M57957L/M57958LIGBT厚膜驅(qū)動(dòng)器集成電路

M57957L/M57958LIGBT厚膜驅(qū)動(dòng)器集成電路

1引腳排列與名稱、功能及用法

M57957L與M57958L均采用單列直插式標(biāo)準(zhǔn)8腳厚膜集成電路封裝。其外形和引腳排列如圖1所示，各引腳的名稱、功能及用法可參見表1所列。

2內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理簡(jiǎn)述

M57957L與M57958L的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理如圖2所示。由圖可知，它們的內(nèi)部集成有光耦、接口及功放單元。其工作原理可簡(jiǎn)述為：來(lái)自脈沖形成單元的驅(qū)動(dòng)信號(hào)為高電平時(shí)光耦導(dǎo)通，接口電路把該信號(hào)整形后由功放級(jí)的兩級(jí)達(dá)林頓NPN晶體管放大后輸出，驅(qū)動(dòng)功率IGBT模塊導(dǎo)通。在驅(qū)動(dòng)信號(hào)為低電平時(shí)光耦截止，此時(shí)接口電路輸出亦為低電平，功放輸出級(jí)PNP晶體管導(dǎo)通，給被驅(qū)動(dòng)的功率IGBT柵?射極間施加以反向電壓，使被驅(qū)動(dòng)功率IGBT模塊恢復(fù)關(guān)斷狀態(tài)。

表1M57957L/M57958L的引腳說(shuō)明

圖1M57957L/M57958L的引腳排列示圖

（原圖，未做格式轉(zhuǎn)換）

圖2M57957L/M57958L的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理圖

圖3M57957L與M57958L的典型應(yīng)用接線圖

圖4M57957L與M57958L的典型工作波形

3主要設(shè)計(jì)特點(diǎn)、極限參數(shù)、電參數(shù)及推薦工作條件

3?1主要設(shè)計(jì)特點(diǎn)

（1）功耗較小，可以采用密集型的單列直插式厚

膜電路封裝；

（2）單電源工作，供電極為簡(jiǎn)化；

（3）外接串聯(lián)電阻可輸入CMOS信號(hào)，輸入信號(hào)

與TTL電平兼容；

（4）內(nèi)置高速光電耦合器，可隔離2500V、50Hz

的交流電壓。

3?2極限參數(shù)、電參數(shù)及推薦工作條件

M57957L與M57958L的極限工作參數(shù)如表2所列。

表2M57957L/M57958L的極限參數(shù)(Ta=25°C)

4應(yīng)用技術(shù)

M57957L與M57958L的上述結(jié)構(gòu)和原理，決定了它可以用于單管IGBT模塊的驅(qū)動(dòng)中。圖3給出了這種應(yīng)用的典型接線圖，圖4給出了其典型工作波形。

表3M57957L與M57958L的電性能參數(shù)(Ta=25°C、VCC=15V、VEE=－10V)

應(yīng)注意的是,柵極串聯(lián)電阻Rext的值應(yīng)與在有關(guān)IGBT模塊數(shù)據(jù)表中推薦的柵極電阻值相同。

5結(jié)語(yǔ)

M57957L/M57958L內(nèi)部集成有可在輸入與輸出之間實(shí)現(xiàn)良好電氣隔離的光電隔離器，所以可對(duì)被驅(qū)動(dòng)的IGBT模塊實(shí)現(xiàn)可靠的驅(qū)動(dòng)。M57957L可用來(lái)直接驅(qū)動(dòng)Vces=600V系列的電流容量在200A以內(nèi)的IGBT模塊及Vces=1200V系列的電流容量在100A以內(nèi)的IGBT模塊；而M57958L可用來(lái)直接驅(qū)動(dòng)Vces=600V系列的電流容量在400A以內(nèi)的IGBT模塊及Vces=1200V系列的電流容量在200A以內(nèi)的IGBT模塊。它們均采用雙電源驅(qū)動(dòng)技術(shù)，輸入信號(hào)與TTL電平兼容，且采用單列直插式厚膜集成電路封裝。