- 5G對無線通訊芯片產(chǎn)業(yè)鏈的影響

加工。2018年全球95%的RFSOI芯片均基于200mm晶圓制造，隨著SOI器件的廣泛應(yīng)用，目前200mmRFSOI產(chǎn)能存在瓶頸。而GlobalFoundries、TowerJazz、臺積電等也在擴產(chǎn)300mmRFSOI產(chǎn)能。

中國廠商在SOI襯底、設(shè)計和加工領(lǐng)域都有涉及。我國襯底廠商新傲科技(Simgui)作為SOI材料的主要供應(yīng)商，通過自主研發(fā)和同F(xiàn)orrotec、Gritek等海外公司的合作，已具備提供5GSOI材料的能力，計劃到2019年下半年完成年產(chǎn)40萬片的產(chǎn)能擴展。

加工方面，中芯國際正在推進0.13umRF-SOI平臺的升級，部分廠商如GlobalFoundry在中國也有設(shè)廠。

國內(nèi)的RF-SOI發(fā)展受制于硅片進口制約，200mm~300mm的硅片供應(yīng)能力較差。

另外，天線調(diào)諧器和射頻開關(guān)目前也可以選擇RFMEMS技術(shù)路徑，天線調(diào)節(jié)器中已經(jīng)有應(yīng)用。

Cavendish、MenloMicro和AAC子公司W(wǎng)iSpry正在面向移動通信開發(fā)RFMEMS器件。據(jù)Cavendish介紹，RFMEMS開關(guān)插損可以做到RFSOI的1/5。

2018年三星GalaxyA8已經(jīng)采用了Cavendish的技術(shù)，期望降低射頻系統(tǒng)的耗電等。然而RFMEMS的應(yīng)用需要價格、封裝和可靠性的進一步優(yōu)化。

天線:MIMO應(yīng)用確定，LDS和LCP天線成為趨勢天線系統(tǒng)是射頻系統(tǒng)中關(guān)鍵的組成部分，目前有被集成至射頻模組中的案例，但未被集成至芯片級，是射頻半導體領(lǐng)域的補充。

5G將推動天線數(shù)量從現(xiàn)有的2天線擴展至4~8天線以最終支持4×4MIMO。但由于尺寸原因，相當長的時間內(nèi)不會再進一步提升。

另外，由于全面屏等新趨勢出現(xiàn)，手機內(nèi)部空間受到進一步限制，天線的制作工藝也在發(fā)生變化。目前主流的手機天線制作工藝包括LDS、FPC等。

目前FPC軟板的供應(yīng)商包括:Murata、嘉聯(lián)益、臻鼎、臺郡科技等。

LCP天線生產(chǎn)商包括:Murata、嘉聯(lián)益、安費諾、立訊精密、信維通信、Career等。

基站用射頻器件:處理器自研為主，功放選擇GaN基站處理器以自研為主

5G基站市場整體規(guī)模相對終端較小。根據(jù)DGTimes預計，2020年5G基站整體市場規(guī)模為11.43億美元，到2026年增長至342.86億美元，2012~2026年的復合增速在50%以上。到2026年市場規(guī)模約為手機的1/16。

然而5G基站相比手機功能僅為連接。因此5G基站射頻市場基本等同于整體市場規(guī)模，同手機射頻市場規(guī)模處在同一量級。

基站射頻系統(tǒng)結(jié)構(gòu)類似手機，但由于強調(diào)覆蓋性，不強調(diào)尺寸、耗電量等指標，相比手機射頻系統(tǒng)存在不同。

由于以上不同，基站市場的半導體選型存在差異。

基站基帶半導體芯片一般選擇自主研發(fā)或合作開發(fā)，Intel、中興、華為、Nokia、Ericsson、三星等公司均設(shè)有自己的研發(fā)團隊。

早期開發(fā)以DSP和FPGA作為主要控制芯片，一旦技術(shù)成熟，即設(shè)計為成熟半導體芯片，部分選擇FPGA以增加靈活性。

2017年全球電信設(shè)備市場規(guī)模372億美元，由于基帶ASIC均為自制，沒有明確比例顯示市場規(guī)模。

ASIC處理芯片目前一般采用10/7nm技術(shù)研發(fā)。一般為Fabless模式，選擇臺積電等Foundry代工生產(chǎn)。FPGA全球市場規(guī)模約為40億美元，其中Xilinx占比超過50%。

功放發(fā)展趨勢:關(guān)注GaN市場龍頭企業(yè)成長

GaN已經(jīng)取代LDMOS成為下一代功放的重要材料。

預計毫米波頻率功放將采用GaN材料制作，一大好處是提升功放的空間利用率。

GaN功放已經(jīng)在雷達等軍用市場有了一系列應(yīng)用，2017年市場規(guī)模約為3.84億美元，YOLE預測2022年市場規(guī)模因為通信業(yè)的加入將達到11億美元。