干膜曝光即在紫外光照射下,光引發(fā)劑吸收了光能分解成游離基,游離基再引發(fā)光聚合單體進(jìn)行聚合交聯(lián)反應(yīng),反應(yīng)后形成不溶于稀堿溶液的體型大分子結(jié)構(gòu)。曝光一般在自動雙面曝光機(jī)內(nèi)進(jìn)行,現(xiàn)在曝光機(jī)根據(jù)光源的冷卻方式不同,可分風(fēng)冷和水冷式兩種,影響曝光成像質(zhì)量的因素除干膜光致抗蝕劑的性能外,光源的選擇、曝光時(shí)間(曝光量) 的控制、照相底版的質(zhì)量等都是影響曝光成像質(zhì)量的重要因素。
一。光源的選擇
任何一種干膜都有其自身特有的光譜吸收曲線,而任何一種光源也都有其自身的發(fā)射光譜曲線。如果某種干膜的光譜吸收主峰能與某種光源的光譜發(fā)射主峰相重疊或大部分重疊,則兩者匹配良好,曝光效果最佳。國產(chǎn)干膜的光譜吸收曲線表明,光譜吸收區(qū)為310—440nm(毫微米)。鎬燈、高壓汞燈、碘鎵燈在310—440nm波長范圍均有較大的相對輻射強(qiáng)度, 是干膜曝光較理想的光源。氙燈不適應(yīng)于干膜的曝光。同時(shí)還應(yīng)考慮選用功率大的光源,因?yàn)楣鈴?qiáng)度大,分辨率高,而且曝光時(shí)間短,照相底片受熱變形的程度也小,此外燈具設(shè)計(jì)也很重要,要盡量做到使入射光均勻性好,平行度高,以避免或減少圖形曝光不均勻。
二。曝光時(shí)間(曝光量)的控制
在曝光過程中,干膜的光聚合反應(yīng)并非“一引而發(fā)”或“一曝即成”,而是大體經(jīng)過三個(gè)階段。
干膜中由于存在氧或其它有害雜質(zhì)的阻礙,因而需要經(jīng)過一個(gè)誘導(dǎo)的過程,在該過程內(nèi)引發(fā)劑分解產(chǎn)生的游離基被氧和雜質(zhì)所消耗,單體的聚合甚微。但當(dāng)誘導(dǎo)期一過,單體的光聚合反應(yīng)很快進(jìn)行,膠膜的粘度迅速增加,接近于突變的程度,這就是光敏單體急驟消耗的階段,這個(gè)階段在曝光過程中所占的時(shí)間比例是很小的。當(dāng)光敏單體大部分消耗完時(shí),就進(jìn)入了單體耗盡區(qū),此時(shí)光聚合反應(yīng)已經(jīng)完成。該過程類似于原子彈爆炸的過程。
正確控制曝光時(shí)間是得到優(yōu)良的干膜抗蝕圖像非常重要的因素。當(dāng)曝光不足時(shí),由于單體聚合的不徹底,在顯影過程中,膠膜溶漲變軟,線條不清晰,色澤暗淡,甚至脫膠,在電鍍前處理 或電鍍過程中,膜起翹、滲鍍、甚至脫落。當(dāng)曝光過頭時(shí)會造成難于顯影、膠膜發(fā)脆、留下殘膠等弊病。更為嚴(yán)重的是不正確的曝光將產(chǎn)生圖像線寬的偏差,過量的曝光會使圖形電鍍的線條變細(xì),使印制蝕刻的線條變粗,反之,曝光不足使圖形電鍍的線條變粗,使印制蝕刻的線條變細(xì)。
如何正確確定曝光時(shí)間呢?
由于應(yīng)用于膜的各廠家所用的曝光機(jī)不同,即光源,燈的功率及燈距不同,因此干膜生產(chǎn)廠家很難推薦一個(gè)固定的曝光時(shí)間。國外生產(chǎn)干膜的公司都有自己專用的或推薦使用的某種光密度尺,干膜出廠時(shí)都標(biāo)出推薦的成像級數(shù)、國內(nèi)的干膜生產(chǎn)廠家沒有自己專用的光密度尺, 通常推薦使用瑞斯頓幟iston)17級或斯圖費(fèi)(stouffer)21級光密度尺。
瑞斯頓17級光密度尺第一級的光密度為0.5,以后每級以光密度差AD為0.05遞增,到第17級光密度為1.30。 斯圖費(fèi)2l級光密度尺第一級的光密度為0.05,以后每級以光密度差△D為0.15遞增,到第2l級光密度為3.05。 在用光密度尺進(jìn)行曝光時(shí),光密度小的(即較透明的)等級,干膜接受的紫外光能量多,聚合的較完全,而光密度大的(即透明程度差的)等級,干膜接受的紫外光能量少,不發(fā)生聚合或 聚合的不完全,在顯影時(shí)被顯掉或只留下一部分。這樣選用不同的時(shí)間進(jìn)行曝光便可得到不同的成像級數(shù)?,F(xiàn)將瑞斯頓17級光密度尺的使用方法簡介如下:a.進(jìn)行曝光時(shí)藥膜向下;b.在覆銅箔板上貼膜后放15分鐘再曝光;c.曝光后放置30分鐘顯影。 任選一曝光時(shí)間作為參考曝光時(shí)間,用Tn表示,顯影后留下的最大級數(shù)叫參考級數(shù),將推薦的使用級數(shù)與參考級數(shù)相比較,并按下面系數(shù)表進(jìn)行計(jì)算。
級數(shù)差 系數(shù)K 級數(shù)差 系數(shù)K
1 1.122 6 2.000
2 1.259 7 2.239
3 1.413 8 2.512
4 1.585 9 2.818
5 1.778 10 3.162
當(dāng)使用級數(shù)與參考級數(shù)相比較需增加時(shí),使用級數(shù)的曝光時(shí)間T=KTR。當(dāng)使用級數(shù)與參考級數(shù)相比較需降低時(shí),使用級數(shù)的曝光時(shí)間T=TR/K。這樣只進(jìn)行一次試驗(yàn)便可確定最佳曝光時(shí)間。 在無光密度尺的情況下也可憑經(jīng)驗(yàn)進(jìn)行觀察,用逐漸增加曝光時(shí)間的方法,根據(jù)顯影后干膜的光亮程度、圖像是否清晰、圖像線寬是否與原底片相符等來確定適當(dāng)?shù)钠毓鈺r(shí)間。
嚴(yán)格的講,以時(shí)間來計(jì)量曝光是不科學(xué)的,因?yàn)楣庠吹膹?qiáng)度往往隨著外界電壓的波動及燈的老化而改變。光能量定義的公式E=IT,式中E表示總曝光量,單位為毫焦耳/平方厘米;I表示光的強(qiáng)度,單位為毫瓦/平方厘米;T為曝光時(shí)間,單位為秒。從上式可以看出,總曝光量E隨光強(qiáng)I 和曝光時(shí)間T而變化。當(dāng)曝光時(shí)間T恒定時(shí),光強(qiáng)I改變,總曝光量也隨之改變,所以盡管嚴(yán)格控制了曝光時(shí)間,但實(shí)際上干膜在每次曝光時(shí)所接受的總曝光量并不一定相同,因而聚合程度也就不同。為使每次曝光能量相同,使用光能量積分儀來計(jì)量曝光。其原理是當(dāng)光強(qiáng)I發(fā)生變化時(shí), 能自動調(diào)整曝光時(shí)間T,以保持總曝光量E不變。
三。照相底版的質(zhì)量
照相底版的質(zhì)量主要表現(xiàn)在光密度和尺寸穩(wěn)定性兩方面。
關(guān)于光密度,要求最大光密度Dmax大于4,最小光密度Dmin小于0.2。最大光密度是指底片在紫外光中,其表面擋光膜的擋光下限,也就是說,底片不透明區(qū)的擋光密度Dmax超過4時(shí),才能達(dá)到良好的擋光目的。最小光密度是指底片在紫外光中,其擋光膜以外透明片基所呈現(xiàn)的擋光上限,也就是說,當(dāng)?shù)灼该鲄^(qū)之光密度Dmin小于0.2時(shí),才能達(dá)到良好的透光目的。照相底片的尺寸穩(wěn)定性(指隨溫度、濕度和儲存時(shí)間的變化)將直接影響印制板的尺寸精度和圖像重合度,照相底片尺寸嚴(yán)重脹大或縮小都會使照相底版圖像與印制板的鉆孔發(fā)生偏離。國產(chǎn) 硬性軟片受溫度和濕度的影響,尺寸變化較大,其溫度系數(shù)和濕度系數(shù)大約在 (50—60)×10-6/℃及(50—60)×10-6/%,對于一張長度約400mm的底片,冬季和夏季 的尺寸變化可達(dá)0.5—1mm,在印制板上成像時(shí)可能偏半個(gè)孔到一個(gè)孔的距離。因此照相底版的生產(chǎn)、使用和儲存最好均在恒溫恒濕的環(huán)境中。另曝光機(jī)如冷卻系統(tǒng)有問題,機(jī)內(nèi)溫度過高會使底片產(chǎn)生脹縮影響定位精度。
采用厚聚酯片基的銀鹽片(例如0.18mm)和重氮片,可提高照相底版的尺寸穩(wěn)定性。 除上述三個(gè)主要因素外,曝光機(jī)的真空系統(tǒng)及真空框架材料的選擇等也會影響曝光成像的質(zhì)量。
四。曝光定位(適用于非自動曝光機(jī))
1)目視定位通常適用于使用重氮底版的手動定位曝光,重氮底版呈棕色或桔紅色的半透明狀態(tài);但不透紫外光,透過重氮圖像使底版的焊盤與印制板的孔重合對準(zhǔn),用膠帶固定即可進(jìn)行曝光。
2)脫銷定位系統(tǒng)定位 脫銷定位系統(tǒng)包括照相軟片沖孔器和雙圓孔脫銷定位器。 定位方法是:首先將正面、反面兩張底版藥膜相對在顯微鏡下對準(zhǔn);將對準(zhǔn)的兩張底版用 軟片沖孔器于底版有效圖像外任沖兩個(gè)定位孔,把沖好定位孔的底版任取一張去編鉆孔程序, 便能得到同時(shí)鉆出元件孔及定位孔的數(shù)據(jù)帶,一次性鉆出元件孔及定位孔,印制板金屬化孔及預(yù)鍍銅后,便可用雙圓孔脫銷定位器定位曝光。
3)固定銷釘定位,固定銷釘分兩套系統(tǒng),一套固定照相底版,另一套固定印制板,通過調(diào)整兩銷釘?shù)奈恢?,?shí)現(xiàn)照相底版與印制板的重合對準(zhǔn)。
一般曝光后聚合反應(yīng)還要持續(xù)一段時(shí)間,為保證工藝的穩(wěn)定性,曝光后不要立即揭去聚酯膜,以使聚合反應(yīng)持續(xù)進(jìn)行。一般曝光以后需放置15分鐘-30分鐘以后才顯影,待顯影前再揭去聚酯膜。
干膜曝光工藝學(xué)習(xí)資料
- 學(xué)習(xí)資料(11253)
- 干膜曝光(5623)
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本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 10:27 編輯
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2013-04-02 08:08:11
光掩膜(mask)制造流程和檢測流程及其他資料整理
光掩膜有掩膜原版(reticle mask,也有稱為中間掩膜,reticle作為單位譯為光柵),用步進(jìn)機(jī)重復(fù)將比例縮小到master maks上,應(yīng)用到實(shí)際曝光中的為工作掩膜(working
2012-01-12 10:36:16
印制電路制造者的干膜技術(shù)性能要求
。 干膜的耐顯影性是指曝光的干膜耐過顯影的程度,即顯影時(shí)間可以超過的程度,耐顯影性 反映了顯影工藝的寬容度。 干膜的顯影性與耐顯影性直接影響生產(chǎn)印制板的質(zhì)量。顯影不良的干膜會給蝕刻帶來困 難,在圖形
2010-03-09 16:12:32
印制電路板用干膜防焊膜
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 16:49 編輯
印制電路板用干膜防焊膜干膜阻焊劑不為液態(tài)或糊劑狀,它是以一種光敏聚合物膜的形態(tài)出現(xiàn)的,這層光敏聚合物膜夾在兩層保護(hù)層之間
2013-09-11 10:56:17
印制電路板用干膜防焊膜的步驟
機(jī)的類型和干膜的類型而確定?! ?. 壓合后的維持時(shí)間 壓合和曝光之間的維持時(shí)間應(yīng)當(dāng)進(jìn)行仔細(xì)的控制以獲得最佳的效果。壓合剛剛完成時(shí),所需的曝光能量較低,它隨著維持時(shí)間的增長而迅速增加,并逐漸穩(wěn)定到一
2018-09-05 16:39:00
印制電路板的鍍錫、褪錫、脫膜過程
已完成線路蝕刻后的線路抗蝕層(即:經(jīng)鍍錫工藝形成的錫層)去除,露出線路,從而利于后續(xù)阻焊等工藝的制作?! 「?b class="flag-6" style="color: red">膜工藝屮的脫膜是將已完成線路蝕刻后的線路抗蝕層(即:經(jīng)曝光而固化的掩孔干膜)去除,露出
2018-09-20 10:24:11
印刷線路板及其加工
→檢驗(yàn)包裝→成品出廠。 貫通孔金屬化法制造多層板工藝流程→內(nèi)層覆銅板雙面開料→刷洗→鉆定位孔→貼光致抗蝕干膜或涂覆光致抗蝕劑→曝光→顯影→蝕刻與去膜→內(nèi)層粗化、去氧化→內(nèi)層檢查→(外層單面覆銅板線路
2018-09-13 16:13:34
厚膜電路的八大優(yōu)點(diǎn)
3)電阻漿料:一般為釕酸鹽系列 4)典型工藝:CAD--制版--印刷--烘干--燒結(jié)--電阻修正--引腳安裝--測試 5)名字來由:電阻和導(dǎo)體膜厚一般超過10微米,相對濺射等工藝所成電路的膜厚了
2011-12-01 09:10:36
雙層PCB板制作過程與工藝
, 其組成水溶性干膜,以碳酸鈉顯 像,用稀氫氧化鈉剝膜而完成的顯像動作。此步驟即將處理完之PCB表面”黏” 上一層會進(jìn)行光化學(xué)反應(yīng)之水溶性干膜,可經(jīng)感光以呈現(xiàn)PCB上所有線路等之 原型。 3.曝光 壓
2018-09-20 10:54:16
雙面FPC制造工藝
以下的精密圖形大部分都可以用干膜法形成抗蝕線路圖形。采用干膜,其厚度是15~25μm,條件允許,批量水平可以制作30~40μm線寬的圖形。當(dāng)選擇干膜時(shí),必須根據(jù)與銅箔板、工藝的匹配性并通過試驗(yàn)來確定
2019-01-14 03:42:28
雙面印制電路板制造工藝
像,而使用一種特殊的掩蔽型干膜來掩蓋孔,再曝光制成正像圖形,這就是掩蔽孔工藝。它與堵孔法相比,不再存在洗凈孔內(nèi)油墨的難題,但對掩蔽干膜有較高的要求。麥|斯|艾|姆|P|CB樣板貼片,麥1斯1艾1姆1科1
2013-09-24 15:47:52
雙面印制電路板制造典型工藝
孔的油墨?! ≡诙驴追?b class="flag-6" style="color: red">工藝中如果不采用堵孔油墨堵孔和網(wǎng)印成像,而使用一種特殊的掩蔽型干膜來掩蓋孔,再曝光制成正像圖形,這就是掩蔽孔工藝。它與堵孔法相比,不再存在洗凈孔內(nèi)油墨的難題,但對掩蔽干膜有較高的要求。 SMOBC工藝的基礎(chǔ)是先制出裸銅孔金屬化雙面板,再應(yīng)用熱風(fēng)整平工藝。
2018-09-14 11:26:07
雙面柔性電路板FPC制造工藝全解
FPC制造工藝現(xiàn)在,抗蝕劑的涂布方法根據(jù)電路圖形的精密度和產(chǎn)量分為以下三種方法:絲網(wǎng)漏印法、干膜/感光法、液態(tài)抗蝕劑感光法?,F(xiàn)在,抗蝕劑的涂布方法根據(jù)電路圖形的精密度和產(chǎn)量分為以下三種方法:絲網(wǎng)漏印法
2016-08-31 18:35:38
圖像轉(zhuǎn)移基礎(chǔ)流程
圖像轉(zhuǎn)移基礎(chǔ)流程 下料→板面清潔處理→涂濕膜→曝光→顯影(貼干膜→曝光→顯影)→蝕刻→去膜→進(jìn)入下工序 什么是圖像轉(zhuǎn)移 
2010-03-09 16:22:39
弄懂PCB的工藝流程,也就幾張圖的事情
的制作是PCB制作的根本。所以圖形轉(zhuǎn)移過程對PCB制作來說,有非常重要的意義。內(nèi)層干膜包括內(nèi)層貼膜、曝光顯影、內(nèi)層蝕刻等多道工序。內(nèi)層貼膜就是在銅板表面貼上一層特殊的感光膜,就是我們所說的干膜。這種膜遇
2018-09-20 17:29:41
怎么區(qū)分電阻是薄膜式還是厚膜式?
; 2、根據(jù)制造工藝 厚膜電阻一般采用絲網(wǎng)印刷工藝,薄膜電阻采用的是真空蒸發(fā)、磁控濺射等工藝方法。 3、根據(jù)精度 厚膜電阻一般精密程度不高,多數(shù)是1%、5%、10%等,而薄膜電阻則可以做到0.01
2018-12-05 20:18:08
怎么設(shè)置攝像頭曝光時(shí)間?
最近在做攝像頭獲取圖像的程序,但是看了很多資料,大多是捕獲圖像后的圖像處理。但是想在捕獲之前的攝像頭得到的圖像預(yù)覽部分看到更清晰的圖像和符合要求的圖像。不過沒有相關(guān)屬性比如曝光時(shí)間、白平衡等方面修改的資料。不知道哪位大蝦可以指點(diǎn)迷津?
2013-07-09 18:42:13
感光干膜和濕膜的優(yōu)缺點(diǎn).
感光干膜和濕膜的優(yōu)缺點(diǎn).濕膜刷不平也不影響么?誰有經(jīng)驗(yàn)講講吧?到底哪個(gè)好,工廠是用哪個(gè)?
2012-11-05 19:40:37
我們知道的PCB正片和負(fù)片有哪些區(qū)別 ?
是透明的,而不要的部份則為黑色或棕色的,經(jīng)過線路制程曝光后,透明部份因干膜阻劑受光照而起化學(xué)作用硬化,接下來的顯影制程會把沒有硬化的干膜沖掉,于是在蝕刻制程中僅咬蝕干膜沖掉部份的銅箔(底片黑色或棕色
2017-06-23 12:08:48
數(shù)字曝光打印技術(shù)
微米級的直接成像數(shù)字曝光開發(fā)人員提供了一個(gè)強(qiáng)大工具,從而能夠在批量生產(chǎn)情況下實(shí)現(xiàn)快速曝光,以及更低的運(yùn)營成本。 通過使用可編程光控制的DLP技術(shù),開發(fā)人員可以將圖形直接曝光在光阻膠片上,而無需接觸掩膜
2018-08-29 15:19:25
數(shù)碼相機(jī)曝光的整個(gè)流程是怎樣的?
CCD有哪幾種類型?數(shù)碼相機(jī)曝光的整個(gè)流程是怎樣的?面陣數(shù)碼相機(jī)如何解決彩色圖像的曝光?CCD在圖像運(yùn)作的三大角色是什么?
2021-06-04 06:56:08
新能源動力電池用FPC產(chǎn)品中阻焊能否用液態(tài)油墨替代覆蓋膜?
動力電池用FPC生產(chǎn)工藝中阻焊能否用液態(tài)油墨替代覆蓋膜?是否可行?
2023-06-05 14:32:25
普通單雙面板的生產(chǎn)工藝流程:圖形轉(zhuǎn)移
等。【2】干膜(壓干膜/貼膜/貼干膜)通過壓膜機(jī),在銅面上,貼附感光材料(干膜)?!?】曝光利用感光照相原理,使感光材料(干膜)受到紫外光照射(即曝光)后,發(fā)生聚合反應(yīng),完成圖形轉(zhuǎn)移。注:曝光又為圖形
2023-02-17 11:54:22
機(jī)械制造工藝學(xué)
機(jī)械制造工藝學(xué)緒論 第一章 概述 第一節(jié) 機(jī)械制造工藝學(xué)的研究對象第二節(jié) 基本概念和定義第二章 工藝規(guī)程的制訂第一節(jié) 毛坯的選擇第二節(jié) 工件的裝夾第三節(jié) 定位基準(zhǔn)的選擇第四節(jié) 工藝路線的擬定第五節(jié)
2008-06-17 11:41:30
正片工藝、負(fù)片工藝的差別,你都知道嗎?
通常為2~3mil(50~~~75μm),而正片工藝,則受線路銅厚影響較?。ㄖ饕?b class="flag-6" style="color: red">干膜、藥水、設(shè)備等的影響)。最后,負(fù)片工藝制作的線路“上小下大”,線路與基材的結(jié)合力較好,而正片工藝因制作的線路為“上
2022-12-08 13:56:51
求mesh的學(xué)習(xí)資料分享
昨天問了官方的技術(shù)員:多個(gè)CH573 的藍(lán)牙Mesh網(wǎng)絡(luò)怎么去學(xué)習(xí),mesh學(xué)習(xí)資料包
2022-08-10 06:58:03
求xilinx_Zynq7000的學(xué)習(xí)資料
求xilinx_Zynq7000的學(xué)習(xí)資料,相關(guān)的xilinx學(xué)習(xí)資料也可以,本人有Altera的資料,有需要的請講
2019-01-29 06:35:20
深圳CCD半自動曝光機(jī)系統(tǒng)有哪些特點(diǎn)及參數(shù)?
如今傳統(tǒng)手動曝光機(jī),用人工來進(jìn)行菲林與底板手工對位精度在100um左右,而且重復(fù)靠人眼對位,勞動強(qiáng)度非常大,年輕人不愿承擔(dān)。由于高精度、高速度的工藝需求,需要提高曝光機(jī)的核心競爭力。四元數(shù)針對
2021-09-28 14:44:04
直接成像數(shù)字曝光技術(shù)介紹
)、芯片尺寸封裝(CSP)、平板顯示、實(shí)時(shí)條形碼標(biāo)刻,以及計(jì)算機(jī)直接制版印刷——這項(xiàng)打印工藝可直接將一副數(shù)字圖像從計(jì)算機(jī)發(fā)送至一塊印板上。 與傳統(tǒng)數(shù)字曝光技術(shù)相比,直接成像數(shù)字曝光的優(yōu)勢有很多…
2022-11-16 07:18:34
碳膜電阻器工藝流程介紹
碳膜電阻器是用有機(jī)粘合劑將碳墨、石墨和填充料配成懸浮液涂復(fù)于絕緣基體上,經(jīng)加熱聚合而成。氣態(tài)碳?xì)浠衔镌诟邷睾驼婵罩蟹纸?,碳沉積在瓷棒或者瓷管上,形成一層結(jié)晶碳膜。改變碳膜厚度和用刻槽的方法變更碳膜
2019-06-26 02:26:27
線路板濕膜工藝技術(shù)解決成品的沙眼、缺口、斷線等問題
了。 4.消除板邊發(fā)毛 貼干膜板邊易發(fā)毛、易產(chǎn)生膜碎,在生產(chǎn)過程中會影響板子的合格率,印濕膜的板子邊緣沒有膜碎和發(fā)毛現(xiàn)象。 四 濕膜的工藝流程 根據(jù)自身?xiàng)l件,使用了多種濕膜,最后選用了北京力拓達(dá)
2018-08-29 10:20:48
芯片制作工藝流程 二
涂敷光刻膠 光刻制造過程中,往往需采用20-30道光刻工序,現(xiàn)在技術(shù)主要采有紫外線(包括遠(yuǎn)紫外線)為光源的光刻技術(shù)。光刻工序包括翻版圖形掩膜制造,硅基片表面光刻膠的涂敷、預(yù)烘、曝光、顯影、后烘、腐蝕
2019-08-16 11:11:34
請問半導(dǎo)體切割保護(hù)膜藍(lán)膜和UV膜廠商怎么找下游客戶
請教一下大家,小弟是做半導(dǎo)體切割保護(hù)膜這塊的業(yè)務(wù)員,專門銷售藍(lán)膜和UV膜的,想問下大家怎樣才能找到更多的客源或者工廠名單呢,沒業(yè)績很惆悵啊。。。。。。。。。
2014-11-24 16:28:21
誰有更好的Labview學(xué)習(xí)資料
誰有更好的Labview學(xué)習(xí)資料,我是初學(xué)者應(yīng)該學(xué)習(xí)哪些內(nèi)容
2019-11-27 12:42:38
貼片電阻中厚膜和薄膜的區(qū)別
`電子工程師日常中經(jīng)常使用的貼片電阻,一般包括普通類型的貼片厚膜和薄膜電阻。 兩個(gè)概念,即是從不同的層面來分類的。厚膜和薄膜最基本的區(qū)別,是從材料和工藝的角度來分類的;一個(gè)電阻,就可能即是厚膜的又是
2017-06-02 16:46:33
透明導(dǎo)電膜有哪些應(yīng)用?
透明導(dǎo)電膜(transparent conductive film,簡稱TCF)目前最主要的應(yīng)用是ITO膜,還有其他AZO等。
2019-09-17 09:12:28
透明導(dǎo)電膜玻璃有什么用途?
電池的電流,同時(shí)透明導(dǎo)電膜薄膜具有高透和減反射的功能讓大部分光進(jìn)入吸收層。透明導(dǎo)電膜玻璃的生產(chǎn)工藝透明導(dǎo)電膜玻璃工藝主要分為超白浮法玻璃生產(chǎn)、透明導(dǎo)電膜鍍膜。
2019-10-29 09:00:52
金屬膜電阻和金屬氧化膜電阻
為什么金屬氧化膜電阻溫度系數(shù)比金屬膜電阻大 還說它最主要特點(diǎn)是耐高溫。百度上查了些資料說:熱穩(wěn)定性是金屬膜電阻好,但是金屬膜工作溫度為70-155攝氏度,而金屬氧化膜電阻卻有 140-235攝氏度 真是搞不明白了
2016-06-12 14:59:32
陶瓷基板制作工藝中的相關(guān)技術(shù)介紹
程序包含了去膠渣、化學(xué)銅和電鍍銅三個(gè)程序。3、干膜壓合:制作感光性蝕刻的阻抗層。4、內(nèi)層線路影像轉(zhuǎn)移 :利用曝光將底片的影像轉(zhuǎn)移至板面。5、 外層線路曝光:經(jīng)過感光膜的貼附后,電路板曾經(jīng)過類似內(nèi)層板
2020-10-27 08:52:37
高溫厚膜電路的特點(diǎn)和應(yīng)用
一文讀懂高溫厚膜電路用絲網(wǎng)印刷和燒結(jié)等厚膜工藝在同一基片上制作無源網(wǎng)絡(luò),并在其上組裝分立的半導(dǎo)體器件芯片或單片集成電路或微型元件,再外加封裝而成的混合集成電路。厚膜混合集成電路是一種微型電子功能部件
2022-02-28 10:42:06
光刻掩膜版測溫儀,光刻機(jī)曝光光學(xué)系統(tǒng)測溫儀
GK-1000光刻掩膜版測溫儀,光刻機(jī)曝光光學(xué)系統(tǒng)測溫儀光刻機(jī)是一種用于微納米加工的設(shè)備,主要用于制造集成電路、光電子器件、MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))等微細(xì)結(jié)構(gòu)。光刻機(jī)是一種光學(xué)投影技術(shù),通過將光線通過
2023-07-07 11:46:07
半導(dǎo)體硅工藝學(xué)電子書
半導(dǎo)體硅工藝學(xué)是一部半導(dǎo)體材料技術(shù)叢書,重點(diǎn)闡述了半導(dǎo)體硅晶體us恒章、外延、雜質(zhì)擴(kuò)散和離子注入等工藝技術(shù)
2011-12-15 15:17:38117
電機(jī)制造工藝學(xué)_胡志強(qiáng)(完整版)
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《電機(jī)制造工藝學(xué)_胡志強(qiáng)(完整版).txt》資料免費(fèi)下載
2015-05-04 12:02:140
化學(xué)電源教案之《化學(xué)電源工藝學(xué)-第一部分》后有第二部分下載鏈接
本書是為解決本科專業(yè)調(diào)整后之教學(xué)急需編的《化學(xué)電源工藝學(xué))教材。全書共10章,包括:化學(xué)電源概論鋅-二氧化錳電池、鉛-酸蓄電池、鋪-鎳蓄電池、氮-鎳電池、鋅-氧化銀電范、鋰電池、鋰離子電池燃料電池其他化學(xué)電源。
2018-10-15 08:00:0029
曝光成像與顯影工藝技術(shù)的原理及特點(diǎn)
PCB板上的線路圖形就是PCB線路板廠家采用曝光成像與顯影蝕刻工藝技術(shù)來完成的,無論是PCB多層線路板還是柔性線路板在制作線路圖形時(shí)都要用到曝光成像與顯影工藝技術(shù)。下面來詳細(xì)介紹這兩種工藝的加工特點(diǎn)及加工原理。
2019-04-28 15:10:5231330
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