真，給出了電路圖、電路參數(shù)和仿真結(jié)果。
2011-08-11 10:24:17
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基準(zhǔn)電壓源是集成電路系統(tǒng)中一個(gè)非常重要的構(gòu)成單元。結(jié)合近年來的設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn),首先給出了帶隙基準(zhǔn)源曲率產(chǎn)生的主要原因,而后介紹了在高性能CMOS 帶隙基準(zhǔn)電壓源中所廣泛采用的幾種
2011-09-27 14:30:5258 在傳統(tǒng)帶隙基準(zhǔn)電壓源電路結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，通過在運(yùn)放中引入增益提高級(jí)，實(shí)現(xiàn)了一種用于音頻-A/D轉(zhuǎn)換器的CMOS帶隙電壓基準(zhǔn)源。在一階溫度補(bǔ)償下實(shí)現(xiàn)了較高的電源抑制比（PSRR）和較
2012-10-10 14:49:5043 基于SMIC0.35 m的CMOS工藝，設(shè)計(jì)了一種高電源抑制比，同時(shí)可在全工藝角下的得到低溫漂的帶隙基準(zhǔn)電路。首先采用一個(gè)具有高電源抑制比的基準(zhǔn)電壓，通過電壓放大器放大得到穩(wěn)定的電壓，以提供給
2013-01-22 14:52:1252 一種低溫度系數(shù)的全CMOS基準(zhǔn)電流源_羅彥彬
2017-01-08 10:18:574 一種低溫漂低電源電壓調(diào)整率的基準(zhǔn)電流源_唐俊龍
2017-01-08 10:18:577 低溫漂系數(shù)共源共柵CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源_鄧玉斌
2017-01-08 10:24:075 一種低溫漂超低功耗帶隙基準(zhǔn)電壓源_李連輝
2017-01-08 10:30:293
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