大功率晶體管驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)及其應(yīng)用 摘要:介紹了大功率晶體管(GTR)基極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì),分析了基極驅(qū)動(dòng)電路的要求及其設(shè)計(jì)方法,并給出一種實(shí)用的驅(qū)動(dòng)電路。 關(guān)鍵詞:大功率晶體管;基極驅(qū)動(dòng)電路;分析;設(shè)計(jì)
1? 引言 ??? 作為逆變電路中的核心部件——大功率開(kāi)關(guān)器件,一般分為三大類(lèi)型,即雙極型、單極型和混合型。雙極型GTO、GTR、SITH等;單極型有功率MOSFET、SIT等;混合型有IGBT、MGT(MOS門(mén)極晶體管)等。這些大功率器件的運(yùn)行狀態(tài)及安全性直接決定了變頻器和逆變器性能的優(yōu)劣,而性能良好的驅(qū)動(dòng)電路又是開(kāi)關(guān)器件安全可靠運(yùn)行的重要保障。本文重點(diǎn)介紹GTR的基極驅(qū)動(dòng)電路。 ??? 大功率晶體管(GiantTransistor—GTR)也稱(chēng)巨型晶體管,是三層結(jié)構(gòu)的雙極全控型大功率高反壓晶體管,它具有自關(guān)斷能力,控制十分方便,并有飽和壓降低和比較寬的安全工作區(qū)等優(yōu)點(diǎn),在許多電力變流裝置中得到了應(yīng)用。 ??? 在電力電子裝置中,GTR主要工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)。GTR是一種電流控制型器件,即在其基極注入電流IB后,集電極便能得到放大了的電流IC,電流放大倍數(shù)由hFE來(lái)評(píng)價(jià)。對(duì)于工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)的GTR,關(guān)鍵的技術(shù)參數(shù)是反向耐壓VCE和正向?qū)娏鱅C。由于GTR不是理想的開(kāi)關(guān),當(dāng)飽和導(dǎo)通時(shí),有管壓降VCES,關(guān)斷時(shí)有漏電流ICEO;加之開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換過(guò)程中具有開(kāi)通時(shí)間ton。(含延遲時(shí)間td和上升時(shí)間tr),關(guān)斷時(shí)間toff(含存貯時(shí)間ts和下降時(shí)間tf),因此使用GTR時(shí),對(duì)其集電極功耗PC與結(jié)溫Tjm也應(yīng)給予足夠的重視。 2? 基極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)原則 ??? GTR基極驅(qū)動(dòng)電路和性能直接影響著GTR的工作狀況,因此在設(shè)計(jì)基極驅(qū)動(dòng)電路時(shí)應(yīng)考慮以下兩點(diǎn):最優(yōu)化驅(qū)動(dòng)方式和自動(dòng)快速保護(hù)。 ??? 所謂最優(yōu)化驅(qū)動(dòng),就是以理想的基極驅(qū)動(dòng)電流波形去控制GTR的開(kāi)關(guān)過(guò)程,以便提高開(kāi)關(guān)速度,減小開(kāi)關(guān)損耗。理想的基極驅(qū)動(dòng)電流波形如圖1所示。由圖1可以看出,為加快開(kāi)通時(shí)間和降低開(kāi)通損耗,正向基極電流在開(kāi)通初期不但要求有陡峭的前沿,而且要求有一定時(shí)間的過(guò)驅(qū)動(dòng)電流IB1。導(dǎo)通階段的基極驅(qū)動(dòng)電流IB2應(yīng)使GTR恰好維持在準(zhǔn)飽和狀態(tài),以便縮短存儲(chǔ)時(shí)間ts。一般情況下,過(guò)驅(qū)動(dòng)電流IB1的數(shù)值選為準(zhǔn)飽和基極驅(qū)動(dòng)電流值IB2的3倍左右,過(guò)驅(qū)動(dòng)電流波形前沿應(yīng)控制在0.5μs以?xún)?nèi),其寬度控制在2μs左右。關(guān)斷GTR時(shí),反向基極驅(qū)動(dòng)電流IB3應(yīng)大一些,以便加快基區(qū)中載流子的抽走速度,縮短關(guān)斷時(shí)間,減小關(guān)斷損耗,實(shí)際應(yīng)用中,常選IB3=IB1或更大一些。這種基極驅(qū)動(dòng)波形一般由加速電路和貝克箝位電路來(lái)實(shí)現(xiàn)。
圖1? 理想的基極驅(qū)動(dòng)電流波形
??? 另外,GTR的驅(qū)動(dòng)電路還應(yīng)有自保護(hù)功能,以便在故障狀態(tài)下能快速自動(dòng)切除基極驅(qū)動(dòng)信號(hào),以避免GTR的損壞。保護(hù)電路的類(lèi)型有多種,根據(jù)器件及電路的不同要求可進(jìn)行適當(dāng)?shù)倪x擇。為了提高開(kāi)關(guān)速度,可采用抗飽和保護(hù)電路;要保證開(kāi)關(guān)電路自身功耗低,可采用退飽和保護(hù)電路;要防止基極欠驅(qū)動(dòng)導(dǎo)致器件過(guò)載狀態(tài),可采用電源電壓監(jiān)控保護(hù)。此外,還有脈沖寬度限制電路以及防止GTR損壞的過(guò)壓、過(guò)流、過(guò)熱等保護(hù)電路。 ??? 基極驅(qū)動(dòng)電路構(gòu)成形式很多,歸結(jié)起來(lái)有三個(gè)明顯的趨勢(shì): ??? 1)為了提高工作速度,都以抗飽和貝克箝位電路作為基本電路; ??? 2)不斷完善和擴(kuò)大自動(dòng)保護(hù)功能; ??? 3)在開(kāi)通和關(guān)斷速度方面不斷加以改進(jìn)和完善。 3? 基極驅(qū)動(dòng)電路一例 3.1? 電路組成與功能 ??? 下面介紹一種實(shí)用高效自保護(hù)基極驅(qū)動(dòng)電路,它不但能維持GTR工作在準(zhǔn)飽和狀態(tài),而且可以對(duì)GTR的過(guò)載提供快速可靠的保護(hù),防止GTR進(jìn)入放大區(qū)。另外可以改善GTR的開(kāi)關(guān)特性,縮短開(kāi)關(guān)時(shí)間,降低驅(qū)動(dòng)功率,提高驅(qū)動(dòng)效率,具體電路如圖2所示。它主要由信號(hào)隔離電路,退飽和檢測(cè)電路,控制信號(hào)綜合電路和具有反偏壓的自適應(yīng)輸出電路組成。信號(hào)隔離電路由光電耦合器BD構(gòu)成,實(shí)現(xiàn)邏輯控制電路與驅(qū)動(dòng)電路之間的電氣隔離;退飽和檢測(cè)電路由二極管D6和電壓比較器A1組成。當(dāng)GTR的集-射極電壓VCE高于某一規(guī)定值時(shí),電壓比較器A1輸出過(guò)載保護(hù)信號(hào)。控制信號(hào)的綜合電路由三極管V1構(gòu)成。其功能是將正常的開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)與退飽和禁止信號(hào)疊加處理后送至輸出級(jí)。具有反偏壓的自適應(yīng)輸出驅(qū)動(dòng)級(jí)由三級(jí)管V3、V4,二極管D7、D8、D9,電容器C2等元器件組成,它的功能是提高開(kāi)關(guān)速度和產(chǎn)生反偏壓驅(qū)動(dòng)波形。
圖2? 基極驅(qū)動(dòng)電路 3.2? 驅(qū)動(dòng)電路的工作原理 ??? 當(dāng)輸入信號(hào)Vin為高電平時(shí),光耦截止,B點(diǎn)近似等于電源電壓,A點(diǎn)為R3與R4的分壓電平,則VB>VA,電壓比較器輸出端C為低電平,三極管V1截止,V2導(dǎo)通,V3、V4截止,從而GTR截止。 ??? 當(dāng)輸入信號(hào)Vin由高電平變?yōu)榈碗娖綍r(shí),光耦輸出由截止變?yōu)閷?dǎo)通。C1經(jīng)R8、D3進(jìn)行充電,利用電容二端的電壓不能突變的特點(diǎn),V2的基極電位也變?yōu)榱?,V2截止,V3、V4導(dǎo)通,經(jīng)過(guò)加速網(wǎng)絡(luò)C2、R12使GTR迅速飽和導(dǎo)通;當(dāng)GTR導(dǎo)通后,它的VCE隨之下降,D6導(dǎo)通,使B點(diǎn)的電位箝位于VB=VCE<VA,電壓比較器A1輸出端C變?yōu)楦唠娖?,使V1導(dǎo)通,V2的基極電位維持在地電位上;維持V2截止,V3、V4導(dǎo)通。同時(shí)V1的導(dǎo)通給C1提供了放電回路,使電容C1的兩端電壓下降為零,為下次工作做準(zhǔn)備。 ??? 當(dāng)Vin由低電平變?yōu)楦唠娖綍r(shí),光耦輸出級(jí)由導(dǎo)通變?yōu)榻刂?,使D1導(dǎo)通,D2截止,重新使VB>VA,C點(diǎn)輸出低電平,V1截止,V2導(dǎo)通,由C2、V5、D10、D9等組成的反偏電路使GTR迅速關(guān)斷,D6同時(shí)截止。下一周期將重復(fù)上述工作過(guò)程。 ??? 帶有反偏驅(qū)動(dòng)電路的工作原理如下:當(dāng)V4導(dǎo)通時(shí),GTR也導(dǎo)通。通過(guò)加速電容C2的比較大的充電電流向GTR基極提供過(guò)驅(qū)動(dòng)電流,最大電流僅受R11阻值限制。充電結(jié)束后,進(jìn)入導(dǎo)通階段,GTR的基極電流由R11、R12和D8共同決定,此時(shí)C2充有左正右負(fù)的電壓。當(dāng)V4關(guān)斷V5導(dǎo)通時(shí),電容C2經(jīng)V5的C-E結(jié)→D10→D9→C2放電。GTR的反偏電壓等于D10的導(dǎo)通壓降,約為0.7V左右,使GTR迅速截止。 3.3? 保護(hù)電路工作原理 ??? 在正常工作過(guò)程中,由于D6導(dǎo)通,使VB=VCE;若GTR發(fā)生過(guò)載或其它原因退出飽和狀態(tài),使VCE上升到VB=VCE ??? 首先對(duì)光電耦合器的要求是高速型光耦。這是因?yàn)閷?duì)于橋式逆變電路,同一橋臂的上下兩個(gè)互補(bǔ)的控制信號(hào)之間應(yīng)當(dāng)設(shè)置死區(qū)時(shí)間tΔ(15~20μs之間),因普通光耦開(kāi)關(guān)時(shí)間較長(zhǎng),一般在(4~6μs)之間,而后級(jí)驅(qū)動(dòng)的延遲時(shí)間長(zhǎng)達(dá)10μs左右,而且可能出現(xiàn)開(kāi)通與關(guān)斷時(shí)間不等的現(xiàn)象,使正常的死區(qū)時(shí)間得不到保證。為了能安全可靠地工作,必須選用高速型光耦,并把后級(jí)驅(qū)動(dòng)總延遲嚴(yán)格限制在5μs以?xún)?nèi)。例如圖2中選用高速型光耦6N137就能滿(mǎn)足系統(tǒng)的要求。
??? 其次對(duì)光耦的要求是具有較強(qiáng)的抗干擾能力。這是因?yàn)樵贕TR的開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換過(guò)程中,P點(diǎn)的電位是發(fā)生跳變的(圖3)。如GTR1導(dǎo)通或D1續(xù)流時(shí),P點(diǎn)與M點(diǎn)等電位;而GTR2導(dǎo)通或D2續(xù)流時(shí),P點(diǎn)又與N點(diǎn)等電位。P點(diǎn)電位的跳變速度由二極管反向恢復(fù)時(shí)間決定。對(duì)于中小功率三相異步電機(jī)變頻器,P點(diǎn)的dv/dt將達(dá)到每秒數(shù)千伏。若光耦抗干擾能力不強(qiáng)。P點(diǎn)電位的跳變將會(huì)通過(guò)光耦內(nèi)部寄生電容耦合,在驅(qū)動(dòng)電路中形成干擾脈沖,致使GTR發(fā)生誤動(dòng)作而不能正常工作。
圖3? GTR主電路與驅(qū)動(dòng)電路的連接關(guān)系
4? 結(jié)語(yǔ)
??? 驅(qū)動(dòng)電路是GTR安全工作的基礎(chǔ),精心設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路,精心選擇驅(qū)動(dòng)電路元器件和參數(shù),是保證整機(jī)可靠運(yùn)行的一個(gè)重要環(huán)節(jié)。近年已廣泛采用這類(lèi)專(zhuān)用模塊驅(qū)動(dòng)電路,(如UAA4002),使GTR的工作更加安全可靠。實(shí)踐證明,本文設(shè)計(jì)的這套帶反偏壓自適應(yīng)驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,性能可靠,能滿(mǎn)足采用GTR逆變器的一般驅(qū)動(dòng)要求。 |
大功率晶體管驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)及其應(yīng)用
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2021-04-01 10:03:31
IGBT驅(qū)動(dòng)模塊電路及其應(yīng)用
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是新一代全控型電力電子器件,具有M08場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電壓控制、開(kāi)關(guān)頻率高、驅(qū)動(dòng)功率小的優(yōu)點(diǎn),又具備大功率雙極晶體管的通態(tài)壓降低、耐高反壓及電流額定值的特性。而且,其
2016-06-21 18:25:29
IGBT在大功率斬波中問(wèn)題的應(yīng)用
和可靠性,因此。如何選擇斬波電路和斬波器件十分重要。IGBT是近代新發(fā)展起來(lái)的全控型功率半導(dǎo)體器件,它是由MOSFET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)與GTR(大功率達(dá)林頓晶體管)結(jié)合,并由前者擔(dān)任驅(qū)動(dòng),因此具有
2018-10-17 10:05:39
IGN2856S40是高功率脈沖晶體管
,裝在基于金屬的封裝中,并用陶瓷環(huán)氧樹(shù)脂蓋密封。GaN on SiC HEMT技術(shù)40W輸出功率AB類(lèi)操作預(yù)先匹配的內(nèi)部阻抗經(jīng)過(guò)100%大功率射頻測(cè)試負(fù)柵極電壓/偏置排序IGN2731M5功率晶體管
2021-04-01 09:57:55
[原創(chuàng)]晶體管開(kāi)關(guān)的作用
了功率晶體管的性能。如 (1)開(kāi)關(guān)晶體管有效芯片面積的增加, (2)技術(shù)上的簡(jiǎn)化, (3)晶體管的復(fù)合——達(dá)林頓, (4)用于大功率開(kāi)關(guān)的基極驅(qū)動(dòng)技術(shù)的進(jìn)步。 、直接工作在整流380V市電上
2010-08-13 11:38:59
【下載】《晶體管電路設(shè)計(jì)》——晶體管電路基礎(chǔ)知識(shí)匯總
放大電路的設(shè)計(jì)與制作,下冊(cè)則共分15章,主要介紹FET、功率MOS、開(kāi)關(guān)電源電路等?!?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)面向?qū)嶋H需要,理論聯(lián)系實(shí)際,通過(guò)大量具體的實(shí)驗(yàn),通俗易懂地介紹晶體管電路設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)知識(shí)
2017-07-25 15:29:55
什么是晶體管 晶體管的分類(lèi)及主要參數(shù)
類(lèi)型。3.2 晶體管的種類(lèi)及其特點(diǎn)》巨型晶體管GTR是一種高電壓、高電流的雙極結(jié)型晶體管(BJT),因此有時(shí)被稱(chēng)為功率BJT。特點(diǎn):電壓高,電流大,開(kāi)關(guān)特性好,驅(qū)動(dòng)功率高,但驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜;GTR和普通雙極結(jié)型
2023-02-03 09:36:05
什么是RF功率晶體管耐用性驗(yàn)證方案?
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受?chē)?yán)重的失配,即使在滿(mǎn)輸出電平時(shí)也是如此?,F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
什么是達(dá)林頓晶體管?
。達(dá)林頓通常用于需要低頻高增益的地方。常見(jiàn)應(yīng)用包括音頻放大器輸出級(jí)、功率調(diào)節(jié)器、電機(jī)控制器和顯示驅(qū)動(dòng)器?! ∵_(dá)林頓晶體管也被稱(chēng)為達(dá)林頓對(duì),由貝爾實(shí)驗(yàn)室的西德尼達(dá)林頓于 1953 年發(fā)明。在 1950
2023-02-16 18:19:11
關(guān)于PNP晶體管的常見(jiàn)問(wèn)題
PNP晶體管在哪里使用?放大電路采用PNP晶體管。達(dá)林頓對(duì)電路采用PNP晶體管。機(jī)器人應(yīng)用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應(yīng)用中的電流。如何控制PNP晶體管?首先,為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
場(chǎng)效應(yīng)晶體管的選用經(jīng)驗(yàn)分享
MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。所選場(chǎng)效應(yīng)晶體管的主要參數(shù)應(yīng)符合應(yīng)用電路的具體要求。小功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)注意輸入阻抗、低頻跨導(dǎo)、夾斷電壓(或開(kāi)啟電壓)、擊穿電壓待參數(shù)。大功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)注意擊穿電壓、耗散功率
2021-05-13 07:10:20
場(chǎng)效應(yīng)晶體管知識(shí)和使用分享!
如何搞定恒流電源電路設(shè)計(jì).doc第15章_基本放大電路.ppt基于較大功率的直流電機(jī)H橋驅(qū)動(dòng)電路方案.doc詳細(xì)講解MOSFET管驅(qū)動(dòng)電路.doc場(chǎng)效應(yīng)晶體管的幾點(diǎn)使用知識(shí).doc全系列場(chǎng)效應(yīng)管
2019-08-11 22:46:35
基于MOS場(chǎng)效應(yīng)管的大功率寬頻帶線(xiàn)性射頻放大器設(shè)計(jì)概述
,另外偏置電路比較簡(jiǎn)單,設(shè)計(jì)的放大電路增益高,線(xiàn)性好?! ”疚牡?b class="flag-6" style="color: red">大功率寬頻帶線(xiàn)性射頻放大器是利用MOS場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)來(lái)設(shè)計(jì)的,采取AB類(lèi)推挽式功率放大方式,其工作頻段為O 6M~10MHz,輸出
2019-06-19 06:30:29
基本晶體管開(kāi)關(guān)電路,使用晶體管開(kāi)關(guān)的關(guān)鍵要點(diǎn)
)需要幾毫安才能上電,并且可以由邏輯門(mén)輸出驅(qū)動(dòng)。然而,螺線(xiàn)管、燈和電機(jī)等大功率電子設(shè)備比邏輯門(mén)電源需要更多的電力。輸入晶體管開(kāi)關(guān)。 晶體管開(kāi)關(guān)操作和操作區(qū)域 圖 1 中圖表上的藍(lán)色陰影區(qū)域表示飽和
2023-02-20 16:35:09
射頻功率晶體管究竟有多耐用?
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受?chē)?yán)重的失配,即使在滿(mǎn)輸出電平時(shí)也是如此?,F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
求大功率(5英寸)數(shù)碼管驅(qū)動(dòng)方法
如題,求大功率(5英寸)數(shù)碼管驅(qū)動(dòng)方法,或者哪位大大告知一下這類(lèi)數(shù)碼管的驅(qū)動(dòng)電流和驅(qū)動(dòng)電壓是多少,感激不盡了
2013-05-15 11:50:13
消費(fèi)類(lèi)電子大功率空中交通控制的RF功率晶體管
(MicrosemiCorporation)擴(kuò)展其基于碳化硅襯底氮化鎵(GaNonSiC)技術(shù)的射頻(RF)晶體管系列,推出新型S波段500WRF器件2729GN-500,新器件瞄準(zhǔn)大功率空中交通控制機(jī)場(chǎng)監(jiān)視雷達(dá)(ASR
2012-12-06 17:09:16
用于大功率和頻率應(yīng)用的舍入 GaN 基晶體管
針對(duì)可靠的高功率和高頻率電子設(shè)備,制造商正在研究氮化鎵(GaN)來(lái)制造具有高開(kāi)關(guān)頻率的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)由于硅正在接近其理論極限,制造商現(xiàn)在正在研究使用寬帶隙(WBG)材料來(lái)制造高效率的大功率
2022-06-15 11:43:25
討論MOSFET晶體管及其工作原理
達(dá)到控制大功率設(shè)備,那么MOS管與繼電器有什么區(qū)別呢? 繼電器可以切換電氣隔離的電路,并且根據(jù)繼電器的類(lèi)型,甚
2021-09-07 06:50:14
達(dá)林頓晶體管ULN2003應(yīng)用電路及中文資料
,適應(yīng)于各類(lèi)要求高速大功率驅(qū)動(dòng)的系統(tǒng)。ULN2003A電路是美國(guó)Texas Instruments公司和Sprague公司開(kāi)發(fā)的高壓大電流達(dá)林頓晶體管陣列電路,文中介紹了它的電路構(gòu)成、特征參數(shù)及典型
2011-05-31 13:46:55
高頻中、大功率晶體管
高頻中、大功率晶體管一般用于視頻放大電路、前置放大電路、互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)電路、高壓開(kāi)關(guān)電路及行推動(dòng)等電路。常用的國(guó)產(chǎn)高頻中、大功率晶體管有3DG41A~3DG41G、3DG83A~3DG83E、3DA87A
2013-08-17 14:26:19
大功率開(kāi)關(guān)晶體管的重要任務(wù)
大功率開(kāi)關(guān)晶體管的重要任務(wù)
現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率,使用功率晶體管作為開(kāi)關(guān)有很多優(yōu)點(diǎn),主要是;
(1)容易關(guān)斷,所需要的輔
2010-02-06 10:23:4943
大功率LED驅(qū)動(dòng)電路
大功率LED驅(qū)動(dòng)電路
摘要:電路驅(qū)動(dòng)一只大功率白光LED (WLED),當(dāng)溫度過(guò)高以及熱敏電阻發(fā)生開(kāi)路或短路故障時(shí),將關(guān)
2009-05-09 09:56:584112
大功率開(kāi)關(guān)—晶體管的重要任務(wù)電路圖
大功率開(kāi)關(guān)—晶體管的重要任務(wù)
(一)控制大功率
現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率,使用功率晶體管作為開(kāi)關(guān)有很多優(yōu)點(diǎn),主要是;
(1)容易關(guān)斷,
2009-07-29 16:09:521762
IGBT高壓大功率驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路的應(yīng)用研究
IGBT高壓大功率驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路的應(yīng)用研究
IGBT在以變頻器及各類(lèi)電源為代表的電力電子裝置中得到了廣泛應(yīng)用。IGBT集雙極型功率晶體管和功率MOSFET
2009-11-13 15:43:50743
TIP41C低頻大功率平面晶體管芯片設(shè)計(jì)
TIP41C低頻大功率平面晶體管芯片設(shè)計(jì)
0 引言
TIP41C是一種中壓低頻大功率線(xiàn)性開(kāi)關(guān)晶體管。該器件設(shè)計(jì)的重點(diǎn)是它的極限參數(shù)。設(shè)計(jì)反壓較高的大功率晶體管
2009-12-24 17:04:5610380
用于大功率IGBT的驅(qū)動(dòng)電路
對(duì)大功率IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)的開(kāi)關(guān)特性、驅(qū)動(dòng)波形、驅(qū)動(dòng)功率、布線(xiàn)等方面進(jìn)行了分析和討論,介紹了一種用于大功率IGBT 的驅(qū)動(dòng)電路。
2012-05-02 14:50:48135
淺談大功率LED恒流驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)分析
恒流驅(qū)動(dòng)和提高LED的光學(xué)效率是LED 應(yīng)用設(shè)計(jì)的兩個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題,本文首先介紹大功率LED的應(yīng)用及其恒流驅(qū)動(dòng)方案的選擇指南,然后以美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體(NS)的產(chǎn)品為例,重點(diǎn)討論如何巧妙應(yīng)用LED恒流驅(qū)動(dòng)電路的采樣電阻提高大功率LED的效率,并給出大功率LED驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)與散熱設(shè)計(jì)的注意事項(xiàng)。
2013-04-22 10:05:533154
晶體管參數(shù)NPN型、大功率開(kāi)關(guān)管、音頻功放開(kāi)關(guān)、達(dá)林頓、音頻功放
晶體管,大功率,晶體管參數(shù)NPN型、大功率開(kāi)關(guān)管、音頻功放開(kāi)關(guān)、達(dá)林頓、音頻功放開(kāi)關(guān)。
2015-11-09 16:22:150
耐用型大功率LDMOS晶體管介紹
本報(bào)告將介紹一些最新的耐用型大功率LDMOS晶體管以及它們的電氣特性,并通過(guò)比較測(cè)試過(guò)程來(lái)判斷它們的耐用水平。
2017-09-15 16:10:1515
大功率晶體管是什么器件_大功率晶體管優(yōu)缺點(diǎn)
大功率晶體管是指在高電壓、大電流的條件下工作的晶體管。一般被稱(chēng)為功率器件,屬于電力電子技術(shù)(功率電子技術(shù))領(lǐng)域研究范疇。其實(shí)質(zhì)就是要有效地控制功率電子器件合理工作,通過(guò)功率電子器件為負(fù)載提供大功率的輸出。
2023-03-01 09:39:241038
大功率晶體管優(yōu)缺點(diǎn)及輸出形式
大功率晶體管的放大倍數(shù)取決于其特定的設(shè)計(jì)和工作條件,因此不能一概而論。晶體管的放大倍數(shù)(即電流增益)通常定義為晶體管輸出電流與輸入電流之比,用β表示。β的大小受到晶體管的結(jié)構(gòu)、工作電流、溫度等因素
2023-03-01 14:06:592056
評(píng)論
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