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大功率晶體管驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)及其應(yīng)用

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2015-03-26 13:51:037974

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2019-11-07 09:02:20

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2015-03-11 13:51:32

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`大功率LED驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)是浙江大學(xué)的碩士論文 文章依托AC-DC,對(duì)大功率LED驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)做了全面的講述,該文章可以幫助你迅速掌握設(shè)計(jì)的要領(lǐng)和技巧。大功率LED驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)[hide][/hide]`
2011-10-20 17:45:50

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2012-04-26 17:06:32

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供應(yīng)晶圓芯片,型號(hào)有: 可控硅, 中、大功率晶體管,13000系列晶體管,達(dá)林頓晶體管,高頻小信號(hào)晶體管,開(kāi)關(guān)二極,肖特基二極,穩(wěn)壓二極等。有意都請(qǐng)聯(lián)系:沈女士***
2020-02-17 16:24:13

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2021-06-07 06:25:09

晶體管的分類(lèi)與特征

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2020-06-09 07:34:33

晶體管的分類(lèi)與特征

,MOSFET中有稱(chēng)為“導(dǎo)通電阻”的參數(shù),尤其是處理大功率時(shí)是重要的特性。但雙極晶體管中沒(méi)有“導(dǎo)通電阻”這個(gè)參數(shù)。世界上最早的晶體管是雙極晶體管,所以可能有人說(shuō)表達(dá)順序反了,不過(guò)近年來(lái),特別是電源電路
2018-11-28 14:29:28

晶體管的開(kāi)關(guān)作用有哪些?

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2018-10-25 16:01:51

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IB0810M210功率晶體管

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IB0912M600是一種高功率脈沖晶體管器件

匹配50歐姆600W輸出功率經(jīng)過(guò)100%大功率射頻測(cè)試C級(jí)操作IB0810M100功率晶體管IB0810M12功率晶體管IB0810M210功率晶體管IB0810M50功率晶體管IB0912L200功率
2021-04-01 09:41:49

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匹配50歐姆600W輸出功率經(jīng)過(guò)100%大功率射頻測(cè)試C級(jí)操作IGN2731M180功率晶體管IGN2731M200功率晶體管IGN2731M250功率晶體管IGN2731M5功率晶體管
2021-04-01 10:29:42

IB2729M170大功率脈沖晶體管

`IB2729M170是專(zhuān)為S波段ATC雷達(dá)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的大功率脈沖晶體管,該系統(tǒng)工作在2.7-2.9 GHz的瞬時(shí)帶寬上。 在C類(lèi)模式下工作時(shí),該通用基礎(chǔ)設(shè)備在100μs脈沖寬度和10%占空比的條件下
2021-04-01 09:48:36

IDM165L650是一種高功率脈沖晶體管

650W輸出功率經(jīng)過(guò)100%大功率射頻測(cè)試C級(jí)操作IGN3135L115功率晶體管IGN3135L12功率晶體管IGN3135M135功率晶體管IGN3135M250功率晶體管IGN5259M80R2功率
2021-04-01 10:03:31

IGBT驅(qū)動(dòng)模塊電路及其應(yīng)用

IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是新一代全控型電力電子器件,具有M08場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電壓控制、開(kāi)關(guān)頻率高、驅(qū)動(dòng)功率小的優(yōu)點(diǎn),又具備大功率雙極晶體管的通態(tài)壓降低、耐高反壓及電流額定值的特性。而且,其
2016-06-21 18:25:29

IGBT在大功率斬波中問(wèn)題的應(yīng)用

和可靠性,因此。如何選擇斬波電路和斬波器件十分重要。IGBT是近代新發(fā)展起來(lái)的全控型功率半導(dǎo)體器件,它是由MOSFET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)與GTR(大功率達(dá)林頓晶體管)結(jié)合,并由前者擔(dān)任驅(qū)動(dòng),因此具有
2018-10-17 10:05:39

IGN2856S40是高功率脈沖晶體管

,裝在基于金屬的封裝中,并用陶瓷環(huán)氧樹(shù)脂蓋密封。GaN on SiC HEMT技術(shù)40W輸出功率AB類(lèi)操作預(yù)先匹配的內(nèi)部阻抗經(jīng)過(guò)100%大功率射頻測(cè)試負(fù)柵極電壓/偏置排序IGN2731M5功率晶體管
2021-04-01 09:57:55

[原創(chuàng)]晶體管開(kāi)關(guān)的作用

功率晶體管的性能。如  (1)開(kāi)關(guān)晶體管有效芯片面積的增加,  (2)技術(shù)上的簡(jiǎn)化,  (3)晶體管的復(fù)合——達(dá)林頓,  (4)用于大功率開(kāi)關(guān)的基極驅(qū)動(dòng)技術(shù)的進(jìn)步。 、直接工作在整流380V市電上
2010-08-13 11:38:59

【下載】《晶體管電路設(shè)計(jì)》——晶體管電路基礎(chǔ)知識(shí)匯總

放大電路的設(shè)計(jì)與制作,下冊(cè)則共分15章,主要介紹FET、功率MOS、開(kāi)關(guān)電源電路等?!?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)面向?qū)嶋H需要,理論聯(lián)系實(shí)際,通過(guò)大量具體的實(shí)驗(yàn),通俗易懂地介紹晶體管電路設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)知識(shí)
2017-07-25 15:29:55

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目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受?chē)?yán)重的失配,即使在滿(mǎn)輸出電平時(shí)也是如此?,F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59

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關(guān)于PNP晶體管的常見(jiàn)問(wèn)題

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2023-02-03 09:45:56

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的選用經(jīng)驗(yàn)分享

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2019-08-11 22:46:35

基于MOS場(chǎng)效應(yīng)大功率寬頻帶線(xiàn)性射頻放大器設(shè)計(jì)概述

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基本晶體管開(kāi)關(guān)電路,使用晶體管開(kāi)關(guān)的關(guān)鍵要點(diǎn)

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大功率報(bào)警驅(qū)動(dòng)器 在該電路中用一只小功率SCR觸發(fā)一只大功率
2009-09-04 11:13:041994

IGBT高壓大功率驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路的應(yīng)用研究

IGBT高壓大功率驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路的應(yīng)用研究 IGBT在以變頻器及各類(lèi)電源為代表的電力電子裝置中得到了廣泛應(yīng)用。IGBT集雙極型功率晶體管功率MOSFET
2009-11-13 15:43:50743

TIP41C低頻大功率平面晶體管芯片設(shè)計(jì)

TIP41C低頻大功率平面晶體管芯片設(shè)計(jì) 0 引言   TIP41C是一種中壓低頻大功率線(xiàn)性開(kāi)關(guān)晶體管。該器件設(shè)計(jì)的重點(diǎn)是它的極限參數(shù)。設(shè)計(jì)反壓較高的大功率晶體管
2009-12-24 17:04:5610380

用于大功率IGBT的驅(qū)動(dòng)電路

對(duì)大功率IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)的開(kāi)關(guān)特性、驅(qū)動(dòng)波形、驅(qū)動(dòng)功率、布線(xiàn)等方面進(jìn)行了分析和討論,介紹了一種用于大功率IGBT 的驅(qū)動(dòng)電路
2012-05-02 14:50:48135

淺談大功率LED恒流驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)分析

恒流驅(qū)動(dòng)和提高LED的光學(xué)效率是LED 應(yīng)用設(shè)計(jì)的兩個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題,本文首先介紹大功率LED的應(yīng)用及其恒流驅(qū)動(dòng)方案的選擇指南,然后以美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體(NS)的產(chǎn)品為例,重點(diǎn)討論如何巧妙應(yīng)用LED恒流驅(qū)動(dòng)電路的采樣電阻提高大功率LED的效率,并給出大功率LED驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)與散熱設(shè)計(jì)的注意事項(xiàng)。
2013-04-22 10:05:533154

晶體管參數(shù)NPN型、大功率開(kāi)關(guān)管、音頻功放開(kāi)關(guān)、達(dá)林頓、音頻功放

晶體管,大功率,晶體管參數(shù)NPN型、大功率開(kāi)關(guān)管、音頻功放開(kāi)關(guān)、達(dá)林頓、音頻功放開(kāi)關(guān)。
2015-11-09 16:22:150

耐用型大功率LDMOS晶體管介紹

  本報(bào)告將介紹一些最新的耐用型大功率LDMOS晶體管以及它們的電氣特性,并通過(guò)比較測(cè)試過(guò)程來(lái)判斷它們的耐用水平。
2017-09-15 16:10:1515

大功率NPN硅晶體管BUX98/BUX98A數(shù)據(jù)手冊(cè)

大功率NPN硅晶體管BUX98/BUX98A數(shù)據(jù)手冊(cè)
2021-08-11 14:14:110

硅NPN大功率晶體管2SC2246中文手冊(cè)

硅NPN大功率晶體管2SC2246中文手冊(cè)免費(fèi)下載。
2022-03-21 17:21:5311

100V,6A PNP 大功率雙極晶體管-MJD42C-Q

100 V、6 A PNP 大功率雙極晶體管-MJD42C-Q
2023-02-16 20:10:150

100V,3A NPN 大功率雙極晶體管-MJD31CH-Q

100 V、3 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD31CH-Q
2023-02-16 20:20:410

50V,2A NPN 大功率雙極晶體管-MJD2873-Q

50 V、2 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD2873-Q
2023-02-16 20:21:310

45V,4A NPN 大功率雙極晶體管-MJD148-Q

45 V、4 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD148-Q
2023-02-16 20:21:420

100V,6A NPN 大功率雙極晶體管-MJD41C-Q

100 V、6 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD41C-Q
2023-02-16 20:21:580

100V,6A PNP 大功率雙極晶體管-MJD42C

100 V、6 A PNP 大功率雙極晶體管-MJD42C
2023-02-16 20:29:070

100V,6A NPN 大功率雙極晶體管-MJD41C

100 V、6 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD41C
2023-02-16 20:29:210

50V,2A NPN 大功率雙極晶體管-MJD2873

50 V、2 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD2873
2023-02-16 20:44:110

45V,4A NPN 大功率雙極晶體管-MJD148

45 V、4 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD148
2023-02-16 20:44:240

NPN/NPN大功率雙雙極晶體管-PHPT610035NK

NPN/NPN大功率雙雙極晶體管-PHPT610035NK
2023-02-17 19:08:240

100V,3A PNP 大功率雙極晶體管-MJD32CA

100 V、3 A PNP 大功率雙極晶體管-MJD32CA
2023-02-17 19:10:300

100V,3A NPN 大功率雙極晶體管-MJD31CA

100 V、3 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD31CA
2023-02-17 19:10:430

100V,3A NPN 大功率雙極晶體管-MJD31C

100 V、3 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD31C
2023-02-17 19:30:101

100V,3A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT61003NY

100 V、3 A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT61003NY
2023-02-17 19:34:120

NPN/NPN大功率雙雙極晶體管-PHPT610030NK

NPN/NPN大功率雙雙極晶體管-PHPT610030NK
2023-02-17 19:35:190

100V,3A PNP 大功率雙極晶體管-MJD32C

100 V、3 A PNP 大功率雙極晶體管-MJD32C
2023-02-20 19:35:381

80V,8A PNP 大功率雙極晶體管-MJD45H11

80 V、8 A PNP 大功率雙極晶體管-MJD45H11
2023-02-20 19:37:390

80V,8A NPN 大功率雙極晶體管-MJD44H11A

80 V、8 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD44H11A
2023-02-20 19:37:500

80V,8A NPN 大功率雙極晶體管-MJD44H11

80 V、8 A NPN 大功率雙極晶體管-MJD44H11
2023-02-20 19:38:021

60V,10A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT60610PY

60 V、10 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT60610PY
2023-02-21 18:19:050

60V,10A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT60610NY

60 V、10 A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT60610NY
2023-02-21 18:19:170

40V,15A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT60415NY

40 V、15 A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT60415NY
2023-02-21 18:19:270

40V,15A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT60415PY

40 V、15 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT60415PY
2023-02-21 18:19:410

100V,2A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT61002PYCLH

100 V、2 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT61002PYCLH
2023-02-23 19:20:190

100V、2A NPN大功率雙極晶體管-PHPT61002NYC

100V、2A NPN大功率雙極晶體管-PHPT61002NYC
2023-02-27 18:50:451

60V,6A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT60606PY

60 V、6 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT60606PY
2023-02-27 18:50:560

60V,6A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT60606NY

60 V、6 A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT60606NY
2023-02-27 18:51:080

60V,3A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT60603PY

60 V、3 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT60603PY
2023-02-27 18:51:280

40V,6A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT60406PY

40 V、6 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT60406PY
2023-02-27 18:52:010

40V,6A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT60406NY

40 V、6 A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT60406NY
2023-02-27 18:52:170

大功率晶體管是什么器件_大功率晶體管優(yōu)缺點(diǎn)

大功率晶體管是指在高電壓、大電流的條件下工作的晶體管。一般被稱(chēng)為功率器件,屬于電力電子技術(shù)(功率電子技術(shù))領(lǐng)域研究范疇。其實(shí)質(zhì)就是要有效地控制功率電子器件合理工作,通過(guò)功率電子器件為負(fù)載提供大功率的輸出。
2023-03-01 09:39:241038

大功率晶體管優(yōu)缺點(diǎn)及輸出形式

大功率晶體管的放大倍數(shù)取決于其特定的設(shè)計(jì)和工作條件,因此不能一概而論。晶體管的放大倍數(shù)(即電流增益)通常定義為晶體管輸出電流與輸入電流之比,用β表示。β的大小受到晶體管的結(jié)構(gòu)、工作電流、溫度等因素
2023-03-01 14:06:592056

100V,10A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT61010PY

100 V、10 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT61010PY
2023-03-02 23:13:570

100V,10A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT61010NY

100 V、10 A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT61010NY
2023-03-02 23:14:120

100V,6A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT61006PY

100 V、6 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT61006PY
2023-03-02 23:14:270

100V,6A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT61006NY

100 V、6 A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT61006NY
2023-03-02 23:14:390

40V,10A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT60410PY

40 V、10 A PNP 大功率雙極晶體管-PHPT60410PY
2023-03-02 23:14:570

40V,10A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT60410NY

40 V、10 A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT60410NY
2023-03-02 23:15:140

100V,2A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT61002NYCLH

100 V、2 A NPN 大功率雙極晶體管-PHPT61002NYCLH
2023-03-03 19:27:250

LFPAK56中的 NXP 大功率雙極晶體管替代繼電器-AN11641

LFPAK56 中的 NXP 大功率雙極晶體管替代繼電器-AN11641
2023-03-03 19:59:430

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