O 引言
近年來(lái)低壓差穩(wěn)壓器(LD0,Low Dropout Regulator)、準(zhǔn)低壓差穩(wěn)壓器(QLDO,Quasi Low Dropout Regulator)和超低壓差穩(wěn)壓器(VLD0,Very Low Dropout Regulator)競(jìng)相問(wèn)世,并在低壓供電領(lǐng)域獲得推廣應(yīng)用。
1 LD0、QLDO的設(shè)計(jì)原理
下面首先介紹普通串聯(lián)調(diào)整式線(xiàn)性集成穩(wěn)壓器的基本原理,然后分別闡述低壓差穩(wěn)壓器、準(zhǔn)低壓差集成穩(wěn)壓器的基本原理,從中比較它們的顯著特點(diǎn)。
1.1 普通線(xiàn)性集成穩(wěn)壓器的設(shè)計(jì)原理
普通線(xiàn)性集成穩(wěn)壓器亦稱(chēng)NPN型穩(wěn)壓器,其原理如圖1所示。典型產(chǎn)品有7800系列三端固定式線(xiàn)性集成穩(wěn)壓器和LM317系列三端可調(diào)式線(xiàn)性集 成穩(wěn)壓器。它們都屬丁NPN型穩(wěn)壓器,即串聯(lián)調(diào)整管是由NPN型晶體管VT2、VT3構(gòu)成的達(dá)林頓管。VT1為驅(qū)動(dòng)管,它采用PNP型晶體管。U1為輸入 電壓,U0為輸出電壓。R1和R2為取樣電阻,取樣電壓U0加到誤差放大器的 同相輸入端,UQ與加在反相輸入端的基準(zhǔn)電壓UREF相比較,二者的差值經(jīng)誤差放大器放大后產(chǎn)生誤差電壓Ur,用來(lái)調(diào)節(jié)串聯(lián)調(diào)整管的壓降,使輸出電壓達(dá)到 穩(wěn)定。舉例說(shuō)明,當(dāng)輸出電壓U0降低時(shí),UQ和Ur均降低,因驅(qū)動(dòng)電流增大,故調(diào)整管的壓降減小,使輸出電壓升高,最終使U0維持穩(wěn)定。由于反饋環(huán)路總是 試圖使誤差放大器兩個(gè)輸入端的電位相等,即UQ=UREF,因此
普通集成穩(wěn)壓器的主要缺點(diǎn)是輸入-輸出壓差高。為了維持穩(wěn)壓器的正常工作,要求最低輸入-輸出壓差(U1-U0)不得低于2 V,一般取4 V以上為宜。這是造成調(diào)整管功耗大的主要原因。由圖l可見(jiàn),輸入-輸出壓差的計(jì)算公式為
式中:UBE為VT2、VT3的發(fā)射結(jié)電壓(這里假定二者相等),岡此總發(fā)射結(jié)電壓為2UBE;
UCES為PNP型晶體管BTl的集電極-發(fā)射極飽和壓降。
1.2 LD0的設(shè)計(jì)原理
LD0的設(shè)計(jì)原理如圖2所示。LDO與普通線(xiàn)性集成穩(wěn)壓器的主要區(qū)別是采用PNP型功率管作調(diào)整管,并且不需要驅(qū)動(dòng)管。其輸入-輸出壓差的計(jì)算公式為
由于公式中不含2UBE這一項(xiàng),因此可大大降低輸入-輸出壓差。滿(mǎn)載時(shí)輸入-輸出壓差的典型值小于500mV,輕載時(shí)僅為10~50mV。這是其顯著特點(diǎn)。
但低壓差線(xiàn)性穩(wěn)壓器有其不足之處,即所需的基極驅(qū)動(dòng)電流及靜態(tài)工作電流Id較大。滿(mǎn)載時(shí)若PNP管的β值為15~20倍,則LDO的 Id≈(5%~7%)Io。由它產(chǎn)生的功耗會(huì)限制穩(wěn)壓器效率的進(jìn)一步提高,這在電池供電的低功耗系統(tǒng)中是不容忽視的問(wèn)題。
1.3 QLDO的設(shè)計(jì)原理
準(zhǔn)低壓差集成穩(wěn)壓器(QLDO)是因輸入-輸出壓差介于NPN穩(wěn)壓器和LDO穩(wěn)壓器二者之間而得名的。其設(shè)計(jì)原理如圖3所示。QLDO的內(nèi)部調(diào) 整管VT2也采用NPN型功率管,但增加了一級(jí)PNP型驅(qū)動(dòng)管VT1,因此它兼有普通集成穩(wěn)壓器驅(qū)動(dòng)電流小、低壓差集成穩(wěn)壓器輸入-輸出壓差低的優(yōu)點(diǎn)。其 輸入-輸出壓差的計(jì)算公式為
式中包含UBE這一項(xiàng),意味著QLDO的輸入-輸出壓差介于NPN穩(wěn)壓器和LDO之間。QLDO具有較好的性能指標(biāo):例如LMl085能輸出 3A的電流,而靜態(tài)工作電流僅為10mA。QLDO也需要接輸出電容,但其容量可比LDO用得小,對(duì)電容的等效串聯(lián)電阻(ESR)要求較低。
2 VLDO的設(shè)計(jì)原理
VLDO的設(shè)計(jì)原理如圖4所示,典型產(chǎn)品為Analogic TECH公司的AAT3200。VLD0的最大特點(diǎn)是采用P溝道功率場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET來(lái)代替PNP型功率管作為調(diào)整管,MOSFET本身還帶保護(hù)二極管(VD)。P溝道MOSFET屬于電壓控制型器件,其柵極驅(qū)動(dòng)電流板小,而通態(tài)電阻非常低,通態(tài)壓降遠(yuǎn)低于雙極性晶體管的飽和壓降,這不僅能大大降低輸入-輸出壓差,還能在微封裝下輸出更大的電流。圖4中還給出了內(nèi)部過(guò)電流及過(guò)熱保護(hù)電路,RS為電流檢測(cè)電阻。
一種改進(jìn)型VLDO的設(shè)計(jì)原理如圖5所示。其主要特點(diǎn)是增加了輸出狀態(tài)自檢(POK)、延遲供電、電源關(guān)斷等功能。POK(Power OK)是表示“電源正常”的信號(hào)。一旦輸出電壓降低到使采樣電壓低于9l%UREF時(shí),比較器就輸出高電平,經(jīng)過(guò)l ms的延遲時(shí)間強(qiáng)迫POK MOSFET導(dǎo)通,從POK端輸出低電平(表示電源電壓過(guò)低),送至微處理器。當(dāng)輸出電壓恢復(fù)正F常叫,比較器輸出低電平,令POK MOSFET截止,POK端輸出為高電平,以此表示電源正常。POK MOSFET采用開(kāi)漏極輸出結(jié)構(gòu),外部需經(jīng)過(guò)lO kΩ~l MΩ的上拉電阻接U0端。不用POK端時(shí)可接地或懸空。EN為使能控制端,當(dāng)EN端接低電半時(shí)將電源關(guān)斷。LDO進(jìn)入休眠狀態(tài),此時(shí)POK端 呈高阻態(tài)。利用延遲電路能避免因干擾而造成的誤動(dòng)作。
3 幾種線(xiàn)性穩(wěn)壓器的性能比較
幾種線(xiàn)性穩(wěn)壓器的性能比較見(jiàn)表l。
4 LDO的性能測(cè)試
為了說(shuō)明低壓差穩(wěn)壓器的優(yōu)良特性,現(xiàn)將LM2930與普通三端穩(wěn)壓器7805作一對(duì)比性試驗(yàn),二者的標(biāo)稱(chēng)穩(wěn)壓值均為5v。穩(wěn)壓器的輸入電壓取自 HT-1714C型多路直流穩(wěn)壓電源。穩(wěn)壓器的輸出端接上假負(fù)載R1,使輸出電流I0=100mA。輸出電壓U0用DT860型數(shù)字萬(wàn)用表測(cè)量。測(cè)量數(shù)據(jù) 以及汁算出的壓差值(U1-U0)、穩(wěn)壓電源的效率(η)一并列入表2及表3中。由表2及表3可見(jiàn),當(dāng)U1>5.20V時(shí),LM2930即 可正常穩(wěn)壓,穩(wěn)壓值U0=5.16v;當(dāng)u1=5.20V時(shí)的壓差僅為0.04 V,U1=5.50V時(shí)為0.34V,均低于O 6V。7805則不然,其壓差必須大于2V(實(shí)際使用時(shí)應(yīng)在4V以上),才能正常穩(wěn)壓,穩(wěn)壓值U0=4.98V。
5 結(jié)語(yǔ)
不難看出,選擇低壓差穩(wěn)壓器能顯著提高線(xiàn)性集成穩(wěn)壓電源的效率。
評(píng)論
查看更多