低Rds(on)?P溝道技術(shù)

功率MOSFET常用于便攜
和無線產(chǎn)品中，其應(yīng)用
包括電池保護(hù)、負(fù)載管理和DC-DC轉(zhuǎn)換等。對于這些應(yīng)用，功率MOSFET最重要的特性便是其漏極－源極導(dǎo)通電阻Rds(on)。Rds(on)較小的功率MOSFET能夠延長電池壽命，提高功率轉(zhuǎn)化效率。同時(shí)，便攜產(chǎn)品(如手機(jī)以及PDA等)的尺寸也在縮小，因此需要減小功率MOSFET的封裝尺寸。近年來，為同時(shí)減小Rds(on)和封裝尺寸，生產(chǎn)這些功率MOSFET的硅技術(shù)有了很大的改進(jìn)，
功率MOSFET是典型的立式器件，漏極位于芯片的底部，源極和柵極位于上部表面。功率MOSFET經(jīng)兩次擴(kuò)散過程制成，先進(jìn)行一次體擴(kuò)散(也稱為“基極”擴(kuò)散)，然后進(jìn)行源極擴(kuò)散。為獲得大溝道寬度，功率MOSFET的設(shè)計(jì)使用了大量并行連接的單元塊。雖然每個(gè)單元的溝道寬度很小，并行連接數(shù)千個(gè)到數(shù)百萬個(gè)單元，就能得到具有極大溝道寬度的晶體管了。由于MOSFET的Rds(on)與它的溝道寬度成反比，而載流容量與溝道寬度成正比，這樣就制成了一個(gè)Rds(on)小且載流容量高的MOSFET。因此，功率MOSFET兩個(gè)重要的設(shè)計(jì)特性便是其“單元密度”(定義為單位面積中的單元個(gè)數(shù))以及“溝道密度”(定義為MOSFET中單位面積的溝道寬度)。
圖1所示為功率MOSFET的一種，稱為平面功率MOSFET。在平面功率MOSFET中，體擴(kuò)散在公共漏極區(qū)域中形成盆狀。電流從源極流出，經(jīng)過硅上部表面形成的溝道，然后垂直流過漏極，到達(dá)晶片的底部。在這種結(jié)構(gòu)中，相鄰體擴(kuò)散之間的間隔不能做的很小，因?yàn)檫@樣會(huì)導(dǎo)致盆之間的JFET區(qū)域被夾斷，致使Rds(on)增大。因此，平面功率MOSFET的單元密度受其溝道長度以及相鄰體擴(kuò)散之間間隔的限制。直到最近，市場上大多數(shù)功率MOSFET都是平面功率MOSFET。
另一種類型的功率MOSFET為溝道功率MOSFET，如圖2所示，這種MOSFET近幾年已經(jīng)越來越流行。與平面功率MOSFET不同，溝道MOSFET的溝道是在蝕刻于硅上的溝道邊墻上垂直形成的。溝道從硅的上部表面穿過源極和體擴(kuò)散，一直延伸到漏極區(qū)域。由于溝道是垂直形成的，在體擴(kuò)散之間沒有間隔限制，所以溝道MOSFET能夠達(dá)到的溝道密度比平面功率MOSFET高得多。因此，對于給定的芯片尺寸，溝道功率MOSFET能夠獲得大大小于平面功率MOSFET的Rds(on)。這改善了Rds(on)的性能，然而由于過程變得復(fù)雜，成本較之平面功率MOSFET也有所提高。
近幾年來，Rds(on)極小的溝道MOSFET已經(jīng)面市，應(yīng)用于諸如SO-8、TSSOP-8等的封裝中。然而，由于近來便攜和無線應(yīng)用中的封裝尺寸有越來越小的趨勢，這些相對較大的封裝正被TSOP-6、ChipFET(1)及SC-88等較小的封裝所取代。由于能夠放入這些小尺寸封裝中的芯片尺寸也較小，這就增大了MOSFET的Rds(on)。因此，我們需要一種能形成較小Rds(on)的溝道技術(shù)。最近，安森美開發(fā)了一種創(chuàng)新的P溝道MOSFET技術(shù)，以便攜和無線產(chǎn)品為應(yīng)用目標(biāo)。

圖1 平面功率MOSFET的截面圖

圖2 溝道功率MOSFET的截面圖

器件設(shè)計(jì)
溝道功率MOSFET的設(shè)計(jì)可以使用閉合單元或條紋設(shè)計(jì)。在單元設(shè)計(jì)中，柵極在硅中形成一個(gè)柵格，包圍了體區(qū)域和源極區(qū)域；而在條紋設(shè)計(jì)中，柵極設(shè)計(jì)為條紋狀。現(xiàn)在市場上的溝道MOSFET使用了各種不同的布局，如方形單元、六邊形單元和條紋等。選擇哪種布局會(huì)影響溝道MOSFET的溝道密度，由此影響其Rds(on)。圖3列出了最小單元間距相同的方形單元設(shè)計(jì)和條紋設(shè)計(jì)的溝道密度對比?？梢钥吹?，只要多柵極寬度wg小于源極區(qū)域的寬度ws，單元設(shè)計(jì)的溝道密度較高，因此Rds(on)也較小。
隨著對更小的尺寸、更薄的柵極氧化物和更高的單元密度的需求不斷增加，大多數(shù)MOSFET制造商在其最新的溝道產(chǎn)品中都轉(zhuǎn)而使用了條紋設(shè)計(jì)。這是因?yàn)闂l紋設(shè)計(jì)避免了單元設(shè)計(jì)中固有的幾個(gè)角，通常使柵極氧化物的質(zhì)量更優(yōu)，并且易于制造。但這種條紋設(shè)計(jì)有著減小溝道密度的不利影響，因而提高了Rds(on)。安森美半導(dǎo)體的溝道處理技術(shù)能夠在制造中同時(shí)實(shí)現(xiàn)小尺寸的溝道MOSFET、薄柵極氧化物和高單元密度，在使用方形單元設(shè)計(jì)的同時(shí)保證柵極氧化物的質(zhì)量和可制造性。使用方形單元設(shè)計(jì)，能夠得到1.25mm/mm2的溝道密度，比其他MOSFET制造商的溝道密度高出約40％。

器件制造
這種新型MOSFET使用0.40mm光刻法制造。P溝道MOSFET的制造從外延晶片開始，包括重?fù)诫sP型襯底上的一層輕摻雜P型硅。應(yīng)適當(dāng)選擇輕摻雜P型外延層的電阻率和厚度，以獲得器件要求的擊穿電壓。接下來，使用標(biāo)準(zhǔn)的半嵌入式LOCOS工序來定義器件的有效面積區(qū)，以及端子區(qū)域的生長域氧化物。接著將磷植入有效區(qū)域并發(fā)生擴(kuò)散，形成N體區(qū)域。隨后，一個(gè)用于確定溝道的硬掩模被沉積并形成圖案，接著是溝道蝕刻。然后，生成一個(gè)犧牲氧化物，并進(jìn)行蝕刻。犧牲氧化物的目的是使溝道的邊角圓滑，并使硅表面因溝道蝕刻而造成的粗糙變得光滑。接著生成一層薄的柵極氧化物，再進(jìn)行多晶硅柵極沉積和蝕刻。然后進(jìn)行擴(kuò)散工序，P＋源極植入和N＋體增強(qiáng)植入，形成與N體的連接。接點(diǎn)和金屬是使用傳統(tǒng)工序形成的。

圖3 (a)單元設(shè)計(jì)；(b)條紋設(shè)計(jì)

性能
單元和條紋設(shè)計(jì)在相同的掩模上具有不同的最小間距(即不同的單元密度)。這樣就能直接在同一晶片上比較不同的設(shè)計(jì)，消除了與工序或與初始材料相關(guān)的變化所引起的性能差異。
ChipFET封裝式溝道MOSFET的特性表明，在柵極電壓為4.5V的8V和20V P溝道器件中Rds(on)分別為19mW和21mW。這比原先相同封裝的Rds(on)值低了約40％。在柵極電壓較低(如2.5V和1.8V)時(shí)，也可實(shí)現(xiàn)類似的Rds(on)改進(jìn)。
單元設(shè)計(jì)與在同一晶片上制造的條紋設(shè)計(jì)相比，柵極到源極的漏泄、漏極到源極的漏泄、擊穿電壓和閾值電壓都沒有明顯的差異。柵極擊穿試驗(yàn)顯示兩種設(shè)計(jì)的柵極氧化物的擊穿場強(qiáng)約為10mV/cm，說明方形單元的設(shè)計(jì)并沒有影響柵極氧化物的質(zhì)量。
將單元設(shè)計(jì)的Rds(on)與具有相同間距(即相同的單元密度)的條紋設(shè)計(jì)相比，發(fā)現(xiàn)單元設(shè)計(jì)的Rds(on)比條紋設(shè)計(jì)小。這是我們可以預(yù)料到的，因?yàn)殡m然單元密度相同，但條紋設(shè)計(jì)的溝道密度比單元設(shè)計(jì)低。這表示要獲得與單元設(shè)計(jì)相同的Rds(on)，條紋設(shè)計(jì)必須具有比單元設(shè)計(jì)更高的單元密度(即器件尺寸更小)。

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PW2324芯片N溝道增強(qiáng)型MOSFET

一般說明PW2324采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON）、低柵極充電和柵極電壓低至4.5V的操作。該器件適用于電池保護(hù)或其他開關(guān)應(yīng)用。特征 VDS=100V，ID=3.7A RDS（開）

2020-12-11 16:35:03

PW2337無錫平芯微,技術(shù)支持,現(xiàn)貨

一般說明PW2337采用先進(jìn)的溝道技術(shù),提供優(yōu)秀的RDS(ON),低柵極充電和柵極電壓低至4.5V的操作。該器件適用于電池保護(hù)或其他開關(guān)應(yīng)用。特征VDS=-100V,ID=-0.9ARDS(開)

2020-11-07 09:14:17

PW2337芯片P溝道增強(qiáng)型MOSFET

`一般說明PW2337采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON），低柵電荷柵極電壓低至4.5V，適用于電池保護(hù)或在其他交換應(yīng)用中。特征VDS=-100V，ID=-0.9ARDS（開）&

2020-12-10 16:01:03

PW3400A芯片N溝道增強(qiáng)型MOSFET

一般說明PW3400A采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON）、低柵電荷和柵電壓低至2.5V時(shí)工作。該裝置適用于電池保護(hù)或在其他交換應(yīng)用中。特征VDS=30V ID=5.8ARDS（開）

2020-12-21 16:59:26

SL15P10場效應(yīng)管100V15A P溝道 TO-252 功率MOS管

深圳市聚能芯半導(dǎo)體有限公司是一家集芯片代理、芯片生產(chǎn)、技術(shù)服務(wù)為一體的綜合性電子元器件公司。供應(yīng)中低壓MOS管，供應(yīng)替代AO系列MOS管。可提供技術(shù)支持，DEMO測試及設(shè)計(jì)方案?SL15P

2020-06-09 10:21:08

SL3403 -30V -3.5A貼片MOS管 P溝道替代AO3403

03 P溝道DFN3.3*3.3-8 EP-30V -50ASL7403P溝道DFN3x3A-8 EP-30V -32ASL6411P溝道DFN5*6-8 EP-20V -85ASL3020N溝道

2020-08-01 10:10:37

SL3403 P溝道場效應(yīng)管的功率MOS管SOT23封裝

SL3403 -30-3.5A 55毫歐SOT23SL3403 P溝道場效應(yīng)管的功率MOS管深圳聚能芯半導(dǎo)體專業(yè)中低壓mos管，經(jīng)驗(yàn)豐富，實(shí)力雄厚，技術(shù)支持。是您值得信賴合作的實(shí)力中低壓MOS

2020-06-22 10:57:12

SL3403P溝道MOS管-30V/-3.5A /55毫歐，完美替代AO3403

03 P溝道DFN3.3*3.3-8 EP-30V -50ASL7403P溝道DFN3x3A-8 EP-30V -32ASL6411P溝道DFN5*6-8 EP-20V -85ASL3020N溝道

2020-06-30 13:54:40

SL3415 P溝道MOS管-20V4A，替代AO3415 SOT23-3封裝

觸摸芯片、電源管理、音視頻芯片、MOS管、LED/LEC驅(qū)動(dòng)等等，廣泛應(yīng)用于臺(tái)燈、鐘表、LCD顯示模塊、數(shù)碼伴侶、玩具、車燈、扭扭車、等各類工業(yè)和民用電器產(chǎn)品上供應(yīng)【30V MOS管 N/P溝道

2020-07-28 09:28:16

SL3415 P溝道場效應(yīng)管功率MOS管

SL3415 -20-4A 30毫歐SOT23-3LSL3415 P溝道場效應(yīng)管功率MOS管深圳聚能芯半導(dǎo)體專業(yè)中低壓mos管，經(jīng)驗(yàn)豐富，實(shí)力雄厚，技術(shù)支持。是您值得信賴合作的實(shí)力中低壓MOS

2020-06-29 16:39:10

SL3415p溝道MOS管-20V4A電流， SOT23-3封裝替代AO3415

及方案解決，提供原裝正品芯片、提供技術(shù)支持、提供優(yōu)先貨源，保障客戶利益，為客戶提供全方面服務(wù)。我司還提供MOS管，支持樣品測試供應(yīng)【30V MOS管 N/P溝道

2020-07-01 10:01:02

SL3415E -20V4A P溝道貼片MOS管 SOT23-3封裝

AO8820SL8822N溝道TSSOP820V 7A 可替換 AO8822SL4403P溝道SOP-8-20V -10ASL4407P溝道SOP-8-30V -13A可替換 AO4407ASL4411P

2020-08-01 09:31:54

SL3415E低壓-20V，4A電流，P溝道MOS管 SOT23-3封裝

替換 AO8820SL8822N溝道TSSOP820V 7A 可替換 AO8822SL4403P溝道SOP-8-20V -10ASL4407P溝道SOP-8-30V -13A可替換

2020-06-30 15:32:52

SL3423 P溝道場效應(yīng)管20-3A功率MOS管

SL3423 -20-3A 44毫歐SOT23-3LSL3423 P溝道場效應(yīng)管20-3A功率MOS管深圳聚能芯半導(dǎo)體專業(yè)中低壓mos管，經(jīng)驗(yàn)豐富，實(shí)力雄厚，技術(shù)支持。是您值得信賴合作的實(shí)力中低

2020-07-01 16:57:06

SL403 30V/70A P溝道 TO-252 替代AOD403 功率MOS管

、MOS管、LED/LEC驅(qū)動(dòng)等等，廣泛應(yīng)用于臺(tái)燈、鐘表、LCD顯示模塊、數(shù)碼伴侶、玩具、車燈、扭扭車、等各類工業(yè)和民用電器產(chǎn)品上。可提供技術(shù)支持，DEMO測試及設(shè)計(jì)方案SL403 30V/70A P

2020-06-04 13:53:48

SL403 P溝道MOS管30V/-70A/8毫歐TO-252封裝可替換AOD403

TSSOP820V 7.5A可替換 AO8814SL8820N溝道TSSOP820V 7A 可替換 AO8820SL8822N溝道TSSOP820V 7A 可替換 AO8822SL4403P溝道

2020-06-02 14:05:45

SL407-60V15A93毫歐P溝道MOS管可替換AOD407

及方案解決，提供原裝正品芯片、提供技術(shù)支持、提供優(yōu)先貨源，保障客戶利益，為客戶提供全方面服務(wù)。我司還提供MOS管，支持樣品測試SL2060N溝道TO-252 20V 85ASL8726N溝道

2020-06-01 14:10:49

SL40p03場效應(yīng)管30V39A N溝道 DFN3x3-8 功率MOS管

深圳市聚能芯半導(dǎo)體有限公司是一家集芯片代理、芯片生產(chǎn)、技術(shù)服務(wù)為一體的綜合性電子元器件公司。供應(yīng)中低壓mos管，供應(yīng)替代AO系列MOS管。可提供技術(shù)支持，DEMO測試及設(shè)計(jì)方案?SL40p

2020-06-10 14:31:13

SL4185-p溝道MOS管-40V -44A 17毫歐，可替換AOD4185

，致力于DC-DC電源管理芯片的代理銷售及方案解決，提供原裝正品芯片、提供技術(shù)支持、提供優(yōu)先貨源，保障客戶利益，為客戶提供全方面服務(wù)。我司還提供MOS管，支持樣品測試供應(yīng)【30V MOS管 N/P溝道

2020-06-02 13:50:22

SL4411 -30/9.3A/24毫歐的MOS管P溝道 SOP-8封裝替代AO4411

2020-06-10 11:23:51

SL4421 P溝道MOS管替代AO4421 SOP-8封裝-60V -4.7A 40毫歐

TO23-3L 封裝N溝道SL4294100V12ASOP8封裝N溝道供應(yīng)【60V MOS管 N/P溝道】SL50N0660V50A TO-252封裝N溝道sl44460V12ATO-252封裝N溝道

2020-06-06 11:08:41

SL4425 -40V/-16.7A10毫歐的P溝道MOS管替代AO4425，SOP-8封裝

SOT23-3L100V 5ASL3N10N溝道SOT23-3L100V 3ASL2N15N溝道SOT23-3 150V 2ASL3415P溝道SOT23-3 -20V 4A可替代AO3415SL3415E P溝道

2020-06-09 14:25:52

SL4612替代AO4612 SOP-8封裝N+P溝道的場效應(yīng)管

TO23-3L 封裝N溝道SL4294100V12ASOP8封裝N溝道供應(yīng)【60V MOS管 N/P溝道】SL50N0660V50A TO-252封裝N溝道sl44460V12ATO-252封裝N溝道

2020-06-05 10:14:58

SL50P03場效應(yīng)管-30V-50A P溝道 DFN3x3-8 功率MOS管

深圳市聚能芯半導(dǎo)體有限公司是一家集芯片代理、芯片生產(chǎn)、技術(shù)服務(wù)為一體的綜合性電子元器件公司。供應(yīng)中低壓mos管，供應(yīng)替代AO系列MOS管。可提供技術(shù)支持，DEMO測試及設(shè)計(jì)方案SL50P

2020-06-10 14:35:56

SL6601-SOT23-6封裝MOS管，替代AO6601， N和P溝道

150V 2ASL3415P溝道SOT23-3 -20V 4A可替代AO3415SL3415E P溝道SOT23-3 -20V 4ASL3423P溝道SOT23-3 -20V 3A可替代

2020-06-30 11:26:07

SLN30N03T 30V 30A N溝道 MOS

：阿里 “供應(yīng)商 ”搜索，深圳市三佛科技有限公司，咨詢客服購買?！?**賴,0755-85279055】【30V MOS N/P溝道】HN3400：30V5.8ASOT23N溝道 MOS管HN3401

2021-04-07 14:57:10

TA07N65 650V 7A N溝道 MOS管 7N65

運(yùn)用的技術(shù)支持。阿里店鋪：阿里 “供應(yīng)商 ”搜索，深圳市三佛科技有限公司，咨詢客服購買?！?**賴,0755-85279055】更多中低壓MOS管產(chǎn)品如下：【20V MOS N/P溝道】HN3415

2021-03-24 10:35:56

TDM3544 N溝道MOS管

`TDM3544 N溝道MOS管[/td]描述一般特征該TDM3544采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)◆RDS（ON）<8.0mΩ@ VGS = 4.5V提供優(yōu)異的RDS（ON）和低門電荷?！?b class="flag-6" style="color: red">RDS

2019-03-13 16:06:37

Vishay SQ2361 汽車P 溝道 60V 功率 MOSFET

800V，且 RDS(on) 在 10V VGS 時(shí)僅 0.15Ω ，在 4.5V 時(shí)僅 0.20Ω。威世硅尼克斯的 SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 也不含鹵素（按照 IEC

2019-07-09 17:30:39

WPM3407低柵極電荷相關(guān)資料推薦

描述單P溝道，-30 V，-4.4A，功率MOSFETWPM3407采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)提供具有低柵極電荷的出色RDS（ON）。該設(shè)備適用于用于DC-DC轉(zhuǎn)換應(yīng)用。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WPM3407是無鉛

2021-11-17 06:41:24

東芝小型低導(dǎo)通電阻MOSFET的優(yōu)點(diǎn) SSM3J332R P-ch -30V/-6A RDS(ON) 0.042R

1.低導(dǎo)通電阻卓越的溝槽工藝與封裝技術(shù)相結(jié)合實(shí)現(xiàn)了低的導(dǎo)通電阻。這有助于提升您應(yīng)用中的產(chǎn)品性能。 2.小型封裝產(chǎn)品陣容3.封裝類型[tr=transparent]Toshiba Package

2018-05-15 22:37:38

代理A5SHB三極管芯片型號(hào)PW2305

PW2305采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，高密度，低導(dǎo)通電阻，是一個(gè)非常有效和可靠的MOS管裝置。PW2305是一顆P溝道的低內(nèi)阻場效應(yīng)MOS管。PW2305具有比PW2302A更高的ID電流值，內(nèi)阻比

2020-07-29 21:44:03

代理PW2302A，PW2301A低內(nèi)阻場效應(yīng)管

PW2301A采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，高密度，低導(dǎo)通電阻，是一個(gè)非常有效和可靠的MOS管裝置。PW2301A是一顆P溝道的MOS管A1SHB是PW2301A芯片，低導(dǎo)通內(nèi)阻：RDS(ON) <

2020-07-17 19:38:10

代理PW2308芯片，N溝道增強(qiáng)型MOSFET

2021-01-11 14:09:05

代理PW2319芯片，P溝道增強(qiáng)型MOSFET

`一般說明PW2319采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON），低柵電荷柵極電壓低至4.5V，適用于電池保護(hù)或在其他交換應(yīng)用中。特征lVDS=-40V，ID=-5AlRDS（開）&lt

2021-01-09 15:55:02

代理PW2337芯片，P溝道增強(qiáng)型MOSFET

一般說明PW2337采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON），低柵電荷柵極電壓低至4.5V，適用于電池保護(hù)或在其他交換應(yīng)用中。特征lVDS=-100V，ID=-0.9AlRDS（ON）

2021-01-11 14:00:58

使用MOS管時(shí)你犯了哪些錯(cuò)誤？本文教你區(qū)分N溝道和P溝道

1、MSO的三個(gè)極怎么判定：MOS管符號(hào)上的三個(gè)腳的辨認(rèn)要抓住關(guān)鍵地方。G極，不用說比較好認(rèn)。S極，不論是P溝道還是N溝道，兩根線相交的就是；D極，不論是P溝道還是N溝道，是單獨(dú)引線的那邊。2、他們

2019-09-11 07:30:00

供應(yīng) TDM3412 雙路N溝道增強(qiáng)型MOSFET 電源管理

電源管理ICTDM3412雙路N溝道增強(qiáng)型MOSFET 描述：TDM3412采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供出色的RDS（ON）和低柵極電荷。這個(gè)器件適合用作負(fù)載開關(guān)或PWM應(yīng)用。一般描述：?頻道1RDS（ON）

2018-05-25 11:54:29

供應(yīng)PW2309芯片，P溝道增強(qiáng)型MOSFET

`一般說明PW2309采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON），低柵電荷柵極電壓低至4.5V，適用于電池保護(hù)或在其他交換應(yīng)用中。特征lVDS=-60V，ID=-3AlRDS（開）&lt

2021-01-09 16:00:31

供應(yīng)PW3401A單PMOS低內(nèi)阻30V4A

PW3401A采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，高密度，低導(dǎo)通電阻，是一個(gè)非常有效和可靠的MOS管裝置。PW3401A是一顆P溝道的低內(nèi)阻場效應(yīng)MOS管。PW3401A具有比PW2301A更高的ID電流值，和更高

2020-07-22 11:41:15

供應(yīng)SL3423 -20V-3A P溝道MOS管替代AO3423

專業(yè)的團(tuán)隊(duì)，為你提供周到完善的技術(shù)支持、售前服務(wù)及服務(wù)，給用戶提供優(yōu)質(zhì)具競爭力的產(chǎn)品以及人性化貼心的服務(wù)。SL3009N溝道SOP-830V 9ASL4354N溝道SOP-830V20A可替換

2020-08-01 09:45:42

供應(yīng)SL4403MOS管-20V-10A電流，P溝道SOP-8封裝

SOT23-3L100V 3ASL2N15N溝道SOT23-3 150V 2ASL3415P溝道SOT23-3 -20V 4A可替代AO3415SL3415E P溝道SOT23-3 -20V

2020-06-10 13:49:34

供應(yīng)SL50P03 P溝道 DFN3.3*3.3-8 EP封裝 -30V -50A

：SL50P03P溝道DFN3.3*3.3-8 EP-30V -50ASL7403 P溝道DFN3x3A-8 EP-30V -32ASL6411 P溝道DFN5*6-8 EP-20V -85ASL3020 N溝道

2020-05-27 16:34:45

關(guān)于MOSFET不同溝道和類型的問題

N溝道和P溝道MOSFET哪個(gè)常用?增強(qiáng)型和耗盡型的哪個(gè)常用?

2019-05-13 09:00:00

各位好，有沒有2個(gè)N溝道和2個(gè)P溝道的集成芯片推薦，電流大于1A就可以了，謝謝

2021-10-11 10:27:45

開關(guān)電源設(shè)計(jì)之：P溝道和N溝道MOSFET比較

MOSFET在產(chǎn)品選擇上超過了P溝道。在降壓穩(wěn)壓器應(yīng)用中，基于柵控電壓極性、器件尺寸和串聯(lián)電阻等多種因素，使用P溝道MOSFET或N溝道MOSFET作為主開關(guān)。同步整流器應(yīng)用幾乎總是使用N溝道技術(shù)，這主要

2021-04-09 09:20:10

有沒有人用過SI2307 P溝道MOSFET?

有沒有人用過SI2307 P溝道MOSFET?不知道為什么5V的電壓無法關(guān)斷、、、是不是設(shè)計(jì)問題？

2016-08-28 18:29:46

海飛樂技術(shù)現(xiàn)貨替換IXFP72N30X3場效應(yīng)管

，成本低；P溝道MOSFET選擇的型號(hào)較少，成本高。如果功率MOSFET的S極連接端的電壓不是系統(tǒng)的參考地，N溝道就需要浮地供電電源驅(qū)動(dòng)、變壓器驅(qū)動(dòng)或自舉驅(qū)動(dòng)，驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜；P溝道可以直接驅(qū)動(dòng)，驅(qū)動(dòng)簡單

2020-03-09 15:34:20

海飛樂技術(shù)現(xiàn)貨替換IXTH2N300P3HV場效應(yīng)管

的型號(hào)多，成本低；P溝道MOSFET選擇的型號(hào)較少，成本高。如果功率MOSFET的S極連接端的電壓不是系統(tǒng)的參考地，N溝道就需要浮地供電電源驅(qū)動(dòng)、變壓器驅(qū)動(dòng)或自舉驅(qū)動(dòng)，驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜；P溝道可以直接驅(qū)動(dòng)

2020-03-05 11:00:02

海飛樂技術(shù)現(xiàn)貨替換IXTH48P20P場效應(yīng)管

`海飛樂技術(shù)現(xiàn)貨替換IXTH48P20P場效應(yīng)管制造商: IXYS 產(chǎn)品種類: MOSFET RoHS:詳細(xì)信息技術(shù): Si 安裝風(fēng)格: Through Hole 封裝 / 箱體: TO-247-3

2020-04-01 16:18:17

海飛樂技術(shù)現(xiàn)貨替換IXTX6N200P3HV場效應(yīng)管

`海飛樂技術(shù)現(xiàn)貨替換IXTX6N200P3HV場效應(yīng)管制造商: IXYS 產(chǎn)品種類: MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息安裝風(fēng)格: Through Hole 封裝 / 箱體: TO-247-3

2020-03-09 15:36:41

負(fù)載開關(guān)FPF1006相關(guān)資料下載

概述：FPF1006是一款負(fù)載管理產(chǎn)品它內(nèi)部采用低導(dǎo)通闡值電壓-Vgs(th)及低導(dǎo)通電阻Rds(on)的P溝道功率MOSFET，并采用導(dǎo)通斜率上升控制，可減小沖擊電流，F(xiàn)PF1006內(nèi)部有75-120Ω下拉電

2021-04-06 09:56:02

銳駿代理RU20P7CP溝道先進(jìn)功率MOSFET

特征-20V/-5A,RDS (ON) =20m?(Typ.)@VGS=-4.5V RDS (ON) =30m?(Typ.)@VGS=-2.5V低通阻超高密度小區(qū)設(shè)計(jì)可靠而堅(jiān)固提供無鉛和綠色設(shè)備

2021-09-14 15:50:29

P溝道和N溝道MOSFET在開關(guān)電源中的應(yīng)用

MOSFET多數(shù)是載流子器件， N溝道MOSFET在導(dǎo)電過程中有電子流動(dòng)。 P溝道在導(dǎo)電期間使用被稱為空穴的正電荷。電子的流動(dòng)性是空穴的三倍。盡管沒有直接的相關(guān)性，就RDS(on)而言，為得到相等的值，P溝道的管芯尺寸大約是N溝道的三倍。因此N溝道的管芯尺寸更小。

2018-03-09 14:28:15

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低Rds(on)?P溝道技術(shù)

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